JPH0620116Y2 - 焦電型赤外線検出器 - Google Patents
焦電型赤外線検出器Info
- Publication number
- JPH0620116Y2 JPH0620116Y2 JP13080888U JP13080888U JPH0620116Y2 JP H0620116 Y2 JPH0620116 Y2 JP H0620116Y2 JP 13080888 U JP13080888 U JP 13080888U JP 13080888 U JP13080888 U JP 13080888U JP H0620116 Y2 JPH0620116 Y2 JP H0620116Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- support
- infrared detector
- pyroelectric infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、人体等の移動体から発せられる赤外線を感知
する焦電型赤外線検出器に関するものである。
する焦電型赤外線検出器に関するものである。
近年、人間の室内侵入を検出する装置として焦電型赤外
線検出器が広く使用されている。この焦電型赤外線検出
器は、人体から発せられる赤外線を感知する受光エレメ
ントを備えており、この受光エレメントから出力される
赤外線量に対応する電気信号を利用して防犯等の管理が
行われている。
線検出器が広く使用されている。この焦電型赤外線検出
器は、人体から発せられる赤外線を感知する受光エレメ
ントを備えており、この受光エレメントから出力される
赤外線量に対応する電気信号を利用して防犯等の管理が
行われている。
第5図にはこの種の焦電型赤外線検出器に使用される受
光エレメント1の構成が示されており、また、第6図に
はこの受光エレメント1を載置固定する各種の支持体2
の構成が示されている。前記受光エレメント1はエレメ
ント基板3に一対の受光素子4a,4bを印刷すること
によって形成している。一方、第6図に示すように、支
持体2の形態は様々であり、そのうち、第6図(a)に
示す支持体2は四角い筒状をしており、この支持体2を
使用して検出器を形成する場合は、この支持体2の筒の
上端面に導体電極5を蒸着等によって形成し、前記受光
エレメント1をこの導体電極5上に載置し、受光エレメ
ント1を導体電極5の上側に導電ペーストを用いて接着
することによって装置の組み立てが行われている。
光エレメント1の構成が示されており、また、第6図に
はこの受光エレメント1を載置固定する各種の支持体2
の構成が示されている。前記受光エレメント1はエレメ
ント基板3に一対の受光素子4a,4bを印刷すること
によって形成している。一方、第6図に示すように、支
持体2の形態は様々であり、そのうち、第6図(a)に
示す支持体2は四角い筒状をしており、この支持体2を
使用して検出器を形成する場合は、この支持体2の筒の
上端面に導体電極5を蒸着等によって形成し、前記受光
エレメント1をこの導体電極5上に載置し、受光エレメ
ント1を導体電極5の上側に導電ペーストを用いて接着
することによって装置の組み立てが行われている。
また、第6図(b)に示す支持体2は円筒状をしてお
り、この支持体2を使用して検出器を形成する場合は、
同様に、この円筒の上端面に導体電極5を形成し、この
導体電極5の上側に受光エレメント1を導電ペーストを
用いて接着固定することによって装置組み立てが行われ
ている。
り、この支持体2を使用して検出器を形成する場合は、
同様に、この円筒の上端面に導体電極5を形成し、この
導体電極5の上側に受光エレメント1を導電ペーストを
用いて接着固定することによって装置組み立てが行われ
ている。
さらに、第6図(c)に示す支持体2はアルミナ等から
なる基板の上側に導体電極5,5bを形成し、これら各
導体電極5a,5bの両端側に導電ペースト等を用いて
小径の支持柱6を形成したものであり、この支持体2を
用いて検出器を形成する場合は、該支持柱6の上側に受
光エレメント1を載置し、この受光エレメント1を導電
ペースト等を用いて支持柱6に固定することによって装
置組み立てが行われるのである。
なる基板の上側に導体電極5,5bを形成し、これら各
導体電極5a,5bの両端側に導電ペースト等を用いて
小径の支持柱6を形成したものであり、この支持体2を
用いて検出器を形成する場合は、該支持柱6の上側に受
光エレメント1を載置し、この受光エレメント1を導電
ペースト等を用いて支持柱6に固定することによって装
置組み立てが行われるのである。
この種の焦電型赤外線検出器においては受光エレメント
1に人体等の移動体から赤外線が入射すると、受光素子
4a,4bが分極して電気信号を発生する。一般に、受
光素子4a,4bは直列あるいは並列に接続され、この
各受光素子4a,4bの差動信号が受光エレメント1の
検出信号として出力されるのである。
1に人体等の移動体から赤外線が入射すると、受光素子
4a,4bが分極して電気信号を発生する。一般に、受
光素子4a,4bは直列あるいは並列に接続され、この
各受光素子4a,4bの差動信号が受光エレメント1の
検出信号として出力されるのである。
しかしながら、受光エレメント1を第6図(a)に示す
ような支持体2に載置固定したものにあっては、受光エ
レメント1と支持体2との接触面積が大きくなり、しか
も、支持体2の導体電極5が受光素子4a,4bに近接
するため、受光エレメント1によって検出された赤外線
の検出熱量が支持体2を通って大量に逃げてしまい、赤
外線の検出感度が大きく低下してしまうという問題があ
る。
ような支持体2に載置固定したものにあっては、受光エ
レメント1と支持体2との接触面積が大きくなり、しか
も、支持体2の導体電極5が受光素子4a,4bに近接
するため、受光エレメント1によって検出された赤外線
の検出熱量が支持体2を通って大量に逃げてしまい、赤
外線の検出感度が大きく低下してしまうという問題があ
る。
また、受光エレメント1を第6図(b)に示す支持体2
に載置固定したものにあっては、第7図に示すように、
受光素子4a,4bの一部が支持体2の円筒上端面に対
向し、この対向する受光素子4a,4bの斜線の部分か
ら導体電極5に向けて赤外線の検出熱量が逃げやすくな
り、また、この際、受光素子4a,4bの斜線以外の部
分からも赤外線の検出熱量が斜線の部分よりも時間をず
らして導体電極5側に徐々に逃げるため、受光素子4
a,4bの熱バランスが悪くなり、検出信号に大きなノ
イズ成分が加わるという問題がある。
に載置固定したものにあっては、第7図に示すように、
受光素子4a,4bの一部が支持体2の円筒上端面に対
向し、この対向する受光素子4a,4bの斜線の部分か
ら導体電極5に向けて赤外線の検出熱量が逃げやすくな
り、また、この際、受光素子4a,4bの斜線以外の部
分からも赤外線の検出熱量が斜線の部分よりも時間をず
らして導体電極5側に徐々に逃げるため、受光素子4
a,4bの熱バランスが悪くなり、検出信号に大きなノ
イズ成分が加わるという問題がある。
さらに、受光エレメント1を第6図(c)に示す支持体
2に載置固定するものにあっては、受光エレメント1は
断面積の小さい支持柱6によって、4点で支持されるか
ら、受光エレメント1から支持柱6を通って導体電極5
a,5b側に逃げる熱量は小さくなり、受光素子4a,
4bの熱バランスの悪化は回避することができる。しか
しその反面、受光エレメント1は断面積の小さい支持柱
6によって支持されるものであるため、構造上、振動に
弱く、また、構造も複雑となるため、装置製造の作業性
が悪くなるという問題がある。
2に載置固定するものにあっては、受光エレメント1は
断面積の小さい支持柱6によって、4点で支持されるか
ら、受光エレメント1から支持柱6を通って導体電極5
a,5b側に逃げる熱量は小さくなり、受光素子4a,
4bの熱バランスの悪化は回避することができる。しか
しその反面、受光エレメント1は断面積の小さい支持柱
6によって支持されるものであるため、構造上、振動に
弱く、また、構造も複雑となるため、装置製造の作業性
が悪くなるという問題がある。
本考案は上記従来の課題を解決するためになされたもの
であり、その目的は、赤外線の検出感度を高め、さらに
受光素子の熱バランスの悪化を防止し、併せて振動等に
対する機械的強度にも優れた装置製造の容易な焦電型赤
外線検出器を提供することにある。
であり、その目的は、赤外線の検出感度を高め、さらに
受光素子の熱バランスの悪化を防止し、併せて振動等に
対する機械的強度にも優れた装置製造の容易な焦電型赤
外線検出器を提供することにある。
本考案は上記目的を達成するために、次のように構成さ
れている。すなわち、本考案は、赤外線を検出する受光
エレメントが支持体によって載置固定されている焦電型
赤外線検出器において、前記受光エレメントを載置する
支持体の載置面は底部から上方部に向かって開拡する一
対の対向斜面によって構成されており、該一対の対向斜
面間に前記受光エレメントが架橋配置され、該斜面に対
して受光エレメントの端部が線接触状態で載置固定され
ていることを特徴として構成されている。
れている。すなわち、本考案は、赤外線を検出する受光
エレメントが支持体によって載置固定されている焦電型
赤外線検出器において、前記受光エレメントを載置する
支持体の載置面は底部から上方部に向かって開拡する一
対の対向斜面によって構成されており、該一対の対向斜
面間に前記受光エレメントが架橋配置され、該斜面に対
して受光エレメントの端部が線接触状態で載置固定され
ていることを特徴として構成されている。
本考案においては、受光エレメントは支持体の載置面す
なわち、支持体の一対の対向斜面間に架橋配置される。
この架橋配置により、受光エレメントの両端部は前記斜
面上に線接触状態で載置固定される結果、この斜面と受
光エレメントの接触面積は非常に小さくなり、このた
め、受光エレメント側から斜面に逃げる赤外線の熱量は
非常に小さなものとなる。このように、斜面側に逃げる
熱量が小さい上に、受光エレメントの両端部は前記両斜
面に対してほぼ対称に載置されるので、受光素子の熱バ
ランスの不均衡は生じない。その上、受光エレメントは
線接触状態で斜面上に配置されるから、接触面積が小さ
いにもかかわらず、振動等に対する機械的強度に対して
も強いものとなる。
なわち、支持体の一対の対向斜面間に架橋配置される。
この架橋配置により、受光エレメントの両端部は前記斜
面上に線接触状態で載置固定される結果、この斜面と受
光エレメントの接触面積は非常に小さくなり、このた
め、受光エレメント側から斜面に逃げる赤外線の熱量は
非常に小さなものとなる。このように、斜面側に逃げる
熱量が小さい上に、受光エレメントの両端部は前記両斜
面に対してほぼ対称に載置されるので、受光素子の熱バ
ランスの不均衡は生じない。その上、受光エレメントは
線接触状態で斜面上に配置されるから、接触面積が小さ
いにもかかわらず、振動等に対する機械的強度に対して
も強いものとなる。
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図には本考案に係る焦電型赤外線検出器の一実施例
が示されている。同図において、ステム7にはキャップ
状のケース8が嵌合固定されている。このケース8の中
央部は開口部10となっており、この開口部10は単結晶シ
リコン等からなる光学フィルタ11によって閉鎖されてい
る。前記ステム7にはアース側端子12aと、出力端子12b
と、電源端子12cとが固定されている。前記アース側端
子12aと電源端子12cはステム7から上方に突出し、その
突出先端部にアルミナあるいはセラミック等からなる支
持体2が固定されている。この支持体2の表面側中央部
には中心部、つまり底部から上側に向かって開拡する一
対の対向斜面3a,13bが形成されており、この斜面13a,13
bが受光エレメント1の載置面となっている。この受光
エレメント1は、前記第5図に示す従来の受光エレメン
トと同様に、エレメント基板3の上側(表面側)に一対
の受光素子4a,4bを形成したものである。
が示されている。同図において、ステム7にはキャップ
状のケース8が嵌合固定されている。このケース8の中
央部は開口部10となっており、この開口部10は単結晶シ
リコン等からなる光学フィルタ11によって閉鎖されてい
る。前記ステム7にはアース側端子12aと、出力端子12b
と、電源端子12cとが固定されている。前記アース側端
子12aと電源端子12cはステム7から上方に突出し、その
突出先端部にアルミナあるいはセラミック等からなる支
持体2が固定されている。この支持体2の表面側中央部
には中心部、つまり底部から上側に向かって開拡する一
対の対向斜面3a,13bが形成されており、この斜面13a,13
bが受光エレメント1の載置面となっている。この受光
エレメント1は、前記第5図に示す従来の受光エレメン
トと同様に、エレメント基板3の上側(表面側)に一対
の受光素子4a,4bを形成したものである。
本実施例において特徴的なことは、受光エレメント1を
斜面13a,13b間に架橋状態で載置したことである。本実
施例においては、第2図に示すように、支持体2には斜
面13a,13bの上方側から上端面にかけて、導体電極14a,1
4bが蒸着等により形成されており、また、下面側にも電
極パターン(パターン形状は図示せず)20が形成されて
いる。そして、前記受光エレメント1の両端部は斜面13
a,13b側の導体電極14a,14b上に線接触状態で接触し、こ
の接触位置で受光エレメント1は導電ペースト等を用い
て導体電極14a,14b上に接着固定されている。
斜面13a,13b間に架橋状態で載置したことである。本実
施例においては、第2図に示すように、支持体2には斜
面13a,13bの上方側から上端面にかけて、導体電極14a,1
4bが蒸着等により形成されており、また、下面側にも電
極パターン(パターン形状は図示せず)20が形成されて
いる。そして、前記受光エレメント1の両端部は斜面13
a,13b側の導体電極14a,14b上に線接触状態で接触し、こ
の接触位置で受光エレメント1は導電ペースト等を用い
て導体電極14a,14b上に接着固定されている。
また、支持体2の中央裏面側には導通端子15と接続端子
21,22とが下方向に突設されており、この導通端子15の
先端部にはFET(Field Effect Transisitor)16が固定
されている。また、支持体2にはスルーホール17が穿設
されており、このスルーホール17にスルーホール電極18
が嵌め込まれ、このスルーホール電極18の上端側は導体
電極14bに導通している。また、電極パターン20とFE
T16は前記導通端子15と接続端子21,22とを介して導通
接続状態となっている。
21,22とが下方向に突設されており、この導通端子15の
先端部にはFET(Field Effect Transisitor)16が固定
されている。また、支持体2にはスルーホール17が穿設
されており、このスルーホール17にスルーホール電極18
が嵌め込まれ、このスルーホール電極18の上端側は導体
電極14bに導通している。また、電極パターン20とFE
T16は前記導通端子15と接続端子21,22とを介して導通
接続状態となっている。
第3図には受光エレメント1とFET16との結線態様が
等価回路によって示されている。本実施例では、受光エ
レメント1の受光素子4a,4bは直列に接続されてお
り、受光素子4a側は導体電極14aとアース側端子12aと
を介してアース側に接続されている。さらに、このアー
ス側端子12aは電極パターン20と接続端子21を介してF
ET16のリーク抵抗器23の一端側に接続されている。一
方、受光素子4b側は導体電極14bと、スルーホール電
極18と、導通端子15を介してFET16の前記リーク抵抗
器23の他端側に接続されている。また、電源端子12cは
前記電極パターン20と、接続端子22とを介してFET16
の電源側に接続されている。さらに、出力端子12bはF
ET16の信号取り出し側に接続されている。
等価回路によって示されている。本実施例では、受光エ
レメント1の受光素子4a,4bは直列に接続されてお
り、受光素子4a側は導体電極14aとアース側端子12aと
を介してアース側に接続されている。さらに、このアー
ス側端子12aは電極パターン20と接続端子21を介してF
ET16のリーク抵抗器23の一端側に接続されている。一
方、受光素子4b側は導体電極14bと、スルーホール電
極18と、導通端子15を介してFET16の前記リーク抵抗
器23の他端側に接続されている。また、電源端子12cは
前記電極パターン20と、接続端子22とを介してFET16
の電源側に接続されている。さらに、出力端子12bはF
ET16の信号取り出し側に接続されている。
かかる構成において、人体等の移動体から赤外線が光学
フィルタ11を通って受光エレメント1に入射すると、受
光素子4a,4bは赤外線量に対応して分極し、この分
極電荷に対応した信号を出力する。受光エレメント1は
受光素子4a,4bから出力する信号の差動出力を求
め、これを赤外線量の検出信号としてFET16に供給す
る。FET16は前記受光エレメント1からの検出信号
(電流信号)をインピーダンス変換によって電圧信号に
変換し、この電圧信号に基づき前記受光エレメント1か
ら外部へ出力される電流をオン・オフ制御するのであ
る。
フィルタ11を通って受光エレメント1に入射すると、受
光素子4a,4bは赤外線量に対応して分極し、この分
極電荷に対応した信号を出力する。受光エレメント1は
受光素子4a,4bから出力する信号の差動出力を求
め、これを赤外線量の検出信号としてFET16に供給す
る。FET16は前記受光エレメント1からの検出信号
(電流信号)をインピーダンス変換によって電圧信号に
変換し、この電圧信号に基づき前記受光エレメント1か
ら外部へ出力される電流をオン・オフ制御するのであ
る。
上記のように構成されている本実施例によれば、受光エ
レメント1は支持体2の斜面13a,13bに線接触状態で支
持されるものであるから、その接触面積は非常に小さ
く、その上、受光エレメント1と支持体2の間には受光
エレメント1からの熱伝導を防止する大きな空間部24が
形成されることから、受光エレメント1から支持体2側
に逃げる熱量は非常に小さなものとなり、感度が向上す
る。この効果を本考案者が実験により確認したところ、
本実施例の装置構成とすることにより従来の装置に較べ
約10%の感度向上を達成することができた。
レメント1は支持体2の斜面13a,13bに線接触状態で支
持されるものであるから、その接触面積は非常に小さ
く、その上、受光エレメント1と支持体2の間には受光
エレメント1からの熱伝導を防止する大きな空間部24が
形成されることから、受光エレメント1から支持体2側
に逃げる熱量は非常に小さなものとなり、感度が向上す
る。この効果を本考案者が実験により確認したところ、
本実施例の装置構成とすることにより従来の装置に較べ
約10%の感度向上を達成することができた。
また、受光エレメント1は第1図に示すように、左右の
端部が対称的に支持されるものであるから、受光素子4
a,4bの熱バランスが非常によく、実験の結果によれ
ば、スパイク状ノイズの発生は従来の装置に較べ30%以
上抑えることができた。しかも、前記の如く受光エレメ
ント1は線接触状態で支持されているから、前記従来例
の第6図(c)に示す4点支持方式に比べ耐振動性を大
幅に向上することも可能となった。
端部が対称的に支持されるものであるから、受光素子4
a,4bの熱バランスが非常によく、実験の結果によれ
ば、スパイク状ノイズの発生は従来の装置に較べ30%以
上抑えることができた。しかも、前記の如く受光エレメ
ント1は線接触状態で支持されているから、前記従来例
の第6図(c)に示す4点支持方式に比べ耐振動性を大
幅に向上することも可能となった。
なお、本考案は上記実施例に限定されることはなく、様
々な実施の態様を採り得るものである。例えば、上記実
施例では、受光エレメント1を支持する支持体2の載置
面をくさび状の斜面によって形成したが、受光エレメン
ト1の端部を線接触状態で支持できる斜面形状であれば
どのようなものでもよく、例えば、第4図(a)に示す
ように円弧面の斜面にしてもよく、あるいは、第4図
(b)に示すように逆台型形状にしてもよく、斜面の形
状は仕様に応じ様々な形態を採り得るものである。
々な実施の態様を採り得るものである。例えば、上記実
施例では、受光エレメント1を支持する支持体2の載置
面をくさび状の斜面によって形成したが、受光エレメン
ト1の端部を線接触状態で支持できる斜面形状であれば
どのようなものでもよく、例えば、第4図(a)に示す
ように円弧面の斜面にしてもよく、あるいは、第4図
(b)に示すように逆台型形状にしてもよく、斜面の形
状は仕様に応じ様々な形態を採り得るものである。
本考案は以上説明したように、受光エレメントを支持体
の斜面上に線接触状態で載置固定したものであるから、
受光エレメントの検出熱量が支持体側に逃げる度合いが
非常に小さく、これにより赤外線の検出感度を大幅に高
めることが可能となる。その上、受光エレメント上の受
光素子の熱バランスをよくすることができるため、ノイ
ズの発生が非常に小さく、これにより、信頼性の高い赤
外線量の検出を行うことが可能となる。しかも、受光エ
レメントは線接触状態で支持されているから、機械的構
造の上でも、耐振動性を高くすることができる。また、
受光エレメントの載置構造が簡易であるから、装置製作
も容易となり、装置コストの低減化を大幅に図ることが
可能となる。
の斜面上に線接触状態で載置固定したものであるから、
受光エレメントの検出熱量が支持体側に逃げる度合いが
非常に小さく、これにより赤外線の検出感度を大幅に高
めることが可能となる。その上、受光エレメント上の受
光素子の熱バランスをよくすることができるため、ノイ
ズの発生が非常に小さく、これにより、信頼性の高い赤
外線量の検出を行うことが可能となる。しかも、受光エ
レメントは線接触状態で支持されているから、機械的構
造の上でも、耐振動性を高くすることができる。また、
受光エレメントの載置構造が簡易であるから、装置製作
も容易となり、装置コストの低減化を大幅に図ることが
可能となる。
第1図は本考案に係る焦電型赤外線検出器の一実施例を
示す断面図、第2図は同実施例における受光エレメント
の支持体の斜視構成図、第3図は同実施例における受光
エレメントとFETとの結線を示す等価回路図、第4図
は受光エレメントを支持する支持体の各種斜面形状を示
す説明図、第5図は受光エレメントの外観説明図、第6
図は従来の焦電型赤外線検出器に使用されている支持体
の各種態様を示す斜視説明図、第7図は第6図(b)の
支持体上に受光エレメントが載置固定されている状態を
示す説明図である。 1…受光エレメント、2…支持体、3…エレメント基
板、4a,4b…受光素子、5,5a,5b…導体電
極、6…支持柱、7…ステム、8…ケース、10…開口
部、11…光学フィルタ、12a…アース側端子、12b…出力
端子、12c…電源端子、13a,13b…斜面、14a,14b…導体
電極、15…導通端子、16…FET(Field Effect Transi
sitor)、17…スルーホール、18…スルーホール電極、20
…電極パターン、21,22…接続端子、23…リーク抵抗
器、24…空間部。
示す断面図、第2図は同実施例における受光エレメント
の支持体の斜視構成図、第3図は同実施例における受光
エレメントとFETとの結線を示す等価回路図、第4図
は受光エレメントを支持する支持体の各種斜面形状を示
す説明図、第5図は受光エレメントの外観説明図、第6
図は従来の焦電型赤外線検出器に使用されている支持体
の各種態様を示す斜視説明図、第7図は第6図(b)の
支持体上に受光エレメントが載置固定されている状態を
示す説明図である。 1…受光エレメント、2…支持体、3…エレメント基
板、4a,4b…受光素子、5,5a,5b…導体電
極、6…支持柱、7…ステム、8…ケース、10…開口
部、11…光学フィルタ、12a…アース側端子、12b…出力
端子、12c…電源端子、13a,13b…斜面、14a,14b…導体
電極、15…導通端子、16…FET(Field Effect Transi
sitor)、17…スルーホール、18…スルーホール電極、20
…電極パターン、21,22…接続端子、23…リーク抵抗
器、24…空間部。
Claims (1)
- 【請求項1】赤外線を検出する受光エレメントが支持体
によって載置固定されている焦電型赤外線検出器におい
て、前記受光エレメントを載置する支持体の載置面は底
部から上方部に向かって開拡する一対の対向斜面によっ
て構成されており、該一対の対向斜面間に前記受光エレ
メントが架橋配置され、該斜面に対して受光エレメント
の端部が線接触状態で載置固定されていることを特徴と
する焦電型赤外線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13080888U JPH0620116Y2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 焦電型赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13080888U JPH0620116Y2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 焦電型赤外線検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0252128U JPH0252128U (ja) | 1990-04-13 |
JPH0620116Y2 true JPH0620116Y2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=31386307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13080888U Expired - Lifetime JPH0620116Y2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 焦電型赤外線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0620116Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2006009174A1 (ja) | 2004-07-20 | 2008-05-01 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
JP4996302B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 個片基板の製造方法、個片基板、赤外線検出器 |
JP4996303B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 素子実装基板及びその製造方法並びに赤外線検出器 |
JP5542635B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-07-09 | 京セラ株式会社 | 赤外線素子実装構造体および赤外線素子実装用基板 |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP13080888U patent/JPH0620116Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0252128U (ja) | 1990-04-13 |
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