JPS60173868A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60173868A JPS60173868A JP2860984A JP2860984A JPS60173868A JP S60173868 A JPS60173868 A JP S60173868A JP 2860984 A JP2860984 A JP 2860984A JP 2860984 A JP2860984 A JP 2860984A JP S60173868 A JPS60173868 A JP S60173868A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明（は、キャパシタを構）戊する絶縁ｊ摸を高調電
率物質で（１υ成した半導体装置の製造方法の改良に関
する。
率物質で（１υ成した半導体装置の製造方法の改良に関
する。
〔従来技術と合の間７３１点〕
近年、ＬＳｉの集積化に伴い、素子の微細化が進み、キ
ャパシター′頑域における電荷蓄積計が減少し、ＳＩ
０２ 全絶縁膜としで用いた場合、微、イ＋ｌｌＩ化に
制限を加えることになる。それ金改啓するために、Ｉｌ
ｌ ８２Ｑ 、等の高調′市率絶縁１摸の開尤がすすめ
られＣいる。しかしながら、従来にお・いて（ｒｉ、ソ
の電気的絶縁性は、５１０２に比べ格段に悪く現実のデ
バイスでの使用には、困難な状態にある。最近では、Ｔ
ａ２０５等の高調４工率ｅ縁膜に高温酸化処叩全施すこ
とで、界面にＳｉＯ２膜を形成することも試みられでい
るが、ｆ：れでも５ｉ０２ｔζ比べ１１尤気的特性は劣
っている。
ャパシター′頑域における電荷蓄積計が減少し、ＳＩ
０２ 全絶縁膜としで用いた場合、微、イ＋ｌｌＩ化に
制限を加えることになる。それ金改啓するために、Ｉｌ
ｌ ８２Ｑ 、等の高調′市率絶縁１摸の開尤がすすめ
られＣいる。しかしながら、従来にお・いて（ｒｉ、ソ
の電気的絶縁性は、５１０２に比べ格段に悪く現実のデ
バイスでの使用には、困難な状態にある。最近では、Ｔ
ａ２０５等の高調４工率ｅ縁膜に高温酸化処叩全施すこ
とで、界面にＳｉＯ２膜を形成することも試みられでい
るが、ｆ：れでも５ｉ０２ｔζ比べ１１尤気的特性は劣
っている。
本発明は、ＭＩＳキャパシターの絶縁ｊ漠としで高調市
水の良′質な酸化膜を虎口１．することケ目的とする。
水の良′質な酸化膜を虎口１．することケ目的とする。
本発明は、高誘電率酸化ｊ模の母体となるＴａ、 Ｎｌ
）。
）。
Ｔｉ等の金属のＳＩをＳｉ基板に蒸着し、これ金、・汚
酸化すること（Ｃより、高誘電率酸化膜の電気的時性の
悪さ？、５１０２で補うものである。
酸化すること（Ｃより、高誘電率酸化膜の電気的時性の
悪さ？、５１０２で補うものである。
本発明によｎ、ば高容冴キャパ７夕の′１１Ｌ気！庁性
全改善し、ＬＳＩの１１５債化が可能となる。
全改善し、ＬＳＩの１１５債化が可能となる。
本発明による半４・、す；体装置の製造方法の一実症例
を第１図〜第３図を用いて説明する。
を第１図〜第３図を用いて説明する。
第１図に示すように、面方位（１００１，比抵抗６〜８
Ω・ｍのＰ型シリコン基板（Ｆ部電極）を用、きし、そ
の表面に、高誘電率酸化膜の１せ体となる金属とじでタ
ンタル（Ｔａ ）及びシリコン金、電子ビーム蒸着によ
り２ｏｏＸ程度被着する。この場合、両物質の原子「＾
比ば１：０．５である。そノｔを乾燥酸素中９０００で
酸化し１．逆縁１摸金形成する。更にゲート電極としＣ
アルミニウム（Ａｔ） ’；ｒニスバッタリングでイ寸
Ｚｔ：ｆ Ｌ 、こＩシケハターニンダすることにより
上部電極全「拝て、所望の大きさのキャパシターを得る
ことができる。尚、高誘電率酸化膜摸の母体となる金属
としてはタンタルの他ＶこニオブやチタンであつＣもよ
く、捷たそれらの酸化物（Ｔａ２０５゜Ｎｂ２ Ｑ５．
Ｔ ｉ ０２ ）の形で被Ｎさせてもよい。金属とシ
リコンの原子計比は、シリコンの方が小さいことが特性
上好せしい。
Ω・ｍのＰ型シリコン基板（Ｆ部電極）を用、きし、そ
の表面に、高誘電率酸化膜の１せ体となる金属とじでタ
ンタル（Ｔａ ）及びシリコン金、電子ビーム蒸着によ
り２ｏｏＸ程度被着する。この場合、両物質の原子「＾
比ば１：０．５である。そノｔを乾燥酸素中９０００で
酸化し１．逆縁１摸金形成する。更にゲート電極としＣ
アルミニウム（Ａｔ） ’；ｒニスバッタリングでイ寸
Ｚｔ：ｆ Ｌ 、こＩシケハターニンダすることにより
上部電極全「拝て、所望の大きさのキャパシターを得る
ことができる。尚、高誘電率酸化膜摸の母体となる金属
としてはタンタルの他ＶこニオブやチタンであつＣもよ
く、捷たそれらの酸化物（Ｔａ２０５゜Ｎｂ２ Ｑ５．
Ｔ ｉ ０２ ）の形で被Ｎさせてもよい。金属とシ
リコンの原子計比は、シリコンの方が小さいことが特性
上好せしい。
程を示すＩθ↑面図である。
１・・ソリコン基板、
２・・・金属及びシリコンの蒸着膜、
３・・・２の酸化膜、
４・・シリコン酸化膜、
５・・・Ａ４ゲート電極。
（７３１７１弁理士 則 近 憲 佑
（ほか１名）
Claims (1)
- （１）第１の混極上に酸化膜の母体となる金属とシリコ
ンを含む層を形成しその後、該層を酸化性雰囲気で熱処
理して酸化膜？形成し、さらに該酸化膜上に第２の電極
全役けることケ特徴とするキャパシタを含む半々゛Ｉ体
装置Ｉｔの製造方法。 ｔ２） 金１萬はタンクル、ニオブ、チタンから選ばれ
る少くとも一種であること全特赦とする′隆許請求の範
囲第１頃に記載した半導体装１１〒の製造方法、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2860984A JPS60173868A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2860984A JPS60173868A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173868A true JPS60173868A (ja) | 1985-09-07 |
Family
ID=12253311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2860984A Pending JPS60173868A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712165A2 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photoelectric conversion module |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2860984A patent/JPS60173868A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712165A2 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photoelectric conversion module |
| EP0712165A3 (en) * | 1994-11-08 | 1997-10-08 | Sumitomo Electric Industries | Photoelectric conversion module |
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