JPH08139342A - 光電変換モジュール - Google Patents
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S367/00—Communications, electrical: acoustic wave systems and devices
- Y10S367/901—Noise or unwanted signal reduction in nonseismic receiving system
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノイズ補償信号を得ることができる光電変換
モジュールを安価に提供すること。 【構成】 本発明の光電変換モジュールは、光信号を電
気信号に変換する受光素子１と、この受光素子１の出力
信号を増幅するプリアンプ（ＩＣチップ５０に搭載され
ている）と、このプリアンプと同一構成のダミープリア
ンプ（ＩＣチップ５０に搭載されている）と、このダミ
ープリアンプの入力端子に一方の端子が接続され、受光
素子１の容量と同じ容量値を有する等価容量コンデンサ
５と、受光素子１、プリアンプ、ダミープリアンプおよ
び等価容量コンデンサ５を搭載するＴＯパッケージ１０
とを備えた光電変換モジュール。
モジュールを安価に提供すること。 【構成】 本発明の光電変換モジュールは、光信号を電
気信号に変換する受光素子１と、この受光素子１の出力
信号を増幅するプリアンプ（ＩＣチップ５０に搭載され
ている）と、このプリアンプと同一構成のダミープリア
ンプ（ＩＣチップ５０に搭載されている）と、このダミ
ープリアンプの入力端子に一方の端子が接続され、受光
素子１の容量と同じ容量値を有する等価容量コンデンサ
５と、受光素子１、プリアンプ、ダミープリアンプおよ
び等価容量コンデンサ５を搭載するＴＯパッケージ１０
とを備えた光電変換モジュール。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光信号を電気信号に変
換する光電変換モジュールに関するものであり、特に、
光通信システムの送受信デバイスである光モジュール等
に搭載される光電変換モジュールに関するものである。
換する光電変換モジュールに関するものであり、特に、
光通信システムの送受信デバイスである光モジュール等
に搭載される光電変換モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の光電変換モジュールとして、従
来から、受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、
このフォトダイオードの電気出力を増幅するプリアンプ
とをＴＯパッケージに搭載したものがある。この光電変
換モジュールの出力、すなわち、プリアンプの出力は、
外部に設けられたコンパレータにより固定バイアスと比
較され、信号成分のみが電気的に抽出される。
来から、受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、
このフォトダイオードの電気出力を増幅するプリアンプ
とをＴＯパッケージに搭載したものがある。この光電変
換モジュールの出力、すなわち、プリアンプの出力は、
外部に設けられたコンパレータにより固定バイアスと比
較され、信号成分のみが電気的に抽出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光電変換モ
ジュールに搭載されたプリアンプの出力には、温度や電
源変動に基づくノイズが乗りやすい。このノイズの影響
を除去するには、このノイズと同じ成分を含む補償出力
を同時に得て、コンパレータの前段に配置された差動入
力アンプにおいて、ノイズを相殺すればよい。これによ
り、ノイズの除去された信号成分を抽出することができ
る。しかし、これはあくまでも理論上の議論であり、現
実には、このようなノイズ補償出力を伴う光電変換モジ
ュールは、コストや品質の点で実用に供し得るものは存
在しなかった。
ジュールに搭載されたプリアンプの出力には、温度や電
源変動に基づくノイズが乗りやすい。このノイズの影響
を除去するには、このノイズと同じ成分を含む補償出力
を同時に得て、コンパレータの前段に配置された差動入
力アンプにおいて、ノイズを相殺すればよい。これによ
り、ノイズの除去された信号成分を抽出することができ
る。しかし、これはあくまでも理論上の議論であり、現
実には、このようなノイズ補償出力を伴う光電変換モジ
ュールは、コストや品質の点で実用に供し得るものは存
在しなかった。
【０００４】本発明の課題は、このような問題点を解消
することにある。
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような問題を解決す
るために、本発明の光電変換モジュールは、光信号を電
気信号に変換する受光素子と、この受光素子の出力信号
を増幅するプリアンプと、このプリアンプと同一構成の
ダミープリアンプと、このダミープリアンプの入力端子
に一方の端子が接続され、受光素子の容量と同じ容量値
を有する等価容量コンデンサと、受光素子、プリアン
プ、ダミープリアンプおよび等価容量コンデンサを搭載
するＴＯパッケージとを備えている。
るために、本発明の光電変換モジュールは、光信号を電
気信号に変換する受光素子と、この受光素子の出力信号
を増幅するプリアンプと、このプリアンプと同一構成の
ダミープリアンプと、このダミープリアンプの入力端子
に一方の端子が接続され、受光素子の容量と同じ容量値
を有する等価容量コンデンサと、受光素子、プリアン
プ、ダミープリアンプおよび等価容量コンデンサを搭載
するＴＯパッケージとを備えている。
【０００６】そして、このＴＯパッケージには５本のリ
ードピンが設けられており、第１リードピンはプリアン
プの出力端子に、第２リードピンはダミープリアンプの
出力端子に、第３リードピンはプリアンプおよびダミー
プリアンプの電源入力端子に、第４リードピンは受光素
子の電源入力端子にそれぞれ接続され、第５リードピン
は接地端子として用いられることが望ましい。
ードピンが設けられており、第１リードピンはプリアン
プの出力端子に、第２リードピンはダミープリアンプの
出力端子に、第３リードピンはプリアンプおよびダミー
プリアンプの電源入力端子に、第４リードピンは受光素
子の電源入力端子にそれぞれ接続され、第５リードピン
は接地端子として用いられることが望ましい。
【０００７】また、受光素子に対してバイアス回路を設
け、このバイアス回路をＲＣネットワークフィルタで構
成することが望ましい。
け、このバイアス回路をＲＣネットワークフィルタで構
成することが望ましい。
【０００８】
【作用】受光素子の容量と同じ容量値を有する等価容量
コンデンサが入力端子に接続されたダミープリアンプの
出力（ノイズ補償出力）には、受光素子が接続されたプ
リアンプの出力と同一のノイズが重畳している。したが
って、外部に用意されたコンパレータ前段の差動入力ア
ンプによって、完全にノイズが除去された信号を得るこ
とができる。
コンデンサが入力端子に接続されたダミープリアンプの
出力（ノイズ補償出力）には、受光素子が接続されたプ
リアンプの出力と同一のノイズが重畳している。したが
って、外部に用意されたコンパレータ前段の差動入力ア
ンプによって、完全にノイズが除去された信号を得るこ
とができる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の光電変換モジュールの一実施
例を示す斜視図であり、図２は各要素の接続関係を示す
回路図である。初めに、図２に示す回路の構成を説明す
る。受光素子であるフォトダイオード１のカソードはバ
イアス回路２を介してフォトダイオード用電源ＶPDの入
力端子３に接続されている。バイアス回路２は抵抗とコ
ンデンサからなるＲＣネットワークフィルタで構成され
ている。フォトダイオード１のアノードはプリアンプ４
の入力端子に接続されている。コンデンサ５は、フォト
ダイオード１の容量と同一の容量値を有する等価容量コ
ンデンサであり、一方の電極がフォトダイオード１のカ
ソードに接続され、他方の電極がプリアンプ６の入力端
子に接続されている。プリアンプ６はプリアンプ５と同
一に構成されているが、信号成分の増幅を行うことがな
いのでダミープリアンプと呼ぶことにする。プリアンプ
４およびダミープリアンプ６の出力端子はそれぞれ第１
出力端子７および第２出力端子８に接続されている。ま
た、プリアンプ４およびダミープリアンプ６はフォトダ
イオード用電源とは異なる電源ＶCCによって駆動するよ
うになっている。電源端子９は電源ＶCC用の入力端子で
ある。
例を示す斜視図であり、図２は各要素の接続関係を示す
回路図である。初めに、図２に示す回路の構成を説明す
る。受光素子であるフォトダイオード１のカソードはバ
イアス回路２を介してフォトダイオード用電源ＶPDの入
力端子３に接続されている。バイアス回路２は抵抗とコ
ンデンサからなるＲＣネットワークフィルタで構成され
ている。フォトダイオード１のアノードはプリアンプ４
の入力端子に接続されている。コンデンサ５は、フォト
ダイオード１の容量と同一の容量値を有する等価容量コ
ンデンサであり、一方の電極がフォトダイオード１のカ
ソードに接続され、他方の電極がプリアンプ６の入力端
子に接続されている。プリアンプ６はプリアンプ５と同
一に構成されているが、信号成分の増幅を行うことがな
いのでダミープリアンプと呼ぶことにする。プリアンプ
４およびダミープリアンプ６の出力端子はそれぞれ第１
出力端子７および第２出力端子８に接続されている。ま
た、プリアンプ４およびダミープリアンプ６はフォトダ
イオード用電源とは異なる電源ＶCCによって駆動するよ
うになっている。電源端子９は電源ＶCC用の入力端子で
ある。
【００１０】このように構成された回路が図１に示すよ
うに１つのＴＯパッケージ１０にすべて搭載され、光電
変換モジュールを構成している。このＴＯパッケージ１
０はＴＯパッケージ規格のＴＯ１８構造を有するもので
あり、図３に示すように、円盤上の導電性基体３１の台
地状に盛り上がった素子搭載部には４つの開口３２〜３
５が形成さており、各開口３２〜３５にはそれぞれリー
ドピン３６〜３９が基板３１と絶縁されて嵌挿固定され
ている。素子搭載部の裏側にはガラス４１が充填されて
おり、リードピン３６〜３９はこのガラス４１で固定さ
れ、基体３１と絶縁されている。素子搭載部の裏面中央
部には５本目のリードピン４０が溶接により固着されて
いる。リードピン３６〜４０のアウターリード長Ｌは
１．５ｍｍであり、中央のリードピン４０とその他のリ
ードピン３６〜３９とのピッチＰは１．２７ｍｍであ
る。リードピンをこのように構成すると、基板実装が容
易となるだけでなく、市販のコネクタソケットを利用す
ることができるので駆動試験も簡便にできる。
うに１つのＴＯパッケージ１０にすべて搭載され、光電
変換モジュールを構成している。このＴＯパッケージ１
０はＴＯパッケージ規格のＴＯ１８構造を有するもので
あり、図３に示すように、円盤上の導電性基体３１の台
地状に盛り上がった素子搭載部には４つの開口３２〜３
５が形成さており、各開口３２〜３５にはそれぞれリー
ドピン３６〜３９が基板３１と絶縁されて嵌挿固定され
ている。素子搭載部の裏側にはガラス４１が充填されて
おり、リードピン３６〜３９はこのガラス４１で固定さ
れ、基体３１と絶縁されている。素子搭載部の裏面中央
部には５本目のリードピン４０が溶接により固着されて
いる。リードピン３６〜４０のアウターリード長Ｌは
１．５ｍｍであり、中央のリードピン４０とその他のリ
ードピン３６〜３９とのピッチＰは１．２７ｍｍであ
る。リードピンをこのように構成すると、基板実装が容
易となるだけでなく、市販のコネクタソケットを利用す
ることができるので駆動試験も簡便にできる。
【００１１】このＴＯパッケージ１０の素子搭載部に
は、フォトダイオード１および等価容量コンデンサ５が
搭載された機能性基板５２と、プリアンプ４およびダミ
ープリアンプ６を有するＩＣチップ５０とがはんだ付け
されている。機能性基板５２は絶縁性基板であり、裏面
全体に厚膜または薄膜の金属膜が形成されている。ま
た、表面には同じく厚膜または薄膜の金属膜５３、５
４、５５が３つの領域に分離されて形成されている。
は、フォトダイオード１および等価容量コンデンサ５が
搭載された機能性基板５２と、プリアンプ４およびダミ
ープリアンプ６を有するＩＣチップ５０とがはんだ付け
されている。機能性基板５２は絶縁性基板であり、裏面
全体に厚膜または薄膜の金属膜が形成されている。ま
た、表面には同じく厚膜または薄膜の金属膜５３、５
４、５５が３つの領域に分離されて形成されている。
【００１２】金属膜５３と金属膜５４との間にはミアン
ダ状の抵抗体５６が印刷等により形成されている。この
抵抗体５６と、金属膜５３、５４および裏面金属膜によ
り形成されるコンデンサとにより、図２に示すＲＣネッ
トワークフィルタ２が構成されている。
ダ状の抵抗体５６が印刷等により形成されている。この
抵抗体５６と、金属膜５３、５４および裏面金属膜によ
り形成されるコンデンサとにより、図２に示すＲＣネッ
トワークフィルタ２が構成されている。
【００１３】中央の金属膜５４上にはフォトダイオード
１のカソードおよび等価容量コンデンサ５の一方の電極
がはんだ付けされている。等価容量コンデンサ５は補償
容量選択型のＭＩＳ（メタル・インシュレータ・セミコ
ンダクタ）コンデンサチップであり、図４にその断面構
造を示す。この図から判るように、不純物が高濃度に添
加されたｎ型またはｐ型半導体基板６１上に、例えばＳ
ｉＯ2 の絶縁膜６２を形成し、その上に、４つの金属電
極６３ａ〜６３ｄ（ただし、図４では６３ａおよび６３
ｂのみ図示）を形成したものである。４つの金属電極６
３ａ〜６３ｄは互いに異なる面積を有し、いずれかを択
一的に選択することにより、異なる容量値を選択できる
ようになっている。
１のカソードおよび等価容量コンデンサ５の一方の電極
がはんだ付けされている。等価容量コンデンサ５は補償
容量選択型のＭＩＳ（メタル・インシュレータ・セミコ
ンダクタ）コンデンサチップであり、図４にその断面構
造を示す。この図から判るように、不純物が高濃度に添
加されたｎ型またはｐ型半導体基板６１上に、例えばＳ
ｉＯ2 の絶縁膜６２を形成し、その上に、４つの金属電
極６３ａ〜６３ｄ（ただし、図４では６３ａおよび６３
ｂのみ図示）を形成したものである。４つの金属電極６
３ａ〜６３ｄは互いに異なる面積を有し、いずれかを択
一的に選択することにより、異なる容量値を選択できる
ようになっている。
【００１４】リードピン３６は図２の第１出力端子７に
相当し、ＩＣチップ５０上のプリアンプ４の出力端子に
ワイヤ接続されている。リードピン３７は図２の第２出
力端子８に相当し、ＩＣチップ５０上のダミープリアン
プ６の出力端子にワイヤ接続されている。リードピン３
８は図２のＶCC電源端子９に相当し、ＩＣチップ５０の
電源入力端子にワイヤ接続されている。リードピン３９
は図２のフォトダイオード用電源端子３に相当し、基板
５２のパッド５３にワイヤ接続されている。なお、リー
ドピン４０（図３参照）は接地ピンであり、基体３１を
介して各要素の接地端子に接続されている。
相当し、ＩＣチップ５０上のプリアンプ４の出力端子に
ワイヤ接続されている。リードピン３７は図２の第２出
力端子８に相当し、ＩＣチップ５０上のダミープリアン
プ６の出力端子にワイヤ接続されている。リードピン３
８は図２のＶCC電源端子９に相当し、ＩＣチップ５０の
電源入力端子にワイヤ接続されている。リードピン３９
は図２のフォトダイオード用電源端子３に相当し、基板
５２のパッド５３にワイヤ接続されている。なお、リー
ドピン４０（図３参照）は接地ピンであり、基体３１を
介して各要素の接地端子に接続されている。
【００１５】このように構成したＴＯパッケージに、集
光レンズを備えたカバーを被せて本実施例の光電変換モ
ジュールが完成する。不図示の集光レンズに外部から入
射された信号光は、フォトダイオード１の受光面に集光
される。ここで、光信号は電気信号に変換され、ＩＣチ
ップ５０上のプリアンプ４に入力される。プリアンプ４
からの出力信号はリードピン３６から取り出される。等
価容量コンデンサ５にはフォトダイオード１と同じＶPD
電源電圧がバイアス回路２を介して印加されている。そ
して、ダミープリアンプ６はプリアンプ４と同一チップ
上に同一の構成で形成されているので、ダミープリアン
プ６の出力端子であるリードピン３７からは、プリアン
プ４の出力信号と同じ直流成分およびノイズ成分を有す
る補償信号が取り出される。したがって、次段に設けら
れた不図示の差動入力アンプで、リードピン３６からの
出力信号をリードピン３７からの補償信号と相殺すれ
ば、プリアンプ４でのノイズを完全除去することができ
る。
光レンズを備えたカバーを被せて本実施例の光電変換モ
ジュールが完成する。不図示の集光レンズに外部から入
射された信号光は、フォトダイオード１の受光面に集光
される。ここで、光信号は電気信号に変換され、ＩＣチ
ップ５０上のプリアンプ４に入力される。プリアンプ４
からの出力信号はリードピン３６から取り出される。等
価容量コンデンサ５にはフォトダイオード１と同じＶPD
電源電圧がバイアス回路２を介して印加されている。そ
して、ダミープリアンプ６はプリアンプ４と同一チップ
上に同一の構成で形成されているので、ダミープリアン
プ６の出力端子であるリードピン３７からは、プリアン
プ４の出力信号と同じ直流成分およびノイズ成分を有す
る補償信号が取り出される。したがって、次段に設けら
れた不図示の差動入力アンプで、リードピン３６からの
出力信号をリードピン３７からの補償信号と相殺すれ
ば、プリアンプ４でのノイズを完全除去することができ
る。
【００１６】なお、等価容量コンデンサ５に代えて、フ
ォトダイオード１と同一構造のダミーフォトダイオード
を用いることも考えられるが、コスト的に高価となる。
また、等価容量コンデンサ５を用いずに、ダミープリア
ンプ６の入力端子を解放状態にしておくことも考えられ
るが、その場合には高周波領域でバランスが崩れる虞が
ある。
ォトダイオード１と同一構造のダミーフォトダイオード
を用いることも考えられるが、コスト的に高価となる。
また、等価容量コンデンサ５を用いずに、ダミープリア
ンプ６の入力端子を解放状態にしておくことも考えられ
るが、その場合には高周波領域でバランスが崩れる虞が
ある。
【００１７】本実施例の等価容量コンデンサ５は、上述
したように４種類の容量値を選択できる容量選択型ＭＩ
Ｓコンデンサである。このコンデンサによれば、フォト
ダイオード１に製造バラツキがあっても、実装の段階で
フォトダイオード１の容量に最も近い値の容量を選択で
きて便利である。しかし、容量選択性のＭＩＳコンデン
サに代えて通常のＭＩＳコンデンサを用いてもよいこと
は言うまでもない。また、ＭＩＳコンデンサに代えてＭ
ＩＭ（メタル・インシュレーション・メタル）コンデン
サでもよい。さらに、ＩＣチップ５０にオンチップコン
デンサを設け、これを等価容量コンデンサ５として用い
てもよい。
したように４種類の容量値を選択できる容量選択型ＭＩ
Ｓコンデンサである。このコンデンサによれば、フォト
ダイオード１に製造バラツキがあっても、実装の段階で
フォトダイオード１の容量に最も近い値の容量を選択で
きて便利である。しかし、容量選択性のＭＩＳコンデン
サに代えて通常のＭＩＳコンデンサを用いてもよいこと
は言うまでもない。また、ＭＩＳコンデンサに代えてＭ
ＩＭ（メタル・インシュレーション・メタル）コンデン
サでもよい。さらに、ＩＣチップ５０にオンチップコン
デンサを設け、これを等価容量コンデンサ５として用い
てもよい。
【００１８】本実施例のバイアス回路２は、図５にその
形状を示し、図６にその等価回路を示すように、ミアン
ダ状の膜抵抗５６と、金属膜５３、５４をそれぞれ一方
の電極とするＭＩＭコンデンサ６５、６６とによるＲＣ
ネットワークフィルタで構成されている。しかし、バイ
アス回路２は、この形態に限定されるものではなく、図
７に示すような分布容量型低域通過ＲＣネットワークフ
ィルタを用いることも可能である。図８は、この分布容
量型低域通過フィルタの等価回路を示している。同図に
おいて、符号７１は膜抵抗であり、その他の要素は図５
と同じである。図５および図７のいずれのタイプも、ダ
イキャップとワイヤリング抵抗を用いたバイアス回路と
比較すると、小型に構成することができる。
形状を示し、図６にその等価回路を示すように、ミアン
ダ状の膜抵抗５６と、金属膜５３、５４をそれぞれ一方
の電極とするＭＩＭコンデンサ６５、６６とによるＲＣ
ネットワークフィルタで構成されている。しかし、バイ
アス回路２は、この形態に限定されるものではなく、図
７に示すような分布容量型低域通過ＲＣネットワークフ
ィルタを用いることも可能である。図８は、この分布容
量型低域通過フィルタの等価回路を示している。同図に
おいて、符号７１は膜抵抗であり、その他の要素は図５
と同じである。図５および図７のいずれのタイプも、ダ
イキャップとワイヤリング抵抗を用いたバイアス回路と
比較すると、小型に構成することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のによれ
ば、ＴＯパッケージに、光信号を電気信号に変換する受
光素子と、この受光素子の出力信号を増幅するプリアン
プと、このプリアンプと同一構成のダミープリアンプ
と、このダミープリアンプの入力端子に一方の端子が接
続され、受光素子の容量と同じ容量値を有する等価容量
コンデンサとを搭載した構造を有するので、信号出力と
共にノイズ補償出力を得ることができる光電変換モジュ
ールを安価に供給することができる。
ば、ＴＯパッケージに、光信号を電気信号に変換する受
光素子と、この受光素子の出力信号を増幅するプリアン
プと、このプリアンプと同一構成のダミープリアンプ
と、このダミープリアンプの入力端子に一方の端子が接
続され、受光素子の容量と同じ容量値を有する等価容量
コンデンサとを搭載した構造を有するので、信号出力と
共にノイズ補償出力を得ることができる光電変換モジュ
ールを安価に供給することができる。
【図１】本発明の一実施例である光電変換モジュールを
示す斜視図。
示す斜視図。
【図２】その回路構成を示す回路図。
【図３】本実施例に用いられているＴＯパッケージ１０
の構造を示す図。
の構造を示す図。
【図４】本実施例に用いられている等価容量コンデンサ
５の構造を示す断面図。
５の構造を示す断面図。
【図５】本実施例に用いられているバイアス回路２の構
造を示す平面図。
造を示す平面図。
【図６】図５のバイアス回路の等価回路を示す回路図。
【図７】バイアス回路２の他の実施例である分布容量型
低域通過型ＲＣネットワークフィルタを示す平面図。
低域通過型ＲＣネットワークフィルタを示す平面図。
【図８】図７のバイアス回路の等価回路を示す回路図。
１…フォトダイオード、２…バイアス回路、３…フォト
ダイオード用電源入力端子、４…プリアンプ、５…等価
容量コンデンサ、６…ダミープリアンプ、７…信号出力
端子、８…補償信号出力端子、９…ＶCC電源入力端子、
１０…ＴＯパッケージ。
ダイオード用電源入力端子、４…プリアンプ、５…等価
容量コンデンサ、６…ダミープリアンプ、７…信号出力
端子、８…補償信号出力端子、９…ＶCC電源入力端子、
１０…ＴＯパッケージ。
Claims (11)
- 【請求項１】 光信号を電気信号に変換する受光素子
と、 この受光素子の出力信号を増幅するプリアンプと、 このプリアンプと同一構成のダミープリアンプと、 このダミープリアンプの入力端子に一方の端子が接続さ
れ、前記受光素子の容量と同じ容量値を有する等価容量
コンデンサと、 前記受光素子、プリアンプ、ダミープリアンプおよび等
価容量コンデンサを搭載するＴＯパッケージと、を備え
た光電変換モジュール。 - 【請求項２】 前記等価容量コンデンサは、絶縁膜の一
方の面に形成された共通電極と、この絶縁膜の他方の面
に形成された互いに面積の異なる複数の電極とを備えた
ものであることを特徴とする請求項１に記載の光電変換
モジュール。 - 【請求項３】 前記等価容量コンデンサがＭＩＳコンデ
ンサであることを特徴とする請求項１に記載の光電変換
モジュール。 - 【請求項４】 前記プリアンプが形成されたチップ上
に、前記等価容量コンデンサがオンチップコンデンサと
して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
光電変換モジュール。 - 【請求項５】 前記ＴＯパッケージは５本のリードピン
を有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換モ
ジュール。 - 【請求項６】 前記５本のリードピンの第１リードピン
は前記プリアンプの出力端子に、第２リードピンは前記
ダミープリアンプの出力端子に、第３リードピンは前記
プリアンプおよびダミープリアンプの電源入力端子に、
第４リードピンは前記受光素子の電源入力端子にそれぞ
れ接続され、第５リードピンは接地端子として用いられ
ることを特徴とする請求項５に記載の光電変換モジュー
ル。 - 【請求項７】 前記５本のリードピンは、１本が前記Ｔ
Ｏパッケージの中央に配置され、このリードピンを中心
とする一つの円上に残りの４本が互いに等間隔に配置さ
れていることを特徴とする請求項５に記載の光電変換モ
ジュール。 - 【請求項８】 前記中央に配置されたリードピンと、前
記残りの４本のリードピンとの間隔がそれぞれ１．２７
ｍｍであることを特徴とする請求項７に記載の光電変換
モジュール。 - 【請求項９】 前記ＴＯパッケージはＴＯ１８構造であ
ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュー
ル。 - 【請求項１０】 前記受光素子に対するバイアス回路を
備え、このバイアス回路をＲＣネットワークフィルタで
構成したことを特徴とする請求項１に記載の光電変換モ
ジュール。 - 【請求項１１】 前記ＲＣネットワークフィルタが、絶
縁基板の両面に金属膜を形成してなるＭＩＭコンデンサ
と、この絶縁基板上に薄膜または厚膜で形成された抵抗
とで構成されていることを特徴とする請求項１０に記載
の光電変換モジュール。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP27355594A JP3680303B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 光電変換モジュール |
| CA002162315A CA2162315A1 (en) | 1994-11-08 | 1995-11-07 | Photoelectric conversion module |
| US08/555,641 US5652425A (en) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | Photoelectric conversion module with noise compensation |
| DE69531764T DE69531764T2 (de) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | Photoelektrisches Umwandlungsmodul |
| EP95117612A EP0712165B1 (en) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | Photoelectric conversion module |
| KR1019950040191A KR100326684B1 (ko) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | 광전변환모듈 |
| TW084111984A TW278276B (ja) | 1994-11-08 | 1995-11-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27355594A JP3680303B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 光電変換モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139342A true JPH08139342A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3680303B2 JP3680303B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=17529444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27355594A Expired - Fee Related JP3680303B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 光電変換モジュール |
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| EP (1) | EP0712165B1 (ja) |
| JP (1) | JP3680303B2 (ja) |
| KR (1) | KR100326684B1 (ja) |
| CA (1) | CA2162315A1 (ja) |
| DE (1) | DE69531764T2 (ja) |
| TW (1) | TW278276B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504140B1 (en) * | 1999-08-27 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Optical interconnection receiving module |
| JP2006319019A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2007242708A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信サブアセンブリ |
| JP2008118050A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Truelight Corp | 多機能薄膜電気抵抗−キャパシタ配列 |
| WO2017068848A1 (ja) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 三菱重工オートモーティブサーマルシステムズ株式会社 | インバータ一体型電動圧縮機及び回路基板、並びに回路基板の製造方法 |
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| JP2970844B2 (ja) * | 1997-06-04 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 光受信器及びそれを用いた光ネットワークシステム |
| JP4187376B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2008-11-26 | ローム株式会社 | 受光増幅装置 |
| EP1641250B1 (en) * | 2000-02-29 | 2009-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Signal read circuit |
| JP4178995B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-11-12 | 住友電気工業株式会社 | 光受信モジュール |
| US6781468B1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-08-24 | Agilent Technologies, Inc | Photo-amplifier circuit with improved power supply rejection |
| US7554072B2 (en) * | 2004-09-15 | 2009-06-30 | Siemens Energy & Automation, Inc. | Amplifier configuration with noise reduction for a photodiode |
| JP4561335B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 光データリンク |
| JP6879440B1 (ja) * | 2020-07-06 | 2021-06-02 | 三菱電機株式会社 | 光受信モジュール |
| CN117079975B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-04-30 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 高速tia抗5g wifi电磁干扰方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4139767A (en) * | 1977-10-17 | 1979-02-13 | Northern Telecom Limited | Photodetector with improved signal-to-noise ratio |
| JPS59185432A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信回路 |
| JPS6084751A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子 |
| JPS60173868A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| DE3409146A1 (de) * | 1984-03-13 | 1985-09-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optoelektronisches mudul |
| EP0184747A1 (de) * | 1984-12-13 | 1986-06-18 | Heimann GmbH | Infrarotdetektor |
| JPS63250928A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Nec Corp | 光受信回路 |
| GB8713699D0 (en) * | 1987-06-11 | 1987-07-15 | British Telecomm | Optical receiver circuit |
| JPH01156631A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 暗電流キャンセル回路 |
| JPH01223757A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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-
1994
- 1994-11-08 JP JP27355594A patent/JP3680303B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-07 CA CA002162315A patent/CA2162315A1/en not_active Abandoned
- 1995-11-08 KR KR1019950040191A patent/KR100326684B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-08 US US08/555,641 patent/US5652425A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-08 EP EP95117612A patent/EP0712165B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-08 DE DE69531764T patent/DE69531764T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-11 TW TW084111984A patent/TW278276B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0712165B1 (en) | 2003-09-17 |
| TW278276B (ja) | 1996-06-11 |
| DE69531764D1 (de) | 2003-10-23 |
| DE69531764T2 (de) | 2004-07-15 |
| JP3680303B2 (ja) | 2005-08-10 |
| KR960019815A (ko) | 1996-06-17 |
| US5652425A (en) | 1997-07-29 |
| CA2162315A1 (en) | 1996-05-09 |
| EP0712165A3 (en) | 1997-10-08 |
| KR100326684B1 (ko) | 2002-11-07 |
| EP0712165A2 (en) | 1996-05-15 |
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