JP2607440Y2 - 焦電センサ - Google Patents
焦電センサInfo
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- JP2607440Y2 JP2607440Y2 JP1992069908U JP6990892U JP2607440Y2 JP 2607440 Y2 JP2607440 Y2 JP 2607440Y2 JP 1992069908 U JP1992069908 U JP 1992069908U JP 6990892 U JP6990892 U JP 6990892U JP 2607440 Y2 JP2607440 Y2 JP 2607440Y2
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- JP
- Japan
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- pyroelectric
- fet
- electrode
- pyroelectric element
- stem
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本案は、赤外線検出に用いる焦電
センサに関する。
センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】上記目的に用いられる一般的な従来の焦
電センサは、図６に示すようにゲート抵抗２１及びＦＥ
Ｔ２２の実装部品は、アルミナ基板２３に取付け、焦電
素子２４の受光電極２５と、各実装部品間をリード端子
２６で導通させるとともに焦電素子２４とアルミナ基板
２３とをリード端子２６に支持させてケース２７内に収
納する構造が殆どであった。
電センサは、図６に示すようにゲート抵抗２１及びＦＥ
Ｔ２２の実装部品は、アルミナ基板２３に取付け、焦電
素子２４の受光電極２５と、各実装部品間をリード端子
２６で導通させるとともに焦電素子２４とアルミナ基板
２３とをリード端子２６に支持させてケース２７内に収
納する構造が殆どであった。
【０００３】ゲート抵抗２１及びＦＥＴ２２の実装にア
ルミナ基板２３を用いる理由は、焦電素子２４の強度の
制約から、これらの部品を焦電素子２４に直接実装する
ことができないと考えられていたからであるが、上記構
造によるときには、ケース２７内にアルミナ基板２３の
設置空間を必要とするため、センサの小型化に限界があ
り、また、部品間の配線接続に厄介な回路パターンを必
要とする。
ルミナ基板２３を用いる理由は、焦電素子２４の強度の
制約から、これらの部品を焦電素子２４に直接実装する
ことができないと考えられていたからであるが、上記構
造によるときには、ケース２７内にアルミナ基板２３の
設置空間を必要とするため、センサの小型化に限界があ
り、また、部品間の配線接続に厄介な回路パターンを必
要とする。
【０００４】焦電素子３１に直接部品を実装した例とし
て例えば実開平３−７２３２８号がある。この先行例で
は、図７のように焦電素子３１の固有抵抗をゲート抵抗
に使用し、実装部品としてチップＦＥＴ３２のみを焦電
素子３１に形成された電極パターンに導通接続し、リー
ド端子３３上に焦電素子３１を支えて電極パターンをリ
ード端子３３に直接導通接続している。
て例えば実開平３−７２３２８号がある。この先行例で
は、図７のように焦電素子３１の固有抵抗をゲート抵抗
に使用し、実装部品としてチップＦＥＴ３２のみを焦電
素子３１に形成された電極パターンに導通接続し、リー
ド端子３３上に焦電素子３１を支えて電極パターンをリ
ード端子３３に直接導通接続している。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】上記構造によるときに
は、アルミナ基板が不要となり、センサの小型化を実現
できる。また、焦電素子３１の固有抵抗をゲート抵抗に
利用するため、抵抗器を別個に実装する必要がなく、焦
電素子３１に対する重量負担を軽減するうえには有効で
あると思われるが、焦電素子に固有の抵抗を利用するた
め、焦電センサ特性を任意に変更するときに抵抗値の変
更によって対応することができず、焦電素子自体を取替
える必要があり、このためには、固有抵抗値が異なる焦
電素子を何種類も予め用意しておかなければならない。
は、アルミナ基板が不要となり、センサの小型化を実現
できる。また、焦電素子３１の固有抵抗をゲート抵抗に
利用するため、抵抗器を別個に実装する必要がなく、焦
電素子３１に対する重量負担を軽減するうえには有効で
あると思われるが、焦電素子に固有の抵抗を利用するた
め、焦電センサ特性を任意に変更するときに抵抗値の変
更によって対応することができず、焦電素子自体を取替
える必要があり、このためには、固有抵抗値が異なる焦
電素子を何種類も予め用意しておかなければならない。
【０００６】本案の目的は、抵抗素子の実装により焦電
素子に重量の負担をかけず、逆に焦電素子の安定支持に
寄与しうる構造の焦電センサを提供することにある。
素子に重量の負担をかけず、逆に焦電素子の安定支持に
寄与しうる構造の焦電センサを提供することにある。
【０００７】上記目的を達成するため、本発明による焦
電センサにおいては、焦電素子と、ＦＥＴと、抵抗素子
とを有し、ステムに取付けられた３本のリード端子とス
テムに取付けられた抵抗素子との４点支持によって焦電
素子を支えてケース内に収容した焦電センサであって、
焦電素子は、赤外線を入力として電荷を発生するセラミ
ック板状体であり、表面に受光電極、裏面にそれぞれＦ
ＥＴのドレイン・ソース・ゲート接続用電極と、設置電
極とが付され、ＦＥＴは、インピーダンス変換用であ
り、前記ＦＥＴのドレイン・ソース・ゲート接続用電極
に接続して焦電素子の裏面に搭載され、前記ＦＥＴのド
レイン・ソース・ゲート接続用電極は、３本のリード端
子の１本にそれぞれ接続され、接地電極に接続されたリ
ード端子は、アース用リード端子であり、抵抗素子は、
ゲート抵抗であり、前記各リード端子の立上がり高さと
同長の柱状をなし、ＦＥＴのゲート接続用電極と、ステ
ムを通してアース用リード端子とに電気的に接続され、
焦電素子に重量の負担をかけずにステム上に直立姿勢で
接着されたものである。
電センサにおいては、焦電素子と、ＦＥＴと、抵抗素子
とを有し、ステムに取付けられた３本のリード端子とス
テムに取付けられた抵抗素子との４点支持によって焦電
素子を支えてケース内に収容した焦電センサであって、
焦電素子は、赤外線を入力として電荷を発生するセラミ
ック板状体であり、表面に受光電極、裏面にそれぞれＦ
ＥＴのドレイン・ソース・ゲート接続用電極と、設置電
極とが付され、ＦＥＴは、インピーダンス変換用であ
り、前記ＦＥＴのドレイン・ソース・ゲート接続用電極
に接続して焦電素子の裏面に搭載され、前記ＦＥＴのド
レイン・ソース・ゲート接続用電極は、３本のリード端
子の１本にそれぞれ接続され、接地電極に接続されたリ
ード端子は、アース用リード端子であり、抵抗素子は、
ゲート抵抗であり、前記各リード端子の立上がり高さと
同長の柱状をなし、ＦＥＴのゲート接続用電極と、ステ
ムを通してアース用リード端子とに電気的に接続され、
焦電素子に重量の負担をかけずにステム上に直立姿勢で
接着されたものである。
【０００８】
【作用】焦電素子は、給電用及び接地用の３本のリード
端子と、抵抗素子とによってステム上に安定に支持され
る。抵抗素子は、ＦＥＴのゲート接続用電極と接地用リ
ード端子に電気的に接続されてゲート抵抗として機能す
る。抵抗素子には、市販の柱状の抵抗器を使用でき、抵
抗素子の実装により焦電素子に重量の負担をかけず、焦
電センサ特性の変更には抵抗素子の交換によって対応で
きる。
端子と、抵抗素子とによってステム上に安定に支持され
る。抵抗素子は、ＦＥＴのゲート接続用電極と接地用リ
ード端子に電気的に接続されてゲート抵抗として機能す
る。抵抗素子には、市販の柱状の抵抗器を使用でき、抵
抗素子の実装により焦電素子に重量の負担をかけず、焦
電センサ特性の変更には抵抗素子の交換によって対応で
きる。
【０００９】
【実施例】以下に本案の実施例を図によって説明する。
図１において、本案の焦電センサに内蔵する焦電素子１
には、ＦＥＴ２を実装し、ステム３上に柱状の抵抗素子
４を取付け、該抵抗素子４と、ステム３上に突出させた
３本のリード端子５とによって焦電素子１の四隅を支持
し、シールドケース６によりハーメチックシールされた
ものである。シールドケース６の上面の赤外線受光窓に
は光学フィルタ７が設けられている。
図１において、本案の焦電センサに内蔵する焦電素子１
には、ＦＥＴ２を実装し、ステム３上に柱状の抵抗素子
４を取付け、該抵抗素子４と、ステム３上に突出させた
３本のリード端子５とによって焦電素子１の四隅を支持
し、シールドケース６によりハーメチックシールされた
ものである。シールドケース６の上面の赤外線受光窓に
は光学フィルタ７が設けられている。
【００１０】焦電素子１は、赤外線を入力として電荷を
発生するセラミック板状体であり、実施例では角状チッ
プを用いている。
発生するセラミック板状体であり、実施例では角状チッ
プを用いている。
【００１１】図２（ａ），（ｂ）において、焦電素子１
の表面には、受電電極８、裏面には接地電極９と、ＦＥ
Ｔのドレイン・ソース・ゲート接続用電極１０ａ，１０
ｂ，１０ｃとを形成する。
の表面には、受電電極８、裏面には接地電極９と、ＦＥ
Ｔのドレイン・ソース・ゲート接続用電極１０ａ，１０
ｂ，１０ｃとを形成する。
【００１２】図３（ａ）において、ＦＥＴのドレイン・
ソース・ゲート接続用電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃの要
所には●で示すＡ位置に導電性接着剤を塗布し、図３
（ｂ）のように各電極間にまたがってＦＥＴ２を接続す
る。なお、図中○で示すＢ位置は、リード端子の接続位
置である。
ソース・ゲート接続用電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃの要
所には●で示すＡ位置に導電性接着剤を塗布し、図３
（ｂ）のように各電極間にまたがってＦＥＴ２を接続す
る。なお、図中○で示すＢ位置は、リード端子の接続位
置である。
【００１３】図４（ａ）において、ステム３上には、焦
電素子１の接地電極９及びＦＥＴのドレイン・ソース接
続用電極１０ａ，１０ｂのＢ位置にそれぞれ対応して３
本のリード端子５が設けられている。すなわち、３本の
リード端子５は、それぞれ接地電極９と、ドレイン接続
用電極１０ａと、ソース接続用電極１０ｂとに個別に接
続され、焦電素子１は、３本のリード端子５上に支えら
れる。接地用電極９に接続されたリード端子がアース用
リード端子である。本案においては、さらにステム３上
の位置Ａに導電性接着剤を塗布し、図４（ｂ）のように
各リード端子５の立ち上がり高さと同長の柱状の抵抗素
子４を直立姿勢で接着し、その上端に塗布した導電性接
着剤をもってＦＥＴのゲート電極１０ｃに接続する。抵
抗素子４は、ＦＥＴのゲート抵抗であり、ステム３を通
じてアース用リード端子５に電気的に導通し、焦電素子
１は、３本のリード端子５、５、５と１個の抵抗素子４
との４点支持によって支持される。
電素子１の接地電極９及びＦＥＴのドレイン・ソース接
続用電極１０ａ，１０ｂのＢ位置にそれぞれ対応して３
本のリード端子５が設けられている。すなわち、３本の
リード端子５は、それぞれ接地電極９と、ドレイン接続
用電極１０ａと、ソース接続用電極１０ｂとに個別に接
続され、焦電素子１は、３本のリード端子５上に支えら
れる。接地用電極９に接続されたリード端子がアース用
リード端子である。本案においては、さらにステム３上
の位置Ａに導電性接着剤を塗布し、図４（ｂ）のように
各リード端子５の立ち上がり高さと同長の柱状の抵抗素
子４を直立姿勢で接着し、その上端に塗布した導電性接
着剤をもってＦＥＴのゲート電極１０ｃに接続する。抵
抗素子４は、ＦＥＴのゲート抵抗であり、ステム３を通
じてアース用リード端子５に電気的に導通し、焦電素子
１は、３本のリード端子５、５、５と１個の抵抗素子４
との４点支持によって支持される。
【００１４】次に、各リード端子５及び抵抗素子４の頂
部Ｃに、導電性接着剤を塗布し、焦電素子１を接着後、
焼付けを行い、図５（ａ）のように焦電素子１をリード
端子５及び抵抗素子４に支えて固定する。その後、ケー
ス１１を焦電素子１に被せてステム３上に重ね合せ、図
５（ｂ）のように接合部を溶接してシールを行い、図１
に示す焦電センサを完成する。以上、実施例では素子の
接着に導電性接着剤を用いたが、半田を用いて接着する
ことも勿論できる。
部Ｃに、導電性接着剤を塗布し、焦電素子１を接着後、
焼付けを行い、図５（ａ）のように焦電素子１をリード
端子５及び抵抗素子４に支えて固定する。その後、ケー
ス１１を焦電素子１に被せてステム３上に重ね合せ、図
５（ｂ）のように接合部を溶接してシールを行い、図１
に示す焦電センサを完成する。以上、実施例では素子の
接着に導電性接着剤を用いたが、半田を用いて接着する
ことも勿論できる。
【００１５】
【考案の効果】本案は以上のように焦電素子に用いるゲ
ート抵抗器に柱状の抵抗素子を用い、ＦＥＴのドレイン
・ソース・ゲート接続用及び接地用の３本のリード端子
と、抵抗素子とによって焦電素子をステム上に支持させ
るため、４点支持によって焦電素子を安定に支持するこ
とができ、焦電素子に抵抗素子の重量負担をかけること
がない。また、焦電素子と抵抗素子との接触面積が小さ
いため、熱伝導の低下が少なく、赤外線に対する反応速
度の低下を防ぐことができる。
ート抵抗器に柱状の抵抗素子を用い、ＦＥＴのドレイン
・ソース・ゲート接続用及び接地用の３本のリード端子
と、抵抗素子とによって焦電素子をステム上に支持させ
るため、４点支持によって焦電素子を安定に支持するこ
とができ、焦電素子に抵抗素子の重量負担をかけること
がない。また、焦電素子と抵抗素子との接触面積が小さ
いため、熱伝導の低下が少なく、赤外線に対する反応速
度の低下を防ぐことができる。
【００１６】さらに、ステム上から突出する各リード端
子の突出長さ及び抵抗素子の長さを短くして焦電素子に
搭載するＦＥＴをステム上に支えれば、焦電素子の支持
の安定性をより向上できる。
子の突出長さ及び抵抗素子の長さを短くして焦電素子に
搭載するＦＥＴをステム上に支えれば、焦電素子の支持
の安定性をより向上できる。
【００１７】また、抵抗素子には、市販の柱状の抵抗素
子を使用でき、焦電センサ特性の変更には、抵抗素子の
交換によって対応できる効果を有する。
子を使用でき、焦電センサ特性の変更には、抵抗素子の
交換によって対応できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本案の一実施例を示す焦電センサの断面図であ
る。
る。
【図２】（ａ）は焦電素子の表面図、（ｂ）は裏面図で
ある。
ある。
【図３】（ａ）は焦電素子の裏面に対するＦＥＴの実装
位置を示す図、（ｂ）はＦＥＴの実装並びにリード端子
の取付位置を示す図である。
位置を示す図、（ｂ）はＦＥＴの実装並びにリード端子
の取付位置を示す図である。
【図４】（ａ）は抵抗素子の取付要領、（ｂ）は焦電素
子の取付要領を示す図である。
子の取付要領を示す図である。
【図５】（ａ）はシールの要領を示す図、（ｂ）はシー
ルされた焦電センサを示す図である。
ルされた焦電センサを示す図である。
【図６】焦電センサの従来例である。
【図７】焦電センサの他の従来例である。
１ 焦電素子 ２ ＦＥＴ ３ ステム ４ 抵抗素子 ５ リード端子 ６ シールドケース ７ 光学フィルタ ８ 受電電極 ９ 接地電極 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ ＦＥＴのドレイン・ソース・
ゲート接続用電極 １１ ケース
ゲート接続用電極 １１ ケース
フロントページの続き (72)考案者 山村 友宏 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (72)考案者 気田 光朗 埼玉県狭山市新狭山１丁目11番４号 株 式会社大泉製作所内 (56)参考文献 特開 平３−4127（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−72944（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01J 1/02 G01J 1/42 G01J 5/02 G01J 5/12 G01V 9/04 H01L 37/00 - 37/02 G08B 13/19 - 13/191
Claims (1)
- 【請求項１】 焦電素子と、ＦＥＴと、抵抗素子とを有
し、ステムに取付けられた３本のリード端子とステムに
取付けられた抵抗素子との４点支持によって焦電素子を
支えてケース内に収容した焦電センサであって、 焦電素子は、赤外線を入力として電荷を発生するセラミ
ック板状体であり、表面に受光電極、裏面にそれぞれＦ
ＥＴのドレイン・ソース・ゲート接続用電極と、設置電
極とが付され、 ＦＥＴは、インピーダンス変換用であり、前記ＦＥＴの
ドレイン・ソース・ゲート接続用電極に接続して焦電素
子の裏面に搭載され、 前記ＦＥＴのドレイン・ソース・ゲート接続用電極は、
３本のリード端子の１本にそれぞれ接続され、 接地電極に接続されたリード端子は、アース用リード端
子であり、 抵抗素子は、ゲート抵抗であり、前記各リード端子の立
上がり高さと同長の柱状をなし、ＦＥＴのゲート接続用
電極と、ステムを通してアース用リード端子とに電気的
に接続され、焦電素子に重量の負担をかけずにステム上
に直立姿勢で接着されたものであることを特徴とする焦
電センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992069908U JP2607440Y2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 焦電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992069908U JP2607440Y2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 焦電センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633035U JPH0633035U (ja) | 1994-04-28 |
| JP2607440Y2 true JP2607440Y2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=13416271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992069908U Expired - Fee Related JP2607440Y2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 焦電センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607440Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10809130B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared detection circuit and infrared sensor |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP1992069908U patent/JP2607440Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10809130B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared detection circuit and infrared sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0633035U (ja) | 1994-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |