JPH08157419A - ジメチル トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法 - Google Patents
ジメチル トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法Info
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- JPH08157419A JPH08157419A JP6298309A JP29830994A JPH08157419A JP H08157419 A JPH08157419 A JP H08157419A JP 6298309 A JP6298309 A JP 6298309A JP 29830994 A JP29830994 A JP 29830994A JP H08157419 A JPH08157419 A JP H08157419A
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジメチル
（１，４−ＤＭＣＤ）のトランス体を得る異性化技術の
開発。 【構成】１，４−ＤＭＣＤを酢酸型触媒の存在下に２０
０〜３００℃で異性化反応を起こさせ、シス体／トラン
ス体６０／４０のものからシス体／トランス体４０〜３
０／６０〜７０のものに変化させる。
（１，４−ＤＭＣＤ）のトランス体を得る異性化技術の
開発。 【構成】１，４−ＤＭＣＤを酢酸型触媒の存在下に２０
０〜３００℃で異性化反応を起こさせ、シス体／トラン
ス体６０／４０のものからシス体／トランス体４０〜３
０／６０〜７０のものに変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はジメチル トランス−
１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法
に関する。さらに詳しくはジメチル １，４−シクロヘ
キサンジカルボキシレートのシス体を異性化してトラン
ス体を製造する改良方法に関する。
１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法
に関する。さらに詳しくはジメチル １，４−シクロヘ
キサンジカルボキシレートのシス体を異性化してトラン
ス体を製造する改良方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ジメチルテレフタレートを水添して得ら
れるジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキシレ
ート（以後１，４−ＤＭＣＤと略称することがある）は
シス体（ｃｉｓ体）とトランス体（ｔｒａｎｓ体）の混
合物である。この混合物中のシス体の割合（比率）は通
常６０〜７０重量％である。
れるジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキシレ
ート（以後１，４−ＤＭＣＤと略称することがある）は
シス体（ｃｉｓ体）とトランス体（ｔｒａｎｓ体）の混
合物である。この混合物中のシス体の割合（比率）は通
常６０〜７０重量％である。
【０００３】１，４−ＤＭＣＤは、近年、合成繊維、合
成樹脂などの原料として１，４−シクロヘキサンジメタ
ノールと同様に注目されて来ている。例えば、耐熱性、
強度、染色性などに優れた繊維、樹脂などのポリマー改
質剤、或いはモノマーとして使用され、特に、トランス
−１，４−ＤＭＣＤを用いる方が性能の良いものが出来
る。
成樹脂などの原料として１，４−シクロヘキサンジメタ
ノールと同様に注目されて来ている。例えば、耐熱性、
強度、染色性などに優れた繊維、樹脂などのポリマー改
質剤、或いはモノマーとして使用され、特に、トランス
−１，４−ＤＭＣＤを用いる方が性能の良いものが出来
る。
【０００４】トランス−１，４−ＤＭＣＤの製造方法と
して従来、ジメチルテレフタレートをアルカリ金属ー水
銀アマルガム触媒を用いて水素化する方法（独国特許１
６４３８８４号明細書）等のように水素化反応（水添）
における立体制御による方法、シス−１，４−ＤＭＣＤ
の異性化による方法の２種類が知られている。前者は、
使用する触媒の価格上の問題、さらには安全性の問題か
ら、効率的・工業的な方法とは言い難い。一方、異性化
反応については金属酸化物上に担持した燐酸触媒を用い
る方法（米国特許５２３１２１８号明細書）、ルイス酸
触媒を用いる方法（米国特許０８９２０２４号明細
書）、炭酸塩や金属ハロゲン化物を使用する方法などが
ある。しかしながら、酸触媒やルイス酸触媒を用いると
エステルの加水分解などの副反応が生じ、生成したカル
ボン酸成分は反応速度を低下させるという問題点があ
る。また、ハロゲンイオンの存在は反応装置の腐食が問
題となる。
して従来、ジメチルテレフタレートをアルカリ金属ー水
銀アマルガム触媒を用いて水素化する方法（独国特許１
６４３８８４号明細書）等のように水素化反応（水添）
における立体制御による方法、シス−１，４−ＤＭＣＤ
の異性化による方法の２種類が知られている。前者は、
使用する触媒の価格上の問題、さらには安全性の問題か
ら、効率的・工業的な方法とは言い難い。一方、異性化
反応については金属酸化物上に担持した燐酸触媒を用い
る方法（米国特許５２３１２１８号明細書）、ルイス酸
触媒を用いる方法（米国特許０８９２０２４号明細
書）、炭酸塩や金属ハロゲン化物を使用する方法などが
ある。しかしながら、酸触媒やルイス酸触媒を用いると
エステルの加水分解などの副反応が生じ、生成したカル
ボン酸成分は反応速度を低下させるという問題点があ
る。また、ハロゲンイオンの存在は反応装置の腐食が問
題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らはこれらの
問題を解決するために鋭意検討を行い、酢酸金属塩類が
異性化反応に対して優れた活性を示し、しかも、副生成
物が少ないこと、また異性体混合物より恒温固液分離又
は溶融晶析する事により選択的にトランス−１，４−Ｄ
ＭＣＤを精製分離できることを見い出し本発明を完成し
た。
問題を解決するために鋭意検討を行い、酢酸金属塩類が
異性化反応に対して優れた活性を示し、しかも、副生成
物が少ないこと、また異性体混合物より恒温固液分離又
は溶融晶析する事により選択的にトランス−１，４−Ｄ
ＭＣＤを精製分離できることを見い出し本発明を完成し
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、 （１）ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキシ
レートのシス体を異性化してトランス体を製造するに際
し、該異性化を酢酸塩型触媒を用い２００〜３００℃の
温度で行うことを特徴とするジメチル トランス−１，
４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法、更
に、 （２）ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキシ
レートのシス体を異性化してトランス体を製造する方法
において、 Ａ：ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボンサン
ジカルボキシレートのシス体とトランス体の混合物を酢
酸塩型触媒の存在下、２００〜３００℃で加熱撹拌し該
シス体の少なくとも一部をトランス体に異性化して、ト
ランス体の比率の高められた反応生成物を得るステッ
プ、 Ｂ：ステップＡで得た反応生成物を減圧蒸留して生成す
るステップ、及び Ｃ：ステップＢでえた反応生成物を結晶ベッド温度３０
〜５０℃で溶融晶析し、次いで３０〜５０℃で固液分離
してトランス体の比率が９０重量％以上の結晶ケークを
得るステップを含むことを特徴とするジメチル トラン
ス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造
方法である。
レートのシス体を異性化してトランス体を製造するに際
し、該異性化を酢酸塩型触媒を用い２００〜３００℃の
温度で行うことを特徴とするジメチル トランス−１，
４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法、更
に、 （２）ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキシ
レートのシス体を異性化してトランス体を製造する方法
において、 Ａ：ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボンサン
ジカルボキシレートのシス体とトランス体の混合物を酢
酸塩型触媒の存在下、２００〜３００℃で加熱撹拌し該
シス体の少なくとも一部をトランス体に異性化して、ト
ランス体の比率の高められた反応生成物を得るステッ
プ、 Ｂ：ステップＡで得た反応生成物を減圧蒸留して生成す
るステップ、及び Ｃ：ステップＢでえた反応生成物を結晶ベッド温度３０
〜５０℃で溶融晶析し、次いで３０〜５０℃で固液分離
してトランス体の比率が９０重量％以上の結晶ケークを
得るステップを含むことを特徴とするジメチル トラン
ス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造
方法である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキ
シレート（１，４−ＤＭＣＤ）のシス体はその製法によ
って制約を受けないが、ジメチルテレフタレートの水素
化反応（水添）で製造されたものが好ましく用いられ
る。この水添で得られる１，４−ＤＭＣＤはシス体とト
ランス体の混合物であり、シス体とトランス体の割合
（比率）は通常６０：４０〜７０：３０（重量％）であ
る。本発明においてはこの混合物をそのまま用いること
が好ましいが、シス体の比率が上記の範囲を満足しない
ものも用いることが出来る。また、単離されたシス体を
用いることもできる。
おいて、ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキ
シレート（１，４−ＤＭＣＤ）のシス体はその製法によ
って制約を受けないが、ジメチルテレフタレートの水素
化反応（水添）で製造されたものが好ましく用いられ
る。この水添で得られる１，４−ＤＭＣＤはシス体とト
ランス体の混合物であり、シス体とトランス体の割合
（比率）は通常６０：４０〜７０：３０（重量％）であ
る。本発明においてはこの混合物をそのまま用いること
が好ましいが、シス体の比率が上記の範囲を満足しない
ものも用いることが出来る。また、単離されたシス体を
用いることもできる。
【０００８】本発明において異性化触媒である酢酸塩型
触媒は、酢酸アルカリ金属塩、酢酸アルカリ土類金属
塩、塩基性酢酸アルミニウム及び塩基性酢酸鉄の群から
選ばれる少なくとも１種の酢酸塩からなることが好まし
い。この酢酸塩は粉体としてそのまま使用でき、また水
溶液とした後一般的に用いられる活性炭、ケイソウ土、
アルミナ、シリカ、チタニア、マグネシア、ゼオライト
などの担体に含浸法などにより担持して使用することが
出来る。
触媒は、酢酸アルカリ金属塩、酢酸アルカリ土類金属
塩、塩基性酢酸アルミニウム及び塩基性酢酸鉄の群から
選ばれる少なくとも１種の酢酸塩からなることが好まし
い。この酢酸塩は粉体としてそのまま使用でき、また水
溶液とした後一般的に用いられる活性炭、ケイソウ土、
アルミナ、シリカ、チタニア、マグネシア、ゼオライト
などの担体に含浸法などにより担持して使用することが
出来る。
【０００９】上記アルカリ金属としてはナトリウム又は
カリウムが好ましく例示でき、またアルカリ土類金属と
してはカルシウム及びマグネシウムが好ましく例示でき
る。具体的には酢酸ナトリム、酢酸カリウム、酢酸カル
シウム、酢酸マグネシウム等が例示できる。
カリウムが好ましく例示でき、またアルカリ土類金属と
してはカルシウム及びマグネシウムが好ましく例示でき
る。具体的には酢酸ナトリム、酢酸カリウム、酢酸カル
シウム、酢酸マグネシウム等が例示できる。
【００１０】本発明において、異性化反応を行う際の反
応温度は重要であり、２００〜３００℃とする必要があ
る。この反応温度が２００℃未満では反応速度が低く、
３００℃を超えると原料及び目的物の分解反応が進行し
好ましくない。
応温度は重要であり、２００〜３００℃とする必要があ
る。この反応温度が２００℃未満では反応速度が低く、
３００℃を超えると原料及び目的物の分解反応が進行し
好ましくない。
【００１１】本発明において、異性化反応は常圧でも実
施できるが、１，４−ＤＭＣＤを液相に保つために圧力
を上げて行うことも可能である。
施できるが、１，４−ＤＭＣＤを液相に保つために圧力
を上げて行うことも可能である。
【００１２】本発明において触媒と反応基質の重量比は
特に制限されないが、通常単体を含めた触媒合計重量
（ドライ）／原料重量の比が０．００１〜１の範囲にあ
ることが好ましい。
特に制限されないが、通常単体を含めた触媒合計重量
（ドライ）／原料重量の比が０．００１〜１の範囲にあ
ることが好ましい。
【００１３】異性化反応方法としては触媒を反応基質中
に懸濁させて行う所謂懸濁床による方法、あるいは触媒
を固定化してこれに溶融した原料（反応基質）を通じる
所謂固定床による方法が採用できる。
に懸濁させて行う所謂懸濁床による方法、あるいは触媒
を固定化してこれに溶融した原料（反応基質）を通じる
所謂固定床による方法が採用できる。
【００１４】かかる異性化反応によって副反応が少な
く、しかもトランス体の比率の高められた１，４−ＤＭ
ＣＤを製造することができる。例えば、シス体／トラン
ス体の比率が６０／４０の１，４−ＤＭＣＤを異性化し
て、この比率が約４０／６０の１，４−ＤＭＣＤを得る
ことができる。
く、しかもトランス体の比率の高められた１，４−ＤＭ
ＣＤを製造することができる。例えば、シス体／トラン
ス体の比率が６０／４０の１，４−ＤＭＣＤを異性化し
て、この比率が約４０／６０の１，４−ＤＭＣＤを得る
ことができる。
【００１５】異性化反応生成物は、懸濁床による場合に
は触媒を含有し、一方固定床による場合には触媒を含有
していないが、いずれにしても副反応生成物（例えば着
色成分）を除去する処理を要する。この処理としては減
圧蒸留処理、すなわち１，４−ＤＭＣＤを留分とする減
圧蒸留処理が好ましい。なお、この処理において反応生
成物に触媒が含有されているとき、該触媒も副反応生成
物とともに除去される。
は触媒を含有し、一方固定床による場合には触媒を含有
していないが、いずれにしても副反応生成物（例えば着
色成分）を除去する処理を要する。この処理としては減
圧蒸留処理、すなわち１，４−ＤＭＣＤを留分とする減
圧蒸留処理が好ましい。なお、この処理において反応生
成物に触媒が含有されているとき、該触媒も副反応生成
物とともに除去される。
【００１６】本発明においては、精製処理特に減圧蒸留
した後の反応生成物を、さらにトランス体を単離する処
理に供する。この分離処理としては溶融晶析と固液分離
とを組み合わせた処理が好ましい。ここで、溶融晶析と
は、先ず反応生成物を融点以上に加熱して均一な溶融物
とし、ついで該溶融物を冷却してトランス体のみを晶析
させる処理である。この処理において晶析温度を３０〜
５０℃とする。これによりトランス体の純度が９０％以
上の１，４−ＤＭＣＤを析出させることができる。晶析
温度を３０℃未満にするとシス体を含んだ共晶も進み、
製品でのトランス体の純度が低下するので好ましくな
い。一方、５０℃超にすると晶析が実質的に進まない傾
向があり、精製の効率が悪く好ましくない。
した後の反応生成物を、さらにトランス体を単離する処
理に供する。この分離処理としては溶融晶析と固液分離
とを組み合わせた処理が好ましい。ここで、溶融晶析と
は、先ず反応生成物を融点以上に加熱して均一な溶融物
とし、ついで該溶融物を冷却してトランス体のみを晶析
させる処理である。この処理において晶析温度を３０〜
５０℃とする。これによりトランス体の純度が９０％以
上の１，４−ＤＭＣＤを析出させることができる。晶析
温度を３０℃未満にするとシス体を含んだ共晶も進み、
製品でのトランス体の純度が低下するので好ましくな
い。一方、５０℃超にすると晶析が実質的に進まない傾
向があり、精製の効率が悪く好ましくない。
【００１７】前記の固液分離は公知の分離手段を用いる
ことができ、３０〜５０℃で行うことが好ましい。実
際、この温度が３０℃未満になると、析出しているトラ
ンス体に取り込まれる形でシス体が析出または付着し
て、製品純度が７０％〜８０％に低下する。一方、５０
℃を超えると製品収率が著しく低下し好ましくない。
ことができ、３０〜５０℃で行うことが好ましい。実
際、この温度が３０℃未満になると、析出しているトラ
ンス体に取り込まれる形でシス体が析出または付着し
て、製品純度が７０％〜８０％に低下する。一方、５０
℃を超えると製品収率が著しく低下し好ましくない。
【００１８】固液分離した濾液（溶融１，４−ＤＭＣＤ
０）は再度異性化反応に供するため、異性化反応のステ
ップＡにリサイクルすることが好ましい。また、回収し
た触媒も活性度によってはそのまま使用できる場合もあ
るが、要すれば活性を回復させて再利用することが好ま
しい。
０）は再度異性化反応に供するため、異性化反応のステ
ップＡにリサイクルすることが好ましい。また、回収し
た触媒も活性度によってはそのまま使用できる場合もあ
るが、要すれば活性を回復させて再利用することが好ま
しい。
【００１９】本発明による製造プロセスの１例を図１に
示す。図１において１は異性化反応器(REACTOR)、２は
蒸留設備（DISTILLATION STILL）、３は晶析設備(CRYS
TALLIZER)、４は分離器(FILTER）を示す。
示す。図１において１は異性化反応器(REACTOR)、２は
蒸留設備（DISTILLATION STILL）、３は晶析設備(CRYS
TALLIZER)、４は分離器(FILTER）を示す。
【００２０】
【実施例】以下に本発明を実施例を用いてさらに詳しく
説明する。尚、以下の実施例の異性化率、原料損失、回
収率は下記の式に基づいて算出したものである。
説明する。尚、以下の実施例の異性化率、原料損失、回
収率は下記の式に基づいて算出したものである。
【００２１】
【数１】
【００２２】
【数２】
【００２３】
【数３】
【００２４】［実施例１］シス体／トランス体＝７０／
３０の原料１，４−ＤＭＣＤ１００ｇを内容積２００ｃ
ｃのガラス製常圧反応器に、触媒として市販の酢酸ナト
リウム１ｇ、テフロン製撹拌子と共に入れ、撹拌を起動
し、約２時間かけて２７０℃まで昇温し、６時間反応さ
せた。反応終了後、減圧蒸留により異性化反応回収物を
取り出し、ガスクロマトグラフィーにより分析した。そ
の結果、シス体／トランス体比率は３６．５／６３であ
った。また、原料損失は０．５％であった。
３０の原料１，４−ＤＭＣＤ１００ｇを内容積２００ｃ
ｃのガラス製常圧反応器に、触媒として市販の酢酸ナト
リウム１ｇ、テフロン製撹拌子と共に入れ、撹拌を起動
し、約２時間かけて２７０℃まで昇温し、６時間反応さ
せた。反応終了後、減圧蒸留により異性化反応回収物を
取り出し、ガスクロマトグラフィーにより分析した。そ
の結果、シス体／トランス体比率は３６．５／６３であ
った。また、原料損失は０．５％であった。
【００２５】［実施例２］触媒が市販の酢酸カリウムで
ある以外は実施例１の操作を繰り返した。その結果を表
１に記載した。
ある以外は実施例１の操作を繰り返した。その結果を表
１に記載した。
【００２６】
【表１】
【００２７】［実施例３］触媒として市販の塩基性酢酸
アルミニウムを用いた以外は実施例１の操作を繰り返し
た。その結果を表１に記載した。
アルミニウムを用いた以外は実施例１の操作を繰り返し
た。その結果を表１に記載した。
【００２８】［実施例４］触媒が市販の酢酸カルシウム
であること以外は実施例１の操作を繰り返した。その結
果を表１に記載した。
であること以外は実施例１の操作を繰り返した。その結
果を表１に記載した。
【００２９】［実施例５］触媒が市販の酢酸マグネシウ
ムであること以外は実施例１の操作を繰り返した。その
結果を表１に記載した。
ムであること以外は実施例１の操作を繰り返した。その
結果を表１に記載した。
【００３０】［実施例６］触媒が市販の塩基性酢酸鉄で
あること以外は実施例１の操作を繰り返した。その結果
を表１に記載した。
あること以外は実施例１の操作を繰り返した。その結果
を表１に記載した。
【００３１】［比較例１］無触媒である以外は実施例１
の方法を繰り返した。その結果を表２に記載した。
の方法を繰り返した。その結果を表２に記載した。
【００３２】
【表２】
【００３３】［比較例２］触媒が市販の塩化アルミニウ
ムである以外は実施例１の方法を繰り返した。その結果
を表２に記載した。
ムである以外は実施例１の方法を繰り返した。その結果
を表２に記載した。
【００３４】［比較例３］触媒が市販の炭酸ナトリウム
である以外は実施例１の操作を繰り返した。その結果を
表２に記載した。
である以外は実施例１の操作を繰り返した。その結果を
表２に記載した。
【００３５】［実施例７］実施例１で得られたシス体／
トランス体＝３６．５／６３の１，４−ＤＭＣＤ９８ｇ
を減圧蒸留した後、溶融晶析時に４０℃で結晶化させ、
この温度を保持したまま、固液分離を行い、ケーク４１
ｇと濾液５２ｇに分離した。それぞれの組成比をガスク
ロマトグラフィーを用いて分析した結果、ケークはシス
体／トランス体比率＝８／９２、濾液はシス体／トラン
ス対比率＝６１／３９であった。
トランス体＝３６．５／６３の１，４−ＤＭＣＤ９８ｇ
を減圧蒸留した後、溶融晶析時に４０℃で結晶化させ、
この温度を保持したまま、固液分離を行い、ケーク４１
ｇと濾液５２ｇに分離した。それぞれの組成比をガスク
ロマトグラフィーを用いて分析した結果、ケークはシス
体／トランス体比率＝８／９２、濾液はシス体／トラン
ス対比率＝６１／３９であった。
【００３６】［実施例８］実施例２で得られた１，４−
ＤＭＣＤ１００ｇを用い、また、３０℃において結晶化
させること以外は実施例７の操作を繰り返した。その結
果を表３に記載した。
ＤＭＣＤ１００ｇを用い、また、３０℃において結晶化
させること以外は実施例７の操作を繰り返した。その結
果を表３に記載した。
【００３７】［実施例９］実施例３で得られた１，４−
ＤＭＣＤ１００ｇを用い、また、５０℃で結晶化させる
以外は実施例７の操作を繰り返した。その結果を表３に
記載した。
ＤＭＣＤ１００ｇを用い、また、５０℃で結晶化させる
以外は実施例７の操作を繰り返した。その結果を表３に
記載した。
【００３８】［比較例４］実施例１のようにして得られ
た１，４−ＤＭＣＤ１００ｇを用い、また、室温（２５
℃）で結晶化させる以外は実施例７の操作を繰り返し
た。その結果を表３に記載した。
た１，４−ＤＭＣＤ１００ｇを用い、また、室温（２５
℃）で結晶化させる以外は実施例７の操作を繰り返し
た。その結果を表３に記載した。
【００３９】
【表３】
【００４０】［実施例１０］実施例７で得られた濾液５
０ｇ、実施例７で実施した蒸留の釜残（触媒を含む）、
市販の酢酸ナトリウム０．５ｇ、及びシス体／トランス
体比率６５／３５の１，４−ＤＭＣＤ５０ｇを混合した
ものを原料に用いる以外は実施例１の操作を繰り返し
た。その結果、シス体／トランス体は３７／６２．４で
あり、原料損失は０．６％であった。
０ｇ、実施例７で実施した蒸留の釜残（触媒を含む）、
市販の酢酸ナトリウム０．５ｇ、及びシス体／トランス
体比率６５／３５の１，４−ＤＭＣＤ５０ｇを混合した
ものを原料に用いる以外は実施例１の操作を繰り返し
た。その結果、シス体／トランス体は３７／６２．４で
あり、原料損失は０．６％であった。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、従来の方法に対して異
性化反応時の副反応を減少させ、また既存の分離法に対
して温度コントロールよって、容易に、しかもより効率
よく高純度のジメチル トランス−１，４−シクロヘキ
サンジカルボキシレート（トランス−１，４−ＤＭＣ
Ｄ）を製造できると共に、触媒の安全性の向上が見込ま
れる。
性化反応時の副反応を減少させ、また既存の分離法に対
して温度コントロールよって、容易に、しかもより効率
よく高純度のジメチル トランス−１，４−シクロヘキ
サンジカルボキシレート（トランス−１，４−ＤＭＣ
Ｄ）を製造できると共に、触媒の安全性の向上が見込ま
れる。
【図１】本発明による製造プロセス１例を示す工程図で
ある。
ある。
１ ＲＥＡＣＴＯＲ（異性化反応器）、 ２ ＤＩＳＴＩＬＬＡＴＩＯＮ ＳＴＩＬＬ（蒸留装
置）、 ３ ＣＲＹＳＴＡＬＬＩＺＥＲ（晶析装置）、 ４ ＦＩＬＴＥＲ（分離器）
置）、 ３ ＣＲＹＳＴＡＬＬＩＺＥＲ（晶析装置）、 ４ ＦＩＬＴＥＲ（分離器）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 隅谷 浩二 愛媛県松山市北吉田町77番地 帝人株式会 社松山事業所内
Claims (7)
- 【請求項１】 ジメチル １，４−シクロヘキサンジカ
ルボキシレートのシス体を異性化してトランス体を製造
するに際し、該異性化を酢酸塩型触媒を用い、２００〜
３００℃の温度で行うことを特徴とするジメチル トラ
ンス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製
造方法。 - 【請求項２】 異性化に供するジメチル １，４−シク
ロヘキンサンジカルボキシレートのシス体がトランス体
との混合物を形成し、かつシス体とトランス体の割合が
６０：４０〜７０：３０である請求項１記載のジメチル
トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレー
トの製造方法。 - 【請求項３】 酢酸塩型触媒が酢酸アルカリ金属塩、酢
酸アルカリ土類金属塩、塩基性酢酸アルミニウム及び塩
基性酢酸鉄の群から選ばれる少なくとも１種の塩である
請求項１記載のジメチル トランス−１，４−シクロヘ
キサンジカルボキシレートの製造方法。 - 【請求項４】 酢酸塩が粉体であり、または、微細な担
体に担持されている請求項１記載のジメチル トランス
−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方
法。 - 【請求項５】 ジメチル シクロヘキサンジカルボキシ
レートのシス体を異性化してトランス体を製造する方法
において、 Ａ：ジメチル １，４−シクロヘキサンジカルボキシレ
ートのシス体とトランス体の混合物を酢酸塩型触媒の存
在下、２００〜３００℃で加熱撹拌し該シス体の少なく
とも一部をトランス体に異性化してトランス体の比率の
高められた反応生成物を得るステップ、 Ｂ：ステップＡで得た反応生成物を減圧蒸留して精製す
るステップ、及び Ｃ：ステップＢで得た反応生成物を結晶ベッド温度３０
〜５０℃で溶融晶析し、次いで３０〜５０℃で固液分離
してトランス体の比率が９０重量％以上の結晶ケークを
得るステップを含むことを特徴とするジメチル トラン
ス−１，４−シクロヘキサンジカルボシレートの製造方
法。 - 【請求項６】 酢酸塩型触媒が酢酸アルカリ金属塩、酢
酸のアルカリ土類金属塩、塩基性酢酸アルミニウム及び
塩基性酢酸鉄の群から選ばれる少なくとも１種の酢酸塩
である請求項５記載のジメチル トランス−１，４−シ
クロヘキサンジカルボキシレートの製造方法。 - 【請求項７】 ステップＣで得られた濾液を再度異性化
するためステップＡにリサイクルする請求項５記載のジ
メチル トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキ
シレートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298309A JPH08157419A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | ジメチル トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298309A JPH08157419A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | ジメチル トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157419A true JPH08157419A (ja) | 1996-06-18 |
Family
ID=17857983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6298309A Pending JPH08157419A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | ジメチル トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08157419A (ja) |
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-
1994
- 1994-12-01 JP JP6298309A patent/JPH08157419A/ja active Pending
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