WO2021014917A1

WO2021014917A1 - 半導体レーザ装置

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Publication number: WO2021014917A1
Application number: PCT/JP2020/025941
Authority: WO
Inventors: 敦司山口; 晃輝坂本
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2019-07-23
Filing date: 2020-07-02
Publication date: 2021-01-28
Also published as: JPWO2021014917A1; DE112020003518T5; JP7514837B2; US20220285911A1; CN114128062A

Abstract

半導体レーザ装置（１Ａ）は、半導体レーザ素子（１０）と、半導体レーザ素子（１０）に直列接続され、ゲート電極（２３）、ドレイン電極（２１）、及びソース電極（２２）を有するスイッチング素子（２０）と、半導体レーザ素子（１０）及びスイッチング素子（２０）に並列接続されるコンデンサ（３０Ａ，３０Ｂ）と、コンデンサ（３０Ａ，３０Ｂ）の第１端子（３１）が接続されている第１駆動用導電部（６１Ａ，６１Ｂ）と、第１駆動用導電部（６１Ａ，６１Ｂ）と離間して配置されている第２駆動用導電部（６２）と、第１駆動用導電部（６１Ａ，６１Ｂ）とソース電極（２２）とを接続する第１駆動用接続部材（８１，８２）と、第２駆動用導電部（６２）とソース電極（２２）とを接続する第２駆動用接続部材（８３）と、を備える。

Description

半導体レーザ装置

　本開示は、半導体レーザ装置に関する。

　車両等に用いられる３次元距離計測として、計測対象物に対してレーザ光を出射して、計測対象物によって反射された反射光に基づいて計測対象物までの距離を計測する技術が知られている。この技術が適用されたレーザ距離計測装置として、ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）を用いたシステムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１８－１２８４３２号公報

　ところで、ＬｉＤＡＲの光源として用いられる半導体レーザ装置は、レーザダイオードと、レーザダイオードに直列接続されたトランジスタとを備え、トランジスタのオンオフの切り替えによって、パルス幅が数十ｎｓ以下のレーザ光を出射する。パルス幅が数十ｎｓ以下である場合、レーザダイオードを流れる電流の時間変化率が高まり、半導体レーザ装置内のインダクタンスに起因する逆起電圧が増大する場合がある。そしてその逆起電圧がトランジスタのゲート電圧に影響を及ぼす場合がある。なお、このような問題は、トランジスタに限られず、他のスイッチング素子が用いられた場合も同様に、インダクタンスに起因する逆起電圧がスイッチング素子の制御電極に印加される制御電圧に影響を及ぼす場合がある。

　本開示の目的は、インダクタンスに起因する逆起電圧がスイッチング素子の制御電圧に及ぼす影響を低減できる半導体レーザ装置を提供することにある。

　本開示の一態様による半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサと、前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、前記第１駆動用導電部と離間して配置されている第２駆動用導電部と、前記第１駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、前記第２駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、を備える。

　この構成によれば、スイッチング素子の第２駆動電極から第１駆動用接続部材を介して第１駆動用導電部に流れる電流の第１経路と、スイッチング素子の第２駆動電極から第２駆動用接続部材を介して第２駆動用導電部に流れる電流の第２経路とが個別に形成される。これにより、第１経路の電流の変動が第２経路に影響を及ぼすことが低減される。すなわち、第２経路において、第１駆動用接続部材のインダクタンスの影響を受け難くなる。したがって、第２経路において、第１駆動用接続部材のインダクタンスに起因する逆起電圧が、スイッチング素子の制御電圧に及ぼす影響を低減できる。

　本開示の一態様による半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されているコンデンサと、前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、を備える。前記第１駆動用導電部は、前記コンデンサの第１端子が接続されている第１端部と、前記第１駆動用導電部が延びる方向において前記第１端部とは反対側に設けられている第２端部と、を有する。半導体レーザ装置は、前記第１駆動用導電部のうちの前記コンデンサの前記第１端子に近い側と、前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、前記第１駆動用導電部のうちの前記コンデンサの前記第１端子よりも前記第２端部に近い側と、前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、をさらに備える。

　この構成によれば、スイッチング素子の第２駆動電極から第１駆動用接続部材を介して第１駆動用導電部のうちのコンデンサの第１端子に近い側に流れる電流の第１経路と、スイッチング素子の第２駆動電極から第２駆動用接続部材を介して第１駆動用導電部のうちの制御電極に近い側に流れる電流の第２経路とが個別に形成される。これにより、第１経路の電流の変動が第２経路に影響を及ぼすことが低減される。すなわち、第２経路において、第１駆動用接続部材のインダクタンスの影響を受け難くなる。したがって、第２経路において、第１駆動用接続部材のインダクタンスに起因する逆起電圧が、スイッチング素子の制御電圧に及ぼす影響を低減できる。

　本開示の一態様による半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサと、前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路と、前記第１駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続する第１駆動用接続部材と、前記ドライバ回路と前記第２駆動電極とを接続する第２駆動用接続部材と、を備える。

　この構成によれば、スイッチング素子の第２駆動電極から第１駆動用接続部材を介して第１駆動用導電部に流れる電流の第１経路と、スイッチング素子の第２駆動電極から第２駆動用接続部材を介してドライバ回路に流れる電流の第２経路とが個別に形成される。これにより、第１経路の電流の変動が第２経路に影響を及ぼすことが低減される。すなわち、第２経路において、第１駆動用接続部材のインダクタンスの影響を受け難くなる。したがって、第２経路において、第１駆動用接続部材のインダクタンスに起因する逆起電圧が、スイッチング素子の制御電圧に及ぼす影響を低減できる。

　上記半導体レーザ装置によれば、インダクタンスに起因する逆起電圧が、スイッチング素子の制御電圧に及ぼす影響を低減できる。

第１実施形態の半導体レーザ装置が適用されたレーザシステムの模式的な回路図。第１実施形態の半導体レーザ装置について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第１実施形態の半導体レーザ装置の裏面図。図２の４－４線に沿った断面図。図２の５－５線に沿った断面図。図２の６－６線に沿った断面図。図２の７－７線に沿った断面図。図２の８－８線に沿った断面図。第１実施形態の半導体レーザ素子の模式的な素子断面構造を示す断面図。第１実施形態の半導体レーザ素子の模式的な平面図。比較例の半導体レーザ装置が適用されたレーザシステムの模式的な回路図。比較例の半導体レーザ装置について、半導体レーザ素子に流れる電流及びスイッチング素子のゲート電極に印加される電圧の推移を示すグラフ。比較例の半導体レーザ装置について、寄生インダクタンスの起電圧の推移を示すグラフ。第１実施形態の半導体レーザ装置がレーザシステムに用いられた場合の接続構成を説明するための模式図。第１実施形態の半導体レーザ装置が適用されたレーザシステムの模式的な回路図。第１実施形態の半導体レーザ装置について、半導体レーザ素子に流れる電流及びスイッチング素子のゲート電極に印加される電圧の推移を示すグラフ。第１実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図１７の半導体レーザ装置の裏面図。第１実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第１実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図２０の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子の模式的な素子断面構造を示す断面図。第１実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、半導体レーザ装置の裏面図。第１実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図２３の半導体レーザ装置の裏面図。図２３の２５－２５線に沿った断面図。第２実施形態の半導体レーザ装置について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図２６の半導体レーザ装置の裏面図。第３実施形態の半導体レーザ装置について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図２８の半導体レーザ装置の裏面図。第３実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第３実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第３実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第４実施形態の半導体レーザ装置について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図３３の半導体レーザ装置の裏面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図３５の半導体レーザ装置の裏面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図３８の半導体レーザ装置の裏面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第４実施形態の半導体レーザ装置の変更例について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。第５実施形態の半導体レーザ装置について、封止部材を取り除き、半導体レーザ装置の内部構成を示す平面図。図４４の半導体レーザ装置の裏面図。第５実施形態の半導体レーザ装置がレーザシステムに用いられた場合の接続構成を説明するための模式図。

　以下、半導体レーザ装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

　［第１実施形態］
　図１～図１６を参照して、第１実施形態の半導体レーザ装置について説明する。
　（半導体レーザ装置及びレーザシステムの回路構成）
　図１に示すように、図１の破線で囲まれた部分によって構成される半導体レーザ装置１Ａは、３次元距離計測の一例であるＬｉＤＡＲのパルスレーザ光源として用いられる。図１では、ＬｉＤＡＲとしてのレーザシステム１００に半導体レーザ装置１Ａが用いられた構成を示している。半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ素子１０と、スイッチング素子２０と、コンデンサ３０と、複数の端子４０とを備える。図１では、半導体レーザ装置１Ａは、５個の端子４０を備える。なお、半導体レーザ装置１Ａは、２次元距離計測用のレーザシステムに用いられてもよい。また、端子４０の個数は任意に変更可能である。

　レーザシステム１００は、電源１１０、電流制限抵抗１２０、ダイオード１３０、及びドライバ回路１４０を備える。電源１１０は、正極１１１及び負極１１２を有する電源であって、半導体レーザ素子１０に電力を供給する。電流制限抵抗１２０は、電源１１０の正極１１１と半導体レーザ素子１０との間に設けられ、電源１１０から半導体レーザ素子１０に流れる電流を制限する。ダイオード１３０は、アノード電極１３１及びカソード電極１３２を有し、半導体レーザ素子１０と逆並列接続され、半導体レーザ素子１０への逆流を防止する。図１のレーザシステム１００では、ダイオード１３０として、ショットキーバリアダイオードが用いられている。ドライバ回路１４０は、出力電極１４１及び入力電極１４２を有し、スイッチング素子２０のオンオフを制御する制御信号をスイッチング素子２０に出力する。

　半導体レーザ素子１０は、半導体レーザ装置１Ａの光源であり、例えばパルスレーザダイオードが用いられている。半導体レーザ素子１０の材料としては、例えばＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）が用いられている。半導体レーザ素子１０は、アノード電極１１、及びカソード電極１２を備える。スイッチング素子２０は、半導体レーザ素子１０への電流をオンオフするための素子である。半導体レーザ素子１０は、例えば、発振波長が９０５ｎｍ、光出力が７５Ｗ以上、及びパルス幅が数十ｎｓ以下の仕様のものが用いられている。好ましくは、半導体レーザ素子１０は、光出力が１５０Ｗ以上、及びパルス幅が１０ｎｓ以下の仕様のものが用いられる。さらに好ましくは、半導体レーザ素子１０は、パルス幅が５ｎｓ以下の仕様のものが用いられる。

　スイッチング素子２０は、例えばＳｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化シリコン）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）等からなるトランジスタが用いられている。スイッチング素子２０がＧａＮやＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、スイッチング素子２０は、ＳｉからなるＮ型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）が用いられている。スイッチング素子２０は、第１駆動電極の一例であるドレイン電極２１、第２駆動電極の一例であるソース電極２２、及び、制御電極の一例であるゲート電極２３を備える。

　コンデンサ３０は、半導体レーザ素子１０に通電する電流となるべき電荷を一時的に蓄積するためのコンデンサバンクを構成している。コンデンサ３０は、例えばスイッチング素子２０がオフ状態のときに蓄電し、スイッチング素子２０がオン状態のときに半導体レーザ素子１０に放電する。コンデンサ３０の個数は、１個又は複数個であってもよい。例えば、コンデンサ３０の容量及び個数は、半導体レーザ素子１０の出力に応じて設定される。コンデンサ３０は、第１端子３１及び第２端子３２を有する。

　図１に示すとおり、半導体レーザ素子１０とスイッチング素子２０とは直列接続されている。具体的には、半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とスイッチング素子２０のドレイン電極２１とが電気的に接続されている。半導体レーザ素子１０のアノード電極１１は、第１電源端子４１に電気的に接続されている。スイッチング素子２０のソース電極２２は、第２電源端子４２に電気的に接続されている。ダイオード１３０のアノード電極１３１は、半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とスイッチング素子２０のドレイン電極２１との間のノードＮに電気的に接続されている。

　コンデンサ３０は、半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０と並列接続されている。具体的には、コンデンサ３０の第１端子３１がスイッチング素子２０のソース電極２２に電気的に接続されており、コンデンサ３０の第２端子３２が半導体レーザ素子１０のアノード電極１１に電気的に接続されている。

　複数の端子４０は、第１電源端子４１、第２電源端子４２、制御端子４３、ダイオード接続端子４４、及びドライバ接続端子４５を有する。図１に示すとおり、第１電源端子４１は、電源１１０の正極１１１及びダイオード１３０のカソード電極１３２と電気的に接続されている。また、第１電源端子４１は、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１及びコンデンサ３０の第２端子３２と電気的に接続されている。第２電源端子４２は、電源１１０の負極１１２と電気的に接続される。また、第２電源端子４２は、スイッチング素子２０のソース電極２２とコンデンサ３０の第１端子３１と電気的に接続されている。制御端子４３は、ドライバ回路１４０の出力電極１４１と接続されている。ダイオード接続端子４４は、ダイオード１３０のアノード電極１３１に接続されている。またダイオード接続端子４４は、半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とスイッチング素子２０のドレイン電極２１との間のノードＮに接続されている。このため、ダイオード接続端子４４を介してダイオード１３０のアノード電極１３１と半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とが電気的に接続されている。ドライバ接続端子４５は、ドライバ回路１４０の入力電極１４２に電気的に接続されている。

　このような構成のレーザシステム１００では、次のように動作する。すなわち、ドライバ回路１４０の制御信号によってスイッチング素子２０がオフ状態にされると、電源１１０によってコンデンサ３０が蓄電される。そしてドライバ回路１４０の制御信号によってスイッチング素子２０がオン状態にされると、コンデンサ３０が放電することによって半導体レーザ素子１０に電流が流れる。これにより、半導体レーザ素子１０はパルスレーザ光を出力する。

　（半導体レーザ装置の構成）
　半導体レーザ装置１Ａは、モジュール化されている。すなわち、半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０が１つのパッケージに収容された構成である。以下、このような半導体レーザ装置１Ａの詳細な構成について説明する。

　半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０を支持し、パッケージの一部を構成する支持基板５０と、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０を封止し、パッケージの一部を構成する封止部材９０とを備える。本実施形態では、支持基板５０及び封止部材９０によって半導体レーザ装置１Ａのパッケージが構成されている。また、半導体レーザ装置１Ａは、コンデンサ３０として、２個のコンデンサ３０Ａ，３０Ｂを有する。

　支持基板５０は、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０（３０Ａ，３０Ｂ）の導電経路を構成するとともに半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０を支持している。支持基板５０は、基材５１及び導電部６０を有する。

　基材５１は、電気絶縁性を有する材料からなる。一例では、基材５１は、エポキシ樹脂やセラミックスからなる。本実施形態では、基材５１を構成する材料として、ガラスエポキシ樹脂を用いている。基材５１は、基材主面５１ａ、基材裏面５１ｂ、第１基材側面５１ｃ、第２基材側面５１ｄ、第３基材側面５１ｅ、及び第４基材側面５１ｆを有する。以降の説明において、基材５１の厚さ方向を「厚さ方向Ｚ」とし、厚さ方向Ｚと直交する方向において互いに直交する方向を「横方向Ｘ」及び「縦方向Ｙ」とする。なお、縦方向Ｙは第１方向に相当し、横方向Ｘは第２方向に相当する。

　基材主面５１ａ及び基材裏面５１ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。第１基材側面５１ｃ、第２基材側面５１ｄ、第３基材側面５１ｅ、及び第４基材側面５１ｆはそれぞれ、基材主面５１ａ及び基材裏面５１ｂの厚さ方向Ｚの間に設けられ、基材主面５１ａ及び基材裏面５１ｂと交差する方向に向く面である。第１基材側面５１ｃ及び第２基材側面５１ｄは互いに反対側を向き、第３基材側面５１ｅ及び第４基材側面５１ｆは互いに反対側を向いている。本実施形態では、第１基材側面５１ｃ及び第２基材側面５１ｄは、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向き、横方向Ｘに沿って延びている。第３基材側面５１ｅ及び第４基材側面５１ｆは、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向き、縦方向Ｙに沿って延びている。

　半導体レーザ装置１Ａの平面視（以下、単に「平面視」という）における基材５１の形状は、矩形状である。本実施形態では、平面視における基材５１の形状は、第１基材側面５１ｃ及び第２基材側面５１ｄが長辺方向となり、第３基材側面５１ｅ及び第４基材側面５１ｆが短辺方向となる矩形状である。

　導電部６０は、基材５１に設けられ、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０への導電経路を構成している。導電部６０の材料は、特に限定されないが、例えばＣｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）等の金属が用いられている。また、導電部６０は、その形成方法は特に限定されないが、例えばめっきによって形成されている。導電部６０は、駆動用導電部としての主面側導電部６０Ａ、端子用導電部としての裏面側導電部６０Ｂ、及び連絡部６０Ｃを有する。

　主面側導電部６０Ａは、基材５１の基材主面５１ａに形成されている。主面側導電部６０Ａは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ、第２駆動用導電部６２、第３駆動用導電部６３、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂ、及び制御用導電部６５を有する。

　一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂは、基材主面５１ａのうちの横方向Ｘの両端部かつ縦方向Ｙの中央部に配置されている。第１駆動用導電部６１Ａは、平面視において、基材主面５１ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの部分に第３基材側面５１ｅと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第１駆動用導電部６１Ｂは、平面視において、基材主面５１ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの部分に第４基材側面５１ｆと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。平面視における各第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、平面視における第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの形状は互いに同じ形状である。なお、平面視における第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば、平面視における第１駆動用導電部６１Ａの形状が平面視における第１駆動用導電部６１Ｂの形状と異なってもよい。

　第３駆動用導電部６３は、基材主面５１ａのうちの一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの横方向Ｘの間の部分に配置されている。平面視における第３駆動用導電部６３の形状は、凸状である。第３駆動用導電部６３は、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂに挟まれた部分であるスイッチング素子実装部６３ａと、スイッチング素子実装部６３ａから縦方向Ｙに突出している半導体レーザ素子実装部６３ｂとに区分できる。

　スイッチング素子実装部６３ａは、縦方向Ｙにおいて基材主面５１ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りの部分に配置されている。スイッチング素子実装部６３ａは、横方向Ｘにおいて一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂと間隔をあけて配置されている。平面視におけるスイッチング素子実装部６３ａの形状は、正方形である。スイッチング素子実装部６３ａの横方向Ｘの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂのそれぞれの横方向Ｘの大きさよりも大きい。スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさは、特に限定されないが、本実施形態では、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂのそれぞれの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさと一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさが一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。

　スイッチング素子実装部６３ａには、スイッチング素子２０が実装されている。図２及び図４に示すように、スイッチング素子２０は、平板状に形成されている。スイッチング素子２０は、ＳｉやＳｉＣ等の半導体材料からなる素子本体２４を有する。素子本体２４は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面２４ａ及び素子裏面２４ｂを有する。素子主面２４ａは、半導体レーザ素子１０のレーザ素子主面１０ａと同じ側を向く面である。素子裏面２４ｂは、レーザ素子裏面１０ｂと同じ側を向く面である。

　素子主面２４ａには、ソース電極２２及びゲート電極２３が形成されている。ソース電極２２は、素子主面２４ａの大部分にわたり形成されている。平面視におけるソース電極２２の形状は、第２基材側面５１ｄ側に向けて開口する凹形状である。本実施形態では、ソース電極２２は、平面視において縦方向Ｙに凹む凹部２２ａが形成されている。凹部２２ａは、ソース電極２２の第２基材側面５１ｄ寄りの端部かつ横方向Ｘの中央部に形成されている。凹部２２ａには、ゲート電極２３が形成されている。

　素子裏面２４ｂには、ドレイン電極２１が形成されている。ドレイン電極２１は、例えば素子裏面２４ｂの全体にわたり形成されている。このように、本実施形態のスイッチング素子２０は、いわゆる縦型構造のトランジスタである。

　半導体レーザ素子実装部６３ｂは、スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの第１基材側面５１ｃ寄りの端部、かつ、スイッチング素子実装部６３ａの横方向Ｘの中央部に配置されている。平面視における半導体レーザ素子実装部６３ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの大きさは、スイッチング素子実装部６３ａの横方向Ｘの大きさよりも小さい。また半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。半導体レーザ素子実装部６３ｂの縦方向Ｙの大きさは、スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。また半導体レーザ素子実装部６３ｂの縦方向Ｙの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。

　半導体レーザ素子実装部６３ｂには、半導体レーザ素子１０が実装されている。図２及び図４に示すように、半導体レーザ素子１０は、平板状に形成されている。平面視における半導体レーザ素子１０の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。半導体レーザ素子１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向くレーザ素子主面１０ａ及びレーザ素子裏面１０ｂを有する。本実施形態では、レーザ素子主面１０ａにはアノード電極１１が形成され、レーザ素子裏面１０ｂにはカソード電極１２が形成されている。

　なお、平面視におけるスイッチング素子実装部６３ａの形状は任意に変更可能である。例えば、平面視におけるスイッチング素子実装部６３ａの形状が横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。また、平面視における半導体レーザ素子実装部６３ｂの形状は任意に変更可能である。例えば、平面視における半導体レーザ素子実装部６３ｂの形状は正方形であってもよいし、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状であってもよい。

　一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて基材主面５１ａのうちの第１基材側面５１ｃ寄りの端部に配置されている。一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂは、第１基材側面５１ｃから縦方向Ｙに離間して配置されている。第４駆動用導電部６４Ａは、基材主面５１ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部に配置されている。第４駆動用導電部６４Ａは、第３基材側面５１ｅと横方向Ｘに離間して配置されている。第４駆動用導電部６４Ｂは、基材主面５１ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部に配置されている。第４駆動用導電部６４Ｂは、第４基材側面５１ｆと横方向Ｘに離間して配置されている。一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂは、横方向Ｘにおいて半導体レーザ素子実装部６３ｂの両側に半導体レーザ素子実装部６３ｂと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。縦方向Ｙからみて、第４駆動用導電部６４Ａは、第１駆動用導電部６１Ａと重なるように配置されている。また、縦方向Ｙからみて、第４駆動用導電部６４Ａのうちの半導体レーザ素子実装部６３ｂ寄りの端部は、スイッチング素子実装部６３ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部と重なるように配置されている。縦方向Ｙからみて、第４駆動用導電部６４Ｂは、第１駆動用導電部６１Ｂと重なるように配置されている。また、縦方向Ｙからみて、第４駆動用導電部６４Ｂのうちの半導体レーザ素子実装部６３ｂ寄りの端部は、スイッチング素子実装部６３ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部と重なるように配置されている。横方向Ｘからみて、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂは、半導体レーザ素子実装部６３ｂと重なるように配置されている。

　平面視における一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの横方向Ｘの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの縦方向Ｙの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。また、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの縦方向Ｙの大きさは、半導体レーザ素子実装部６３ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。本実施形態では、平面視における第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの形状は互いに同じ形状である。なお、平面視における第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば、平面視における第４駆動用導電部６４Ａの形状が平面視における第４駆動用導電部６４Ｂの形状と異なってもよい。

　第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５はそれぞれ、縦方向Ｙにおいて基材主面５１ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部に配置されている。第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５は、横方向Ｘにおいて互いに離間した状態で横方向Ｘに沿って配列されている。第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５はそれぞれ、第２基材側面５１ｄと縦方向Ｙに離間して配置されている。第２駆動用導電部６２は、横方向Ｘにおいて基材主面５１ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部に配置されている。第２駆動用導電部６２は、第４基材側面５１ｆと横方向Ｘに離間して配置されている。制御用導電部６５は、横方向Ｘにおいて基材主面５１ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部に配置されている。制御用導電部６５は、第３基材側面５１ｅと横方向Ｘに離間して配置されている。

　平面視における第２駆動用導電部６２の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２駆動用導電部６２の縦方向Ｙの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ及びスイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。第２駆動用導電部６２の横方向Ｘの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。第２駆動用導電部６２の横方向Ｘの大きさは、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。なお、平面視における第２駆動用導電部６２の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第２駆動用導電部６２の形状は正方形であってもよいし、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状であってもよい。

　平面視における制御用導電部６５の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。制御用導電部６５の縦方向Ｙの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。制御用導電部６５の横方向Ｘの大きさは、一対の第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。制御用導電部６５の横方向Ｘの大きさは、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。なお、平面視における制御用導電部６５の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における制御用導電部６５の形状は正方形であってもよいし、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状であってもよい。

　縦方向Ｙからみて、第２駆動用導電部６２は、第１駆動用導電部６１Ｂ及び第４駆動用導電部６４Ｂと、スイッチング素子実装部６３ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部とに重なるように配置されている。縦方向Ｙからみて、制御用導電部６５は、第１駆動用導電部６１Ａ及び第４駆動用導電部６４Ａと、スイッチング素子実装部６３ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部とに重なるように配置されている。

　図３に示すように、裏面側導電部６０Ｂは、基材５１の基材裏面５１ｂ上に形成されている。裏面側導電部６０Ｂは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ、第２端子用導電部６７、第３端子用導電部６８、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂ、及び制御端子用導電部７０を有する。このように、本実施形態では、半導体レーザ装置１Ａは、表面実装型のパッケージである。

　裏面側導電部６０Ｂは、半導体レーザ装置１Ａを配線基板（図示略）等に実装する際の端子、すなわち図１の複数の端子４０として用いられる。図１及び図３に示すように、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂは第２電源端子４２を構成し、第２端子用導電部６７はドライバ接続端子４５を構成し、第３端子用導電部６８はダイオード接続端子４４を構成し、第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂは第１電源端子４１を構成している。

　図３に示すように、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂは、基材裏面５１ｂのうちの横方向Ｘの両端部かつ縦方向Ｙの中央部に配置されている。第１端子用導電部６６Ａは、平面視において、基材裏面５１ｂのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの部分に第３基材側面５１ｅと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第１端子用導電部６６Ｂは、平面視において、基材裏面５１ｂのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの部分に第４基材側面５１ｆと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。厚さ方向Ｚからみて、第１端子用導電部６６Ａは、第１駆動用導電部６１Ａと重なるように配置されている。

　平面視における各第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの横方向Ｘの大きさは、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。本実施形態では、平面視における第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの形状は互いに同じ形状である。なお、平面視における第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば、平面視における第１端子用導電部６６Ａの形状が平面視における第１端子用導電部６６Ｂの形状と異なってもよい。

　第３端子用導電部６８は、基材裏面５１ｂのうちの一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの横方向Ｘの間の部分に配置されている。第３端子用導電部６８は、縦方向Ｙにおいて基材裏面５１ｂのうちの第１基材側面５１ｃ寄りに配置されている。厚さ方向Ｚからみて、第３端子用導電部６８は、第３駆動用導電部６３と重なるように配置されている。

　平面視における第３端子用導電部６８の形状は、縦方向Ｙが長辺方向であり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。便宜上、第３端子用導電部６８は、境界線Ｌｂによって、厚さ方向Ｚにおいて、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａと重なる第１端子部６８ａと、半導体レーザ素子実装部６３ｂと重なる第２端子部６８ｂとに区分する。

　第１端子部６８ａの横方向Ｘの大きさは、スイッチング素子実装部６３ａの横方向Ｘの大きさよりも小さい。第１端子部６８ａの縦方向Ｙの大きさは、スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。第２端子部６８ｂの横方向Ｘの大きさは、半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。第２端子部６８ｂの縦方向Ｙの大きさは、半導体レーザ素子実装部６３ｂの縦方向Ｙの大きさと等しい。図６に示すように、第２端子部６８ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂと重なるように形成されている。

　図３に示すように、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて基材裏面５１ｂのうちの第１基材側面５１ｃ寄りの端部に配置されている。一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂは、第１基材側面５１ｃから縦方向Ｙに離間して配置されている。第４端子用導電部６９Ａは、基材裏面５１ｂのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部に配置されている。第４端子用導電部６９Ａは、第３基材側面５１ｅと横方向Ｘに離間して配置されている。第４端子用導電部６９Ｂは、基材裏面５１ｂのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部に配置されている。第４端子用導電部６９Ｂは、第４基材側面５１ｆと横方向Ｘに離間して配置されている。一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂは、横方向Ｘにおいて第２端子部６８ｂの両側に第２端子部６８ｂと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。縦方向Ｙからみて、第４端子用導電部６９Ａは、第１端子用導電部６６Ａと重なるように配置されている。縦方向Ｙからみて、第４端子用導電部６９Ｂは、第１端子用導電部６６Ｂと重なるように配置されている。横方向Ｘからみて、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂは、第２端子部６８ｂと重なるように配置されている。厚さ方向Ｚからみて、第４端子用導電部６９Ａは第４駆動用導電部６４Ａと重なるように配置され、第４端子用導電部６９Ｂは第４駆動用導電部６４Ｂと重なるように配置されている。

　平面視における一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの横方向Ｘの大きさは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの横方向Ｘの大きさは、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの縦方向Ｙの大きさは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの縦方向Ｙの大きさは、一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの縦方向Ｙの大きさと一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が、例えば一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの５％以内であれば、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの縦方向Ｙの大きさが一対の第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。本実施形態では、平面視における第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの形状は互いに同じ形状である。なお、平面視における第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば、平面視における第４端子用導電部６９Ａの形状が平面視における第４端子用導電部６９Ｂの形状と異なってもよい。

　第２端子用導電部６７及び制御端子用導電部７０はそれぞれ、縦方向Ｙにおいて基材裏面５１ｂのうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部に配置されている。第２端子用導電部６７及び制御端子用導電部７０は、横方向Ｘにおいて互いに離間した状態で横方向Ｘに沿って配列されている。第２端子用導電部６７及び制御端子用導電部７０はそれぞれ、第２基材側面５１ｄと縦方向Ｙに離間して配置されている。

　第２端子用導電部６７は、横方向Ｘにおいて基材裏面５１ｂのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部に配置されている。第２端子用導電部６７は、第４基材側面５１ｆと横方向Ｘに離間して配置されている。縦方向Ｙからみて、第２端子用導電部６７は、第１端子用導電部６６Ｂ及び第４端子用導電部６９Ｂと、第３端子用導電部６８のうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部とに重なるように配置されている。厚さ方向Ｚからみて、第２端子用導電部６７は、図２に示す第２駆動用導電部６２と重なるように配置されている。

　平面視における第２端子用導電部６７の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２駆動用導電部６２の縦方向Ｙの大きさは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ及び第３端子用導電部６８の縦方向Ｙの大きさよりも小さい。第２端子用導電部６７の横方向Ｘの大きさは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。第２端子用導電部６７の横方向Ｘの大きさは、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。なお、平面視における第２駆動用導電部６２の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第２駆動用導電部６２の形状は正方形であってもよいし、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状であってもよい。

　制御端子用導電部７０は、横方向Ｘにおいて基材裏面５１ｂのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部に配置されている。制御端子用導電部７０は、第３基材側面５１ｅと横方向Ｘに離間して配置されている。縦方向Ｙからみて、制御端子用導電部７０は、第１端子用導電部６６Ａ及び第４端子用導電部６９Ａと、第３端子用導電部６８のうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部とに重なるように配置されている。厚さ方向Ｚからみて、制御端子用導電部７０は、制御用導電部６５と重なるように配置されている。

　平面視における制御端子用導電部７０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。制御端子用導電部７０の縦方向Ｙの大きさは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。制御端子用導電部７０の横方向Ｘの大きさは、一対の第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。制御端子用導電部７０の横方向Ｘの大きさは、一対の第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。なお、平面視における制御端子用導電部７０の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における制御端子用導電部７０の形状は正方形であってもよいし、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状であってもよい。

　図２及び図３から分かるとおり、第１駆動用導電部６１Ａと第４駆動用導電部６４Ａとの縦方向Ｙの隙間Ｇｓ１、及び第１駆動用導電部６１Ｂと第４駆動用導電部６４Ｂとの縦方向Ｙの隙間Ｇｓ１は、第１端子用導電部６６Ａと第４端子用導電部６９Ａとの縦方向Ｙの隙間Ｇｒ１、及び第１端子用導電部６６Ｂと第４端子用導電部６９Ｂとの縦方向Ｙの隙間Ｇｒ１よりも小さい。換言すれば、隙間Ｇｒ１は、隙間Ｇｓ１よりも大きい。また、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂと第３駆動用導電部６３との横方向Ｘの隙間Ｇｓ２は、第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂと第３端子用導電部６８との横方向Ｘの隙間Ｇｒ２よりも小さい。換言すれば、隙間Ｇｒ２は、隙間Ｇｓ２よりも大きい。また、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ及び第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａと第２駆動用導電部６２との縦方向Ｙの隙間Ｇｓ３は、第１端子用導電部６６Ａ及び第３端子用導電部６８の第１端子部６８ａと第２端子用導電部６７との縦方向Ｙの隙間Ｇｒ３よりも小さい。換言すれば、隙間Ｇｒ３は、隙間Ｇｓ３よりも大きい。第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂと第３駆動用導電部６３の半導体レーザ素子実装部６３ｂとの横方向Ｘの隙間Ｇｓ４は、第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂと第３端子用導電部６８の第２端子部６８ｂとの横方向Ｘの隙間Ｇｒ４よりも小さい。換言すれば、隙間Ｇｒ４は、隙間Ｇｓ４よりも大きい。第１駆動用導電部６１Ｂ及び第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａと制御用導電部６５との縦方向Ｙの隙間Ｇｓ５は、第１端子用導電部６６Ｂ及び第３端子用導電部６８の第１端子部６８ａと制御端子用導電部７０との縦方向Ｙの隙間Ｇｒ５よりも小さい。換言すると、隙間Ｇｒ５は、隙間Ｇｓ５よりも大きい。また、第２駆動用導電部６２と制御用導電部６５との横方向Ｘの隙間Ｇｓ６は、第２端子用導電部６７と制御端子用導電部７０との横方向Ｘの隙間Ｇｒ６と等しい。ここで、隙間Ｇｓ６と隙間Ｇｒ６との差が例えば隙間Ｇｓ６の５％以内であれば、隙間Ｇｓ６は隙間Ｇｒ６と等しいと言える。なお、隙間Ｇｒ６は、隙間Ｇｓ６よりも大きくてもよい。

　図２～図５、図７、及び図８に示すように、連絡部６０Ｃは、複数個設けられ、主面側導電部６０Ａと裏面側導電部６０Ｂとを繋いでいる。各連絡部６０Ｃは、同一構造であり、スルーホール７１と、スルーホール７１に埋め込まれた導体部７２とによって構成されている。スルーホール７１は、厚さ方向Ｚに基材５１を貫通する貫通孔５２を構成する内周面の全体にわたり形成された金属膜７１ａによって構成されている。金属膜７１ａの基材５１の基材主面５１ａ寄りの端部は主面側導電部６０Ａに繋がっており、金属膜７１ａの基材５１の基材裏面５１ｂ寄りの端部は裏面側導電部６０Ｂに繋がっている。本実施形態では、金属膜７１ａを構成する材料は、主面側導電部６０Ａ及び裏面側導電部６０Ｂを構成する材料と同じである。導体部７２を構成する材料としては、例えば金属材料であり、本実施形態ではＣｕ（銅）が用いられている。

　図３に示すように、連絡部６０Ｃは、複数の第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂ、複数の第２駆動用連絡部７４、複数の第３駆動用連絡部７５、複数の第４駆動用連絡部７６Ａ，７６Ｂ、及び複数の制御用連絡部７７を有する。本実施形態では、複数の第１駆動用連絡部７３、複数の第２駆動用連絡部７４、複数の第３駆動用連絡部７５、複数の第４駆動用連絡部７６、及び複数の制御用連絡部７７を構成するスルーホール７１（例えば図４参照）の外径及び内径は互いに等しい。

　図２～図４に示すように、複数の第３駆動用連絡部７５は、第３駆動用導電部６３と第３端子用導電部６８とを接続している。複数の第３駆動用連絡部７５は、複数（本実施形態では９個）のスイッチング素子側連絡部７５ａ、１個の半導体レーザ素子側連絡部７５ｂ、及び１個の中間連絡部７５ｃを含む。なお、スイッチング素子側連絡部７５ａ、半導体レーザ素子側連絡部７５ｂ、及び中間連絡部７５ｃのそれぞれの個数は、上記の個数に限定されず、任意に変更可能である。

　複数のスイッチング素子側連絡部７５ａは、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａに設けられている。９個のスイッチング素子側連絡部７５ａのうちの８個は、厚さ方向Ｚからみて、スイッチング素子２０のソース電極２２と重なる位置に設けられている。厚さ方向Ｚからみて、残りの１個のスイッチング素子側連絡部７５ａは、スイッチング素子２０のゲート電極２３と重なる位置に設けられている。厚さ方向Ｚからみて、９個のスイッチング素子側連絡部７５ａは、スイッチング素子２０のドレイン電極２１と重なる位置に設けられている。

　半導体レーザ素子側連絡部７５ｂは、第３駆動用導電部６３の半導体レーザ素子実装部６３ｂに設けられている。厚さ方向Ｚからみて、半導体レーザ素子側連絡部７５ｂは、半導体レーザ素子１０と重なる位置に設けられている。

　中間連絡部７５ｃは、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａと半導体レーザ素子実装部６３ｂとの境界部（図２及び図３の境界線Ｌｂ）を跨ぐように設けられている。すなわち、中間連絡部７５ｃは、半導体レーザ素子側連絡部７５ｂとスイッチング素子側連絡部７５ａとの縦方向Ｙの間に位置している。換言すると、中間連絡部７５ｃは、半導体レーザ素子１０とスイッチング素子２０との縦方向Ｙの間に位置している。

　図２、図３、及び図５に示すように、複数（本実施形態では２個）の第１駆動用連絡部７３Ａは、第１駆動用導電部６１Ａと第１端子用導電部６６Ａとを接続している。複数の第１駆動用連絡部７３Ａは、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。各第１駆動用連絡部７３Ａは、横方向Ｘにおいて第１駆動用導電部６１Ａ及び第１端子用導電部６６Ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りに配置されている。各第１駆動用連絡部７３Ａは、縦方向Ｙにおいてコンデンサ３０Ａよりも第２駆動用導電部６２（第２端子用導電部６７）側に配置されている。

　複数（本実施形態では２個）の第１駆動用連絡部７３Ｂは、第１駆動用導電部６１Ｂと第１端子用導電部６６Ｂとを接続している。複数の第１駆動用連絡部７３Ｂは、縦方向Ｙにおいて、複数の第１駆動用連絡部７３Ａと揃うように縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。各第１駆動用連絡部７３Ｂは、横方向Ｘにおいて第１駆動用導電部６１Ｂ及び第１端子用導電部６６Ｂのうちの第４基材側面５１ｆ寄りに配置されている。各第１駆動用連絡部７３Ｂは、縦方向Ｙにおいてコンデンサ３０Ｂよりも制御用導電部６５（制御端子用導電部７０）側に配置されている。なお、第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂの個数は上記個数に限られず、任意に変更可能である。

　図２、図３、及び図６に示すように、第４駆動用連絡部７６Ａは、第４駆動用導電部６４Ａと第４駆動用連絡部７６Ａとを接続している。縦方向Ｙからみて、第４駆動用連絡部７６Ａは、コンデンサ３０Ａと重なる位置に設けられている。第４駆動用連絡部７６Ａは、縦方向Ｙにおいて第４駆動用導電部６４Ａのうちのコンデンサ３０Ａよりも第１基材側面５１ｃ側に位置している。

　第４駆動用連絡部７６Ｂは、第４駆動用導電部６４Ｂと第４駆動用連絡部７６Ｂとを接続している。縦方向Ｙからみて、第４駆動用連絡部７６Ａは、コンデンサ３０Ｂと重なる位置に設けられている。第４駆動用連絡部７６Ｂは、縦方向Ｙにおいて第４駆動用導電部６４Ｂのうちのコンデンサ３０Ｂよりも第１基材側面５１ｃ側に位置している。なお、第４駆動用連絡部７６Ａ，７６Ｂはそれぞれ複数個設けられてもよい。

　図２、図３、及び図８に示すように、複数（本実施形態では３個）の第２駆動用連絡部７４はそれぞれ、第２駆動用導電部６２と第２端子用導電部６７とを接続している。複数の第２駆動用連絡部７４は、横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。３個の第２駆動用連絡部７４のうちの最も第３基材側面５１ｅ寄りの第２駆動用連絡部７４と第２駆動用導電部６２のうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端縁との横方向Ｘの間の距離Ｄｘ２は、３個の第２駆動用連絡部７４のうちの最も第４基材側面５１ｆ寄りの第２駆動用連絡部７４と第２駆動用導電部６２のうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端縁との横方向Ｘの間の距離Ｄｘ１よりも大きい。なお、第２駆動用連絡部７４の個数は、上記個数に限られず、任意に変更可能である。

　複数（本実施形態では３個）の制御用連絡部７７はそれぞれ、制御用導電部６５と制御端子用導電部７０とを接続している。複数の制御用連絡部７７は、横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。３個の制御用連絡部７７のうちの最も第４基材側面５１ｆ寄りの制御用連絡部７７と制御用導電部６５のうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端縁との横方向Ｘの間の距離Ｄｘ４は、３個の制御用連絡部７７のうちの最も第３基材側面５１ｅ寄りの制御用連絡部７７と制御用導電部６５のうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端縁との横方向Ｘの間の距離Ｄｘ３よりも大きい。なお、制御用連絡部７７の個数は、上記個数に限られず、任意に変更可能である。

　次に、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂと導電部６０との接続構造について説明する。
　コンデンサ３０Ａは、第１駆動用導電部６１Ａと第４駆動用導電部６４Ａとに接続されている。コンデンサ３０Ａは、第１駆動用導電部６１Ａと第４駆動用導電部６４Ａとの縦方向Ｙの隙間を跨ぐように配置されている。本実施形態では、コンデンサ３０Ａは、第１端子３１と第２端子３２とが縦方向Ｙに沿って配列されるように配置されている。コンデンサ３０Ａの第１端子３１は、第１駆動用導電部６１ＡにＡｇペースト又は半田等の導電性接合材によって接合されている。コンデンサ３０Ａの第２端子３２は、第４駆動用導電部６４Ａに導電性接合材によって接合されている。第２端子３２は、縦方向Ｙにおいて第４駆動用導電部６４Ａのうちの第４駆動用連絡部７６Ａよりも第１駆動用導電部６１Ａに近い部分に配置されている。

　コンデンサ３０Ｂは、第１駆動用導電部６１Ｂと第４駆動用導電部６４Ｂとに接続されている。コンデンサ３０Ｂは、第１駆動用導電部６１Ｂと第４駆動用導電部６４Ｂとの縦方向Ｙの隙間を跨ぐように配置されている。本実施形態では、コンデンサ３０Ｂは、第１端子３１と第２端子３２とが縦方向Ｙに沿って配列されるように配置されている。コンデンサ３０Ｂの第１端子３１は、第１駆動用導電部６１Ｂに導電性接合材によって接合されている。コンデンサ３０Ｂの第２端子３２は、第４駆動用導電部６４Ｂに導電性接合材によって接合されている。第２端子３２は、縦方向Ｙにおいて第４駆動用導電部６４Ｂのうちの第４駆動用連絡部７６Ｂよりも第１駆動用導電部６１Ｂに近い部分に配置されている。

　図２及び図４に示すように、半導体レーザ素子１０は、第３駆動用導電部６３にＡｇ（銀）ペースト又は半田等の導電性接合材によって接合されている。具体的には、半導体レーザ素子１０は、第３駆動用導電部６３の半導体レーザ素子実装部６３ｂのうちの中間連絡部７５ｃよりも第１基材側面５１ｃの近くに配置されている。横方向Ｘからみて、半導体レーザ素子１０は、第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂと重なっており、さらにコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第２端子３２と重なっている。半導体レーザ素子１０は、カソード電極１２が厚さ方向Ｚにおいて第３駆動用導電部６３側に向くように配置されている。そして半導体レーザ素子１０のカソード電極１２は、導電性接合材によって第３駆動用導電部６３に接合されている。

　スイッチング素子２０は、第３駆動用導電部６３にＡｇペースト又は半田等の導電性接合材によって接合されている。具体的には、半導体レーザ素子１０は、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａのうちの中間連絡部７５ｃよりも第２基材側面５１ｄの近くに実装されている。横方向Ｘからみて、スイッチング素子２０は、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂと重なっており、さらにコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１と重なっている。スイッチング素子２０は、ドレイン電極２１が厚さ方向Ｚにおいて第３駆動用導電部６３側に向くように配置されている。そしてドレイン電極２１は、導電性接合材によって第３駆動用導電部６３に接合されている。このように、第３駆動用導電部６３を介してドレイン電極２１と半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とが電気的に接続されている。

　図２に示すとおり、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１と、スイッチング素子２０のソース電極２２及びゲート電極２３とはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて支持基板５０側とは反対側を向いている。これらアノード電極１１、ソース電極２２、及びゲート電極２３は、接続部材８０を介して第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ、第２駆動用導電部６２、第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂ、及び制御用導電部６５に電気的に接続されている。

　接続部材８０は、第１駆動用接続部材８１，８２、第２駆動用接続部材８３、制御用接続部材８４、及びレーザ用接続部材８５，８６を含む。接続部材８０は、例えばＡｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属からなるワイヤである。本実施形態では、接続部材８０はワイヤボンディングによって形成される。

　第１駆動用接続部材８１は、ソース電極２２と第１駆動用導電部６１Ａとを接続している。第１駆動用接続部材８１の本数は特に限定されないが、本実施形態では、３本である。３本の第１駆動用接続部材８１は、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。第１駆動用接続部材８１は、第１端部８１ａ及び第２端部８１ｂを有する。第１端部８１ａは、ソース電極２２に接合されている。第２端部８１ｂは、第１駆動用導電部６１Ａに接合されている。３本の第１駆動用接続部材８１の第１端部８１ａはそれぞれ、縦方向Ｙにおいてソース電極２２のうちのゲート電極２３よりも半導体レーザ素子１０の近く、かつ横方向Ｘにおいてゲート電極２３よりも第１駆動用導電部６１Ａの近くに配置されている。３本の第１駆動用接続部材８１の第２端部８１ｂはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて第１駆動用導電部６１Ａのうちのコンデンサ３０Ａよりも制御用導電部６５の近く、かつ横方向Ｘにおいて第１駆動用連絡部７３Ａよりもスイッチング素子２０の近くに配置されている。縦方向Ｙからみて、第２端部８１ｂは、コンデンサ３０Ａの横方向Ｘの中央部よりもスイッチング素子２０に近い部分と重なるように配置されている。

　第１駆動用接続部材８２は、ソース電極２２と第１駆動用導電部６１Ｂとを接続している。第１駆動用接続部材８２の本数は特に限定されないが、本実施形態では、３本である。すなわち、第１駆動用接続部材８２の本数は、第１駆動用接続部材８１の本数と等しい。３本の第１駆動用接続部材８２は、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。第１駆動用接続部材８２は、第１端部８２ａ及び第２端部８２ｂを有する。第１端部８２ａは、ソース電極２２に接合されている。第２端部８２ｂは、第１駆動用導電部６１Ｂに接合されている。３本の第１駆動用接続部材８２の第１端部８２ａはそれぞれ、縦方向Ｙにおいてソース電極２２のうちのゲート電極２３よりも半導体レーザ素子１０の近く、かつ横方向Ｘにおいてゲート電極２３よりも第１駆動用導電部６１Ｂの近くに配置されている。３本の第１駆動用接続部材８２の第２端部８２ｂはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて第１駆動用導電部６１Ｂのうちのコンデンサ３０Ｂよりも第２駆動用導電部６２の近く、かつ横方向Ｘにおいて第１駆動用連絡部７３Ｂよりもスイッチング素子２０の近くに配置されている。縦方向Ｙからみて、第２端部８２ｂは、コンデンサ３０Ｂの横方向Ｘの中央部よりもスイッチング素子２０に近い部分と重なるように配置されている。

　第２駆動用接続部材８３は、ソース電極２２と第２駆動用導電部６２とを接続している。第２駆動用接続部材８３の本数は特に限定されないが、本実施形態では、１本である。第２駆動用接続部材８３は、３本の第１駆動用接続部材８１よりも第２基材側面５１ｄ側に配置されている。第２駆動用接続部材８３は、第１端部８３ａ及び第２端部８３ｂを有する。第１端部８３ａは、ソース電極２２に接合されている。第２端部８３ｂは、第２駆動用導電部６２に接合されている。第１端部８３ａは、ソース電極２２のうちの縦方向Ｙの第２駆動用導電部６２寄りの端部に配置されている。第２端部８３ｂは、第２駆動用導電部６２のうちの縦方向Ｙのスイッチング素子２０寄りの端部、かつ縦方向Ｙからみて、第２駆動用導電部６２のうちのソース電極２２と重なっている部分に配置されている。本実施形態では、第２端部８３ｂは、第２駆動用導電部６２のうちの３個の第２駆動用連絡部７４よりも制御用導電部６５に近い部分に配置されている。

　制御用接続部材８４は、ゲート電極２３と制御用導電部６５とを接続している。制御用接続部材８４の本数は特に限定されないが、本実施形態では、１本である。制御用接続部材８４は、第１端部８４ａ及び第２端部８４ｂを有する。第１端部８４ａは、ゲート電極２３に接合されている。第２端部８４ｂは、制御用導電部６５のうちの横方向Ｘの第２駆動用導電部６２寄りの端部に配置されている。本実施形態では、第２端部８４ｂは、制御用導電部６５のうちの３個の制御用連絡部７７よりも第２駆動用導電部６２に近い部分に配置されている。

　レーザ用接続部材８５は、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１と第４駆動用導電部６４Ａとを接続している。レーザ用接続部材８５の本数は特に限定されないが、本実施形態では、２本である。２本のレーザ用接続部材８５は、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。各レーザ用接続部材８５は、第１端部８５ａ及び第２端部８５ｂを有する。第１端部８５ａは、アノード電極１１に接続されている。詳細には、第１端部８５ａは、アノード電極１１の横方向Ｘの中央部に配置されている。第２端部８５ｂは、第４駆動用導電部６４Ａに接続されている。詳細には、第２端部８５ｂは、横方向Ｘにおいて第４駆動用導電部６４Ａのうちの第４駆動用導電部６４Ａの横方向Ｘの中央部よりも半導体レーザ素子１０に近い部分に配置されている。

　レーザ用接続部材８６は、アノード電極１１と第４駆動用導電部６４Ｂとを接続している。レーザ用接続部材８６の本数は特に限定されないが、本実施形態では、２本である。２本のレーザ用接続部材８６は、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。各レーザ用接続部材８６は、第１端部８６ａ及び第２端部８６ｂを有する。第１端部８６ａは、アノード電極１１に接続されている。詳細には、第１端部８６ａは、アノード電極１１の横方向Ｘの中央部に配置されている。平面視において、レーザ用接続部材８５の第１端部８５ａとレーザ用接続部材８６の第１端部８６ａとが縦方向Ｙにおいて交互に配列されている。第２端部８６ｂは、第４駆動用導電部６４Ｂに接続されている。詳細には、第２端部８６ｂは、横方向Ｘにおいて第４駆動用導電部６４Ｂのうちの第４駆動用導電部６４Ｂの横方向Ｘの中央部よりも半導体レーザ素子１０に近い部分に配置されている。

　図４～図８に示すように、封止部材９０は、厚さ方向Ｚにおいて支持基板５０の基材５１の基材主面５１ａに積層されている。封止部材９０は、半導体レーザ素子１０のパルスレーザ光を透過するとともに、主面側導電部６０Ａ、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、コンデンサ３０、及び接続部材８０をそれぞれ封止している。すなわち、封止部材９０は、半導体レーザ素子１０のパルスレーザ光が出力される部分は透明又は半透明となるように構成されている。封止部材９０においてパルスレーザ光が出力される部分以外の部分は、透明又は半透明でなくてもよい。このように、封止部材９０は、透明又は半透明な部分と、光が透過しない部分との２種類の部材構成であってもよい。本実施形態では、全体が透明又は半透明になるように構成されている。封止部材９０を構成する材料は、例えば、透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなる。

　封止部材９０は、封止主面９１、第１封止側面９２、第２封止側面９３、第３封止側面９４、及び第４封止側面９５を有する。封止主面９１は、厚さ方向Ｚにおいて封止部材９０のうちの支持基板５０とは反対側を向く面である。すなわち封止主面９１は、スイッチング素子２０の素子主面２４ａと同じ方向を向く面である。各封止側面９２～９５は、封止主面９１と支持基板５０との厚さ方向Ｚの間に形成される面であり、封止主面９１と交差する方向を向く面である。第１封止側面９２及び第２封止側面９３は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向く面である。第１封止側面９２は、縦方向Ｙにおいて基材５１の第１基材側面５１ｃと同じ方向を向く面である。第２封止側面９３は、縦方向Ｙにおいて基材５１の第２基材側面５１ｄと同じ方向を向く面である。第３封止側面９４及び第４封止側面９５は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向く面である。第３封止側面９４は、横方向Ｘにおいて基材５１の第３基材側面５１ｅと同じ方向を向く面である。第４封止側面９５は、横方向Ｘにおいて基材の第４基材側面５１ｆと同じ方向を向く面である。本実施形態では、半導体レーザ素子１０からのレーザ光Ｌは、封止部材９０の第１封止側面９２から出射される。また本実施形態では、封止部材９０の第１封止側面９２は、平坦かつ平滑な面である。これにより、レーザ光Ｌの散乱を抑制でき、レーザ光の出射効率を高めることができる。

　次に、半導体レーザ素子１０の詳細な構成の一例について説明する。
　図９及び図１０に示すように、半導体レーザ素子１０は、基板１３と、基板１３に厚さ方向Ｚに積層されたメサ型の半導体発光層１４とを備える。半導体発光層１４は、発光部に相当する。

　基板１３は、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）を含むｎ型の半導体基板からなる。ｎ型不純物としては、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、及びＳｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。

　半導体発光層１４は、レーザ光Ｌを生成する。半導体発光層１４は、０．７μｍ以上２．５μｍ以下のピーク波長を有するレーザ光Ｌを生成する。つまり、半導体発光層１４は、近赤外領域のレーザ光Ｌを生成する。好ましくは、半導体発光層１４は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のピーク波長を有するレーザ光Ｌを生成する。つまり、半導体発光層１４は、赤外領域のレーザ光Ｌを生成する。半導体発光層１４は、ｎ型バッファ層１４ａ、第１発光ユニット層１４ｂ、第１トンネル接合層１４ｃ、第２発光ユニット層１４ｄ、第２トンネル接合層１４ｅ、第３発光ユニット層１４ｆ、及びｐ型コンタクト層１４ｇを含むメサ構造１５を有する。

　ｎ型バッファ層１４ａは、基板１３上に積層されている。ｎ型バッファ層１４ａは、ＧａＡｓを含む。ｎ型バッファ層１４ａは、ｎ型不純物としてのＳｉ、Ｔｅ、及びＳｅの少なくとも１種を含む。ｎ型バッファ層１４ａのｎ型不純物濃度は、例えば１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下である。

　各発光ユニット層１４ｂ，１４ｄ，１４ｆは、正孔及び電子の結合によってレーザ光Ｌを生成する。第１発光ユニット層１４ｂ、第２発光ユニット層１４ｄ、及び第３発光ユニット層１４ｆは、この順にｎ型バッファ層１４ａ上に積層されている。図１０の白抜き矢印で示すように、各発光ユニット層１４ｂ，１４ｄ，１４ｆからは、横方向Ｘに沿ってレーザ光が出射される。

　積層方向に隣り合う発光ユニットの間には、第１トンネル接合層１４ｃ及び第２トンネル接合層１４ｅが介在している。具体的には、第１トンネル接合層１４ｃは第１発光ユニット層１４ｂと第２発光ユニット層１４ｄとの間に介在し、第２トンネル接合層１４ｅは第２発光ユニット層１４ｄと第３発光ユニット層１４ｆとの間に介在している。各トンネル接合層１４ｃ，１４ｅは、トンネル効果に起因するトンネル電流を生成し、そのトンネル電流は各発光ユニット層１４ｂ，１４ｄ，１４ｆに流れる。

　ｐ型コンタクト層１４ｇは、第３発光ユニット層１４ｆ上に形成されている。ｐ型コンタクト層１４ｇは、ＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層１４ｇは、ｐ型不純物として、Ｃ（炭素）を含む。

　半導体発光層１４は、絶縁層１６によって被覆されている。絶縁層１６は、膜状に形成されている。絶縁層１６は、Ｓｉ_３Ｎ_４（窒化シリコン）又はＳｉ０_２、ＳｉＯ等の酸化シリコンを含んでいてもよい。本実施形態では、絶縁層１６は、窒化シリコンを含む。絶縁層１６においてメサ構造１５の頂部を覆う部分には、半導体発光層１４を露出するコンタクト開口部１６ａが形成されている。コンタクト開口部１６ａには、コンタクト電極１７が形成されている。コンタクト電極１７は、半導体発光層１４と電気的に接続されている。コンタクト電極１７は、コンタクト開口部１６ａから絶縁層１６上に引き出されている。コンタクト電極１７上には、アノード電極１１（図４及び図６参照）が形成されている。なお、基板１３の厚さ方向において、基板１３に対してメサ構造とは反対側の基板裏面にはカソード電極１２（図４及び図６参照）が形成されている。

　（作用）
　次に、本実施形態の半導体レーザ装置１Ａの作用について説明する。
　図１１は、比較例の半導体レーザ装置１Ｘをレーザシステム１００に適用した場合の模式的な回路図を示している。比較例の半導体レーザ装置１Ｘは、本実施形態の半導体レーザ装置１Ａと比較知れ、回路上、ドライバ回路１４０の入力電極１４２が電源１１０の負極、及びコンデンサ３０に接続されている点が異なる。

　図１２は、比較例の半導体レーザ装置１Ｘが適用されたレーザシステム１００を駆動した場合の半導体レーザ素子１０に流れる電流の推移と、スイッチング素子２０のゲート電極２３に印加される電圧の推移とを示したグラフである。図１３は、比較例の半導体レーザ装置１Ｘが適用されたレーザシステム１００を駆動した場合の第１駆動用接続部材８１，８２に印加される電圧の推移を示したグラフである。

　図１１に示すように、比較例の半導体レーザ装置１Ｘが適用されたレーザシステム１００の電源１１０から半導体レーザ装置１Ｘに電力を供給する場合、スイッチング素子２０がオフ状態の場合にコンデンサ３０に蓄電され、スイッチング素子２０がオン状態の場合にコンデンサ３０に蓄電された電荷が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れる。ここで、例えばパルス幅が１０ｎｓとなる短いパルス幅でレーザ光を出射する場合、半導体レーザ素子１０に流れる電流の立ち上りが急峻となる。このため、半導体レーザ装置１Ｘの寄生インダクタンスに大きな起電圧が発生する。これにより、スイッチング素子２０にも大きなパルス電流が流れ、ソース電極２２とコンデンサ３０（３０Ａ，３０Ｂ）の第１端子３１との間のインダクタンス、すなわち第１駆動用接続部材８１，８２に起因する寄生インダクタンスに起電圧ＶＬｓが発生する。この場合、ドライバ回路１４０の入力電極１４２と出力電極１４１との間の電圧Ｖｇでスイッチング素子２０のゲート電極２３を印加しようとしても、起電圧ＶＬｓによって、実際のゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓ（制御電圧）は、Ｖｇ－ＶＬｓの電圧となってしまう。このような電圧Ｖｇｓの低下によってスイッチング素子２０のオン抵抗が十分に下がらない状態でコンデンサ３０の電荷が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れるため、半導体レーザ素子１０に流れる電流ＩＬＤが小さくなる。すなわち、図１２及び図１３に示すように、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間において電圧Ｖｇｓが立ち上がるときにゲート電流が流れることで起電圧ＶＬｓが発生し、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの間においてゲート電流が安定する領域で起電圧ＶＬｓが一旦降下する。そして時刻ｔ３から時刻ｔ４までの急峻な電流ＩＬＤが立ち上がるときに起電圧ＶＬｓが大きく上昇し、これによって、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間において電圧Ｖｇｓが大きく低下してしまう。その結果、電流ＩＬＤのピーク値が大きくならない。

　この点に鑑み、本実施形態では、図１４に示すように、レーザシステム１００に半導体レーザ装置１Ａを適用する場合、電源１１０の正極１１１が第４端子用導電部６９Ａ及び第４駆動用連絡部７６Ａ（ともに図３参照）を介して第４駆動用導電部６４Ａに接続され、電源１１０の負極１１２が第１端子用導電部６６Ａ及び第１駆動用連絡部７３Ａ（ともに図３参照）を介して第１駆動用導電部６１Ａに接続されている。またドライバ回路１４０の出力電極１４１が制御端子用導電部７０及び制御用連絡部７７（ともに図３参照）を介して制御用導電部６５に接続され、入力電極１４２が第２端子用導電部６７及び第２駆動用連絡部７４（ともに図３参照）を介して第２駆動用導電部６２に接続されている。このような接続構成によれば、図１５に示すように、電源１１０から半導体レーザ装置１Ａに電力を供給する場合、スイッチング素子２０がオフ状態の場合にコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに蓄電され、スイッチング素子２０がオン状態の場合にコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに蓄電された電荷が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れる。より詳細には、コンデンサ３０Ａに蓄電された電荷に基づく電流が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れる第１駆動用ループと、コンデンサ３０Ｂに蓄電された電荷に基づく電流が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れる第２駆動用ループとが個別に形成される。具体的には、第１駆動用ループでは、コンデンサ３０Ａの第２端子３２、第４駆動用導電部６４Ａ、レーザ用接続部材８５、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１、カソード電極１２、第３駆動用導電部６３、スイッチング素子２０のドレイン電極２１、ソース電極２２、第１駆動用接続部材８１、及びコンデンサ３０Ａの第１端子３１の順に電流が流れる。第２駆動用ループでは、コンデンサ３０Ａの第２端子３２、第４駆動用導電部６４Ｂ、レーザ用接続部材８６、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１、カソード電極１２、第３駆動用導電部６３、スイッチング素子２０のドレイン電極２１、ソース電極２２、第１駆動用接続部材８２、及びコンデンサ３０Ｂの第１端子３１の順に電流が流れる。そして、スイッチング素子２０のソース電極２２から第１駆動用導電部６１Ａを介して電源１１０の負極に電流が流れる。

　一方、ドライバ回路１４０の入力電極１４２と出力電極１４１との間に電圧Ｖｇが生じることによってスイッチング素子２０のゲート電極２３にゲート・ソース間電圧である電圧Ｖｇｓが印加される。具体的には、ドライバ回路１４０とスイッチング素子２０との間には、ドライバ回路１４０の出力電極１４１、制御端子用導電部７０、制御用連絡部７７、制御用導電部６５、制御用接続部材８４、ゲート電極２３、ソース電極２２、第２駆動用接続部材８３、第２駆動用導電部６２、第２駆動用連絡部７４、第２端子用導電部６７、及び入力電極１４２の順に電流が流れる制御ループが形成される。このように、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループとは独立して、入力電極１４２とソース電極２２とが電気的に接続されるため、ゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓは、入力電極１４２に繋がるソース電極２２の電位に基づいて生成される。

　このように、電源１１０と半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０との間の電流の第１駆動用ループ及び第２駆動用ループと、ドライバ回路１４０とスイッチング素子２０との間の電流の制御用ループとが個別に形成されるため、ドライバ回路１４０の入力電極１４２に印加される電圧Ｖｇ及びゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓがそれぞれ、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループによる影響を受け難くなる。すなわち、第２駆動用接続部材８３が入力電極１４２とソース電極２２とを電気的に接続するため、ドライバ回路１４０が第１駆動用接続部材８１，８２に起因する寄生インダクタンスＬｓによる起電圧ＶＬｓの影響を受け難くなる。

　このため、図１５に示すように、電圧Ｖｇｓは、比較例の半導体レーザ装置１Ｘの電圧Ｖｇｓよりも速やかに立ち上がるとともに起電圧ＶＬｓによる電圧低下も殆ど生じていない。このため、本実施形態の半導体レーザ素子１０に流れる電流ＩＬＤのピーク値は、比較例の半導体レーザ装置１Ｘの半導体レーザ素子１０に流れる電流ＩＬＤのピーク値よりも大きくなる。また、電流ＩＬＤの立ち上りも急峻になる。加えて、本実施形態では、電圧Ｖｇｓが速やかに立ち上り、電圧Ｖｇｓの大きな低下もないため、本実施形態の電流ＩＬＤのパルス幅ＰＷは、比較例の半導体レーザ装置１Ｘの電流ＩＬＤのパルス幅ＰＷよりも小さくなる。

　（効果）
　本実施形態の半導体レーザ装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）半導体レーザ装置１Ａは、スイッチング素子２０のソース電極２２と第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂとを接続する第１駆動用接続部材８１，８２と、ソース電極２２と第２駆動用導電部６２とを接続する第２駆動用接続部材８３とを備える。この構成によれば、スイッチング素子２０のソース電極２２から第１駆動用接続部材８１，８２を介して第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂに流れる電流の第１経路である第１駆動用ループ及び第２駆動用ループと、ソース電極２２から第２駆動用接続部材８３を介して第２駆動用導電部６２に流れる電流の第２経路である制御用ループとが個別に形成される。したがって、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループの電流の変動が制御用ループに影響を及ぼすことが低減される。すなわち、制御用ループにおいて、第１駆動用接続部材８１，８２のインダクタンスの影響を受け難くなる。したがって、制御用ループにおいて、第１駆動用接続部材８１，８２のインダクタンスに起因する逆起電圧（起電圧ＶＬｓ）が、スイッチング素子２０のゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓに及ぼす影響を低減できる。

　（１－２）縦方向Ｙにおいて、第２駆動用導電部６２は、スイッチング素子２０に対して半導体レーザ素子１０とは反対側に配置されている。この構成によれば、制御用ループを第１駆動用ループ及び第２駆動用ループから遠い位置に形成することができる。したがって、制御用ループが第１駆動用ループ及び第２駆動用ループから影響をより受け難くなる。

　（１－３）半導体レーザ装置１Ａは、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂを備える。この構成によれば、１個のコンデンサと比較して、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂを並列に接続することでコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの寄生インダクタンスによる影響を低減することができ、よりピークが大きくパルス幅の小さい電流を半導体レーザ素子１０に流すことができる。このため、出力の高い半導体レーザ素子１０を適用できる。

　（１－４）コンデンサ３０Ａ，３０Ｂが縦方向Ｙにおいてスイッチング素子２０に対して半導体レーザ素子１０寄りに配置されている。この構成によれば、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループを制御用ループから遠い位置に形成することができる。したがって、制御用ループが第１駆動用ループ及び第２駆動用ループから影響をより受け難くなる。加えて、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループにおける電流経路の長さが短くなるため、半導体レーザ装置１Ａのインダクタンスを低減できる。

　（１－５）コンデンサ３０Ａ，３０Ｂがスイッチング素子２０の横方向Ｘの両側に配置され、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂがスイッチング素子２０の横方向Ｘの両側に配置されている。第１駆動用接続部材８１がスイッチング素子２０のソース電極２２と第１駆動用導電部６１Ａとを接続し、第１駆動用接続部材８２がソース電極２２と第１駆動用導電部６１Ｂとを接続している。この構成によれば、電流の経路として、駆動用ループとして第１駆動用ループ及び第２駆動用ループの２つの駆動用ループが形成される。したがって、１つの駆動用ループと比較して、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループの長さが短くなるとともに、第１駆動用ループと第２駆動用ループとの電流のバランスを取ることができる。

　（１－６）半導体レーザ装置１Ａは、スイッチング素子２０のドレイン電極２１と半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とを接続する第３駆動用導電部６３を備える。この構成によれば、第３駆動用導電部６３によってドレイン電極２１とカソード電極１２とを最短距離で接続できるとともに、ワイヤと比較して第３駆動用導電部６３の断面積を大きく取ることができる。したがって、カソード電極１２とドレイン電極２１との間のインダクタンスを低減できる。

　（１－７）横方向Ｘにおいて制御用導電部６５と第２駆動用導電部６２とは隣り合っている。この構成によれば、制御用ループを構成する電流経路を小さくすることができるため、制御用ループにおけるインダクタンスを低減できる。

　また、第２駆動用導電部６２は、複数の第１駆動用接続部材８２のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに最も近い第１駆動用接続部材８２よりも制御用導電部６５の近くとなるように配置されている。この構成によれば、制御用ループが第２駆動用ループの影響を受け難くなる。

　（１－８）第１駆動用接続部材８１，８２はそれぞれ、複数本のワイヤからなる。この構成によれば、第１駆動用導電部６１Ａとスイッチング素子２０のソース電極２２との間のインダクタンス、及び第１駆動用導電部６１Ｂとソース電極２２との間のインダクタンスをそれぞれ低減できる。

　（１－９）第１駆動用接続部材８１，８２の線径と第２駆動用接続部材８３の線径とは互いに等しい。この構成によれば、第１駆動用接続部材８１，８２及び第２駆動用接続部材８３をそれぞれワイヤボンディングによって形成する場合、線材を変更しなくてもよくなる。したがって、第１駆動用接続部材８１，８２及び第２駆動用接続部材８３を形成する工程を簡素化できる。

　（１－１０）第１駆動用接続部材８１，８２の線径、第２駆動用接続部材８３の線径、及びレーザ用接続部材８５，８６の線径は互いに等しい。この構成によれば、各駆動用接続部材８１～８３及びレーザ用接続部材８５，８６をそれぞれワイヤボンディングによって形成する場合、線材を変更しなくてもよくなる。したがって、各駆動用接続部材８１～８３及びレーザ用接続部材８５，８６を形成する工程を簡素化できる。

　（１－１１）第１駆動用接続部材８１，８２の線径、第２駆動用接続部材８３の線径、制御用接続部材８４の線径、及びレーザ用接続部材８５，８６の線径は互いに等しい。この構成によれば、各接続部材８１～８６をそれぞれワイヤボンディングによって形成する場合、線材を変更しなくてもよくなる。したがって、各接続部材８１～８６を形成する工程を簡素化できる。

　（１－１２）第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂにおける半導体レーザ素子１０寄りの端部は、平面視において半導体レーザ素子１０に近接している。レーザ用接続部材８５は第４駆動用導電部６４Ａにおける半導体レーザ素子１０寄りの端部に接合され、レーザ用接続部材８６は第４駆動用導電部６４Ｂにおける半導体レーザ素子１０寄りの端部に接合されている。この構成によれば、レーザ用接続部材８５，８６の長さを短くすることができるため、レーザ用接続部材８５，８６に起因するインダクタンスを低減できる。

　（１－１３）支持基板５０の基材５１の基材裏面５１ｂの隣り合う裏面側導電部６０Ｂの間の隙間が、基材主面５１ａの隣り合う主面側導電部６０Ａの間の隙間よりも大きい。これにより、配線基板に実装したときに半田等の導電性接合部材が隣り合う裏面側導電部６０Ｂを繋ぐように形成されることが抑制される。このため、短絡が生じ難くなる。

　また換言すると、基材主面５１ａの隣り合う主面側導電部６０Ａの間の隙間が基材裏面５１ｂの隣り合う裏面側導電部６０Ｂの間の隙間よりも小さい。これにより、スイッチング素子２０と第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂとを接続する第１駆動用接続部材８１，８２の長さを短くできる。また、スイッチング素子２０と第２駆動用導電部６２とを接続する第１駆動用接続部材８２の長さを短くできる。また、スイッチング素子２０と制御用導電部６５とを接続する制御用接続部材８４の長さを短くできる。また、半導体レーザ素子１０と第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂとを接続するレーザ用接続部材８５，８６の長さを短くできる。したがって、各接続部材８１～８６に起因するインダクタンスを低減できる。加えて、制御用接続部材８４の長さが短くなることによって、ドライバ回路１４０からの信号にノイズが発生し難くなる。

　（１－１４）半導体レーザ素子１０は、基材５１の横方向Ｘの中央部に配置されている。この構成によれば、半導体レーザ素子１０の支持基板５０に対する横方向Ｘの偏りがなくなるため、配線基板の配線パターンを半導体レーザ素子１０の上記偏りを考慮せずに設計できる。したがって、半導体レーザ装置１Ａの使い勝手がよくなる。

　（１－１５）半導体レーザ素子１０は、１０ｎｓ以下のパルス幅のレーザ光を出射可能である。この構成によれば、半導体レーザ装置１Ａが用いられた２次元又は３次元距離計測の精度を高めることができる。

　一方、このような半導体レーザ素子１０では、パルス幅が短いため、半導体レーザ素子１０に流れる電流ＩＬＤの時間的な変化が急峻になり易い。すなわち、スイッチング素子２０のゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇに対するコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１とスイッチング素子２０のソース電極２２との間のインダクタンスＬｓの影響が大きくなる。しかし、本実施形態では、上述のように、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループと制御用ループとが個別に形成されることにより、電圧Ｖｇに対するインダクタンスＬｓの影響が低減されるため、半導体レーザ素子１０に流れる電流ＩＬＤを大きくすることができる。

　［第１実施形態の変更例］
　第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａは例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第１実施形態と共通する部分については、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・第１実施形態では、半導体レーザ装置１Ａは、１個の半導体レーザ素子１０を備える構成であったが、半導体レーザ素子１０の個数は特に限定されず、任意に変更可能である。すなわち、半導体レーザ装置１Ａは、複数の半導体レーザ素子１０を備えてもよい。一例では、図１７に示すように、半導体レーザ装置１Ａは、２個の半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂを備える。

　図１７に示すとおり、平面視における第３駆動用導電部６３及び第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの形状がそれぞれ、第１実施形態の第３駆動用導電部６３及び第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂと異なる。具体的には、半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂを載置するため、第３駆動用導電部６３の半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの大きさを大きくしている。一方、半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの大きさを大きくすることに伴い、第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの横方向Ｘの大きさを小さくしている。これにより、半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂを備える半導体レーザ装置１Ａの大型化を抑制できる。

　半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂはそれぞれ、半導体レーザ素子実装部６３ｂに導電性接合材によって実装されている。半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂは、縦方向Ｙにおいて互いに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂはそれぞれ、カソード電極１２（図１７では図示略）が半導体レーザ素子実装部６３ｂに対面するように配置されている。このため、半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂのカソード電極１２は、半導体レーザ素子実装部６３ｂに電気的に接続されている。すなわち、半導体レーザ素子１０Ａのカソード電極１２と半導体レーザ素子１０Ｂのカソード電極１２とが電気的に接続されている。

　半導体レーザ素子１０Ａは、横方向Ｘにおいて半導体レーザ素子実装部６３ｂのうちの第４駆動用導電部６４Ａ側に配置されている。半導体レーザ素子１０Ａのアノード電極１１と第４駆動用導電部６４Ａとは、４本のレーザ用接続部材８５によって電気的に接続されている。４本のレーザ用接続部材８５は、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。

　半導体レーザ素子１０Ｂは、横方向Ｘにおいて半導体レーザ素子実装部６３ｂのうちの第４駆動用導電部６４Ｂ側に配置されている。半導体レーザ素子１０Ｂのアノード電極１１と第４駆動用導電部６４Ｂとは、４本のレーザ用接続部材８６によって電気的に接続されている。４本のレーザ用接続部材８６は、縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。

　図１８に示すように、厚さ方向Ｚからみた裏面側導電部６０Ｂの形状、すなわち厚さ方向Ｚからみた各端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ、６７，６８，６９Ａ，６９Ｂ，７０の形状は、第１実施形態の厚さ方向Ｚからみた各端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ、６７，６８，６９Ａ，６９Ｂ，７０の形状と同じである。

　一方、連絡部６０Ｃとして第３駆動用連絡部７５の個数及び配置態様が第１実施形態の第３駆動用連絡部７５と異なる。具体的には、スイッチング素子側連絡部７５ａの個数が第１実施形態のスイッチング素子側連絡部７５ａの個数よりも少ない。図１８では、スイッチング素子側連絡部７５ａは、厚さ方向Ｚにおいてスイッチング素子２０と重なる位置に４個設けられている。半導体レーザ素子側連絡部７５ｂの個数が第１実施形態の半導体レーザ素子側連絡部７５ｂの個数よりも多い。図１８では、半導体レーザ素子側連絡部７５ｂは、厚さ方向Ｚにおいて半導体レーザ素子１０Ａと重なる位置、及び厚さ方向Ｚにおいて半導体レーザ素子１０Ｂと重なる位置にそれぞれ設けられている。

　このように、図１７及び図１８に示すような複数の半導体レーザ素子１０を備える半導体レーザ装置１Ａによれば、半導体レーザ装置１Ａから出射されるレーザ光の強度が高くなる。

　・図１７の変更例において、図１９に示すように、半導体レーザ素子１０Ａのアノード電極１１と半導体レーザ素子１０Ｂのアノード電極１１とを接続する素子接続部材８７を追加してもよい。素子接続部材８７は、例えばＡｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属からなるワイヤである。素子接続部材８７はワイヤボンディングによって形成される。素子接続部材８７の本数は、特に限定されないが、図１９では１本である。素子接続部材８７の線径は、特に限定されないが、例えばレーザ用接続部材８５，８６の線径と等しい。ここで、素子接続部材８７の線径とレーザ用接続部材８５，８６の線径との差が例えばレーザ用接続部材８５，８６の線径の５％以内であれば、素子接続部材８７の線径がレーザ用接続部材８５，８６の線径と等しいと言える。なお、図１９に示す半導体レーザ装置１Ａの裏面側導電部６０Ｂの構成及び形状は、図１８に示す変更例の半導体レーザ装置１Ａの裏面側導電部６０Ｂと同じである。

　図１９に示す半導体レーザ装置１Ａによれば、素子接続部材８７によって半導体レーザ素子１０Ａのアノード電極１１と半導体レーザ素子１０Ｂのアノード電極１１とを接続しているため、半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂを介して第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂが電気的に接続される。これにより、電源１１０の正極を半導体レーザ装置１Ａに接続する際に第４駆動用導電部６４Ａのみに電源１１０の正極を接続すればよくなるため、電源１１０と半導体レーザ装置１Ａとの接続構造を簡素化できる。

　・図１７の変更例において、半導体レーザ装置１Ａは、横方向Ｘに並んで配列されている複数の半導体発光層１４と、複数の半導体発光層１４を接続する１つの電極とを有する半導体レーザ素子を備えてもよい。一例では、図２０に示すように、半導体レーザ装置１Ａは、２個の半導体発光層１４Ａ，１４Ｂ（図２１参照）を有する半導体レーザ素子１０Ｃを備えてもよい。図２０に示すとおり、平面視における半導体レーザ素子１０Ｃの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。半導体レーザ素子１０Ｃの横方向Ｘの大きさは、第１実施形態の半導体レーザ素子１０の横方向Ｘの大きさよりも大きい。

　図２１に示すように、半導体レーザ素子１０Ｃは、基板１３と、基板１３上において横方向Ｘに並べられた半導体発光層１４Ａ，１４Ｂとを有する。半導体発光層１４Ａ，１４Ｂは、第１実施形態の半導体発光層１４と同様の構成である。絶縁層１６は、半導体発光層１４Ａ，１４Ｂの両方を覆っている。絶縁層１６における半導体発光層１４Ａの頂部にはコンタクト開口部１６ｂが形成され、絶縁層１６における半導体発光層１４Ｂの頂部にはコンタクト開口部１６ｃが形成されている。コンタクト開口部１６ｂは半導体発光層１４Ａを露出し、コンタクト開口部１６ｃは半導体発光層１４Ｂを露出している。コンタクト開口部１６ｂ，１６ｃには、コンタクト電極１７が形成されている。コンタクト電極１７は、コンタクト開口部１６ｂからコンタクト開口部１６ｃまでにわたり絶縁層１６上に形成されている。このため、コンタクト電極１７は、半導体発光層１４Ａ，１４Ｂの両方と電気的に接続されている。すなわち、コンタクト電極１７は、複数の半導体発光層１４を接続する１つの電極に相当する。コンタクト電極１７上には、アノード電極１１（図２０参照）が形成されている。

　図２０及び図２１に示す半導体レーザ装置１Ａによれば、図１７～図１９に示す半導体レーザ装置１Ａと比較して、半導体レーザ素子が１チップとなり、２つの半導体レーザ素子のアノード電極同士を接続する接続部材も不要となるため、半導体レーザ装置１Ａの構成を簡素化できる。

　・裏面側導電部６０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、裏面側導電部６０Ｂは、第１端子用導電部６６Ｂと第３端子用導電部６８とを一体化してもよい。例えば、図２２に示すように、半導体レーザ装置１Ａは、第１端子用導電部６６Ｂ、第３端子用導電部６８、及び第４端子用導電部６９Ｂ（ともに図３参照）を一体化した端子用導電部７８を備えてもよい。この場合、平面視における端子用導電部７８の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。なお、平面視における端子用導電部７８の形状は任意に変更可能である。例えば、平面視における端子用導電部７８の形状は正方形であってもよい。平面視における端子用導電部７８の面積は、第１実施形態の平面視における第１端子用導電部６６Ｂ、第３端子用導電部６８、及び第４端子用導電部６９Ｂの面積の合計よりも大きい。このため、端子用導電部７８による半導体レーザ装置１Ａの放熱性能が向上する。

　また、端子用導電部７８は、第３端子用導電部６８と第１端子用導電部６６Ｂ及び第４端子用導電部６９Ｂとを電気的に接続した構成となるため、第１駆動用連絡部７３Ｂ及び第４駆動用連絡部７６Ｂ（ともに図３参照）をそれぞれ省略できる。したがって、半導体レーザ装置１Ａの構成を簡素化できる。なお、端子用導電部７８と第１駆動用導電部６１Ｂとを繋ぐような第１駆動用連絡部７３Ｂと、端子用導電部７８と第４駆動用導電部６４Ｂとを繋ぐような第４駆動用連絡部７６Ｂとを追加してもよい。

　・主面側導電部６０Ａと裏面側導電部６０Ｂとを繋ぐ構成は、スルーホール７１に限られない。例えば、図２３及び図２４に示すように、連絡部６０Ｃの一部に代えて、側面連絡部６０Ｄが設けられてもよい。側面連絡部６０Ｄが基材５１の第２基材側面５１ｄ，第３基材側面５１ｅ、及び第４基材側面５１ｆにそれぞれ形成されている。この場合、主面側導電部６０Ａ及び裏面側導電部６０Ｂと基材５１との配置態様が異なる。

　具体的には、第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５と、第２端子用導電部６７及び制御端子用導電部７０との配置構成がそれぞれ異なる。より詳細には、横方向Ｘからみて、第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５はそれぞれ、第３駆動用導電部６３に重なっている。第２駆動用導電部６２は、横方向Ｘにおいて第３駆動用導電部６３よりも第４基材側面５１ｆの近くに配置されている。制御用導電部６５は、横方向Ｘにおいて第３駆動用導電部６３よりも第３基材側面５１ｅの近くに配置されている。第２端子用導電部６７は、厚さ方向Ｚにおいて第２駆動用導電部６２と重なるように配置されている。制御端子用導電部７０は、厚さ方向Ｚにおいて制御用導電部６５と重なるように配置されている。このように、横方向Ｘからみて、第２端子用導電部６７及び制御端子用導電部７０はそれぞれ、第３端子用導電部６８と重なっている。第２端子用導電部６７は、横方向Ｘにおいて第３端子用導電部６８よりも第４基材側面５１ｆの近くに配置されている。制御端子用導電部７０は、横方向Ｘにおいて第３端子用導電部６８よりも第３基材側面５１ｅの近くに配置されている。

　加えて、主面側導電部６０Ａ及び裏面側導電部６０Ｂがそれぞれ第２基材側面５１ｄ、第３基材側面５１ｅ、及び第４基材側面５１ｆのそれぞれに繋がるように延びている。より詳細には、第１駆動用導電部６１Ａ、第４駆動用導電部６４Ａ、及び制御用導電部６５がそれぞれ第３基材側面５１ｅに繋がっている。第１駆動用導電部６１Ｂ、第２駆動用導電部６２、及び第４駆動用導電部６４Ｂがそれぞれ第４基材側面５１ｆに繋がっている。第３駆動用導電部６３が第２基材側面５１ｄに繋がっている。また第１端子用導電部６６Ａ、第４端子用導電部６９Ａ、及び制御端子用導電部７０がそれぞれ第３基材側面５１ｅに繋がっている。第１端子用導電部６６Ｂ、第２端子用導電部６７、及び第４端子用導電部６９Ｂがそれぞれ第４基材側面５１ｆに繋がっている。第３端子用導電部６８が第２基材側面５１ｄに繋がっている。

　第２基材側面５１ｄにおける第３駆動用導電部６３及び第３端子用導電部６８が配置される部分には、凹部５３Ａ，５３Ｂが設けられている。平面視において、凹部５３Ａ，５３Ｂはそれぞれ、第２基材側面５１ｄから第１基材側面５１ｃに向けて湾曲状に凹んでいる。凹部５３Ａ，５３Ｂは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配列されている。

　第３基材側面５１ｅには、凹部５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃが設けられている。平面視において、凹部５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃはそれぞれ、第３基材側面５１ｅから第４基材側面５１ｆに向けて湾曲状に凹んでいる。凹部５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃは、縦方向Ｙにおいて間隔をあけて配列されている。凹部５４Ａは、基材５１において第１駆動用導電部６１Ａ及び第１端子用導電部６６Ａが配置されている部分に設けられている。凹部５４Ｂは、基材５１において制御用導電部６５及び制御端子用導電部７０が配置されている部分に設けられている。凹部５４Ｃは、基材５１において第４駆動用導電部６４Ａ及び第４端子用導電部６９Ａが配置されている部分に設けられている。

　第４基材側面５１ｆには、凹部５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃが設けられている。平面視において、凹部５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃはそれぞれ、第４基材側面５１ｆから第３基材側面５１ｅに向けて湾曲状に凹んでいる。凹部５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃは、縦方向Ｙにおいて間隔をあけて配列されている。横方向Ｘからみて、凹部５５Ａは凹部５４Ａと重なる位置に設けられ、凹部５５Ｂは凹部５４Ｂと重なる位置に設けられ、凹部５５Ｃは凹部５４Ｃと重なる位置に設けられている。凹部５５Ａは、基材５１において第１駆動用導電部６１Ｂ及び第１端子用導電部６６Ｂが配置されている部分に設けられている。凹部５５Ｂは、基材５１において第２駆動用導電部６２及び第２端子用導電部６７が配置されている部分に設けられている。凹部５５Ｃは、基材５１において第４駆動用導電部６４Ｂ及び第４端子用導電部６９Ｂが配置されている部分に設けられている。

　凹部５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ～５４Ｃ，５５Ａ～５５Ｃはそれぞれ、基材５１の基材主面５１ａから基材裏面５１ｂまでにわたり形成されている。また、凹部５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ～５４Ｃ，５５Ａ～５５Ｃの形状及び大きさは、互いに等しい。

　側面連絡部６０Ｄは、凹部５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ～５４Ｃ，５５Ａ～５５Ｃのそれぞれに設けられている。側面連絡部６０Ｄは、凹部５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ～５４Ｃ，５５Ａ～５５Ｃをそれぞれ構成する内側面に沿って形成されている。側面連絡部６０Ｄは、側面連絡部７６Ａ～７６Ｈを含む。図２５に示すように、側面連絡部７６Ｃ，７６Ｆはそれぞれ、金属膜７６ａによって構成されている。図面は省略するが、側面連絡部７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｄ，７６Ｅ，７６Ｇ，７６Ｈはそれぞれ、側面連絡部７６Ｃ，７６Ｆと同様に金属膜７６ａによって構成されている。金属膜７６ａの基材５１の基材主面５１ａ寄りの端部は主面側導電部６０Ａに繋がっており、金属膜７６ａの基材５１の基材裏面５１ｂ寄りの端部は裏面側導電部６０Ｂに繋がっている。本実施形態では、金属膜７６ａを構成する材料は、主面側導電部６０Ａ及び裏面側導電部６０Ｂを構成する材料と同じである。

　図２３及び図２４に示すように、側面連絡部７６Ａは、凹部５３Ａに設けられており、第３駆動用導電部６３と第３端子用導電部６８とを繋いでいる。側面連絡部７６Ｂは、凹部５３Ｂに設けられており、第３駆動用導電部６３と第３端子用導電部６８とを繋いでいる。側面連絡部７６Ｃは、凹部５４Ａに設けられており、第１駆動用導電部６１Ａと第１端子用導電部６６Ａとを繋いでいる。側面連絡部７６Ｄは、凹部５４Ｂに設けられており、第２駆動用導電部６２と第２端子用導電部６７とを繋いでいる。側面連絡部７６Ｅは、凹部５４Ｃに設けられており、第４駆動用導電部６４Ａと第４端子用導電部６９Ａとを繋いでいる。側面連絡部７６Ｆは、凹部５５Ａに設けられており、第１駆動用導電部６１Ｂと第１端子用導電部６６Ｂとを繋いでいる。側面連絡部７６Ｇは、凹部５５Ｂに設けられており、制御用導電部６５と制御端子用導電部７０とを繋いでいる。側面連絡部７６Ｈは、凹部５５Ｃに設けられており、第４駆動用導電部６４Ｂと第４端子用導電部６９Ｂとを繋いでいる。

　この構成によれば、半導体レーザ装置１Ａを配線基板等に例えば半田によって接合される場合、半田フィレットが側面連絡部６０Ｄに形成される。このため、作業者が側面連絡部６０Ｄに形成された半田フィレットを視認することによって、半導体レーザ装置１Ａの接合状態を確認できる。

　また、図２３及び図２４に示す変更例の半導体レーザ装置１Ａでは、側面連絡部７６Ｃ，７６Ｆを設けたことによって第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂ（図３参照）が省略され、側面連絡部７６Ｂを設けたことによって第２駆動用連絡部７４（図３参照）が省略され、側面連絡部７６Ｅ，７６Ｈが設けられたことによって第４駆動用連絡部７６Ａ，７６Ｂ（図３参照）が省略され、側面連絡部７６Ｇが設けられたことによって制御用連絡部７７（図３参照）が省略されている。

　なお、第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂ、第２駆動用連絡部７４、第４駆動用連絡部７６Ａ，７６Ｂ、及び制御用連絡部７７の少なくとも１つを図２３及び図２４に示す変更例の半導体レーザ装置１Ａに追加してもよい。

　・第１駆動用導電部６１Ａと第４駆動用導電部６４Ａとに接合されるコンデンサ３０Ａの個数と、第１駆動用導電部６１Ｂと第４駆動用導電部６４Ｂとに接合されるコンデンサ３０Ｂの個数とはそれぞれ任意に変更可能である。コンデンサ３０Ａ，３０Ｂはそれぞれ、複数個設けられていてもよい。また、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂの個数は、例えば半導体レーザ素子１０の出力に応じて設定してもよい。

　［第２実施形態］
　図２６及び図２７を参照して、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂについて説明する。本実施形態の半導体レーザ装置１Ｂは、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａと比較して、導電部６０の構成と、半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの配置構成とが異なる。本実施形態では、便宜上、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図２６に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置１Ｂでは、半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０が支持基板５０の横方向Ｘの中央部に配置されておらず、支持基板５０の横方向Ｘの中央部よりも第４基材側面５１ｆ側に偏寄して配置されている。また本実施形態の半導体レーザ装置１Ｂでは、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂがスイッチング素子２０の両側に配置されておらず、横方向Ｘにおいてスイッチング素子２０に対して第３基材側面５１ｅ側に配置されている。このような半導体レーザ素子１０、スイッチング素子２０、及びコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの配置構成に対して導電部６０の構成が第１実施形態の導電部６０の構成と異なる。

　具体的には、主面側導電部６０Ａは、第１駆動用導電部６１、第２駆動用導電部６２、第３駆動用導電部６３、第４駆動用導電部６４、及び制御用導電部６５を有する。すなわち、第１駆動用導電部６１及び第４駆動用導電部６４がそれぞれ１つである。

　第１駆動用導電部６１は、横方向Ｘにおいて基材５１のうちの第３基材側面５１ｅ寄りの部分に配置されている。第１駆動用導電部６１は、縦方向Ｙにおいて基材５１の第２基材側面５１ｄ寄りの部分に配置されている。すなわち、第１駆動用導電部６１は、その縦方向Ｙの中央部が基材５１の縦方向Ｙの中央部よりも第２基材側面５１ｄの近くに位置するように基材５１に配置されている。平面視における第１駆動用導電部６１の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。

　第４駆動用導電部６４は、横方向Ｘにおいて基材５１のうちの第３基材側面５１ｅ寄りの部分、かつ縦方向Ｙにおいて基材５１のうちの第１基材側面５１ｃ寄りの部分に配置されている。平面視における第４駆動用導電部６４の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。縦方向Ｙからみて、第４駆動用導電部６４は第１駆動用導電部６１と重なっている。第４駆動用導電部６４の横方向Ｘの大きさは、第１駆動用導電部６１の横方向Ｘの大きさよりも大きい。

　第１駆動用導電部６１及び第４駆動用導電部６４には、コンデンサ３０Ａ，３０ＢがＡｇペースト又は半田等の導電性接合材によって接合されている。コンデンサ３０Ａ，３０Ｂは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて隣り合うように配列されている。コンデンサ３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの第１端子３１は、縦方向Ｙにおいて第１駆動用導電部６１のうちの第４駆動用導電部６４寄りの端部に配置されている。コンデンサ３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの第２端子３２は、縦方向Ｙにおいて第４駆動用導電部６４のうちの第１駆動用導電部６１寄りの端部に配置されている。

　第３駆動用導電部６３は、横方向Ｘにおいて基材５１のうちの第４基材側面５１ｆ寄りの部分に配置されている。第３駆動用導電部６３は、縦方向Ｙにおいて基材５１のうちの第１基材側面５１ｃ寄りに配置されている。すなわち、第３駆動用導電部６３は、その縦方向Ｙの中央部が基材５１の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃの近くに位置するように基材５１に配置されている。第３駆動用導電部６３は、スイッチング素子実装部６３ａと半導体レーザ素子実装部６３ｂとに区分できる。スイッチング素子実装部６３ａと半導体レーザ素子実装部６３ｂとは縦方向Ｙに並んでいる。半導体レーザ素子実装部６３ｂは、第３駆動用導電部６３のうちの縦方向Ｙの第１基材側面５１ｃ寄りの部分である。平面視における半導体レーザ素子実装部６３ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。スイッチング素子実装部６３ａは、半導体レーザ素子実装部６３ｂよりも第２基材側面５１ｄに近い。平面視におけるスイッチング素子実装部６３ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。スイッチング素子実装部６３ａの横方向Ｘの大きさは、半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの大きさよりも大きい。半導体レーザ素子実装部６３ｂは、スイッチング素子実装部６３ａに対して第４基材側面５１ｆ寄りに位置している。このため、第３駆動用導電部６３のうちの半導体レーザ素子実装部６３ｂの横方向Ｘの隣には、切欠部６３ｃが形成されている。切欠部６３ｃの一部には、第４駆動用導電部６４のうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部が入り込んでいる。

　半導体レーザ素子実装部６３ｂには、半導体レーザ素子１０がＡｇペースト又は半田等の導電性接合材によって接合されている。半導体レーザ素子１０は、半導体レーザ素子実装部６３ｂのうちの横方向Ｘの第４駆動用導電部６４寄りの端部に配置されている。半導体レーザ素子１０は、そのカソード電極１２（図２６では図示略）が半導体レーザ素子実装部６３ｂ側に向くように配置されている。このため、カソード電極１２は、導電性接合材を介して半導体レーザ素子実装部６３ｂ（第３駆動用導電部６３）に電気的に接続されている。半導体レーザ素子１０のアノード電極１１は、厚さ方向Ｚにおいて第３駆動用導電部６３とは反対側を向いている。アノード電極１１と第４駆動用導電部６４とは、複数（本実施形態では４本）のレーザ用接続部材８５によって電気的に接続されている。４本のレーザ用接続部材８５は、縦方向Ｙに間隔をおいて配列されている。各レーザ用接続部材８５は、第１端部８５ａ及び第２端部８５ｂを有する。第１端部８５ａは、アノード電極１１に接合されている。具体的には、第１端部８５ａは、アノード電極１１のうちの横方向Ｘの中央部に接合されている。第２端部８５ｂは、第４駆動用導電部６４に接合されている。具体的には、第２端部８５ｂは、第４駆動用導電部６４のうちの半導体レーザ素子実装部６３ｂ寄りの端部に接合されている。

　スイッチング素子実装部６３ａには、スイッチング素子２０が導電性接合材によって接合されている。スイッチング素子２０のドレイン電極２１（図２６では図示略）が厚さ方向Ｚにおいて第３駆動用導電部６３側を向く状態でスイッチング素子２０がスイッチング素子実装部６３ａに接合されている。このため、導電性接合材を介して、ドレイン電極２１は第３駆動用導電部６３に電気的に接続されている。このように、第３駆動用導電部６３を介してドレイン電極２１と半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とが電気的に接続されている。

　本実施形態のスイッチング素子２０は、ソース電極２２及びゲート電極２３の形状及び配置が第１実施形態のスイッチング素子２０のソース電極２２及びゲート電極２３とは異なる。詳細には、ソース電極２２のうちの第２基材側面５１ｄ寄りかつ第４基材側面５１ｆ寄りには切欠部２５が形成されている。切欠部２５には、ゲート電極２３が形成されている。このように、ゲート電極２３は、スイッチング素子２０の素子主面２４ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りかつ第４基材側面５１ｆ寄りの端部に位置している。

　第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５はそれぞれ、縦方向Ｙにおいて第３駆動用導電部６３よりも第２基材側面５１ｄの近くに配置されている。第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５はそれぞれ、横方向Ｘにおいて第１駆動用導電部６１よりも第４基材側面５１ｆの近くに配置されている。第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５は、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘにおいて間隔をあけて配列されている。

　ソース電極２２と第１駆動用導電部６１とは、複数（本実施形態では３本）の第１駆動用接続部材８１によって電気的に接続されている。３本の第１駆動用接続部材８１は、縦方向Ｙにおいて間隔をあけて配列されている。ソース電極２２と第２駆動用導電部６２とは、第２駆動用接続部材８３によって電気的に接続されている。ゲート電極２３と制御用導電部６５とは制御用接続部材８４によって電気的に接続されている。なお、第１駆動用接続部材８１の本数は任意に変更可能である。例えば、第１駆動用接続部材８１の本数を半導体レーザ素子１０の出力に応じて設定してもよい。

　図２７に示すように、裏面側導電部６０Ｂは、第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ、第２端子用導電部６７、第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂ、第４端子用導電部６９、及び制御端子用導電部７０を有する。

　第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂは、縦方向Ｙにおいて間隔をあけて配列されている。第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第１駆動用導電部６１と重なる位置に配置されている。平面視における第１端子用導電部６６Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１端子用導電部６６Ｂは、第１端子用導電部６６Ａよりも第２基材側面５１ｄの近くに配置されている。平面視における第１端子用導電部６６Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１端子用導電部６６Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第１端子用導電部６６Ａの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。

　第２端子用導電部６７は、厚さ方向Ｚにおいて第２駆動用導電部６２と重なる位置に配置されている。第２端子用導電部６７は、縦方向Ｙにおいて第１端子用導電部６６Ｂと揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。

　第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂは、縦方向Ｙにおいて間隔をあけて配列されている。第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第３駆動用導電部６３と重なる位置に配置されている。平面視における第３端子用導電部６８Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における第３端子用導電部６８Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第３端子用導電部６８Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第３端子用導電部６８Ａの縦方向Ｙの大きさよりも小さい。

　第４端子用導電部６９は、縦方向Ｙにおいて第３端子用導電部６８Ｂと揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第４端子用導電部６９は、第３端子用導電部６８Ｂよりも第３基材側面５１ｅの近くに配置されている。第４端子用導電部６９は、横方向Ｘにおいて第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂと揃った状態で第１端子用導電部６６Ａと縦方向Ｙに間隔をあけて配置されている。第４端子用導電部６９は、縦方向Ｙにおいて第１端子用導電部６６Ａに対して第１基材側面５１ｃ側に配置されている。厚さ方向Ｚにおいて、第４端子用導電部６９は、第４駆動用導電部６４と重なる位置に配置されている。

　制御端子用導電部７０は、縦方向Ｙにおいて第２端子用導電部６７と揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。制御端子用導電部７０は、横方向Ｘにおいて第２端子用導電部６７よりも第４基材側面５１ｆの近くに配置されている。厚さ方向Ｚにおいて、制御端子用導電部７０は、制御用導電部６５と重なる位置に配置されている。

　図２６及び図２７に示すように、連絡部６０Ｃは、第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂ、第２駆動用連絡部７４、第３駆動用連絡部７５Ａ，７５Ｂ、第４駆動用連絡部７６、及び制御用連絡部７７を有する。各連絡部７３Ａ，７３Ｂ，７４，７５Ａ，７５Ｂ，７６，７７は、第１実施形態と同様に、スルーホール７１及び導体部７２（図２６及び図２７では図示略）を有する。

　第１駆動用連絡部７３Ａは、第１駆動用導電部６１と第１端子用導電部６６Ａとを繋いでいる。第１駆動用連絡部７３Ａの個数は特に限定されないが、本実施形態では、第１駆動用連絡部７３Ａは４個設けられている。

　第１駆動用連絡部７３Ｂは、第１駆動用導電部６１と第１端子用導電部６６Ｂとを繋いでいる。第１駆動用連絡部７３Ｂの個数は特に限定されないが、本実施形態では、第１駆動用連絡部７３Ｂは２個設けられている。

　第２駆動用連絡部７４は、第２駆動用導電部６２と第２端子用導電部６７とを繋いでいる。
　第３駆動用連絡部７５Ａは、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａと第３端子用導電部６８Ａとを繋いでいる。第３駆動用連絡部７５Ａの個数は特に限定されないが、本実施形態では、第３駆動用連絡部７５Ａは９個設けられている。

　第３駆動用連絡部７５Ｂは、第３駆動用導電部６３の半導体レーザ素子実装部６３ｂと第３端子用導電部６８Ｂとを繋いでいる。第３駆動用連絡部７５Ｂの個数は特に限定されないが、本実施形態では、第３駆動用連絡部７５Ｂは２個設けられている。第３駆動用連絡部７５Ｂのうちの１個は、厚さ方向Ｚにおいて半導体レーザ素子１０と重なる位置に設けられている。

　（作用）
　次に、本実施形態の半導体レーザ装置１Ｂの作用について説明する。
　レーザシステム１００に半導体レーザ装置１Ｂを適用する場合、電源１１０の正極１１１が第４駆動用導電部６４に接続され、電源１１０の負極１１２が第１駆動用導電部６１に接続されている。またドライバ回路１４０の出力電極１４１が制御用導電部６５に接続され、入力電極１４２が第２駆動用導電部６２に接続されている。このように、電源１１０から半導体レーザ装置１Ｂに電流を供給する場合、スイッチング素子２０がオフ状態の場合にコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに蓄電され、スイッチング素子２０がオン状態の場合にコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに蓄電された電荷が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れる。これにより、半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に電流が流れる。そして、スイッチング素子２０のソース電極２２から第１駆動用導電部６１を介して電源１１０の負極に電流が流れる。より詳細には、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ蓄電された電荷に基づく電流が半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０に流れる駆動用ループが形成される。具体的には、駆動用ループでは、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第２端子３２、第４駆動用導電部６４、レーザ用接続部材８５、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１、カソード電極１２、第３駆動用導電部６３、スイッチング素子２０のドレイン電極２１、ソース電極２２、第１駆動用接続部材８１、及びコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１の順に電流が流れる。

　このように、電源１１０と半導体レーザ素子１０及びスイッチング素子２０との間の電流の駆動用ループと、ドライバ回路１４０とスイッチング素子２０との間の電流の制御用ループとが個別に形成されるため、ドライバ回路１４０の入力電極１４２に印加される電圧Ｖｇ及びゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓがそれぞれ、駆動用ループによる影響を受け難い。したがって、本実施形態の半導体レーザ装置１Ｂによれば、第１実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　［第２実施形態の変更例］
　第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂは例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第２実施形態と共通する部分については、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・第２駆動用導電部６２と制御用導電部６５とを入れ替えてもよい。これに伴い、第２端子用導電部６７及び制御端子用導電部７０も同様に入れ替える。またスイッチング素子２０のソース電極２２の切欠部２５の位置をソース電極２２のうちの第２基材側面５１ｄ寄りかつ第３基材側面５１ｅ寄りに変更する。この場合、ゲート電極２３は、スイッチング素子２０の素子主面２４ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りかつ第３基材側面５１ｅ寄りに位置している。

　・第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂに代えて、第１端子用導電部６６Ａと第１端子用導電部６６Ｂとを一体化した端子用導電部を基材裏面５１ｂに形成してもよい。
　・第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂに代えて、第３端子用導電部６８Ａと第３端子用導電部６８Ｂとを一体化した端子用導電部を基材裏面５１ｂに形成してもよい。

　［第３実施形態］
　図２８及び図２９を参照して、第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体レーザ装置１Ｃは、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂと比較して、導電部６０の一部の形状、及びスイッチング素子２０Ａの電極の配置構成が主に異なる。本実施形態では、便宜上、第２実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図２８に示すように、第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの大きさは、第２実施形態の第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの大きさよりも小さい。第２駆動用導電部６２は、縦方向Ｙからみて、第１駆動用導電部６１と、第３駆動用導電部６３のうちの第１駆動用導電部６１寄りの端部とに重なるように配置されている。第２駆動用導電部６２の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の第２駆動用導電部６２の横方向Ｘの大きさよりも大きい。制御用導電部６５の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の制御用導電部６５の横方向Ｘの大きさよりも大きい。

　図２９に示すように、第２端子用導電部６７は、縦方向Ｙからみて、第１端子用導電部６６Ａと重なり、かつ第３端子用導電部６８のうちの第１端子用導電部６６Ａ寄りの端部と重なるように配置されている。第２端子用導電部６７の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の第２端子用導電部６７の横方向Ｘの大きさよりも大きい。制御端子用導電部７０の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の制御端子用導電部７０の横方向Ｘの大きさよりも大きい。

　図２８及び図２９に示すように、本実施形態では、第１端子用導電部６６Ｂ及び第１駆動用連絡部７３Ｂが省略されている。また第２駆動用連絡部７４が３個設けられ、制御用連絡部７７が２個設けられている。３個の第２駆動用連絡部７４は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。２個の制御用連絡部７７は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。

　図２８に示すように、スイッチング素子２０Ａは、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａに接合材によって接合されている。本実施形態の接合材は、導電性接合材に限定されず、絶縁性の接合材を用いることもできる。平面視におけるスイッチング素子２０Ａの形状は、例えば横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。

　スイッチング素子２０Ａは、例えばＳｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化シリコン）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）等からなるトランジスタが用いられている。スイッチング素子２０ＡがＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、スイッチング素子２０Ａは、ＳｉからなるＮ型のＭＯＳＦＥＴが用いられている。

　スイッチング素子２０Ａは、厚さ方向Ｚにおいて支持基板５０の基材５１の基材主面５１ａと同じ方向を向く素子主面２４ａを有する。素子主面２４ａには、ドレイン電極２１、ソース電極２２、及びゲート電極２３がそれぞれ形成されている。すなわち本実施形態では、図示しない素子裏面には、ドレイン電極２１が形成されていない。このように、本実施形態のスイッチング素子２０Ａは、いわゆる横型構造のトランジスタである。

　ドレイン電極２１とソース電極２２及びゲート電極２３とは縦方向Ｙに間隔をあけて配置されている。ドレイン電極２１は、縦方向Ｙにおいて素子主面２４ａのうちの半導体レーザ素子１０寄りの部分に形成されている。ドレイン電極２１は、第３駆動用接続部材８８によって第３駆動用導電部６３と電気的に接続されている。本実施形態では、３本の第３駆動用接続部材８８がドレイン電極２１と第３駆動用導電部６３とを接続している。３本の第３駆動用接続部材８８は、横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。第３駆動用接続部材８８は、第１端部８８ａ及び第２端部８８ｂを有する。

　各第３駆動用接続部材８８の第１端部８８ａは、ドレイン電極２１に接続されている。これら第１端部８８ａは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。各第３駆動用接続部材８８の第２端部８８ｂは、縦方向Ｙにおいて、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａのうちの半導体レーザ素子実装部６３ｂ寄りの端部に配置されている。これら第２端部８８ｂは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。

　ソース電極２２及びゲート電極２３は、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。ソース電極２２は、横方向Ｘにおいてゲート電極２３に対して第１駆動用導電部６１側に配置されている。

　ソース電極２２は、第１駆動用接続部材８１によって第１駆動用導電部６１と電気的に接続されている。本実施形態では、２本の第１駆動用接続部材８１がソース電極２２と第１駆動用導電部６１とを接続している。またソース電極２２は、第２駆動用接続部材８３によって第２駆動用導電部６２と電気的に接続されている。本実施形態では、１本の第２駆動用接続部材８３がソース電極２２と第２駆動用導電部６２とを接続している。

　２本の第１駆動用接続部材８１のうちのソース電極２２に接続された第１端部８１ａはそれぞれ、第２駆動用接続部材８３のうちのソース電極２２に接続された第１端部８３ａよりもゲート電極２３の近くに配置されている。換言すると、第１端部８３ａは、第１端部８１ａよりも第１駆動用導電部６１（第２駆動用導電部６２）の近くに配置されている。

　２本の第１駆動用接続部材８１のうちの第１駆動用導電部６１に接続された第２端部８１ｂは、縦方向Ｙにおいてコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１と第１駆動用連絡部７３との間に配置されている。第２駆動用接続部材８３のうちの第２駆動用導電部６２に接続された第２端部８３ｂは、横方向Ｘにおいて第２駆動用導電部６２のうちの制御用導電部６５寄りの端部に配置されている。図２８に示すとおり、第２駆動用接続部材８３の長さは、第１駆動用接続部材８１の長さよりも短い。第２駆動用接続部材８３が短く形成できるため、第２駆動用接続部材８３に起因するインダクタンスを低減できる。また、本実施形態の半導体レーザ装置１Ｃによれば、第２実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　［第３実施形態の変更例］
　第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃは例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第１実施形態及び第２実施形態と共通する部分については、第１実施形態及び第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・図３０に示すように、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａ及び半導体レーザ素子実装部６３ｂを縦方向Ｙに離間して配置してもよい。この場合、第３駆動用接続部材８８の第２端部８８ｂは、半導体レーザ素子実装部６３ｂに配置されている。これにより、半導体レーザ素子１０のカソード電極１２（図３０では図示略）とスイッチング素子２０Ａのドレイン電極２１とが電気的に接続される。

　・第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃは、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂの構成を前提として、半導体レーザ装置１Ｂのスイッチング素子２０をスイッチング素子２０Ａに置き換えた構成であったが、これに限られない。第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃは、図３１に示すように、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａの構成を前提として、半導体レーザ装置１Ａのスイッチング素子２０をスイッチング素子２０Ａに置き換えた構成であってもよい。図３１の半導体レーザ装置１Ｃのスイッチング素子２０Ａは、素子主面２４ａに形成されたドレイン電極２１、第１ソース電極２２Ａ、第２ソース電極２２Ｂ、及びゲート電極２３を有する。

　ドレイン電極２１と、第１ソース電極２２Ａ、第２ソース電極２２Ｂ、及びゲート電極２３とは縦方向Ｙに間隔をあけて配置されている。ドレイン電極２１は、縦方向Ｙにおいて素子主面２４ａのうちの半導体レーザ素子１０寄りの部分に形成されている。ドレイン電極２１は、第３駆動用接続部材８８によって第３駆動用導電部６３と電気的に接続されている。図３１では、３本の第３駆動用接続部材８８がドレイン電極２１と第３駆動用導電部６３とを接続している。３本の第３駆動用接続部材８８は、横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。各第３駆動用接続部材８８の第１端部８８ａは、ドレイン電極２１に接続されている。これら第１端部８８ａは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。各第３駆動用接続部材８８の第２端部８８ｂは、縦方向Ｙにおいて、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａのうちの半導体レーザ素子実装部６３ｂ寄りの端部に配置されている。これら第２端部８８ｂは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。

　第１ソース電極２２Ａ、第２ソース電極２２Ｂ、及びゲート電極２３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。ゲート電極２３は、第１ソース電極２２Ａと第２ソース電極２２Ｂとの横方向Ｘの間に配置されている。第１ソース電極２２Ａは、ゲート電極２３に対して第１駆動用導電部６１Ａ側に配置されている。第２ソース電極２２Ｂは、ゲート電極２３に対して第１駆動用導電部６１Ｂ側に配置されている。

　第１ソース電極２２Ａは、第１駆動用接続部材８１によって第１駆動用導電部６１Ａと電気的に接続されている。第２ソース電極２２Ｂは、第１駆動用接続部材８２によって第１駆動用導電部６１Ｂと電気的に接続され、第２駆動用接続部材８３によって第２駆動用導電部６２と電気的に接続されている。第２駆動用接続部材８３の第２端部８３ｂは、第２駆動用導電部６２のうちの縦方向Ｙからみて第２ソース電極２２Ｂと重なる部分に配置されている。このため、第２駆動用接続部材８３の長さを短くできる。ゲート電極２３は、制御用接続部材８４によって制御用導電部６５に接続されている。このような構成によっても、第１駆動用接続部材８１，８２と第２駆動用接続部材８３とが分かれて形成されているため、第１実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　・図３１の半導体レーザ装置１Ｃにおいて、スイッチング素子２０Ａのソース電極の構成を図３２に示すスイッチング素子２０Ａのソース電極の構成に変更できる。具体的には、図３２の半導体レーザ装置１Ｃのスイッチング素子２０Ａは、ソース電極として、第１ソース電極２２Ａ、第２ソース電極２２Ｂ、及び第３ソース電極２２Ｃを有する。各ソース電極２２Ａ～２２Ｃ及びゲート電極２３は、縦方向Ｙにおいてスイッチング素子２０Ａの素子主面２４ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部に配置されている。各ソース電極２２Ａ～２２Ｃ及びゲート電極２３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。

　第１ソース電極２２Ａは、横方向Ｘにおいて各ソース電極２２Ｂ，２２Ｃ及びゲート電極２３よりも第１駆動用導電部６１Ａの近くに配置されている。第２ソース電極２２Ｂは、横方向Ｘにおいて各ソース電極２２Ａ，２２Ｃ及びゲート電極２３よりも第１駆動用導電部６１Ｂの近くに配置されている。このように、第３ソース電極２２Ｃ及びゲート電極２３は、横方向Ｘにおいて第１ソース電極２２Ａと第２ソース電極２２Ｂとの間に配置されている。第３ソース電極２２Ｃは、ゲート電極２３に対して第２ソース電極２２Ｂ側に配置されている。

　第１ソース電極２２Ａは、第１駆動用接続部材８１によって第１駆動用導電部６１Ａに接続されている。第２ソース電極２２Ｂは、第１駆動用接続部材８２によって第１駆動用導電部６１Ｂに接続されている。第３ソース電極２２Ｃは、第２駆動用接続部材８３によって第２駆動用導電部６２に接続されている。第２駆動用接続部材８３の第２端部８３ｂは、横方向Ｘにおいて第２駆動用導電部６２のうちの制御用導電部６５寄りの端部に配置されている。これにより、横方向Ｘにおいて第３ソース電極２２Ｃと第２端部８３ｂとの位置が近づくため、第２駆動用接続部材８３の長さを短くできる。ゲート電極２３は、制御用接続部材８４によって制御用導電部６５に接続されている。制御用接続部材８４の第２端部８４ｂは、横方向Ｘにおいて制御用導電部６５のうちの第２駆動用導電部６２寄りの端部に接続されている。これにより、横方向Ｘにおいてゲート電極２３と第２端部８４ｂとの位置が近づくため、制御用接続部材８４の長さを短くできる。図３２の半導体レーザ装置１Ｃによれば、第１実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　・図３１及び図３２の半導体レーザ装置１Ｃにおいて、第３駆動用導電部６３の形状は任意に変更可能である。一例では、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａ及び半導体レーザ素子実装部６３ｂを縦方向Ｙに離間して配置してもよい。この場合、第３駆動用接続部材８８の第２端部８８ｂは、半導体レーザ素子実装部６３ｂに配置されている。これにより、半導体レーザ素子１０のカソード電極１２とスイッチング素子２０Ａのドレイン電極２１とが電気的に接続される。

　［第４実施形態］
　図３３及び図３４を参照して、第４実施形態の半導体レーザ装置１Ｄについて説明する。本実施形態の半導体レーザ装置１Ｄは、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａと比較して、ドライバ回路１４０が内蔵された点が異なる。本実施形態では、便宜上、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図３３に示すように、本実施形態の支持基板５０の基材５１の平面視における形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ及び第３駆動用導電部６３が縦方向Ｙにおいて基材５１の第１基材側面５１ｃ寄りに配置されている。すなわち第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ及び第３駆動用導電部６３の縦方向Ｙの中央部が基材５１の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃの近くに位置している。また本実施形態では、導電部６０は、主面側導電部６０Ａから第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５（ともに図２参照）が省略され、裏面側導電部６０Ｂから第２端子用導電部６７、及び制御端子用導電部７０（ともに図３参照）が省略された構成である。

　基材５１の基材主面５１ａのうちの第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂ及び第３駆動用導電部６３よりも第２基材側面５１ｄに近い部分には、主面側導電部６０Ａとして、ドライバ回路実装部１５０、第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４が形成されている。

　ドライバ回路実装部１５０は、縦方向Ｙからみて、第３駆動用導電部６３と重なる位置に配置されている。平面視におけるドライバ回路実装部１５０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。ドライバ回路実装部１５０の横方向Ｘの両側には、第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４が配置されている。より詳細には、横方向Ｘにおいてドライバ回路実装部１５０に対して第３基材側面５１ｅ側には、第１電源用導電部１５１及び第２電源用導電部１５２が配置され、ドライバ回路実装部１５０に対して第４基材側面５１ｆ側には、信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４が配置されている。

　第１電源用導電部１５１及び第２電源用導電部１５２は、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。縦方向Ｙからみて、第１電源用導電部１５１及び第２電源用導電部１５２はそれぞれ、第１駆動用導電部６１Ａと重なる位置に配置されている。第１電源用導電部１５１は、縦方向Ｙにおいて第２電源用導電部１５２に対して第１駆動用導電部６１Ａ側に配置されている。

　信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４は、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。縦方向Ｙからみて、信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４は、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに間隔をあけて配列されている。縦方向Ｙからみて、信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４はそれぞれ、第１駆動用導電部６１Ｂと重なる位置に配置されている。信号用導電部１５３は、縦方向Ｙにおいて基準電圧用導電部１５４に対して第１駆動用導電部６１Ｂ側に配置されている。

　平面視における第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４の形状はそれぞれ、正方形である。なお、平面視における第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４の形状はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、平面視における第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４の形状は、縦方向Ｙ及び横方向Ｘの一方が長辺方向となり、縦方向Ｙ及び横方向Ｘの他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。平面視における第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４の形状の少なくとも１つは、他の形状と異なってもよい。

　ドライバ回路実装部１５０には、ドライバ回路１４０が実装されている。本実施形態では、ドライバ回路１４０は、例えばドライバ回路１４０を構成するトランジスタ等の電子部品が封止部材１４３によって封止されたチップとして構成されている。本実施形態では、封止部材１４３は樹脂材料によって電子部品の全体を覆うように構成されているが、封止部材１４３の具体的な構成は特に限定されない。平面視におけるドライバ回路１４０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。

　封止部材１４３は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く封止主面１４３ａ及び封止裏面（図示略）を有する。封止主面１４３ａは、スイッチング素子２０の素子主面２４ａと厚さ方向Ｚにおいて同じ方向を向いている。封止裏面は、スイッチング素子２０の素子裏面２４ｂと厚さ方向Ｚにおいて同じ方向を向いている。封止主面１４３ａには、複数の電極１４４が露出している。複数の電極１４４は、第１電源電極１４４ａ、第２電源電極１４４ｂ、出力電極１４４ｃ、入力電極１４４ｄ、信号電極１４４ｅ、及び基準電圧出力電極１４４ｆを有する。

　第１電源電極１４４ａは、図示しない制御電源の正極に電気的に接続される電極であり、例えば第１電源電圧（Ｖｃｃ）が印加される電極である。第１電源電極１４４ａは、横方向Ｘにおいて封止主面１４３ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちのスイッチング素子２０寄りの端部に配置されている。

　第２電源電極１４４ｂは、制御電源の負極に電気的に接続される電極であり、例えば第１電源電圧（Ｖｃｃ）よりも低い第２電源電圧（ＧＮＤ）が印加される電極である。第２電源電極１４４ｂは、横方向Ｘにおいて封止主面１４３ａのうちの第３基材側面５１ｅ寄りの端部、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部に配置されている。

　出力電極１４４ｃは、スイッチング素子２０のゲート電極２３にゲート電圧を印加するための電極である。出力電極１４４ｃは、封止主面１４３ａのうちの横方向Ｘの中央部、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちのスイッチング素子２０寄りの端部に配置されている。縦方向Ｙからみて、出力電極１４４ｃは、スイッチング素子２０のゲート電極２３と重なる位置に配置されている。

　入力電極１４４ｄは、スイッチング素子２０のソース電極２２と電気的に接続するための電極である。入力電極１４４ｄは、横方向Ｘにおいて封止主面１４３ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちのスイッチング素子２０寄りの端部に配置されている。縦方向Ｙからみて、入力電極１４４ｄは、スイッチング素子２０のソース電極２２と重なる位置に配置されている。

　信号電極１４４ｅは、半導体レーザ装置１Ｄの外部に設けられたゲート信号生成回路（図示略）からゲート信号が入力される電極である。信号電極１４４ｅは、横方向Ｘにおいて封止主面１４３ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部、かつ封止主面１４３ａの縦方向Ｙの中央部に配置されている。

　基準電圧出力電極１４４ｆは、例えば制御電源から印加された第１電源電圧を基準電圧（例えば２．５Ｖ）に変圧して出力するための電極である。この場合、ドライバ回路１４０の内部には、基準電圧を生成するためのレギュレータが設けられている。基準電圧出力電極１４４ｆは、横方向Ｘにおいて封止主面１４３ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部に配置されている。

　ドライバ回路１４０は、複数のドライバ用接続部材１６０によってスイッチング素子２０や主面側導電部６０Ａと電気的に接続されている。複数のドライバ用接続部材１６０は、第１ドライバ用接続部材１６１、第２ドライバ用接続部材１６２、第３ドライバ用接続部材１６３、第４ドライバ用接続部材１６４、第５ドライバ用接続部材１６５、及び第６ドライバ用接続部材１６６を有する。これらドライバ用接続部材１６１～１６５は、例えば第１駆動用接続部材８１，８２及びレーザ用接続部材８５，８６と同一の材料が用いられている。各ドライバ用接続部材１６１～１６５は、例えばＡｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属からなるワイヤである。本実施形態では、各ドライバ用接続部材１６１～１６５はワイヤボンディングによって形成される。各ドライバ用接続部材１６１～１６５の線径は、第１駆動用接続部材８１，８２及びレーザ用接続部材８５，８６の線径と等しい。ここで、各ドライバ用接続部材１６１～１６５の線径と第１駆動用接続部材８１，８２及びレーザ用接続部材８５，８６の線径との最大のずれ量が、例えば第１駆動用接続部材８１の線径の５％以内であれば、各ドライバ用接続部材１６１～１６５の線径が第１駆動用接続部材８１，８２及びレーザ用接続部材８５，８６の線径と等しいと言える。

　第１ドライバ用接続部材１６１は、第１電源電極１４４ａと第１電源用導電部１５１とを接続している。第２ドライバ用接続部材１６２は、第２電源電極１４４ｂと第２電源用導電部１５２とを接続している。第３ドライバ用接続部材１６３は、信号電極１４４ｅと信号用導電部１５３とを接続している。第４ドライバ用接続部材１６４は、基準電圧出力電極１４４ｆと基準電圧用導電部１５４とを接続している。第５ドライバ用接続部材１６５は、出力電極１４４ｃとスイッチング素子２０のゲート電極２３とを接続している。このため、第５ドライバ用接続部材１６５は、ドライバ回路とスイッチング素子の制御電極とを接続する制御用接続部材に相当する。第６ドライバ用接続部材１６６は、入力電極１４４ｄとスイッチング素子２０のソース電極２２とを接続している。このため、第６ドライバ用接続部材１６６は、ドライバ回路とスイッチング素子の第２駆動電極とを接続する第２駆動用接続部材に相当する。第６ドライバ用接続部材１６６は、第１端部１６６ａ及び第２端部１６６ｂを有する。第１端部１６６ａはソース電極２２に接続され、第２端部１６６ｂは入力電極１４４ｄに接続されている。第１端部１６６ａは、縦方向Ｙからみてソース電極２２のうちの入力電極１４４ｄと重なる部分、かつ縦方向Ｙにおいてソース電極２２のうちの入力電極１４４ｄ寄りの端部に接続されている。

　図３４に示すように、裏面側導電部６０Ｂは、ドライバ端子用導電部１５５、第１電源端子用導電部１５６、第２電源端子用導電部１５７、信号端子用導電部１５８、及び基準電圧端子用導電部１５９を有する。

　図３３及び図３４に示すように、ドライバ端子用導電部１５５は、厚さ方向Ｚからみて、基材５１の基材裏面５１ｂにおけるドライバ回路実装部１５０と重なる部分に配置されている。ドライバ端子用導電部１５５の形状及びサイズは、ドライバ回路実装部１５０の形状及びサイズと同じである。第１電源端子用導電部１５６は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける第１電源用導電部１５１と重なる部分に配置されている。第１電源端子用導電部１５６の形状及びサイズは、第１電源用導電部１５１の形状及びサイズと同じである。第２電源端子用導電部１５７は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける第２電源用導電部１５２と重なる部分に配置されている。第２電源端子用導電部１５７の形状及びサイズは、第２電源用導電部１５２の形状及びサイズと同じである。信号端子用導電部１５８は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける信号用導電部１５３と重なる部分に配置されている。信号端子用導電部１５８の形状及びサイズは、信号用導電部１５３の形状及びサイズと同じである。基準電圧端子用導電部１５９は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける基準電圧用導電部１５４と重なる部分に配置されている。基準電圧端子用導電部１５９の形状及びサイズは、基準電圧用導電部１５４の形状及びサイズと同じである。

　図３４に示すとおり、横方向Ｘにおけるドライバ端子用導電部１５５と各電源端子用導電部１５６，１５７との間の隙間Ｇｒ７の大きさは、横方向Ｘにおける第３端子用導電部６８と第１端子用導電部６６Ａとの間の隙間Ｇｒ２の大きさよりも小さい。また横方向Ｘにおけるドライバ端子用導電部１５５と信号端子用導電部１５８及び基準電圧端子用導電部１５９との間の隙間Ｇｒ８の大きさは、横方向Ｘにおける第３端子用導電部６８と第１端子用導電部６６Ｂとの間の隙間Ｇｒ２の大きさよりも小さい。また、隙間Ｇｒ７及び隙間Ｇｒ８の大きさはそれぞれ、縦方向Ｙにおけるドライバ端子用導電部１５５と第３端子用導電部６８との間の隙間Ｇｒ９の大きさよりも小さい。

　図３３及び図３４に示すように、連絡部６０Ｃは、複数（本実施形態では４個）のドライバ用連絡部１７０、第１電源用連絡部１７１、第２電源用連絡部１７２、信号用連絡部１７３、及び基準電圧用連絡部１７４を有する。これら連絡部１７０～１７４は、他の連絡部と同様にスルーホール７１及び導体部７２（図３３及び図３４ではともに図示略）を有する。

　４個のドライバ用連絡部１７０は、基材５１においてドライバ回路実装部１５０とドライバ端子用導電部１５５とに厚さ方向Ｚに重なる部分に設けられている。各ドライバ用連絡部１７０は、ドライバ回路実装部１５０とドライバ端子用導電部１５５とを繋いでいる。

　第１電源用連絡部１７１は、基材５１において第１電源用導電部１５１と第１電源端子用導電部１５６とに厚さ方向Ｚに重なる部分に設けられている。第１電源用連絡部１７１は、第１電源用導電部１５１と第１電源端子用導電部１５６とを繋いでいる。

　第２電源用連絡部１７２は、基材５１において第２電源用導電部１５２と第２電源端子用導電部１５７とに厚さ方向Ｚに重なる部分に設けられている。第２電源用連絡部１７２は、第２電源用導電部１５２と第２電源端子用導電部１５７とを繋いでいる。

　信号用連絡部１７３は、基材５１において信号用導電部１５３と信号端子用導電部１５８とに厚さ方向Ｚに重なる部分に設けられている。信号用連絡部１７３は、信号用導電部１５３と信号端子用導電部１５８とを繋いでいる。

　基準電圧用連絡部１７４は、基材５１において基準電圧用導電部１５４と基準電圧端子用導電部１５９とに厚さ方向Ｚに重なる部分に設けられている。基準電圧用連絡部１７４は、基準電圧用導電部１５４と基準電圧端子用導電部１５９とを繋いでいる。

　なお、これら連絡部１７０～１７４の個数はそれぞれ任意に変更可能である。半導体レーザ装置１Ｄは、これら連絡部１７０～１７４をそれぞれ少なくとも１個有していればよい。またドライバ回路実装部１５０（ドライバ端子用導電部１５５）に対するドライバ用連絡部１７０の配置位置、第１電源用導電部１５１（第１電源端子用導電部１５６）に対する第１電源用連絡部１７１の配置位置、第２電源用導電部１５２（第２電源端子用導電部１５７）に対する第２電源用連絡部１７２の配置位置、信号用導電部１５３（信号端子用導電部１５８）に対する信号用連絡部１７３の配置位置、及び基準電圧用導電部１５４（基準電圧端子用導電部１５９）に対する基準電圧用連絡部１７４の配置位置はそれぞれ任意に変更可能である。

　本実施形態の半導体レーザ装置１Ｄによれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（４－１）半導体レーザ装置１Ｄは、ドライバ回路１４０を備える。この構成によれば、スイッチング素子２０のソース電極２２から第１駆動用接続部材８１，８２を介して第１駆動用導電部６１Ａ，６１Ｂに流れる電流の第１経路である第１駆動用ループ及び第２駆動用ループと、ソース電極２２から第６ドライバ用接続部材１６６を介してドライバ回路１４０に流れる電流の第２経路である制御用ループとが個別に形成される。これにより、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループの電流の変動が制御用ループに影響を及ぼすことが低減される。すなわち、制御用ループにおいて、第１駆動用接続部材８１，８２のインダクタンスの影響を受け難くなる。したがって、制御用ループにおいて、第１駆動用接続部材８１，８２のインダクタンスに起因する逆起電圧が、スイッチング素子２０のゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓに及ぼす影響を低減できる。

　加えて、ドライバ回路１４０が半導体レーザ装置１Ｄに内蔵されることによって、スイッチング素子２０のソース電極２２とドライバ回路１４０の入力電極１４２との間の距離、及びスイッチング素子２０のゲート電極２３とドライバ回路１４０の出力電極１４１との間の距離がそれぞれ短くなる。したがって、制御用ループにおけるインダクタンスを低減できる。

　（４－２）ドライバ回路１４０は、縦方向Ｙにおいてスイッチング素子２０に対して半導体レーザ素子１０とは反対側に配置されている。この構成によれば、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループに対して制御用ループを遠くに形成できるため、第１駆動用ループ及び第２駆動用ループのインダクタンスの影響を制御用ループが受け難くなる。

　（４－３）スイッチング素子２０のゲート電極２３は、ドライバ回路１４０寄りに配置されている。この構成によれば、ゲート電極２３とドライバ回路１４０の出力電極１４１との間の距離を短くできる。したがって、制御用ループにおけるインダクタンスを低減できる。

　（４－４）第６ドライバ用接続部材１６６は、スイッチング素子２０のソース電極２２のうちの縦方向Ｙのドライバ回路１４０寄りの端部に接続されている。この構成によれば、第６ドライバ用接続部材１６６の長さを短くできるため、制御用ループにおけるインダクタンスを低減できる。

　［第４実施形態の変更例］
　第４実施形態の半導体レーザ装置１Ｄは例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第１～第４実施形態と共通する部分については、第１～第４実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・第４実施形態の半導体レーザ装置１Ｄは、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａの構成を前提として、半導体レーザ装置１Ａにドライバ回路１４０を内蔵した構成であったが、これに限られない。例えば、半導体レーザ装置１Ｄは、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂ又は第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃの構成を前提として、半導体レーザ装置１Ｂ，１Ｃにドライバ回路１４０を内蔵した構成としてもよい。

　図３５及び図３６は、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂにドライバ回路１４０を内蔵した半導体レーザ装置１Ｄの構成の第１例を示している。図３５に示すように、本実施形態の支持基板５０の基材５１の平面視における形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、第１駆動用導電部６１及び第３駆動用導電部６３が縦方向Ｙにおいて基材５１の第１基材側面５１ｃ寄りに配置されている。すなわち第１駆動用導電部６１及び第３駆動用導電部６３の縦方向Ｙの中央部が基材５１の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃの近くに位置している。また本実施形態では、導電部６０は、主面側導電部６０Ａから第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５が省略され、裏面側導電部６０Ｂから第２端子用導電部６７、及び制御端子用導電部７０（ともに図３参照）が省略された構成である。

　基材５１の基材主面５１ａのうちの第１駆動用導電部６１及び第３駆動用導電部６３よりも第２基材側面５１ｄに近い部分には、ドライバ回路実装部１５０、第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、及び基準電圧用導電部１５４が形成されている。ドライバ回路実装部１５０及び各導電部１５１～１５４の形状や配置は、第４実施形態のドライバ回路実装部１５０及び各導電部１５１～１５４と同じであるため、説明を省略する。

　ドライバ回路実装部１５０に実装されたドライバ回路１４０は、第４実施形態のドライバ回路１４０と比較して、出力電極１４４ｃ及び入力電極１４４ｄの配置構成のみが異なる。出力電極１４４ｃは、横方向Ｘにおいて封止部材１４３の封止主面１４３ａのうちの第４基材側面５１ｆ寄りの端部、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちのスイッチング素子２０寄りの端部に配置されている。縦方向Ｙからみて、出力電極１４４ｃは、スイッチング素子２０のソース電極２２と重なる位置に配置されている。出力電極１４４ｃは、スイッチング素子２０のゲート電極２３よりも第３基材側面５１ｅの近くに配置されている。入力電極１４４ｄは、封止主面１４３ａの横方向Ｘの中央部よりも第４基材側面５１ｆ寄りの部分、かつ縦方向Ｙにおいて封止主面１４３ａのうちのスイッチング素子２０寄りの端部に配置されている。横方向Ｘにおける入力電極１４４ｄと出力電極１４４ｃとの間の距離は、横方向Ｘにおける入力電極１４４ｄと第１電源電極１４４ａとの間の距離よりも小さい。縦方向Ｙからみて、入力電極１４４ｄは、その一部がソース電極２２と重なるように配置されている。

　第１～第４ドライバ用接続部材１６１～１６４の接続態様は、第４実施形態の第１～第４ドライバ用接続部材１６１～１６４の接続態様と同じである。第５ドライバ用接続部材１６５は、出力電極１４４ｃとゲート電極２３とを繋いでいる。このため、平面視において、第５ドライバ用接続部材１６５は、出力電極１４４ｃからゲート電極２３に向かうにつれて第４基材側面５１ｆ側に斜めに延びている。第６ドライバ用接続部材１６６は、入力電極１４４ｄとソース電極２２とを繋いでいる。第６ドライバ用接続部材１６６は、ソース電極２２のうちの縦方向Ｙのドライバ回路１４０寄りの端部に接続されている。また図３５に示すとおり、第６ドライバ用接続部材１６６の長さは、第５ドライバ用接続部材１６５の長さよりも短い。

　図３６に示すように、裏面側導電部６０Ｂは、第１端子用導電部６６、第３端子用導電部６８、第４端子用導電部６９、ドライバ端子用導電部１５５、第１電源端子用導電部１５６、第２電源端子用導電部１５７、信号端子用導電部１５８、及び基準電圧端子用導電部１５９を有する。なお、ドライバ端子用導電部１５５、第１電源端子用導電部１５６、第２電源端子用導電部１５７、信号端子用導電部１５８、及び基準電圧端子用導電部１５９の構成や配置は、第４実施形態と同じであるため、説明を省略する。

　第１端子用導電部６６は、基材裏面５１ｂにおいて第１駆動用導電部６１と厚さ方向Ｚに重なる部分に配置されている。第１端子用導電部６６の縦方向Ｙの大きさは、第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの大きさよりも小さい。

　第４端子用導電部６９は、基材裏面５１ｂにおいて第４駆動用導電部６４と厚さ方向Ｚに重なる部分に配置されている。第４端子用導電部６９は、縦方向からみて、第１端子用導電部６６と重なる位置に配置されている。第４端子用導電部６９の横方向Ｘの大きさは、第４駆動用導電部６４の横方向Ｘの大きさよりも小さい。

　第３端子用導電部６８は、基材裏面５１ｂにおいて第３駆動用導電部６３と厚さ方向Ｚに重なる部分に配置されている。第３端子用導電部６８の横方向Ｘの大きさは、第３駆動用導電部６３の横方向Ｘの大きさよりも小さい。本実施形態の第３端子用導電部６８は、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂの第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂを一体化して形成されている。

　図３５及び図３６に示すように、連絡部６０Ｃは、第１駆動用連絡部７３、第３駆動用連絡部７５Ａ，７５Ｂ、第４駆動用連絡部７６、ドライバ用連絡部１７０、第１電源用連絡部１７１、第２電源用連絡部１７２、信号用連絡部１７３、及び基準電圧用連絡部１７４を有する。ドライバ用連絡部１７０、第１電源用連絡部１７１、第２電源用連絡部１７２、信号用連絡部１７３、及び基準電圧用連絡部１７４の構成や配置は、第４実施形態と同じであるため、説明を省略する。

　第１駆動用連絡部７３は、第１駆動用導電部６１と第１端子用導電部６６とを繋いでいる。図３５及び図３６では、４個の第１駆動用連絡部７３が縦方向Ｙにおいて第１駆動用導電部６１及び第１端子用導電部６６のうちの第２基材側面５１ｄ側に配置されている。

　第３駆動用連絡部７５Ａは、スイッチング素子実装部６３ａに設けられている。第３駆動用連絡部７５Ｂは、半導体レーザ素子実装部６３ｂに設けられている。本実施形態では、第３駆動用連絡部７５Ａが９個設けられ、第３駆動用連絡部７５Ｂが２個設けられている。各第３駆動用連絡部７５Ａは、スイッチング素子実装部６３ａと第３端子用導電部６８とを繋いでいる。各第３駆動用連絡部７５Ｂは、半導体レーザ素子実装部６３ｂと第３端子用導電部６８とを繋いでいる。このように、ドライバ回路１４０を内蔵することによって、第４実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　図３７は、図３５の半導体レーザ装置１Ｄに対してスイッチング素子２０の素子主面２４ａに形成された電極が異なる構成を示している。図３７のスイッチング素子２０の素子主面２４ａには、第１ソース電極２２Ａ、第２ソース電極２２Ｂ、及びゲート電極２３が形成されている。

　第１ソース電極２２Ａは、素子主面２４ａの大部分にわたり形成されている。第１ソース電極２２Ａには切欠部２５が形成されている。切欠部２５は、縦方向Ｙにおいて第１ソース電極２２Ａのうちのドライバ回路１４０寄りの端部、かつ横方向Ｘにおいて第１駆動用導電部６１寄りの部分に形成されている。切欠部２５には、第２ソース電極２２Ｂ及びゲート電極２３が配置されている。

　第２ソース電極２２Ｂ及びゲート電極２３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。第２ソース電極２２Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート電極２３に対して第１駆動用導電部６１側に配置されている。第２ソース電極２２Ｂは、縦方向Ｙからみて、その一部が入力電極１４４ｄと重なる位置に配置されている。ゲート電極２３は、縦方向Ｙからみて、その一部が出力電極１４４ｃと重なる位置に配置されている。この構成によれば、ゲート電極２３と出力電極１４４ｃとを接続する第５ドライバ用接続部材１６５の長さ、及び第２ソース電極２２Ｂと入力電極１４４ｄとを接続する第６ドライバ用接続部材１６６の長さをそれぞれ短くできる。

　図３８及び図３９は、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂにドライバ回路１４０を内蔵した半導体レーザ装置１Ｄの構成の第２例を示している。図３８に示すように、本実施形態の支持基板５０の基材５１の平面視における形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、第４実施形態と比較して、横方向Ｘにおける第３駆動用導電部６３と基材５１の第３基材側面５１ｅとの間の距離が大きい。また本実施形態では、導電部６０は、主面側導電部６０Ａから第２駆動用導電部６２及び制御用導電部６５が省略され、裏面側導電部６０Ｂから第２端子用導電部６７、及び制御端子用導電部７０（ともに図３４参照）が省略された構成である。

　第３駆動用導電部６３は、基材主面５１ａの横方向Ｘの中央部に配置されている。ドライバ回路実装部１５０、第１電源用導電部１５１、第２電源用導電部１５２、信号用導電部１５３、基準電圧用導電部１５４はそれぞれ、横方向Ｘにおいて第３駆動用導電部６３に対して第１駆動用導電部６１とは反対側（第４基材側面５１ｆ側）に配置されている。平面視におけるドライバ回路実装部１５０の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。

　第１電源用導電部１５１及び第２電源用導電部１５２はそれぞれ、縦方向Ｙにおいてドライバ回路実装部１５０よりも第１基材側面５１ｃの近くに配置されている。第１電源用導電部１５１及び第２電源用導電部１５２は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。縦方向Ｙからみて、第１電源用導電部１５１及び第２電源用導電部１５２はそれぞれ、ドライバ回路実装部１５０と重なる位置に配置されている。第１電源用導電部１５１は、横方向Ｘにおいて第２電源用導電部１５２に対して第３駆動用導電部６３側に配置されている。

　信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４はそれぞれ、縦方向Ｙにおいてドライバ回路実装部１５０よりも第２基材側面５１ｄの近くに配置されている。信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。縦方向Ｙからみて、信号用導電部１５３及び基準電圧用導電部１５４はそれぞれ、ドライバ回路実装部１５０と重なる位置に配置されている。信号用導電部１５３は、横方向Ｘにおいて基準電圧用導電部１５４に対して第３駆動用導電部６３側に配置されている。

　ドライバ回路実装部１５０には、ドライバ回路１４０が実装されている。図３８のドライバ回路１４０は、図３５のドライバ回路１４０と比較して、ドライバ回路実装部１５０への配置方向が異なる。具体的には、図３８のドライバ回路１４０は、基材主面５１ａと垂直な方向からみて、図３５のドライバ回路１４０を時計回り方向に９０度回転させた配置態様である。このため、各ドライバ用接続部材１６１～１６５の接続態様は、図３５の各ドライバ用接続部材１６１～１６５の接続態様と概ね同じである。第６ドライバ用接続部材１６６の第１端部１６６ａは、ソース電極２２のうちの横方向Ｘにおける入力電極１４４ｄ寄りの端部に接続されている。

　図３９に示すように、横方向Ｘにおいて第３端子用導電部６８よりも第４基材側面５１ｆ側には、ドライバ端子用導電部１５５、第１電源端子用導電部１５６、第２電源端子用導電部１５７、信号端子用導電部１５８、及び基準電圧端子用導電部１５９が配置されている。

　ドライバ端子用導電部１５５は、厚さ方向Ｚからみて、基材５１の基材裏面５１ｂにおけるドライバ回路実装部１５０と重なる部分に配置されている。ドライバ端子用導電部１５５の形状及びサイズは、ドライバ回路実装部１５０の形状及びサイズと同じである。第１電源端子用導電部１５６は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける第１電源用導電部１５１と重なる部分に配置されている。第１電源端子用導電部１５６の形状及びサイズは、第１電源用導電部１５１の形状及びサイズと同じである。第２電源端子用導電部１５７は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける第２電源用導電部１５２と重なる部分に配置されている。第２電源端子用導電部１５７の形状及びサイズは、第２電源用導電部１５２の形状及びサイズと同じである。信号端子用導電部１５８は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける信号用導電部１５３と重なる部分に配置されている。信号端子用導電部１５８の形状及びサイズは、信号用導電部１５３の形状及びサイズと同じである。基準電圧端子用導電部１５９は、厚さ方向Ｚからみて、基材裏面５１ｂにおける基準電圧用導電部１５４と重なる部分に配置されている。基準電圧端子用導電部１５９の形状及びサイズは、基準電圧用導電部１５４の形状及びサイズと同じである。

　このような構成によれば、半導体レーザ素子１０が基材５１の横方向Ｘの中央部に位置している。このため、半導体レーザ素子１０の支持基板５０に対する横方向Ｘの偏りがなくなるため、配線基板の配線パターンを半導体レーザ素子１０の上記偏りを考慮せずに設計できる。したがって、半導体レーザ装置１Ｄの使い勝手がよくなる。

　図４０は、第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａを前提として、半導体レーザ装置１Ａのスイッチング素子２０を第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃの横型構造のスイッチング素子２０Ａに置き換えた構成に、ドライバ回路１４０を内蔵した半導体レーザ装置１Ｄの構成を示している。

　図４０に示すように、スイッチング素子２０Ａの第１ソース電極２２Ａ、第２ソース電極２２Ｂ、及びゲート電極２３はそれぞれ、素子主面２４ａのうちのドライバ回路１４０寄りの端部に形成されている。第１ソース電極２２Ａは、縦方向Ｙからみて、ドライバ回路１４０の第１電源電極１４４ａ及び第２電源電極１４４ｂと重なっている。第２ソース電極２２Ｂは、縦方向Ｙからみて、ドライバ回路１４０の入力電極１４４ｄ、信号電極１４４ｅ、及び基準電圧出力電極１４４ｆと重なっている。ゲート電極２３は、縦方向Ｙからみて、ドライバ回路１４０の出力電極１４４ｃと重なっている。

　各ドライバ用接続部材１６１～１６５の接続態様は、第４実施形態の各ドライバ用接続部材１６１～１６５の接続態様と同じである。第６ドライバ用接続部材１６６は、ドライバ回路１４０の入力電極１４４ｄとスイッチング素子２０Ａの第２ソース電極２２Ｂとを接続している。なお、裏面側導電部６０Ｂの構成は、第４実施形態の裏面側導電部６０Ｂの構成と同じである。図４０に示す半導体レーザ装置１Ｄによれば、第４実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　・図４０に示す半導体レーザ装置１Ｄにおいて、半導体レーザ素子１０の個数は任意に変更可能である。一例では、図４１に示すように、上記図４０の半導体レーザ装置１Ｄにおいて、２個の半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂを設けた構成に変更できる。この場合、第３駆動用導電部６３及び第４駆動用導電部６４Ａ，６４Ｂの形状、半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂの配置態様、及びレーザ用接続部材８５，８６の接続態様はそれぞれ、図１７に示す変更例の半導体レーザ装置１Ａと同じである。また図示していないが裏面側導電部６０Ｂの第３端子用導電部６８及び第４端子用導電部６９Ａ，６９Ｂの形状及び配置態様は、図１８に示す変更例の半導体レーザ装置１Ａと同じである。

　・図４１に示す半導体レーザ装置１Ｄにおいて、図４２に示すように、２個の半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂのアノード電極１１同士を素子接続部材８７で接続した構成としてもよい。

　・図４１及び図４２に示す半導体レーザ装置１Ｄにおいて、図４３に示すように、半導体レーザ素子１０Ａ，１０Ｂに代えて、図２０及び図２１に示す半導体レーザ素子１０Ｃを用いてもよい。

　・第４実施形態及びその変更例の半導体レーザ装置１Ｄでは、ドライバ回路１４０が支持基板５０の基材５１の基材主面５１ａに実装されていたが、これに限定されない。例えば、ドライバ回路１４０を支持基板５０の内部に埋め込む構造であってもよい。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいてスイッチング素子２０とドライバ回路１４０とが並んで配置されることによって、半導体レーザ装置１Ｄを横方向Ｘ又は縦方向Ｙに小型化できる。

　・第４実施形態及びその変更例の半導体レーザ装置１Ｄにおいて、各ドライバ用接続部材１６１～１６６の線径は、他の接続部材８０の線径と異なってもよい。また、各ドライバ用接続部材１６１～１６６を構成する材料は、他の接続部材８０を構成する材料と異なってもよい。

　［第５実施形態］
　図４４～図４６を参照して、第５実施形態の半導体レーザ装置１Ｅについて説明する。本実施形態の半導体レーザ装置１Ｅは、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂと比較して、導電部６０の一部の形状が主に異なる。本実施形態では、便宜上、第２実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図４４に示すように、半導体レーザ装置１Ｅは、主面側導電部６０Ａとして、第１駆動用導電部６１、第３駆動用導電部６３、第４駆動用導電部６４、及び制御用導電部６５を有する。すなわち、半導体レーザ装置１Ｅは、第２駆動用導電部６２を有していない。

　支持基板５０の基材５１の縦方向Ｙの大きさが第２実施形態の基材５１の縦方向Ｙの大きさよりも大きい。基材５１の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の基材５１の横方向Ｘの大きさと等しい。このため、平面視における基材５１の縦横比が第２実施形態の基材５１の縦横比と異なる。

　第１駆動用導電部６１、第３駆動用導電部６３、及び第４駆動用導電部６４の配置態様は、第２実施形態と同様である。第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの大きさは、第２実施形態の第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの大きさよりも大きい。第３駆動用導電部６３の縦方向Ｙの大きさは、第２実施形態の第３駆動用導電部６３の縦方向Ｙの大きさよりも大きい。より詳細には、スイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさは、第２実施形態のスイッチング素子実装部６３ａの縦方向Ｙの大きさよりも大きい。また、本実施形態では、第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの両端部を第１端部６１ａ及び第２端部６１ｂとする。第１端部６１ａは、第１駆動用導電部６１のうちの第１基材側面５１ｃ寄りの端部であって、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１が接続される端部である。第２端部６１ｂは、第１駆動用導電部６１のうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部である。

　制御用導電部６５は、第３駆動用導電部６３よりも第２基材側面５１ｄの近くに配置されている。平面視における制御用導電部６５の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。制御用導電部６５の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の制御用導電部６５の横方向Ｘの大きさよりも大きい。

　図４５に示すように、半導体レーザ装置１Ｅは、裏面側導電部６０Ｂとして、第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ、第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂ、第４端子用導電部６９、及び制御端子用導電部７０を有する。すなわち、半導体レーザ装置１Ｅは、第２端子用導電部６７を有していない。本実施形態では、第１端子用導電部６６Ａ，６６Ｂ、第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂ、及び第４端子用導電部６９の配置態様は、第２実施形態と同じである。第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂのそれぞれの横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の第３端子用導電部６８Ａ，６８Ｂのそれぞれの横方向Ｘの大きさよりも小さい。第３端子用導電部６８Ａの縦方向Ｙの大きさは、第２実施形態の第３端子用導電部６８Ａの縦方向Ｙの大きさよりも大きい。

　制御端子用導電部７０は、厚さ方向Ｚにおいて制御用導電部６５と重なる位置に配置されている。制御端子用導電部７０の横方向Ｘの大きさは、第２実施形態の制御端子用導電部７０の横方向Ｘの大きさよりも大きい。

　本実施形態の半導体レーザ装置１Ｅは、連絡部６０Ｃとして、第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂ、第３駆動用連絡部７５Ａ，７５Ｂ、第４駆動用連絡部７６、及び制御用連絡部７７を有する。すなわち、半導体レーザ装置１Ｅは、第２駆動用連絡部７４を有していない。本実施形態では、第１駆動用連絡部７３Ａ，７３Ｂ、第３駆動用連絡部７５Ａ，７５Ｂ、及び第４駆動用連絡部７６の配置態様は第２実施形態と同じである。本実施形態では、第２実施形態とは異なり、４個の第３駆動用連絡部７５Ａ及び２個の制御用連絡部７７が設けられている。４個の第３駆動用連絡部７５Ａは、互いに横方向Ｘ及び縦方向Ｙに離間して配列されている。２個の制御用連絡部７７は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。

　図４４に示すように、第３駆動用導電部６３のスイッチング素子実装部６３ａに実装されたスイッチング素子２０の縦方向Ｙの大きさは、第２実施形態のスイッチング素子２０の縦方向Ｙの大きさよりも大きい。

　本実施形態では、第１駆動用接続部材８１のソース電極２２及び第１駆動用導電部６１の接続位置が第２実施形態の第１駆動用接続部材８１のソース電極２２及び第１駆動用導電部６１の接続位置と異なる。具体的には、３本の第１駆動用接続部材８１を、便宜上、第１駆動用接続部材８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃとする。第１駆動用接続部材８１Ａは、３本の第１駆動用接続部材８１Ａ～８１Ｃのうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに最も近い接続部材である。第１駆動用接続部材８１Ｃは、３本の第１駆動用接続部材８１Ａ～８１Ｃのうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに最も遠い接続部材である。第１駆動用接続部材８１Ｂは、縦方向Ｙにおいて第１駆動用接続部材８１Ａと第１駆動用接続部材８１Ｂとの間に配置されている。

　第１駆動用接続部材８１Ａにおいてソース電極２２に接続された第１端部８１ａｘは、ソース電極２２のうちのソース電極２２の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃ寄りの部分に配置されている。第１駆動用接続部材８１Ａにおいて第１駆動用導電部６１に接続された第２端部８１ｂｘは、第１駆動用導電部６１のうちの第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃに近い部分に配置されている。より詳細には、第２端部８１ｂｘは、第１駆動用導電部６１に形成された４個の第１駆動用連絡部７３よりも第１基材側面５１ｃに近い部分に配置されている。第２端部８１ｂｘは、縦方向Ｙにおいて第１端部８１ａｘよりも第２基材側面５１ｄの近くに位置している。このため、第１駆動用接続部材８１Ａは、平面視において、第１端部８１ａｘから第２端部８１ｂｘに向かうにつれて第２基材側面５１ｄ側に向けて延びている。

　第１駆動用接続部材８１Ｂにおいてソース電極２２に接続された第１端部８１ａｙは、ソース電極２２のうちのソース電極２２の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃに近くかつ第１端部８１ａｘよりも中央部に近い部分に配置されている。第１駆動用接続部材８１Ｂにおいて第１駆動用導電部６１に接続された第２端部８１ｂｙは、第１駆動用導電部６１のうちの第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの中央部よりも第１基材側面５１ｃに近くかつ第１端部８１ａｘよりも中央部に近い部分に配置されている。より詳細には、第２端部８１ｂｙは、４個の第１駆動用連絡部７３の縦方向Ｙの間に配置されている。第２端部８１ｂｙは、縦方向Ｙにおいて第１端部８１ａｙよりも第２基材側面５１ｄの近くに位置している。このため、第１駆動用接続部材８１Ｂは、平面視において、第１端部８１ａｙから第２端部８１ｂｙに向かうにつれて第２基材側面５１ｄ側に向けて延びている。

　第１駆動用接続部材８１Ｃにおいてソース電極２２に接続された第１端部８１ａｚは、ソース電極２２のうちのソース電極２２の縦方向Ｙの中央部よりも第２基材側面５１ｄに近い部分に配置されている。具体的には、第１端部８１ａｚは、ソース電極２２のうちの切欠部２５と横方向Ｘに隣り合う部分に接続されている。第１駆動用接続部材８１Ｃにおいて第１駆動用導電部６１に接続された第２端部８１ｂｚは、第１駆動用導電部６１のうちの第１駆動用導電部６１の縦方向Ｙの中央部よりも第２基材側面５１ｄの近くに配置されている。より詳細には、第１駆動用導電部６１のうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端縁６１ｃと第２端部８１ｂｚとの縦方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、コンデンサ３０Ｂの第１端子３１と第２端部８１ｂｚとの縦方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。また第２端部８１ｂｚは、横方向Ｘにおいて第１駆動用導電部６１のうちのスイッチング素子２０寄りの部分に接続されている。

　第２端部８１ｂｚは、縦方向Ｙにおいて第１端部８１ａｚよりも第２基材側面５１ｄの近くに位置している。このため、第１駆動用接続部材８１Ｃは、平面視において、第１端部８１ａｚから第２端部８１ｂｚに向かうにつれて第２基材側面５１ｄ側に向けて延びている。第１端部８１ａｚと第２端部８１ｂｚとの縦方向Ｙの間の距離ＤＹＣは、第１駆動用接続部材８１Ａの第１端部８１ａｘと第２端部８１ｂｘとの縦方向Ｙの間の距離ＤＹＡよりも大きい。また距離ＤＹＣは、第１駆動用接続部材８１Ｂの第１端部８１ａｙと第２端部８１ｂｙとの縦方向Ｙの間の距離ＤＹＢよりも大きい。

　図４４から分かるとおり、第１駆動用接続部材８１Ａの第２端部８１ｂｘは、第１駆動用接続部材８１Ｂ，８１Ｃの第２端部８１ｂｙ，８１ｂｚよりもコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの近くに位置している。このため、第１駆動用接続部材８１Ａは、複数の駆動用接続部材のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに近い側の駆動用接続部材と言える。換言すると、第１駆動用接続部材８１Ａは、駆動用導電部（第１駆動用導電部６１）のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１に近い側と、第２駆動電極（スイッチング素子２０のソース電極２２）とを接続する第１駆動用接続部材であると言える。また、第１駆動用接続部材８１Ｃの第２端部８１ｂｚは、第１駆動用接続部材８１Ａ，８１Ｃの第２端部８１ｂｘ，８１ｂｙよりもコンデンサ３０Ａ，３０Ｂから遠くに位置している。第２端部８１ｂｚは、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１よりも第１駆動用導電部６１の端縁６１ｃの近くに配置されている。このため、第１駆動用接続部材８１Ｃは、複数の駆動用接続部材のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂから遠い側の駆動用接続部材と言える。換言すると、第１駆動用接続部材８１Ｃは、駆動用導電部（第１駆動用導電部６１）のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１よりも第２端部（端縁６１ｃ）に近い側と、第２駆動電極（スイッチング素子２０のソース電極２２）とを接続する第２駆動用接続部材であると言える。

　図４６は、本実施形態の半導体レーザ装置１Ｅをレーザシステム１００に適用した場合の模式図を示している。図４６に示すように、電源１１０の正極１１１は、第４端子用導電部６９及び第４駆動用連絡部７６（ともに図４５参照）を介して第４駆動用導電部６４に接続されている。また電源１１０の負極１１２は、第１端子用導電部６６Ａ及び第１駆動用連絡部７３Ａ（ともに図４５参照）を介して第１駆動用導電部６１に接続されている。図４５では、負極１１２は、第１端子用導電部６６Ａのうちの縦方向Ｙの中央部よりもコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに近い部分に接続されている。また、ドライバ回路１４０の出力電極１４１は、制御端子用導電部７０及び制御用連絡部７７（ともに図４５参照）を介して制御用導電部６５に接続されている。ドライバ回路１４０の入力電極１４２は、第１端子用導電部６６Ｂ及び第１駆動用連絡部７３Ｂ（ともに図４５参照）を介して第１駆動用導電部６１に接続されている。このように、入力電極１４２は、第１駆動用導電部６１のうちの第２基材側面５１ｄ寄りの端部に電気的に接続されている。ドライバ回路１４０の出力電極１４１は、制御用導電部６５及び制御用接続部材８４を介してゲート電極２３に電気的に接続されている。ドライバ回路１４０の入力電極１４２は、第１駆動用導電部６１及び第１駆動用接続部材８１Ｃを介してソース電極２２に電気的に接続されている。

　レーザシステム１００を駆動した場合、電源１１０の正極１１１、半導体レーザ素子１０のアノード電極１１、カソード電極１２、スイッチング素子２０のドレイン電極２１、ソース電極２２、第１駆動用接続部材８１Ａ、及び電源１１０の負極１１２の順に電流が流れる駆動用電流ループが形成される。また、ドライバ回路１４０の出力電極１４１、制御用導電部６５、制御用接続部材８４、ソース電極２２、第１駆動用接続部材８１Ｃ、第１駆動用導電部６１、及び入力電極１４２の順に電流が流れる制御用電流ループが形成される。これら電流ループは、互いに独立して形成されている。

　本実施形態の半導体レーザ装置１Ｅによれば、以下の効果が得られる。
　（５－１）半導体レーザ装置１Ｅは、スイッチング素子２０のソース電極２２と第１駆動用導電部６１のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１に近い側に接続される第１駆動用接続部材８１Ａと、ソース電極２２と第１駆動用導電部６１のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１よりもゲート電極２３に近い側とを接続する第１駆動用接続部材８１Ｃとを備える。この構成によれば、スイッチング素子２０のソース電極２２から第１駆動用接続部材８１Ａを介して第１駆動用導電部６１のうちのコンデンサ３０Ａ，３０Ｂの第１端子３１に近い側に流れる電流の第１経路である駆動用ループと、ソース電極２２から第１駆動用接続部材８１Ｃを介して第１駆動用導電部６１のうちのゲート電極２３に近い側に流れる電流の第２経路である制御用ループとが個別に形成される。これにより、駆動用ループの電流の変動が制御用ループに影響を及ぼすことが低減される。すなわち、制御用ループにおいて、第１駆動用接続部材８１のインダクタンスの影響を受け難くなる。したがって、制御用ループにおいて、第１駆動用接続部材８１Ａのインダクタンスに起因する逆起電圧が、スイッチング素子２０のゲート電極２３に印加される電圧Ｖｇｓに及ぼす影響を低減できる。

　（５－２）半導体レーザ素子１０は、１０ｎｓ以下のパルス幅のレーザ光を出射可能である。この構成によれば、パルス幅が短くなるにつれて、駆動用ループにおいて電流が流れることが可能な電流経路のうちの最短の経路を形成するため、スイッチング素子２０のソース電極２２からコンデンサ３０Ａ，３０Ｂに最も近い第１駆動用接続部材８１Ａを介して電流が流れる。このため、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂから遠い第１駆動用接続部材８１Ｃに対する駆動用ループの影響が低減される。

　［第５実施形態の変更例］
　・第５実施形態では、第２実施形態の半導体レーザ装置１Ｂの構成を前提として、導電部６０の形状を第２実施形態の導電部６０と異ならせた構成であったが、これに限られない。例えば、第１実施形態及び第３実施形態の半導体レーザ装置１Ａ，１Ｃの構成を前提としてもよい。第１実施形態の半導体レーザ装置１Ａの構成を前提とする場合、及び第３実施形態の半導体レーザ装置１Ｃの構成を前提とする場合では、例えば第１駆動用導電部６１Ｂと第２駆動用導電部６２とを一体化する。この構成によれば、第５実施形態の効果と同様の効果が得られる。

　［各実施形態に共通の変更例］
　上記各実施形態は本開示に関する半導体レーザ装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体レーザ装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・上記各実施形態では、支持基板５０の基材５１の基材主面５１ａにコンデンサ３０Ａ，３０Ｂが実装されていたが、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂの位置はこれに限定されない。例えば、コンデンサ３０Ａ，３０Ｂは、支持基板５０の内部に埋め込む構造であってもよい。

　・上記各実施形態では、連絡部６０Ｃの構成がスルーホール７１内に導体部７２が埋め込まれる構成であったが、連絡部６０Ｃの構成はこれに限定されない。複数の連絡部６０Ｃの少なくとも１つが導体部７２に代えて絶縁性の材料がスルーホール７１内に埋め込まれる構成であってもよい。

　・上記各実施形態では、第１駆動用接続部材８１，８２の線径、第２駆動用接続部材８３の線径、制御用接続部材８４の線径、及びレーザ用接続部材８５，８６の線径が互いに等しいが、これに限定されない。第１駆動用接続部材８１，８２の線径、第２駆動用接続部材８３の線径、制御用接続部材８４の線径、及びレーザ用接続部材８５，８６の線径を個別に設定してもよい。例えば、制御用接続部材８４の線径を各駆動用接続部材８１～８３及びレーザ用接続部材８５，８６の線径よりも小さくしてもよい。

　・上記各実施形態では、第１駆動用接続部材８１，８２、第２駆動用接続部材８３、制御用接続部材８４、及びレーザ用接続部材８５，８６を構成する材料は共通であったが、これに限定されない。例えば、制御用接続部材８４の材料が各駆動用接続部材８１～８３及びレーザ用接続部材８５，８６の材料と異なってもよい。

　・上記各実施形態では、レーザシステム１００のダイオード１３０が半導体装置１Ａ～１Ｅの外部に設けられているが、これに限られない。半導体装置１Ａ～１Ｅは、ダイオード１３０を内蔵するように構成してもよい。

　上記実施形態および上記変更例から把握することができる技術的思想について以下に記載する。
　（付記１）
　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサと、
　前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、
　前記第１駆動用導電部と離間して配置されている第２駆動用導電部と、
　前記第１駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、
　前記第２駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、
を備える
　半導体レーザ装置。

　（付記２）
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ装置の端子を構成する端子用導電部を備え、
　前記端子用導電部は、
　前記半導体レーザ装置に電力を供給する電源の負極に接続するための第１端子用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路のうちの入力電極に接続するための第２端子用導電部と、
を備え、
　前記第１駆動用導電部は、前記第１端子用導電部と電気的に接続されており、
　前記第２駆動用導電部は、前記第２端子用導電部と電気的に接続されている
　付記１に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３）
　前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、及び前記第２駆動用導電部は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記平面視において、前記スイッチング素子に対して前記第１方向と直交する第２方向に配列されている
　付記１又は２に記載の半導体レーザ装置。

　（付記４）
　前記第１方向において、前記第２駆動用導電部は、前記スイッチング素子に対して前記半導体レーザ素子とは反対側に配置されている
　付記３に記載の半導体レーザ装置。

　（付記５）
　前記半導体レーザ素子は、前記第２方向の中央部に配置されている
　付記３又は４に記載の半導体レーザ装置。

　（付記６）
　前記コンデンサは、前記第１方向において前記スイッチング素子に対して前記半導体レーザ素子寄りに配置されている
　付記３～５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記７）
　前記コンデンサは、複数個設けられている
　付記１～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記８）
　前記コンデンサは、複数個設けられ、かつ、前記スイッチング素子の前記第２方向の両側に配置されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記スイッチング素子の前記第２方向の両側に配置されている
　付記３～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記９）
　前記半導体レーザ素子は、複数個設けられ、かつ前記第２方向に配列されている
　付記３～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１０）
　前記第２方向に隣り合う前記半導体レーザ素子の電極は、素子接続部材によって互いに電気的に接続されている
　付記９に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１１）
　前記半導体レーザ素子は、前記第２方向に配列された複数の半導体発光層を有し、
　前記複数の半導体発光層は、１つの電極によって互いに接続されている
　付記１～９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１２）
　前記スイッチング素子の前記第１駆動電極が接続されている第３駆動用導電部を有し、
　前記第３駆動用導電部には、前記半導体レーザ素子が接続されている
　付記１～１１のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１３）
　前記コンデンサの第２端子が接続されている第４駆動用導電部を有し、
　前記半導体レーザ装置の平面視において、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、及び前記第２駆動用導電部は、所定の第１方向に配列されており、
　前記第４駆動用導電部は、前記第１駆動用導電部に対して前記第１方向に配列されている
　付記１～１２のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１４）
　前記半導体レーザ装置は、
　前記第１駆動用導電部及び前記第２駆動用導電部のそれぞれと離間して配置され、前記制御電極と電気的に接続される制御用導電部と、
　前記制御電極と前記制御用導電部とを接続する制御用接続部材と、
を備え、
　前記制御用接続部材と前記第２駆動用接続部材とは隣り合っている
　付記１～１３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１５）
　前記制御用導電部と前記第２駆動用導電部とは隣り合っている
　付記１４に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１６）
　前記半導体レーザ装置は、基板主面と、前記基板主面と垂直な方向において前記基板主面とは反対側を向く基板裏面とを有する支持基板を備え、
　前記基板主面には、少なくとも前記第１駆動用導電部が形成されており、
　前記基板裏面には、前記半導体レーザ装置の端子を構成する端子用導電部が形成されている
　付記１～１５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１７）
　前記端子用導電部は、
　前記半導体レーザ装置に電力を供給する電源の負極に接続するための第１端子用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路のうちの入力電極に接続するための第２端子用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記第１駆動電極に接続するための第３端子用導電部と、
を備え、
　前記第１端子用導電部は、前記第３端子用導電部と離間して配置されている
　付記１６に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１８）
　前記半導体レーザ装置は、前記スイッチング素子の前記第１駆動電極が接続されている第３駆動用導電部を備え、
　前記端子用導電部は、前記第３駆動用導電部と電気的に接続されている第３端子用導電部を有し、
　前記第１端子用導電部と前記第３端子用導電部とは一体化されている
　付記１７に記載の半導体レーザ装置。

　（付記１９）
　前記第１駆動用導電部及び前記第２駆動用導電部と前記端子用導電部とを導通させる連絡部を有する
　付記１６～１８のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２０）
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、前記コンデンサ、前記第１駆動用導電部、前記第２駆動用導電部、前記第１駆動用接続部材、及び前記第２駆動用接続部材を封止するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光を透過する部分を有する封止部材を備える
　付記１～１９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２１）
　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されているコンデンサと、
　前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、
を備え、
　前記第１駆動用導電部は、前記コンデンサの第１端子が接続されている第１端部と、前記第１駆動用導電部が延びる方向において前記第１端部とは反対側に設けられている第２端部と、を有し、
　前記第１駆動用導電部のうちの前記コンデンサの前記第１端子に近い側と、前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、
　前記第１駆動用導電部のうちの前記コンデンサの前記第１端子よりも前記第２端部に近い側と、前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、
　を備える
　半導体レーザ装置。

　（付記２２）
　前記半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記第２駆動電極及び前記制御電極はそれぞれ、前記素子主面に形成されており、
　前記制御電極は、前記第２駆動電極に対して前記第１駆動用導電部から遠い側に配置されている
　付記２１に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２３）
　前記第２駆動用接続部材が前記第２駆動電極に接続されている位置は、前記第２駆動電極のうちの前記第１駆動用接続部材が前記第２駆動電極に接続されている位置よりも前記制御電極に近い側である
　付記２１又は２２に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２４）
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、前記コンデンサ、前記第１駆動用導電部、前記第１駆動用接続部材、及び前記第２駆動用接続部材を封止するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光を透過する部分を有する封止部材を備える
　付記２１～２３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２５）
　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されているコンデンサと、
　前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路と、
　前記第１駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、
　前記ドライバ回路と前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、
を備える
　半導体レーザ装置。

　（付記２６）
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記スイッチング素子に対して前記平面視において前記第１方向と直交する第２方向に配列されており、
　前記ドライバ回路は、前記第１方向において前記スイッチング素子に対して前記半導体レーザ素子が配置されている側とは反対側に配置されている
　付記２５に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２７）
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記スイッチング素子に対して前記平面視において前記第１方向と直交する第２方向に配列されており、
　前記ドライバ回路は、前記第２方向において前記スイッチング素子に対して前記第１駆動用導電部が配置されている側とは反対側に配置されている
　付記２５に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２８）
　前記第２駆動用接続部材は、前記第２駆動電極のうちの前記ドライバ回路側に接続されている
　付記２５～２７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記２９）
　前記ドライバ回路は、互いに反対側を向く主面及び裏面を有するチップとして形成されており、
　前記主面には、前記第２駆動用接続部材が接続されている入力電極と、前記制御電極と電気的に接続されている出力電極とが形成されており、
　前記制御電極と前記出力電極とは、制御用接続部材によって接続されており、
　前記主面に対して垂直な方向からみて、前記入力電極及び前記出力電極は、隣り合っている
　付記２５～２８のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３０）
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、前記コンデンサ、前記第１駆動用導電部、前記ドライバ回路、前記第１駆動用接続部材、及び前記第２駆動用接続部材を封止するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光を透過する部分を有する封止部材を備える
　付記２５～２９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３１）
　前記第１駆動用接続部材及び前記第２駆動用接続部材はそれぞれ、ワイヤからなる
　付記１～３０のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３２）
　前記第１駆動用接続部材は、複数本のワイヤからなり、
　前記第２駆動用接続部材は、１本のワイヤからなる
　付記３１に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３３）
　前記第１駆動用接続部材の線径と前記第２駆動用接続部材の線径とは互いに等しい
　付記３１又は３２に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３４）
　前記半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記第２駆動電極及び前記制御電極はそれぞれ、前記素子主面に形成されており、
　前記第１駆動電極は、前記素子裏面に形成されている
　付記１～３３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３５）
　前記半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記第１駆動電極、前記第２駆動電極、及び前記制御電極はそれぞれ、前記素子主面に形成されている
　付記１～３４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３６）
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第２駆動電極は、前記第１方向において、前記素子主面における前記半導体レーザ素子側に配置されており、
　前記第１駆動電極及び前記制御電極は、前記第１方向において、前記素子主面における前記半導体レーザ素子側とは反対側に配置されている
　付記３５に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３７）
　前記半導体レーザ装置は、
　前記第１駆動用導電部が形成されている基板主面と、厚さ方向において前記基板主面とは反対側を向く基板裏面と、前記基板主面と前記基板裏面との前記厚さ方向の間に設けられ、前記基板主面と前記基板裏面とに交差する方向を向く基板側面を有する支持基板と、
　前記基板裏面に形成され、前記半導体レーザ装置の端子を構成する端子用導電部と、
　前記第１駆動用導電部と前記端子用導電部とを接続している連絡部と、
を有し、
　前記基板側面には、前記基板側面から内方に凹む凹部が設けられており、
　前記連絡部は、前記凹部に設けられている
　付記１～３６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　（付記３８）
　前記半導体レーザ素子は、１０ｎｓ以下のパルス幅のレーザ光を出射可能である
　付記１～３７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。

　１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…半導体レーザ装置
　１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…半導体レーザ素子
　１４，１４Ａ，１４Ｂ…半導体発光層
　１７…コンタクト電極（１つの電極）
　２０，２０Ａ…スイッチング素子
　２１…ドレイン電極（第１駆動電極）
　２２，２２Ａ，２２Ｂ…ソース電極（第２駆動電極）
　２３…ゲート電極（制御電極）
　２４ａ…素子主面
　２４ｂ…素子裏面
　３０，３０Ａ，３０Ｂ…コンデンサ
　３１…第１端子
　３２…第２端子
　４２…第２電源端子（電源の負極に接続するための電源端子）
　４５…ドライバ接続端子（接続端子）
　５０…支持基板
　５１…基材
　５１ａ…基材主面（基板主面）
　５１ｂ…基材裏面（基板裏面）
　５１ｃ…第１基材側面（基板側面）
　５１ｄ…第２基材側面（基板側面）
　５１ｅ…第３基材側面（基板側面）
　５１ｆ…第４基材側面（基板側面）
　５３Ａ，５３Ｂ…凹部
　５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ…凹部
　５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃ…凹部
　６０…導電部
　６０Ｂ…裏面側導電部（端子用導電部）
　６０Ｃ…連絡部
　６０Ｄ…側面連絡部（連絡部）
　６１，６１Ａ，６１Ｂ…第１駆動用導電部
　６１ａ…第１端部
　６１ｂ…第２端部
　６２…第２駆動用導電部
　６３…第３駆動用導電部
　６４，６４Ａ，６４Ｂ…第４駆動用導電部
　６５…制御用導電部
　６６，６６Ａ，６６Ｂ…第１端子用導電部
　６７…第２端子用導電部
　６８，６８Ａ，６８Ｂ…第３端子用導電部
　８１，８１Ａ，８１Ｂ，８２…第１駆動用接続部材
　８１Ｃ…第１駆動用接続部材（第２駆動用接続部材）
　８３…第２駆動用接続部材
　８４…制御用接続部材
　８７…素子接続部材
　９０…封止部材
　１１０…電源
　１１１…正極
　１１２…負極
　１４０…ドライバ回路
　１４１…出力電極
　１４２…入力電極
　１４３…封止部材
　１４３ａ…封止主面（ドライバ回路の主面）
　１４４ｃ…出力電極
　１４４ｄ…入力電極
　Ｘ…横方向（第２方向）
　Ｙ…縦方向（第１方向）

Claims

　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサと、
　前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、
　前記第１駆動用導電部と離間して配置されている第２駆動用導電部と、
　前記第１駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、
　前記第２駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、
を備える
　半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ装置の端子を構成する端子用導電部を備え、
　前記端子用導電部は、
　前記半導体レーザ装置に電力を供給する電源の負極に接続するための第１端子用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路のうちの入力電極に接続するための第２端子用導電部と、
を備え、
　前記第１駆動用導電部は、前記第１端子用導電部と電気的に接続されており、
　前記第２駆動用導電部は、前記第２端子用導電部と電気的に接続されている
　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、及び前記第２駆動用導電部は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記平面視において、前記スイッチング素子に対して前記第１方向と直交する第２方向に配列されている
　請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
　前記第１方向において、前記第２駆動用導電部は、前記スイッチング素子に対して前記半導体レーザ素子とは反対側に配置されている
　請求項３に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、前記第２方向の中央部に配置されている
　請求項３又は４に記載の半導体レーザ装置。
　前記コンデンサは、前記第１方向において前記スイッチング素子に対して前記半導体レーザ素子寄りに配置されている
　請求項３～５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記コンデンサは、複数個設けられている
　請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記コンデンサは、複数個設けられ、かつ、前記スイッチング素子の前記第２方向の両側に配置されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記スイッチング素子の前記第２方向の両側に配置されている
　請求項３～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、複数個設けられ、かつ前記第２方向に配列されている
　請求項３～６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記第２方向に隣り合う前記半導体レーザ素子の電極は、素子接続部材によって互いに電気的に接続されている
　請求項９に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、前記第２方向に配列された複数の半導体発光層を有し、
　前記複数の半導体発光層は、１つの電極によって互いに接続されている
　請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記スイッチング素子の前記第１駆動電極が接続されている第３駆動用導電部を有し、
　前記第３駆動用導電部には、前記半導体レーザ素子が接続されている
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記コンデンサの第２端子が接続されている第４駆動用導電部を有し、
　前記半導体レーザ装置の平面視において、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、及び前記第２駆動用導電部は、所定の第１方向に配列されており、
　前記第４駆動用導電部は、前記第１駆動用導電部に対して前記第１方向に配列されている
　請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、
　前記第１駆動用導電部及び前記第２駆動用導電部のそれぞれと離間して配置され、前記制御電極と電気的に接続される制御用導電部と、
　前記制御電極と前記制御用導電部とを接続する制御用接続部材と、
を備え、
　前記制御用接続部材と前記第２駆動用接続部材とは隣り合っている
　請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記制御用導電部と前記第２駆動用導電部とは隣り合っている
　請求項１４に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、基板主面と、前記基板主面と垂直な方向において前記基板主面とは反対側を向く基板裏面とを有する支持基板を備え、
　前記基板主面には、少なくとも前記第１駆動用導電部が形成されており、
　前記基板裏面には、前記半導体レーザ装置の端子を構成する端子用導電部が形成されている
　請求項１～１５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記端子用導電部は、
　前記半導体レーザ装置に電力を供給する電源の負極に接続するための第１端子用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路のうちの入力電極に接続するための第２端子用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記第１駆動電極に接続するための第３端子用導電部と、
を備え、
　前記第１端子用導電部は、前記第３端子用導電部と離間して配置されている
　請求項１６に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、前記スイッチング素子の前記第１駆動電極が接続されている第３駆動用導電部を備え、
　前記端子用導電部は、前記第３駆動用導電部と電気的に接続されている第３端子用導電部を有し、
　前記第１端子用導電部と前記第３端子用導電部とは一体化されている
　請求項１７に記載の半導体レーザ装置。
　前記第１駆動用導電部及び前記第２駆動用導電部と前記端子用導電部とを導通させる連絡部を有する
　請求項１６～１８のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、前記コンデンサ、前記第１駆動用導電部、前記第２駆動用導電部、前記第１駆動用接続部材、及び前記第２駆動用接続部材を封止するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光を透過する部分を有する封止部材を備える
　請求項１～１９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されているコンデンサと、
　前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、
を備え、
　前記第１駆動用導電部は、前記コンデンサの第１端子が接続されている第１端部と、前記第１駆動用導電部が延びる方向において前記第１端部とは反対側に設けられている第２端部と、を有し、
　前記第１駆動用導電部のうちの前記コンデンサの前記第１端子に近い側と、前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、
　前記第１駆動用導電部のうちの前記コンデンサの前記第１端子よりも前記第２端部に近い側と、前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、
　を備える
　半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記第２駆動電極及び前記制御電極はそれぞれ、前記素子主面に形成されており、
　前記制御電極は、前記第２駆動電極に対して前記第１駆動用導電部から遠い側に配置されている
　請求項２１に記載の半導体レーザ装置。
　前記第２駆動用接続部材が前記第２駆動電極に接続されている位置は、前記第２駆動電極のうちの前記第１駆動用接続部材が前記第２駆動電極に接続されている位置よりも前記制御電極に近い側である
　請求項２１又は２２に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、前記コンデンサ、前記第１駆動用導電部、前記第１駆動用接続部材、及び前記第２駆動用接続部材を封止するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光を透過する部分を有する封止部材を備える
　請求項２１～２３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子に直列接続され、制御電極、第１駆動電極、及び第２駆動電極を有し、前記制御電極に印加される電圧に応じて前記半導体レーザ素子に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子に並列接続されているコンデンサと、
　前記コンデンサの第１端子が接続されている第１駆動用導電部と、
　前記スイッチング素子の前記制御電極に電圧を印加するドライバ回路と、
　前記第１駆動用導電部と前記第２駆動電極とを接続している第１駆動用接続部材と、
　前記ドライバ回路と前記第２駆動電極とを接続している第２駆動用接続部材と、
を備える
　半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記スイッチング素子に対して前記平面視において前記第１方向と直交する第２方向に配列されており、
　前記ドライバ回路は、前記第１方向において前記スイッチング素子に対して前記半導体レーザ素子が配置されている側とは反対側に配置されている
　請求項２５に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第１駆動用導電部は、前記スイッチング素子に対して前記平面視において前記第１方向と直交する第２方向に配列されており、
　前記ドライバ回路は、前記第２方向において前記スイッチング素子に対して前記第１駆動用導電部が配置されている側とは反対側に配置されている
　請求項２５に記載の半導体レーザ装置。
　前記第２駆動用接続部材は、前記第２駆動電極のうちの前記ドライバ回路側に接続されている
　請求項２５～２７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記ドライバ回路は、互いに反対側を向く主面及び裏面を有するチップとして形成されており、
　前記主面には、前記第２駆動用接続部材が接続されている入力電極と、前記制御電極と電気的に接続されている出力電極とが形成されており、
　前記制御電極と前記出力電極とは、制御用接続部材によって接続されており、
　前記主面に対して垂直な方向からみて、前記入力電極及び前記出力電極は、隣り合っている
　請求項２５～２８のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子、前記スイッチング素子、前記コンデンサ、前記第１駆動用導電部、前記ドライバ回路、前記第１駆動用接続部材、及び前記第２駆動用接続部材を封止するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光を透過する部分を有する封止部材を備える
　請求項２５～２９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記第１駆動用接続部材及び前記第２駆動用接続部材はそれぞれ、ワイヤからなる
　請求項１～３０のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記第１駆動用接続部材は、複数本のワイヤからなり、
　前記第２駆動用接続部材は、１本のワイヤからなる
　請求項３１に記載の半導体レーザ装置。
　前記第１駆動用接続部材の線径と前記第２駆動用接続部材の線径とは互いに等しい
　請求項３１又は３２に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記第２駆動電極及び前記制御電極はそれぞれ、前記素子主面に形成されており、
　前記第１駆動電極は、前記素子裏面に形成されている
　請求項１～３３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子主面及び素子裏面を有し、
　前記第１駆動電極、前記第２駆動電極、及び前記制御電極はそれぞれ、前記素子主面に形成されている
　請求項１～３４のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子は、前記半導体レーザ装置の平面視において、所定の第１方向に配列されており、
　前記第２駆動電極は、前記第１方向において、前記素子主面における前記半導体レーザ素子側に配置されており、
　前記第１駆動電極及び前記制御電極は、前記第１方向において、前記素子主面における前記半導体レーザ素子側とは反対側に配置されている
　請求項３５に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ装置は、
　前記第１駆動用導電部が形成されている基板主面と、厚さ方向において前記基板主面とは反対側を向く基板裏面と、前記基板主面と前記基板裏面との前記厚さ方向の間に設けられ、前記基板主面と前記基板裏面とに交差する方向を向く基板側面を有する支持基板と、
　前記基板裏面に形成され、前記半導体レーザ装置の端子を構成する端子用導電部と、
　前記第１駆動用導電部と前記端子用導電部とを接続している連絡部と、
を有し、
　前記基板側面には、前記基板側面から内方に凹む凹部が設けられており、
　前記連絡部は、前記凹部に設けられている
　請求項１～３６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
　前記半導体レーザ素子は、１０ｎｓ以下のパルス幅のレーザ光を出射可能である
　請求項１～３７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。