JP4178995B2 - 光受信モジュール - Google Patents

光受信モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP4178995B2
JP4178995B2 JP2003049994A JP2003049994A JP4178995B2 JP 4178995 B2 JP4178995 B2 JP 4178995B2 JP 2003049994 A JP2003049994 A JP 2003049994A JP 2003049994 A JP2003049994 A JP 2003049994A JP 4178995 B2 JP4178995 B2 JP 4178995B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die cap
cap capacitor
receiving element
light receiving
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003049994A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004260007A (ja
Inventor
伊藤  誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2003049994A priority Critical patent/JP4178995B2/ja
Priority to US10/783,097 priority patent/US6949731B2/en
Publication of JP2004260007A publication Critical patent/JP2004260007A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4178995B2 publication Critical patent/JP4178995B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/087Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信を行うための光受信モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の光受信モジュールとしては、例えば特許文献1に記載されているものが知られている。この文献に記載の光受信モジュールは、光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子と接続された等価容量コンデンサと、受光素子の出力信号を増幅するプリアンプとを有し、これらの部品はTOパッケージに搭載されている。
【0003】
【特許文献1】
特開平8−139342号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光受信モジュールにおいては、受光素子に生じる漏れ電流の低減やチップキャリアとしての役割等の観点から、ダイキャップコンデンサの上面に受光素子を載置し、受光素子とダイキャップコンデンサの上面とをワイヤボンディングすることがある。このような構成では、例えばダイボンド材により受光素子をダイキャップコンデンサの上面に固着する。しかし、この場合には、ダイボンド材をダイキャップコンデンサの上面に塗布して受光素子をダイボンドする際に、ダイボンド材がダイキャップコンデンサ上を流れて、ワイヤボンディングするエリアまで拡がってしまい、その結果ワイヤボンディングできなくなる可能性があった。
【0005】
本発明の目的は、受光素子とダイキャップコンデンサの上面とのワイヤボンディングを確実に行うことができる光受信モジュールを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる光受信モジュールは、ステムと、ステム上に設けられたダイキャップコンデンサと、ステムの中央部に位置するようにダイキャップコンデンサの上面に接着剤で固着され、光信号を受光して電気信号に変換する受光素子とを備え、ダイキャップコンデンサの上面電極には、上面に開口し、接着剤の拡がりを防ぐための接着剤流れ止め用の切り欠き部が設けられ、切り欠き部は、ダイキャップコンデンサの一側面から他側面の手前位置まで延在するように形成され、受光素子は、ボンディングワイヤを介してダイキャップコンデンサの上面と電気的に接続され、ボンディングワイヤは、切り欠き部を跨ぐように受光素子とダイキャップコンデンサの上面とに接続されていることを特徴とするものである。
【0007】
ダイキャップコンデンサの上面電極接着剤流れ止め用の切り欠き部を設けることにより、ダイキャップコンデンサの上面に接着剤を塗布して、受光素子をダイキャップコンデンサに固着させる際に、接着剤がダイキャップコンデンサ上を流れても、その接着剤の一部が切り欠き部に入り込むようになる。つまり、切り欠き部によって接着剤の流れが抑止されるので、ダイキャップコンデンサの上面におけるワイヤボンディングすべきエリアまで接着剤が拡がることが防止される。これにより、受光素子とダイキャップコンデンサの上面とのワイヤボンディングを確実に行うことができる。
【0008】
また、切り欠き部は、ダイキャップコンデンサの一側面から他側面の手前位置まで延在するように形成されているので、ダイキャップコンデンサの容量を大きく損なうことなく、ワイヤボンディングすべきエリアに向かう接着剤の流れを十分に止めることができる。
【0010】
例えば、受光素子は抵抗を有し、当該抵抗とダイキャップコンデンサとがCRフィルタ回路を形成している。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る光受信モジュールの好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【0013】
図1は、本発明に係る光受信モジュールの一実施形態を示す平面図であり、図2は、図1に示す光受信モジュールの垂直方向断面図である。各図において、本実施形態の光受信モジュール1は、コバール等で形成された略円形のステム2を有し、このステム2には、複数本(ここでは5本)のリードピン3〜7が設けられている。リードピン3は、ステム2を接地電位にするためのピンであり、ステム2の中央部においてステム2の裏面に固着されている。リードピン4,5は、電源電圧供給用のピンであり、リードピン6,7は、電気信号出力用のピンである。これらのリードピン4〜7は、ステム2を貫通していると共に、絶縁ガラス8を介してステム2に固定されている。なお、図示はしないが、ステム2には、球面レンズを中央部に有する蓋部が取り付けられている。
【0014】
ステム2上には、ダイキャップコンデンサ(平行平板コンデンサ)9が設けられている。ダイキャップコンデンサ9は、上面電極10と、下面電極11と、これらの上面電極10と下面電極11との間に配置された誘電体12とを有している。下面電極11は、ステム2と電気的に接続され、接地されている。上面電極10は、例えばTaN/Ti/Pd/Auで形成され、下面電極11は、例えばTi/Pd/Auで形成されている。誘電体12は、例えばアルミナ、石英ガラス、二酸化チタン等からなっている。
【0015】
ダイキャップコンデンサ9の長辺方向長さは1.15mm程度であり、ダイキャップコンデンサ9の短辺方向長さは0.65mm程度である。また、ダイキャップコンデンサ9の高さ(厚さ)寸法は、130〜180μmである。
【0016】
ダイキャップコンデンサ9の上面電極10には、上面に開口した接着剤流れ止め用の切り欠き部13が設けられている。この切り欠き部13は、ダイキャップコンデンサ9(上面電極10)の一側面から他側面の手前位置まで延在するように形成されている。このとき、上面電極10は分断されないので、上面電極10を効率良く利用することができ、必要とするコンデンサ容量を十分に得ることが可能となる。
【0017】
このようなダイキャップコンデンサ9の上面には、受光素子14がダイボンド材(接着剤)で固着されている。受光素子14は、光受信モジュール1の上方に配置された光ファイバ(図示せず)から出射された光信号を受光して電気信号に変換する半導体素子であり、フォトダイオード及び抵抗を有している。受光素子14をダイキャップコンデンサ9の上面電極10上に載置することにより、受光素子14に発生するリーク電流(漏れ電流)の低減を図ることができる。また、受光素子14は、ステム2の中央部に位置するようにダイキャップコンデンサ9の上面に配置されている。これにより、光ファイバから出射された光が球面レンズ(前述)を介して効率良く受光素子14に入射されることになる。
【0018】
受光素子14は、ボンディングワイヤ15を介してリードピン4と電気的に接続されている。これにより、受光素子14には、リードピン4からの電源電圧が印加されるようになる。
【0019】
また、受光素子14は、ボンディングワイヤ16を介してダイキャップコンデンサ9の上面電極10と電気的に接続されている。これにより、ダイキャップコンデンサ9と受光素子14の抵抗(図示せず)とがCRフィルタ(LPF)回路を構成することになり、受光素子14の安定した動作が実現可能となる。なお、ボンディングワイヤ16は、切り欠き部13を跨ぐように上面電極10と受光素子14とに直結されている。
【0020】
ステム2上におけるダイキャップコンデンサ9の両側には、ダイキャップコンデンサ17,18がそれぞれ配置されている。ダイキャップコンデンサ17は、上面電極19と、下面電極20と、これらの上面電極19と下面電極20との間に配置された誘電体21とを有している。ダイキャップコンデンサ18は、上面電極22と、下面電極23と、これらの上面電極22と下面電極23との間に配置された誘電体24とを有している。下面電極20,23は、ステム2と電気的に接続され、接地されている。
【0021】
ステム2上におけるダイキャップコンデンサ9に隣接した位置には、受光素子14の出力信号を増幅するプリアンプ25が設けられている。プリアンプ25は、ボンディングワイヤ26,27とダイキャップコンデンサ17の上面電極19とを介して、リードピン5と電気的に接続されている。これにより、プリアンプ25には、リードピン5からの電源電圧が印加されるようになる。なお、ダイキャップコンデンサ17は、プリアンプ25に印加される電源のカップリングコンデンサとして機能する。また、プリアンプ25は、ボンディングワイヤ28を介してステム2と電気的に接続され、接地されている。
【0022】
さらに、プリアンプ25は、ボンディングワイヤ29を介して受光素子14と電気的に接続されている。これにより、受光素子14の出力信号がプリアンプ25に入力される。また、プリアンプ25は、ボンディングワイヤ30,31を介してリードピン6,7とそれぞれ電気的に接続されている。なお、リードピン7は、リードピン6から出力される信号とは位相が180度異なる相補信号を出力するものである。
【0023】
また、プリアンプ25は、ボンディングワイヤ32を介してダイキャップコンデンサ18の上面電極22と電気的に接続されている。ダイキャップコンデンサ18は、プリアンプ25に内蔵されているCRフィルタ(LPF)回路の容量不足を補うために外付けしたものである。
【0024】
なお、上記のボンディングワイヤ15,16,26〜32としては、線状のものやリボン状のものが使用される。
【0025】
次に、以上のように構成した光受信モジュール1を製造する方法の一例について説明する。
【0026】
まず、リードピン3〜7が設けられたステム2と、上面電極10に切り欠き部13を有するダイキャップコンデンサ9と、受光素子14と、ダイキャップコンデンサ17,18と、プリアンプ25とを用意する。なお、切り欠き部13を形成するための上面電極10の加工処理は、前もって行っておいても良いし、光受信モジュール1を製造する時に行ってもよい。そして、ステム2上に、ダイキャップコンデンサ9,17,18とプリアンプ25とを固定する。
【0027】
続いて、ダイキャップコンデンサ9の上面電極10の中央部にダイボンド材Dを塗布する(図3(a)参照)。そして、上面電極10の中央部に受光素子14を載せ、ダイボンド材Dにより受光素子14を上面電極10の上面に固着する(図3(b)参照)。
【0028】
ところで、ダイキャップコンデンサ9の上面にダイボンド材Dを塗布し、受光素子14を載せた直後は、ダイボンド材Dがダイキャップコンデンサ9上を流れて、ダイキャップコンデンサ9の縁部に向けて拡がる。しかし、上面電極10において受光素子14との電気的接続を行うワイヤボンディング領域S側には、接着剤流れ止め用の切り欠き部13が形成されているので、図3(b)に示すように、ワイヤボンディング領域Sに向かって流れるダイボンド材Dは切り欠き部13内に入り込むようになる。このため、ダイキャップコンデンサ9の上面に塗布されたダイボンド材Dがワイヤボンディング領域Sに達することはほとんど無い。
【0029】
続いて、ダイキャップコンデンサ9の上面電極10と受光素子14とをボンディングワイヤ16で直結する(図3(c)参照)。このとき、上面電極10のワイヤボンディング領域Sにはダイボンド材Dがほとんど付着していないので、ボンディングワイヤ16を上面電極10に確実につなぐことができる。
【0030】
また、受光素子14とプリアンプ25及びリードピン4とをワイヤボンディングすると共に、プリアンプ25とリードピン5〜7、ステム2及びダイキャップコンデンサ18とをワイヤボンディングする。
【0031】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ダイキャップコンデンサ9の上面電極10に接着剤流れ止め用の切り欠き部13を設ける構成としたが、上面電極10に接着剤流れ止め用の凹部を設けてもよい。
【0032】
【発明の効果】
本発明によれば、ダイキャップコンデンサの上面電極に、上面に開口し、接着剤の拡がりを防ぐための接着剤流れ止め用の切り欠き部を設けたので、受光素子をダイキャップコンデンサの上面に接着剤で固着した後、受光素子とダイキャップコンデンサの上面とのワイヤボンディングを確実に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光受信モジュールの一実施形態を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】図1に示す光受信モジュールの製造方法の一部を示す図である。
【符号の説明】
1…光受信モジュール、2…ステム、9…ダイキャップコンデンサ、10…上面電極、11…下面電極、13…接着剤流れ止め用の切り欠き部(接着剤流れ止め部)、14…受光素子、16…ボンディングワイヤ、D…ダイボンド材(接着剤)。

Claims (2)

  1. ステムと、
    前記ステム上に設けられたダイキャップコンデンサと、
    前記ステムの中央部に位置するように前記ダイキャップコンデンサの上面に接着剤で固着され、光信号を受光して電気信号に変換する受光素子とを備え、
    前記ダイキャップコンデンサの上面電極には、上面に開口し、前記接着剤の拡がりを防ぐための接着剤流れ止め用の切り欠き部が設けられ、
    前記切り欠き部は、前記ダイキャップコンデンサの一側面から他側面の手前位置まで延在するように形成され、
    前記受光素子は、ボンディングワイヤを介して前記ダイキャップコンデンサの上面と電気的に接続され
    前記ボンディングワイヤは、前記切り欠き部を跨ぐように前記受光素子と前記ダイキャップコンデンサの上面とに接続されていることを特徴とする光受信モジュール。
  2. 前記受光素子は抵抗を有し、当該抵抗と前記ダイキャップコンデンサとがCRフィルタ回路を形成していることを特徴とする請求項1記載の光受信モジュール。
JP2003049994A 2003-02-26 2003-02-26 光受信モジュール Expired - Fee Related JP4178995B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049994A JP4178995B2 (ja) 2003-02-26 2003-02-26 光受信モジュール
US10/783,097 US6949731B2 (en) 2003-02-26 2004-02-23 Light-receiving module having a light-receiving device on a die-capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049994A JP4178995B2 (ja) 2003-02-26 2003-02-26 光受信モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004260007A JP2004260007A (ja) 2004-09-16
JP4178995B2 true JP4178995B2 (ja) 2008-11-12

Family

ID=33115553

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003049994A Expired - Fee Related JP4178995B2 (ja) 2003-02-26 2003-02-26 光受信モジュール

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6949731B2 (ja)
JP (1) JP4178995B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201213A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Opnext Japan Inc 光受信モジュール
US8936405B2 (en) * 2006-05-19 2015-01-20 Hitachi Metals, Ltd. Multi-channel optical receiver module
JP2009111069A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 National Institute Of Information & Communication Technology 極微弱光検出器
JP7331727B2 (ja) * 2020-02-19 2023-08-23 住友電気工業株式会社 光半導体デバイス

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302631A (ja) 1993-04-16 1994-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 樹脂ボンディング用icパッケージおよびダイボンドの方法
JP3680303B2 (ja) * 1994-11-08 2005-08-10 住友電気工業株式会社 光電変換モジュール
JP3996780B2 (ja) * 2001-03-21 2007-10-24 シャープ株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2003258272A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信モジュール
US6806547B2 (en) * 2002-03-28 2004-10-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light-receiving module
JP2003332590A (ja) * 2002-05-14 2003-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール及び光送受信モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20040227062A1 (en) 2004-11-18
JP2004260007A (ja) 2004-09-16
US6949731B2 (en) 2005-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3880278B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
EP0684651B1 (en) Photodetector module and method of making same
US7138661B2 (en) Optoelectronic component and optoelectronic arrangement with an optoelectronic component
JPS63102379A (ja) 反射光障壁およびその製造方法
JP4178995B2 (ja) 光受信モジュール
JP2000232235A (ja) 半導体装置
EP3161878B1 (en) Optoelectronic package
KR20080022509A (ko) 마이크로폰 패키지
JP3768099B2 (ja) 受光素子及びそれを備える光半導体装置
JP3972677B2 (ja) 光モジュール
JP4231328B2 (ja) 固体撮像装置
JP3684823B2 (ja) 半導体リレー
JP2004254125A (ja) 光受信モジュール
JP3996780B2 (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2006128514A (ja) 光半導体装置およびそれを用いた光モジュール
JPS59172266A (ja) 混成集積回路およびその製造方法
JP2002314149A (ja) 半導体装置
JPH0786544A (ja) Ccd素子
US20040183003A1 (en) Localized hermetic sealing of a power monitor on a planar light circuit
JP2004063764A (ja) 光結合半導体装置、およびその製造方法
JP2000082828A (ja) 光受信器及び光伝送モジュール
JP3622460B2 (ja) 半導体リレー
WO2018149360A1 (zh) 一种虹膜识别成像模组封装结构及其封装方法
JP2005093495A (ja) 受光素子、これを用いた光結合半導体装置、及びその製造方法
CN117480622A (zh) 绝缘模块

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080704

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080805

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080818

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees