JP2607440Y2 - Pyroelectric sensor - Google Patents

Pyroelectric sensor

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JP2607440Y2
JP2607440Y2 JP1992069908U JP6990892U JP2607440Y2 JP 2607440 Y2 JP2607440 Y2 JP 2607440Y2 JP 1992069908 U JP1992069908 U JP 1992069908U JP 6990892 U JP6990892 U JP 6990892U JP 2607440 Y2 JP2607440 Y2 JP 2607440Y2
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準一 大沢
慎一郎 森
康治 横田
友宏 山村
光朗 気田
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本案は、赤外線検出に用いる焦電
センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pyroelectric sensor used for infrared detection.

【0002】[0002]

【従来の技術】上記目的に用いられる一般的な従来の焦
電センサは、図6に示すようにゲート抵抗21及びFE
T22の実装部品は、アルミナ基板23に取付け、焦電
素子24の受光電極25と、各実装部品間をリード端子
26で導通させるとともに焦電素子24とアルミナ基板
23とをリード端子26に支持させてケース27内に収
納する構造が殆どであった。
2. Description of the Related Art A general conventional pyroelectric sensor used for the above purpose has a gate resistor 21 and an FE as shown in FIG.
The mounting component of T22 is attached to the alumina substrate 23, and the light receiving electrode 25 of the pyroelectric element 24 and each mounting component are electrically connected by the lead terminal 26, and the pyroelectric element 24 and the alumina substrate 23 are supported by the lead terminal 26. In most cases, it is housed in the case 27.

【0003】ゲート抵抗21及びFET22の実装にア
ルミナ基板23を用いる理由は、焦電素子24の強度の
制約から、これらの部品を焦電素子24に直接実装する
ことができないと考えられていたからであるが、上記構
造によるときには、ケース27内にアルミナ基板23の
設置空間を必要とするため、センサの小型化に限界があ
り、また、部品間の配線接続に厄介な回路パターンを必
要とする。
The reason why the alumina substrate 23 is used for mounting the gate resistor 21 and the FET 22 is that it is considered that these components cannot be directly mounted on the pyroelectric element 24 due to the limitation of the strength of the pyroelectric element 24. However, the above structure requires a space for installing the alumina substrate 23 in the case 27, which limits the miniaturization of the sensor and requires a troublesome circuit pattern for wiring connection between components.

【0004】焦電素子31に直接部品を実装した例とし
て例えば実開平3−72328号がある。この先行例で
は、図7のように焦電素子31の固有抵抗をゲート抵抗
に使用し、実装部品としてチップFET32のみを焦電
素子31に形成された電極パターンに導通接続し、リー
ド端子33上に焦電素子31を支えて電極パターンをリ
ード端子33に直接導通接続している。
An example in which components are directly mounted on the pyroelectric element 31 is, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 3-72828. In this prior example, as shown in FIG. 7, the specific resistance of the pyroelectric element 31 is used for the gate resistance, and only the chip FET 32 is electrically connected to the electrode pattern formed on the pyroelectric element 31 as a mounting component. The electrode pattern is directly conductively connected to the lead terminal 33 while supporting the pyroelectric element 31.

【0005】[0005]

【考案が解決しようとする課題】上記構造によるときに
は、アルミナ基板が不要となり、センサの小型化を実現
できる。また、焦電素子31の固有抵抗をゲート抵抗に
利用するため、抵抗器を別個に実装する必要がなく、焦
電素子31に対する重量負担を軽減するうえには有効で
あると思われるが、焦電素子に固有の抵抗を利用するた
め、焦電センサ特性を任意に変更するときに抵抗値の変
更によって対応することができず、焦電素子自体を取替
える必要があり、このためには、固有抵抗値が異なる焦
電素子を何種類も予め用意しておかなければならない。
With the above structure, an alumina substrate is not required, and the size of the sensor can be reduced. In addition, since the specific resistance of the pyroelectric element 31 is used as the gate resistance, it is not necessary to separately mount a resistor, which is effective in reducing the weight burden on the pyroelectric element 31. When the pyroelectric sensor characteristics are arbitrarily changed, it is not possible to respond by changing the resistance value, and the pyroelectric element itself needs to be replaced. Several types of pyroelectric elements having different resistance values must be prepared in advance.

【0006】本案の目的は、抵抗素子の実装により焦電
素子に重量の負担をかけず、逆に焦電素子の安定支持に
寄与しうる構造の焦電センサを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pyroelectric sensor having a structure capable of contributing to stable support of a pyroelectric element without mounting weight on the pyroelectric element by mounting a resistance element.

【0007】上記目的を達成するため、本発明による焦
電センサにおいては、焦電素子と、FETと、抵抗素子
とを有し、ステムに取付けられた3本のリード端子とス
テムに取付けられた抵抗素子との4点支持によって焦電
素子を支えてケース内に収容した焦電センサであって、
焦電素子は、赤外線を入力として電荷を発生するセラミ
ック板状体であり、表面に受光電極、裏面にそれぞれF
ETのドレイン・ソース・ゲート接続用電極と、設置電
極とが付され、FETは、インピーダンス変換用であ
り、前記FETのドレイン・ソース・ゲート接続用電極
に接続して焦電素子の裏面に搭載され、前記FETのド
レイン・ソース・ゲート接続用電極は、3本のリード端
子の1本にそれぞれ接続され、接地電極に接続されたリ
ード端子は、アース用リード端子であり、抵抗素子は、
ゲート抵抗であり、前記各リード端子の立上がり高さと
同長の柱状をなし、FETのゲート接続用電極と、ステ
ムを通してアース用リード端子とに電気的に接続され、
焦電素子に重量の負担をかけずにステム上に直立姿勢で
接着されたものである。
In order to achieve the above object, a pyroelectric sensor according to the present invention has a pyroelectric element, an FET, and a resistive element, and has three lead terminals mounted on the stem and mounted on the stem. A pyroelectric sensor which supports the pyroelectric element by four-point support with a resistance element and is housed in a case,
The pyroelectric element is a ceramic plate-like body that generates electric charges by inputting infrared rays.
A drain / source / gate connection electrode of the ET and an installation electrode are provided, and the FET is used for impedance conversion, and is connected to the drain / source / gate connection electrode of the FET and mounted on the back surface of the pyroelectric element. The drain-source-gate connection electrode of the FET has three lead ends.
The lead terminal connected to one of the terminals and connected to the ground electrode is a ground lead terminal, and the resistance element is
The gate resistance, and the rising height of each lead terminal
It has a columnar shape of the same length, and is electrically connected to the gate connecting electrode of the FET and the ground lead terminal through the stem ,
An upright posture on the stem without putting weight on the pyroelectric element
It is bonded.

【0008】[0008]

【作用】焦電素子は、給電用及び接地用の3本のリード
端子と、抵抗素子とによってステム上に安定に支持され
る。抵抗素子は、FETのゲート接続用電極と接地用リ
ード端子に電気的に接続されてゲート抵抗として機能す
る。抵抗素子には、市販の柱状の抵抗器を使用でき、抵
抗素子の実装により焦電素子に重量の負担をかけず、焦
電センサ特性の変更には抵抗素子の交換によって対応で
きる。
The pyroelectric element is stably supported on the stem by three lead terminals for power supply and ground, and a resistance element. The resistance element is electrically connected to the gate connection electrode of the FET and the ground lead terminal, and functions as a gate resistance. A commercially available columnar resistor can be used as the resistance element, and the mounting of the resistance element does not place a heavy burden on the pyroelectric element, and the change in the pyroelectric sensor characteristics can be handled by replacing the resistance element.

【0009】[0009]

【実施例】以下に本案の実施例を図によって説明する。
図1において、本案の焦電センサに内蔵する焦電素子1
には、FET2を実装し、ステム3上に柱状の抵抗素子
4を取付け、該抵抗素子4と、ステム3上に突出させた
3本のリード端子5とによって焦電素子1の四隅を支持
し、シールドケース6によりハーメチックシールされた
ものである。シールドケース6の上面の赤外線受光窓に
は光学フィルタ7が設けられている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
In FIG. 1, a pyroelectric element 1 built in the pyroelectric sensor of the present invention is shown.
, A column-shaped resistance element 4 is mounted on a stem 3, and four corners of the pyroelectric element 1 are supported by the resistance element 4 and three lead terminals 5 protruding above the stem 3. , And hermetically sealed by the shield case 6. An optical filter 7 is provided on the infrared receiving window on the upper surface of the shield case 6.

【0010】焦電素子1は、赤外線を入力として電荷を
発生するセラミック板状体であり、実施例では角状チッ
プを用いている。
The pyroelectric element 1 is a ceramic plate that generates electric charges by inputting infrared rays. In the embodiment, a square chip is used.

【0011】図2(a),(b)において、焦電素子1
の表面には、受電電極8、裏面には接地電極9と、FE
Tのドレイン・ソース・ゲート接続用電極10a,10
b,10cとを形成する。
2A and 2B, the pyroelectric element 1
The power receiving electrode 8 on the front surface, the ground electrode 9 on the back surface,
T drain / source / gate connection electrodes 10a, 10
b, 10c.

【0012】図3(a)において、FETのドレイン・
ソース・ゲート接続用電極10a,10b,10cの要
所には●で示すA位置に導電性接着剤を塗布し、図3
(b)のように各電極間にまたがってFET2を接続す
る。なお、図中○で示すB位置は、リード端子の接続位
置である。
In FIG. 3 (a), the drain of the FET
A conductive adhesive is applied to the location of the source-gate connection electrodes 10a, 10b, and 10c at a position A indicated by ●, as shown in FIG.
The FET 2 is connected across the electrodes as shown in FIG. The position B indicated by a circle in the figure is the connection position of the lead terminal.

【0013】図4(a)において、ステム3上には、焦
電素子1の接地電極9及びFETのドレイン・ソース接
続用電極10a,10bのB位置にそれぞれ対応して3
本のリード端子5が設けられている。すなわち、3本の
リード端子5は、それぞれ接地電極9と、ドレイン接続
用電極10aと、ソース接続用電極10bとに個別に接
続され、焦電素子1は、3本のリード端子5上に支えら
れる。接地用電極9に接続されたリード端子がアース用
リード端子である。本案においては、さらにステム3上
の位置Aに導電性接着剤を塗布し、図4(b)のように
各リード端子5の立ち上がり高さと同長の柱状の抵抗素
子4を直立姿勢で接着し、その上端に塗布した導電性接
着剤をもってFETのゲート電極10cに接続する。
抗素子4は、FETのゲート抵抗であり、ステム3を通
じてアース用リード端子5に電気的に導通し、焦電素子
1は、3本のリード端子5、5、5と1個の抵抗素子4
との4点支持によって支持される。
In FIG. 4 (a), on the stem 3, 3 corresponding to the B position of the ground electrode 9 of the pyroelectric element 1 and the B-position of the drain-source connection electrodes 10a, 10b of the FET, respectively.
Two lead terminals 5 are provided. That is, three
The lead terminals 5 are connected to the ground electrode 9 and the drain connection, respectively.
Electrode 10a and the source connection electrode 10b are individually connected.
The pyroelectric element 1 is supported on three lead terminals 5.
It is. The lead terminal connected to the grounding electrode 9 is for grounding
It is a lead terminal. In merits further conductive adhesive is applied to the position A on the stem 3, bonding the resistive element 4 of the columnar rise height and the length of each lead terminal 5 in an upright position as shown in FIG. 4 (b) , Conductive contact
The adhesive is connected to the gate electrode 10c of the FET. The resistance element 4 is a gate resistance of the FET, and is electrically connected to the ground lead terminal 5 through the stem 3.
Reference numeral 1 denotes three lead terminals 5, 5, 5 and one resistor element 4.
And four-point support.

【0014】次に、各リード端子5及び抵抗素子4の頂
部Cに、導電性接着剤を塗布し、焦電素子1を接着後、
焼付けを行い、図5(a)のように焦電素子1をリード
端子5及び抵抗素子4に支えて固定する。その後、ケー
ス11を焦電素子1に被せてステム3上に重ね合せ、図
5(b)のように接合部を溶接してシールを行い、図1
に示す焦電センサを完成する。以上、実施例では素子の
接着に導電性接着剤を用いたが、半田を用いて接着する
ことも勿論できる。
Next, a conductive adhesive is applied to each lead terminal 5 and the top C of the resistance element 4 and the pyroelectric element 1 is bonded.
Baking is performed, and the pyroelectric element 1 is supported and fixed to the lead terminal 5 and the resistance element 4 as shown in FIG. After that, the case 11 is put on the pyroelectric element 1 and superposed on the stem 3, and the joint is welded and sealed as shown in FIG.
Is completed. As described above, the conductive adhesive is used for bonding the elements in the embodiment, but it is needless to say that the bonding can be performed using solder.

【0015】[0015]

【考案の効果】本案は以上のように焦電素子に用いるゲ
ート抵抗器に柱状の抵抗素子を用い、FETのドレイン
・ソース・ゲート接続用及び接地用の3本のリード端子
と、抵抗素子とによって焦電素子をステム上に支持させ
るため、4点支持によって焦電素子を安定に支持するこ
とができ、焦電素子に抵抗素子の重量負担をかけること
がない。また、焦電素子と抵抗素子との接触面積が小さ
いため、熱伝導の低下が少なく、赤外線に対する反応速
度の低下を防ぐことができる。
According to the present invention, as described above, a columnar resistor is used for the gate resistor used in the pyroelectric element, and three lead terminals for connecting the drain, source, and gate of the FET and for grounding, and the resistor are used. Because the pyroelectric element is supported on the stem by the above, the pyroelectric element can be stably supported by the four-point support, and the weight load of the resistance element is not applied to the pyroelectric element. Further, since the contact area between the pyroelectric element and the resistance element is small, a decrease in heat conduction is small, and a decrease in the reaction speed to infrared rays can be prevented.

【0016】さらに、ステム上から突出する各リード端
子の突出長さ及び抵抗素子の長さを短くして焦電素子に
搭載するFETをステム上に支えれば、焦電素子の支持
の安定性をより向上できる。
Further, if the length of each lead terminal projecting from the stem and the length of the resistance element are shortened and the FET mounted on the pyroelectric element is supported on the stem, the stability of the support of the pyroelectric element is improved. Can be further improved.

【0017】また、抵抗素子には、市販の柱状の抵抗素
子を使用でき、焦電センサ特性の変更には、抵抗素子の
交換によって対応できる効果を有する。
Further, a commercially available columnar resistance element can be used as the resistance element, and there is an effect that a change in pyroelectric sensor characteristics can be dealt with by replacing the resistance element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本案の一実施例を示す焦電センサの断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of a pyroelectric sensor showing one embodiment of the present invention.

【図2】(a)は焦電素子の表面図、(b)は裏面図で
ある。
FIG. 2A is a front view of a pyroelectric element, and FIG. 2B is a rear view.

【図3】(a)は焦電素子の裏面に対するFETの実装
位置を示す図、(b)はFETの実装並びにリード端子
の取付位置を示す図である。
FIG. 3A is a diagram showing a mounting position of an FET on a back surface of a pyroelectric element, and FIG. 3B is a diagram showing a mounting position of a FET and a mounting position of a lead terminal.

【図4】(a)は抵抗素子の取付要領、(b)は焦電素
子の取付要領を示す図である。
FIG. 4A is a view showing a procedure for mounting a resistance element, and FIG. 4B is a view showing a procedure for mounting a pyroelectric element.

【図5】(a)はシールの要領を示す図、(b)はシー
ルされた焦電センサを示す図である。
FIG. 5A is a diagram showing a sealing procedure, and FIG. 5B is a diagram showing a sealed pyroelectric sensor.

【図6】焦電センサの従来例である。FIG. 6 is a conventional example of a pyroelectric sensor.

【図7】焦電センサの他の従来例である。FIG. 7 is another conventional example of a pyroelectric sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 焦電素子 2 FET 3 ステム 4 抵抗素子 5 リード端子 6 シールドケース 7 光学フィルタ 8 受電電極 9 接地電極 10a,10b,10c FETのドレイン・ソース・
ゲート接続用電極 11 ケース
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pyroelectric element 2 FET 3 Stem 4 Resistance element 5 Lead terminal 6 Shield case 7 Optical filter 8 Power receiving electrode 9 Ground electrode 10a, 10b, 10c Drain source of FET
Gate connection electrode 11 case

フロントページの続き (72)考案者 山村 友宏 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番 地 北陸電気工業株式会社内 (72)考案者 気田 光朗 埼玉県狭山市新狭山1丁目11番4号 株 式会社大泉製作所内 (56)参考文献 特開 平3−4127(JP,A) 実開 平2−72944(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01J 1/02 G01J 1/42 G01J 5/02 G01J 5/12 G01V 9/04 H01L 37/00 - 37/02 G08B 13/19 - 13/191 Continuing on the front page (72) Inventor Tomohiro Yamamura 3158, Shimo-Okubo, Osawano-cho, Kamishinkawa-gun, Toyama Prefecture Inside Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. (56) References JP-A-3-4127 (JP, A) JP-A-2-72944 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01J 1 / 02 G01J 1/42 G01J 5/02 G01J 5/12 G01V 9/04 H01L 37/00-37/02 G08B 13/19-13/191

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 焦電素子と、FETと、抵抗素子とを有
し、ステムに取付けられた3本のリード端子とステムに
取付けられた抵抗素子との4点支持によって焦電素子を
支えてケース内に収容した焦電センサであって、 焦電素子は、赤外線を入力として電荷を発生するセラミ
ック板状体であり、表面に受光電極、裏面にそれぞれF
ETのドレイン・ソース・ゲート接続用電極と、設置電
極とが付され、 FETは、インピーダンス変換用であり、前記FETの
ドレイン・ソース・ゲート接続用電極に接続して焦電素
子の裏面に搭載され、 前記FETのドレイン・ソース・ゲート接続用電極は、
3本のリード端子の1本にそれぞれ接続され、 接地電極に接続されたリード端子は、アース用リード端
子であり、 抵抗素子は、ゲート抵抗であり、前記各リード端子の立
上がり高さと同長の柱状をなし、FETのゲート接続用
電極と、ステムを通してアース用リード端子とに電気的
に接続され、焦電素子に重量の負担をかけずにステム上
に直立姿勢で接着されたものであることを特徴とする焦
電センサ。
1. A pyroelectric element comprising a pyroelectric element, an FET, and a resistance element, wherein the pyroelectric element is supported by four points of three lead terminals attached to the stem and a resistance element attached to the stem. A pyroelectric sensor housed in a case, wherein the pyroelectric element is a ceramic plate-like body that generates an electric charge by inputting infrared rays, and has a light receiving electrode on the front surface and an F electrode on the back surface.
A drain / source / gate connection electrode of the ET and an installation electrode are attached. The FET is for impedance conversion, and is connected to the drain / source / gate connection electrode of the FET and mounted on the back surface of the pyroelectric element. The drain-source-gate connection electrode of the FET is
Are connected to one of the three lead terminals, the lead terminal connected to the ground electrode is a grounding lead terminals, the resistor element is the gate resistance, the falling of the lead terminals
It has a pillar shape with the same height as the rising height, and is electrically connected to the gate connecting electrode of the FET and the grounding lead terminal through the stem , so that the pyroelectric element is placed on the stem without burdening the weight.
A pyroelectric sensor, wherein the pyroelectric sensor is adhered to an erect posture .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10809130B2 (en) 2016-11-14 2020-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Infrared detection circuit and infrared sensor

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US10809130B2 (en) 2016-11-14 2020-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Infrared detection circuit and infrared sensor

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