KR960019815A - 광전변환모듈 - Google Patents
광전변환모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960019815A KR960019815A KR1019950040191A KR19950040191A KR960019815A KR 960019815 A KR960019815 A KR 960019815A KR 1019950040191 A KR1019950040191 A KR 1019950040191A KR 19950040191 A KR19950040191 A KR 19950040191A KR 960019815 A KR960019815 A KR 960019815A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive gas
- light receiving
- receiving element
- photoelectric conversion
- conversion module
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S367/00—Communications, electrical: acoustic wave systems and devices
- Y10S367/901—Noise or unwanted signal reduction in nonseismic receiving system
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
본 발명은, 온도변화나 전원변동에 기인한 노이즈를 보상하는 신호를 얻는 광전변환모듈을 염가로 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 또 발명의 광전 변환모듈에 있어서는, 광신호를 전기신호로 변환하는 수광소자(1)의 음극(1a)에 입력단자(4a)가 접속된 제1증폭기(4)에 의해 상기 전기신호를 증폭하여 증폭신호를 얻고, 콘덴서(5)의 한쪽 전극(5a)에 접속된 입력단자를 지닌 제2증폭기(6)는, 상기 제1증폭기(4)에 의해 증폭된 전기신호의 노이즈를 보상하는 증폭신호를 출력하며, 상기 콘덴서의 다른쪽 전극은 수광소자의 음극(1a)에 접속되어, 해당콘덴서는 수광소자의 용량값과 동일한 용량값을 지니고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 관한 광전변환모듈의 내부구성을 표시한 사시도,
제5도는 본 발명에 관한 광전변환모듈의 구성을 표시한 일부단면도,
제6도는 제4도에 표시된 광전변환모듈에 적용되는 TO패키지의 구조를 표시한 도면으로서 상단의 도면은 이 TO패키지의 상부평면도이고, 하단은 이 상단의 B-B선을 따른 이 TO패키지의 단면도.
Claims (13)
- 제1면과, 이 제1면에 대향한 제2면과, 상기 제1면으로부터 제2면을 향해서 뻗는 복수의 관통구멍을 가진 도전성기체; 상기 도전성기체의 제1면상에 형성되고, 소정전위로 설정된 전원단자와 전기적으로 접속된 음극과, 양극을 구비하여, 광신호를 전기신호로 변환하는 수광소자; 상기 도전성기체의 제1면상에 설치되고, 상기 수광소자의 음극에 전기적으로 접속된 입력단자를 가진 제1증폭기; 상기 도전성기 체의 제1면상에 설치되고, 상기 수광소자의 음극에 그 제1전극이 전기적으로 접속되고, 상기 수광소자의 용량과 동일한 용량값을 가진 콘덴서; 및 상기 도전성기체의 제1면상에 설치되고, 상기 제1증폭기와 동일한 회로구성이고, 상기 콘덴서의 제2전극에 전기적으로 접속된 입력단자를 가진 제2증폭기를 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 콘덴서는, 제1면과 이 제1면에 대향한 제2면을 가진 절연막; 상기 절연막의 제1면 쪽에 형성된 공통전극; 및 상기 절연막의 제2면쪽에 형성되어, 서로 전기적으로 고립하고 있고, 또한 서로 다른 면적을 가진 복수의 고립전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 콘덴서는 MIS콘덴서인 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 광전변환모듈은, 상기 도전성기체에 접속하는 일없이, 이 도전성기체의 관통구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 제1증폭기의 출력단자에 전기적으로 접속되어 있는 제1리드핀; 상기 도전성기체에 접촉하는 일없이, 이 도전성기체의 관통구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 제2증폭기의 출력단자에 전기적으로 접속되어 있는 제2리드핀; 상기 도전성기체에 접촉하는 일없이, 이 도전성기체의 관통구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 제1 및 제2증폭기의 정전압입력단자에 전기적으로 접속되어 있는 제3리드핀; 상기 도전성기체에 접촉하는 일없이, 이 도전성기체의 관통구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 전원단자에 전기적으로 접속되어 있는 제4리드핀; 및 상기 도전성기체의 제2면에 직접 접촉한 제5리드핀을 또 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제4항에 있어서, 상기 제5리드핀은 접지단자인 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제4항에 있어서, 상기 제1∼제4리드핀은, 상기 제5리드핀을 둘러싸도록 서로 등간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제6항에 있어서, 상기 제5리드핀과 상기 제1∼제4리드핀의 각각과의 간격은, 1.27mm인 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 광전변환모듈은, 상기 수광소자의 음극과 상기 전원단자와의 사이에, 상기 수광소자에 대한 바이어스회로를 또 구비하고, 상기 바이어스회로는 RC네트워크필터에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제8항에 있어서, 상기 RC네트워크필터는, 제1면 및 이 제1면에 대향한 제2면을 가진 절연체와, 이 절연체의 제1 및 제2면에 각각 형성된 금속막으로 구성되어 있는 MIM콘덴서; 및 상기 절연체의 제1면 및 제2면의 어느 한쪽에 형성된 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제1면과, 이 제1면에 대향한 제2면과, 상기 제1면으로부터 제2면을 향해서 뻗는 복수의 관통구멍을 지닌 도전성기체를 가진 패키지기체; 상기 도전성기체의 면상에 형성되고, 소정전위로 설정된 음극과, 양극을 구비하여, 광신호를 전기신호로 변환하는 수광소자; 상기 도전성기체의 제1면상에 설치되어, 상기 수광소자의 음극에 전기적으로 접속된 입력단자를 가진 제1증폭기; 상기 도전성기체의 제1면상에 설치되고, 상기 수광소자의 음극에 제1전극이 전기적으로 접속되어 있고, 상기 수광소자의 용량과 동일한 용량값을 가진 콘덴서; 상기 도전성기체의 제1면상에 설치되고, 상기 제1증폭기와 동일한 회로구성이고, 상기 콘덴서의 제2전극에 전기적으로 접속된 입력단자를 가진 제2증폭기; 상기 도전성기체에 접촉하는 일없이, 이 도전성기체의 관통구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 제1증폭기의 출력단자에 전기적으로 접속되어 있는 제2리드핀; 상기 도전성기체에 접촉하는 일없이, 이 도전성기체의 관통구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 제1및 제2증폭기의정전압입력단자에 전기적으로 접속되어 있는 제3리드핀; 및 상기 도전성기체에 접촉하는 일없이 이 도전성기체의 관총구멍의 하나를 이 도전성기체의 제2면쪽으로부터 제1면쪽을 향해서 관통하고, 그 선단부가 상기 수광소자의 음극에 전기적으로 접속되어 이쓴 제4리드핀; 및 상기 도전성기체의 제2면에 직접 접촉한 제5리드핀을 구비한 것을 특징으로 하는 광전 변환모듈.
- 제10항에 있어서, 상기 광전변환모듈은, 상기 수광소자의 음극과 상기 제4리드핀과의 사이에 배치된, 상기 수광소자에 대한 바이어스회로를 또 구비하고, 이 바이어스 회로는 RC네트워크필터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제10항에 있어서, 상기 제1∼제4의 리드핀은, 상기 제5리드핀을 둘러싸도록 서로 등간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.
- 제10항에 있어서, 상기 제5리드핀은 접지단자인 것을 특징으로 하는 광전변환모듈.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27355594A JP3680303B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 光電変換モジュール |
JP94-273555 | 1994-11-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960019815A true KR960019815A (ko) | 1996-06-17 |
KR100326684B1 KR100326684B1 (ko) | 2002-11-07 |
Family
ID=17529444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950040191A KR100326684B1 (ko) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | 광전변환모듈 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5652425A (ko) |
EP (1) | EP0712165B1 (ko) |
JP (1) | JP3680303B2 (ko) |
KR (1) | KR100326684B1 (ko) |
CA (1) | CA2162315A1 (ko) |
DE (1) | DE69531764T2 (ko) |
TW (1) | TW278276B (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2970844B2 (ja) * | 1997-06-04 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 光受信器及びそれを用いた光ネットワークシステム |
JP3668926B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2005-07-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 光インタコネクション受信モジュール |
JP4187376B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2008-11-26 | ローム株式会社 | 受光増幅装置 |
AU2001235999A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Signal read circuit |
JP4178995B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-11-12 | 住友電気工業株式会社 | 光受信モジュール |
US6781468B1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-08-24 | Agilent Technologies, Inc | Photo-amplifier circuit with improved power supply rejection |
US7554072B2 (en) * | 2004-09-15 | 2009-06-30 | Siemens Energy & Automation, Inc. | Amplifier configuration with noise reduction for a photodiode |
JP4561335B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 光データリンク |
JP4815869B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-11-16 | 住友電気工業株式会社 | 光受信モジュール |
JP2007242708A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信サブアセンブリ |
JP2008118050A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Truelight Corp | 多機能薄膜電気抵抗−キャパシタ配列 |
JP6584911B2 (ja) | 2015-10-19 | 2019-10-02 | 三菱重工サーマルシステムズ株式会社 | インバータ一体型電動圧縮機及び回路基板、並びに回路基板の製造方法 |
WO2022009259A1 (ja) * | 2020-07-06 | 2022-01-13 | 三菱電機株式会社 | 光受信モジュール |
CN117079975B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-04-30 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 高速tia抗5g wifi电磁干扰方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1307838A (en) * | 1969-07-17 | 1973-02-21 | Vickers Ltd | Apparatus for and a method of reducing the effect of noise in the output current of a photoemissive cell |
US4139767A (en) * | 1977-10-17 | 1979-02-13 | Northern Telecom Limited | Photodetector with improved signal-to-noise ratio |
JPS59185432A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信回路 |
JPS6084751A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子 |
JPS60173868A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
DE3409146A1 (de) * | 1984-03-13 | 1985-09-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optoelektronisches mudul |
EP0184747A1 (de) * | 1984-12-13 | 1986-06-18 | Heimann GmbH | Infrarotdetektor |
JPS63250928A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Nec Corp | 光受信回路 |
GB8713699D0 (en) * | 1987-06-11 | 1987-07-15 | British Telecomm | Optical receiver circuit |
JPH01156631A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 暗電流キャンセル回路 |
JPH01223757A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US4902886A (en) * | 1989-01-23 | 1990-02-20 | Hewlett-Packard Company | Noise reduction for photodiode arrays |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP27355594A patent/JP3680303B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-07 CA CA002162315A patent/CA2162315A1/en not_active Abandoned
- 1995-11-08 KR KR1019950040191A patent/KR100326684B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-08 DE DE69531764T patent/DE69531764T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-08 US US08/555,641 patent/US5652425A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-08 EP EP95117612A patent/EP0712165B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-11 TW TW084111984A patent/TW278276B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0712165A2 (en) | 1996-05-15 |
CA2162315A1 (en) | 1996-05-09 |
DE69531764T2 (de) | 2004-07-15 |
KR100326684B1 (ko) | 2002-11-07 |
US5652425A (en) | 1997-07-29 |
JPH08139342A (ja) | 1996-05-31 |
EP0712165A3 (en) | 1997-10-08 |
JP3680303B2 (ja) | 2005-08-10 |
EP0712165B1 (en) | 2003-09-17 |
DE69531764D1 (de) | 2003-10-23 |
TW278276B (ko) | 1996-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960019815A (ko) | 광전변환모듈 | |
CN1129777C (zh) | 热电红外线传感器 | |
KR910005344A (ko) | 전기 이중층 콘덴서 | |
US3183407A (en) | Combined electrical element | |
CA2376767A1 (en) | Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations | |
JPH0582765B2 (ko) | ||
US6294783B1 (en) | Infrared sensor | |
KR970009242B1 (ko) | 스위치형 캐패시터 회로망 | |
US6360603B1 (en) | Acceleration sensor and acceleration detecting device | |
KR980006558A (ko) | 압전 트랜스포머 | |
KR970004311A (ko) | 자이레이터 회로를 이용한 접지된 인덕턴스 회로 | |
KR970024513A (ko) | 연산증폭기 및 디지탈신호전달회로 | |
KR920018989A (ko) | 광전변환회로 | |
US4975566A (en) | First stage circuit for an optical receiver | |
US4912368A (en) | Cold cathode discharge tube with series connected capacitor | |
JPS6422064A (en) | Semiconductor device | |
JPH0620116Y2 (ja) | 焦電型赤外線検出器 | |
KR980005075A (ko) | 고압용 가변 저항기 | |
JPS6182585A (ja) | イメ−ジセンサ | |
US11444581B2 (en) | Integrated circuit and light receiver | |
JPH0516766B2 (ko) | ||
KR900008996B1 (ko) | 전하검출회로 | |
SU641423A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
KR820001509B1 (ko) | 미소신호용 아이솔레이터 | |
JPS61195648U (ko) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130201 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140204 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Expiration of term |