JPH049561Y2

JPH049561Y2 -

Info

Publication number: JPH049561Y2
Application number: JP1985028890U
Authority: JP
Priority date: 1985-02-28
Filing date: 1985-02-28
Publication date: 1992-03-10
Also published as: JPS61144448U

Description

【考案の詳細な説明】＜産業上の利用分野＞本考案は、非接触型温度検知、人体検知等に利
用される熱型赤外線検出器に関する。

＜従来の技術＞熱型赤外線検出器は赤外線を熱源として利用
し、その発熱作用による赤外線検出素子の温度変
化を検出する方式であり、赤外線検出素子として
は、焦電素子、サーモパイル、サーミスタ等が利
用される。このうち、赤外線検出素子として焦電
素子を用いた焦電型赤外線検出器は、焦電素子が
高抵抗であるため、その出力側にインピーダンス
変換回路が必要であり、従来は第４図に示すよう
に、焦電素子でなる赤外線検出素子１の出力側
に、ゲート抵抗Rgを持つ電界効果トランジスタ
FETを接続してあつた。これらの赤外線検出素
子１、ゲート抵抗Rg及び電界効果トランジスタ
FETは、同一のケース内に収納される。ケース
は一般的に、内径8mmφ程度の小径のものが用い
られるため、赤外線検出素子１、電界効果トラン
ジスタFET及びゲート抵抗等は、できるだけコ
ンパクトに実装する必要がある。その実装構造の
従来例としては、例えば特開昭57−186130号公報
に開示されたものがある。第５図は特開昭57−
186130号公報に開示された実装構造を示す図で、
ケース２の内部において、絶縁性支持基板３の同
一面側に、赤外線検出素子１、電界効果トランジ
スタFET及びゲート抵抗Rgを配置し、これらの
部品を、支持基板３を貫通させたリード端子４
１，４２に対して、リード線５により導通接続さ
せた構造となつている。６は赤外線入射窓、７は
ケース２の底蓋である。

＜考案が解決しようとする課題＞しかしながら、第５図に示すように、赤外線検
出素子１、電界効果トランジスタFET及びゲー
ト抵抗Rg等の各部品を、支持基板３の同一面上
に実装する従来構造では、一面側に広い部品実装
面積が必要になるため、小型化を図ることが困難
であると共に、導電パターンの形状も複雑化す
る。また、電界効果トランジスタFETやゲート
抵抗Rg等の実装領域による制限から、赤外線検
出素子１をケース２の中央部に配置することがで
きず、最適視野角度の選定が困難になる等の問題
点があつた。

＜課題を解決するための手段＞上述した課題解決のため、本考案は、支持基板
と、厚膜抵抗体と、赤外線検出素子と、電界効果
トランジスタとを有する赤外線検出器であつて、前記支持基板は、表面の相対する両端側に少な
くとも一対の平面状の導電パターンを有し、前記
導電パターンが前記支持基板の側端面に形成され
た導電部によつて前記支持基板の裏面側に導か
れ、裏面側に形成された別の導電パターンに接続
されており、前記厚膜抵抗体は、前記支持基板の表面側に設
けられた前記導電パターン間に被着して設けられ
ており、前記赤外線検出素子は、前記支持基板の表面側
において前記厚膜抵抗体上に配置され出力端が前
記導電パターンに接続されており、前記電界効果トランジスタは、前記支持基板の
裏面側に配置され、前記別の導電パターンを含む
導電パターンに接続され、前記厚膜抵抗体をゲー
ト抵抗とし前記赤外線検出素子の出力信号を増幅
する回路を構成している。

＜作用＞支持基板は表面の相対する両端側に少なくとも
一対の平面状の導電パターンを有し、厚膜抵抗体
は導電パターン間に被着して設けてある。かかる
構成であると、支持基板の表面のほぼ全面積を、
厚膜抵抗体を形成するための領域として利用でき
るようになる。このため、支持基板を小型化しつ
つ、１０₁₁Ω程度の高抵抗となるゲート抵抗を、
直線状や蛇行状等の任意の形状の厚膜抵抗体とし
て形成することが可能となる。この点について、
更に説明を加えると、支持基板上にゲート抵抗を
厚膜抵抗体として形成する場合、ゲート抵抗は、
通常、１０₁₁Ω程度の高抵抗となるため、この抵
抗値を確保できるだけの面積を支持基板上で確保
しなければならない。一方、支持基板は小型化の
要求に応えるため、全体形状をできるだけ小型化
しなければならない。本願考案によれば、上述し
たように、支持基板の表面のほば全面積を、厚膜
抵抗体を形成するための領域として利用できるよ
うになるから、支持基板を小型化しつつ、１０₁₁
Ω程度の高抵抗となるゲート抵抗を厚膜抵抗体と
して形成することが可能となる。

ゲート抵抗となる厚膜抵抗体を支持基板の上に
平面的に形成し、その上に赤外線検出素子を配置
したから、赤外線検出素子を配置すべき領域の選
択の自由度が高くなり、赤外線検出素子の視野角
度を最適値に選定することも容易になる。

支持基板の表面側にゲート抵抗となる厚膜抵抗
体と赤外線検出素子とを配置したから、赤外線検
出素子とこれに並列に接続されるゲート抵抗とを
同一面側で接続できる。このため、ゲート抵抗と
赤外線検出素子との接続が容易になると共に、接
続の信頼性が向上する。

支持基板は、表面に設けられた導体パターンが
支持基板の側端面に形成された導電部によつて支
持基板の裏面側に導かれ、裏面側に形成された別
の導電パターンに接続されており、電界効果トラ
ンジスタは、支持基板の裏面側に配置され、別の
導電パターンを含む導電パターンに接続されてい
るから、表面側に配置された厚膜抵抗体及び赤外
線検出素子と、裏面側に配置された電界効果トラ
ンジスタとを、半田付けやワイヤーボンデイング
等を用いることなく、支持基板面に形成された導
電膜によつて確実に接続でき、電気的接続の信頼
性が向上する。

＜実施例＞第１図は本考案に係る赤外線検出器の分解斜視
図、第２図は同じくその部分断面図である。図に
おいて、第３図及び第４図と同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。この実施例で
は、赤外線検出素子１として平板矩形状の焦電素
子を使用し、その厚み方向の両面の略中央部に、
円形状の電極１ａ及び１ｂを形成してある。電極
１ａ，１ｂのそれぞれは、取出電極１a₁、１b₁に
より対角関係にある角部イ及びロに導いてある。

一方、赤外線検出素子１を支持する支持基板３
は、アルミナ磁器等を用いて平板状に形成され、
その表面上の相対向する両端側に、赤外線検出素
子１の角部イ及びロの方向に一致させて、一対の
平面状の導電パターン８及び９を形成し、導電パ
ターン８−９間にゲート抵抗Rgとなる厚膜抵抗
体１０を形成すると共に、この厚膜抵抗体１０の
上に赤外線検出素子１を配置し、各部イ及びロに
引出された取出電極１a₁及び１b₁を、導電性接着
材１７，１８により、導電パターン８，９上に接
続固定してある。

導電パターン８及び９は、支持基板３の側端面
に形成された導電部１１，１２によつて、支持基
板３の裏面側に導き、裏面側に形成された別の導
電パターン１３及び１４に接続させてある。支持
基板３の裏面側には導電パターン１５及び１６も
形成されている。

そして、支持基板３の裏面側に電界効果トラン
ジスタFETを配置し、そのゲート端子Ｇを導電
パターン１４に接続すると共に、ソース端子Ｓを
導電パターン１５に接続し、導電パターン１６に
ドレイン端子Ｄを接続してある。導電パターン１
３，１５及び１６のそれぞれには、ビン状のリー
ド端子４１〜４３の先端部を半田付け等の手段に
よつて接続固定してあり、これにより、第４図に
示した回路構成の赤外線検出器が得られる。

上述のように、支持基板３は表面の相対する両
端側に少なくとも一対の平面状の導電パターン
８，９を有し、厚膜抵抗体１０は導電パターン８
−９間に被着して設けられているから、支持基板
３の表面のほぼ全面積を、厚膜抵抗体１０を形成
するための領域として利用できる。このため、支
持基板３を小型化しつつ、１０₁₁Ω程度の高抵抗
となるゲート抵抗Rgを厚膜抵抗体１０として形
成することが可能となる。

ゲート抵抗Rgとなる厚膜抵抗体１０を支持基
板３の上に平面的に形成し、その上に赤外線検出
素子１を配置したから、赤外線検出素子１を配置
すべき領域の選択の自由度が高くなり、赤外線検
出素子１の視野角度を最適値に選定することも容
易になる。

支持基板３の表面側にゲート抵抗Rgとなる厚
膜抵抗体１０と赤外線検出素子１とを配置したか
ら、赤外線検出素子１とこれに並列に接続される
ゲート抵抗Rgとを同一面側で接続できる。この
ため、ゲート抵抗Rgと赤外線検出素子１との接
続が容易になると共に、接続の信頼性が向上す
る。

支持基板３は、表面側に設けられた導体パター
ン８，９が支持基板３の側端面に形成された導電
部１１，１２によつて支持基板３の裏面側に導か
れ、裏面側に形成された導電パターン１３，１４
に接続されており、電界効果トランジスタFET
は、支持基板３の裏面側に配置され、導電パター
ン１４〜１６に接続されているから、表面側に配
置された厚膜抵抗体１０及び赤外線検出素子１
と、裏面側に配置された電界効果トランジスタ
FETとを、半田付けやワイヤーボンデイング等
を用いることなく、支持基板３の面に形成された
導電膜によつて確実に接続でき、電気的接続の信
頼性が向上する。

＜考案の効果＞以上述べたように、本考案によれば、次のよう
な効果が得られる。

(a) 支持基板は表面の相対する両端側に少なくと
も一対の平面状の導電パターンを有し、厚膜抵
抗体は導電パターン間に被着して設けられてい
るから、支持基板を小型化しつつ、１０₁₁Ω程
度の高抵抗となるゲート抵抗を任意の形状の厚
膜抵抗体として形成した小型薄型の赤外線検出
器を提供できる。

(b) ゲート抵抗となる厚膜抵抗体を支持基板の上
に平面的に形成し、その上に赤外線検出素子を
配置したから、赤外線検出素子の視野角度を最
適値に選定し得る赤外線検出器を提供できる。

(c) 支持基板の表面側にゲート抵抗となる厚膜抵
抗体と赤外線検出素子とを配置したから、ゲー
ト抵抗と赤外線検出素子との接続が容易で、接
続の信頼性の高い赤外線検出器を提供できる。

(d) 支持基板は、表面側に設けられた導体パター
ンが支持基板の側端面に形成された導電部によ
つて支持基板の裏面側に導かれ、裏面側に形成
された別の導電パターンに接続されており、電
界効果トランジスタは、支持基板の裏面側に配
置され、別の導電パターンを含む導電パターン
に接続されているから、表面側に配置された厚
膜抵抗体及び赤外線検出素子と、裏面側に配置
された電界効果トランジスタとを、半田付けや
ワイヤーボンデイング等を用いることなく、支
持基板面に形成された導電膜によつて確実に接
続でき、電気的接続の信頼性の高い赤外線検出
器を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る赤外線検出器の分解斜視
図、第２図は同じく正面部分断面図、第３図はケ
ースを取除いた状態での第２図A₁−A₁線上にお
ける断面図、第４図は赤外線検出器の電気回路
図、第５図は従来の赤外線検出器の部分欠損斜視
図である。１……赤外線検出素子、３……支持基板、８，
９……導電パターン、１０……ゲート抵抗となる
厚膜抵抗体、FET……電界効果トランジスタ、
Rg……ゲート抵抗。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】支持基板と、厚膜抵抗体と、赤外線検出素子
と、電界効果トランジスタとを有する赤外線検出
器であつて、前記支持基板は、表面の相対する両端側に少な
くとも一対の平面状の導電パターンを有し、前記
導電パターンが前記支持基板の側端面に形成され
た導電部によつて前記支持基板の裏面側に導か
れ、裏面側に形成された別の導電パターンに接続
されており、前記厚膜抵抗体は、前記支持基板の表面側に設
けられた前記導電パターン間に被着して設けられ
ており、前記赤外線検出素子は、前記支持基板の表面側
において前記厚膜抵抗体上に配置され出力端が前
記導電パターンに接続されており、前記電界効果トランジスタは、前記支持基板の
裏面側に配置され、前記別の導電パターンを含む
導電パターンに接続され、前記厚膜抵抗体をゲー
ト抵抗とし前記赤外線検出素子の出力信号を増幅
する回路を構成している赤外線検出器。