JPH0620986Y2 - 光検知器 - Google Patents
光検知器Info
- Publication number
- JPH0620986Y2 JPH0620986Y2 JP15280188U JP15280188U JPH0620986Y2 JP H0620986 Y2 JPH0620986 Y2 JP H0620986Y2 JP 15280188 U JP15280188 U JP 15280188U JP 15280188 U JP15280188 U JP 15280188U JP H0620986 Y2 JPH0620986 Y2 JP H0620986Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- electrodes
- film resistor
- side electrode
- alumina substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この考案は光検知器、更に詳しくは、人体や炎等の発生
する赤外線を検知する焦電型赤外線センサの構成部品の
一つである厚膜抵抗の構造に関するものである。
する赤外線を検知する焦電型赤外線センサの構成部品の
一つである厚膜抵抗の構造に関するものである。
〈従来の技術〉 第４図と第５図は焦電型赤外線センサの構造を示してお
り、アルミナ基板１に焦電体チップ２と電界効果トラン
ジスター３（以下ＦＥＴと略称する）及び抵抗４をマウ
ントし、外部端子５を保有するステム６上に前記アルミ
ナ基板１を搭載し、外部端子５とアルミナ基板１にマウ
ントした各部品とを電気的に接続すること共に、光学フ
ィルタ７を保有するキャンケース８を前記シテム６に嵌
着し、ステム６とキャンケース８の嵌合部分を溶接し、
アルミナ基板１を収納したキャンケース８の内部を密封
して構成され、その等価回路は第６図の如くである。
り、アルミナ基板１に焦電体チップ２と電界効果トラン
ジスター３（以下ＦＥＴと略称する）及び抵抗４をマウ
ントし、外部端子５を保有するステム６上に前記アルミ
ナ基板１を搭載し、外部端子５とアルミナ基板１にマウ
ントした各部品とを電気的に接続すること共に、光学フ
ィルタ７を保有するキャンケース８を前記シテム６に嵌
着し、ステム６とキャンケース８の嵌合部分を溶接し、
アルミナ基板１を収納したキャンケース８の内部を密封
して構成され、その等価回路は第６図の如くである。
ところで、入力インピーダンスRgとなる抵抗４は、チッ
プ抵抗あるいは厚膜抵抗が考えられるが、焦電体チップ
２のインピーダンスが高い場合、発生した電荷を有効に
取出すためには、その値に応じた抵抗値ができあがり、
よく知られる焦電体チップの場合、Rgは1010〜1012Ωが
必要となり、この値のチップ抵抗は得難く、このため従
来は第７図に示すように、厚膜抵抗が用いられていた。
プ抵抗あるいは厚膜抵抗が考えられるが、焦電体チップ
２のインピーダンスが高い場合、発生した電荷を有効に
取出すためには、その値に応じた抵抗値ができあがり、
よく知られる焦電体チップの場合、Rgは1010〜1012Ωが
必要となり、この値のチップ抵抗は得難く、このため従
来は第７図に示すように、厚膜抵抗が用いられていた。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかし乍ら、厚膜抵抗は高抵抗値のため、印刷による形
成時に抵抗値のバラツキが生じやすく、良品の得られる
歩留まりが低いという問題がある。
成時に抵抗値のバラツキが生じやすく、良品の得られる
歩留まりが低いという問題がある。
この考案の課題は、上記のような問題点を解決するため
になされたものであり、厚膜抵抗の抵抗値をトリミング
することができ、良品の歩留まりを大幅に向上させるこ
とができる光検知器を提供することにある。
になされたものであり、厚膜抵抗の抵抗値をトリミング
することができ、良品の歩留まりを大幅に向上させるこ
とができる光検知器を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記のような課題を解決するためこの考案は、アルミナ
基板に、アース側電極とＦＥＴ側電極を平行状に設け、
両電極間に複数の厚膜抵抗を電極に対するトリミング可
能に設けた構成としたものである。
基板に、アース側電極とＦＥＴ側電極を平行状に設け、
両電極間に複数の厚膜抵抗を電極に対するトリミング可
能に設けた構成としたものである。
〈作用〉 両電極間の厚膜抵抗を印刷した後、両電極を接続する一
つの厚膜抵抗の抵抗値をチェックし、良品域に入るもの
はそのままとし、不良品となったものは次の厚膜抵抗を
電極と接続して抵抗値を調整し、厚膜抵抗の接続を順次
増やすことにより、抵抗値を良品域へと追い込んで行
く。
つの厚膜抵抗の抵抗値をチェックし、良品域に入るもの
はそのままとし、不良品となったものは次の厚膜抵抗を
電極と接続して抵抗値を調整し、厚膜抵抗の接続を順次
増やすことにより、抵抗値を良品域へと追い込んで行
く。
〈実施例〉 以下、この考案の実施例を添付図面の第１図ないし第３
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
光検知器の基本構造は第４図と第５図で示した通りであ
り、この考案は同上において、アルミナ基板１上に設け
る厚膜抵抗の構造に特徴を有する。
り、この考案は同上において、アルミナ基板１上に設け
る厚膜抵抗の構造に特徴を有する。
第１図のように、アルミナ基板１上に、アース側電極11
とＦＥＴ側電極12を平行状に設け、両電極11と12間の位
置に複数の厚膜抵抗Rg1，Rg2，Rg3，Rg4が印刷されてい
る。
とＦＥＴ側電極12を平行状に設け、両電極11と12間の位
置に複数の厚膜抵抗Rg1，Rg2，Rg3，Rg4が印刷されてい
る。
第１の厚膜抵抗Rg1は、両電極11と12にわたって接続さ
れた状態で印刷し、基本抵抗値となる。
れた状態で印刷し、基本抵抗値となる。
第２以後の厚膜抵抗Rg2，Rg3，Rg4は、アース側電極11
に近接して設けた中間電極13、14、15とＦＥＴ側電極12
を接続した状態で設けられ、アース側電極11と分離状に
なっている。
に近接して設けた中間電極13、14、15とＦＥＴ側電極12
を接続した状態で設けられ、アース側電極11と分離状に
なっている。
上記アース側電極11は、アース用外部端子と接続され、
ＦＥＴ側電極12には、ＦＥＴ３が接続される。
ＦＥＴ側電極12には、ＦＥＴ３が接続される。
厚膜抵抗は、上記のようなパターン構造をもち、厚膜抵
抗印刷後の抵抗値をチェックの結果、第１の厚膜抵抗Rg
1だけで良品域に入るものはそのまま次工程に送り出
す。
抗印刷後の抵抗値をチェックの結果、第１の厚膜抵抗Rg
1だけで良品域に入るものはそのまま次工程に送り出
す。
抵抗値チェックの結果、不良品域となったものは、先ず
第２の厚膜抵抗Rg2の接続電極13とアース側電極13を第
３図の如く半田あるいは導電ペースト16にて電気的に導
通させ、抵抗値を調整する。
第２の厚膜抵抗Rg2の接続電極13とアース側電極13を第
３図の如く半田あるいは導電ペースト16にて電気的に導
通させ、抵抗値を調整する。
その時、抵抗値は となる。
更に抵抗値が不良品域の場合は上記と同様の手段によ
り、アース側電極11に対して第３厚膜抵抗Rg3、第４厚
膜抵抗Rg4と順に導通させ、抵抗値を良品域へと追い込
んで行く。
り、アース側電極11に対して第３厚膜抵抗Rg3、第４厚
膜抵抗Rg4と順に導通させ、抵抗値を良品域へと追い込
んで行く。
尚、アース側電極11に対して第２厚膜抵抗Rg2、第３厚
膜抵抗Rg3…と導通させて行くと、合成抵抗Ｒは小さく
なるので、第１厚膜抵抗Rg1は抵抗値が予め高くなるよ
うにパターン形成しておくのは言うまでもない。
膜抵抗Rg3…と導通させて行くと、合成抵抗Ｒは小さく
なるので、第１厚膜抵抗Rg1は抵抗値が予め高くなるよ
うにパターン形成しておくのは言うまでもない。
また、調整用厚膜抵抗Rg2，Rg3，Rg4…の数は自由に増
減できると共に、パターン形状（面積等）は、必ずしも
同じである必要はない。
減できると共に、パターン形状（面積等）は、必ずしも
同じである必要はない。
〈考案の効果〉 以上のように、この考案によると、アルミナ基板上に、
アース側電極とＦＥＴ側電極を並べて設け、両電極間に
複数の厚膜抵抗をトリミング可能に設けたので、両電極
に対する各厚膜抵抗の接続を選択することにより、抵抗
値を自由に調整することができ、必要とする抵抗値が確
実に得られるので、厚膜抵抗の歩留まりが大幅に向上す
る。
アース側電極とＦＥＴ側電極を並べて設け、両電極間に
複数の厚膜抵抗をトリミング可能に設けたので、両電極
に対する各厚膜抵抗の接続を選択することにより、抵抗
値を自由に調整することができ、必要とする抵抗値が確
実に得られるので、厚膜抵抗の歩留まりが大幅に向上す
る。
第１図はこの考案に係る光検知器に用いる厚膜抵抗を備
えたアルミナ基板の斜視図、第２図は同上における厚膜
抵抗のパターンを示す平面図、第３図は同上の要部を拡
大した平面図、第４図は光検知器の分解斜視図、第５図
は同上の組立状態を示す拡大断面図、第６図は同上の等
価回路図、第７図は従来の厚膜抵抗を示すアルミナ基板
の斜視図である。 １……アルミナ基板、２……焦電体チップ ３……ＦＥＴ、５……外部端子 ６……ステム、７……光学フィルタ 11……アース側電極、12……ＦＥＴ側電極 13〜15……接続電極、Rg1〜Rg4……厚膜抵抗
えたアルミナ基板の斜視図、第２図は同上における厚膜
抵抗のパターンを示す平面図、第３図は同上の要部を拡
大した平面図、第４図は光検知器の分解斜視図、第５図
は同上の組立状態を示す拡大断面図、第６図は同上の等
価回路図、第７図は従来の厚膜抵抗を示すアルミナ基板
の斜視図である。 １……アルミナ基板、２……焦電体チップ ３……ＦＥＴ、５……外部端子 ６……ステム、７……光学フィルタ 11……アース側電極、12……ＦＥＴ側電極 13〜15……接続電極、Rg1〜Rg4……厚膜抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】光学フィルタを取付けたキャンケース内に
焦電体チップと電界効果トランジスタ及び抵抗をマウン
トしたアルミナ基板を収納した光検知器において、前記
アルミナ基板に、アース側電極と電界効果トランジスタ
側電極を平行状に設け、両電極間に複数の厚膜抵抗を電
極に対するトリミング可能に設けたことを特徴とする光
検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15280188U JPH0620986Y2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 光検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15280188U JPH0620986Y2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 光検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272943U JPH0272943U (ja) | 1990-06-04 |
| JPH0620986Y2 true JPH0620986Y2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=31428058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15280188U Expired - Lifetime JPH0620986Y2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 光検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620986Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2542403Y2 (ja) * | 1991-03-02 | 1997-07-30 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線検出器 |
| EP0558766B1 (en) * | 1991-09-24 | 1997-05-02 | Nohmi Bosai Ltd. | Pyroelectric element |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP15280188U patent/JPH0620986Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0272943U (ja) | 1990-06-04 |
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