JPH06302631A - 樹脂ボンディング用ｉｃパッケージおよびダイボンドの方法 - Google Patents
樹脂ボンディング用ｉｃパッケージおよびダイボンドの方法Info
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- JPH06302631A JPH06302631A JP5089765A JP8976593A JPH06302631A JP H06302631 A JPH06302631 A JP H06302631A JP 5089765 A JP5089765 A JP 5089765A JP 8976593 A JP8976593 A JP 8976593A JP H06302631 A JPH06302631 A JP H06302631A
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- tape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は樹脂ペーストを用いるダイボンド法
において、余分なペーストを簡便に除去することで、Ｉ
Ｃチップ直近へのワイヤボンドを可能とする。 【構成】 スリットをいれたテープ８をＩＣチップ１搭
載部外側のダイパッド５に予め設けておき、樹脂ペース
ト６塗布後チップを固定する時にテープ８上に沁出した
余分なペーストを、テープ８を剥離する時に同時に除去
し、チップ直近の領域へのワイヤボンド可能とする。
において、余分なペーストを簡便に除去することで、Ｉ
Ｃチップ直近へのワイヤボンドを可能とする。 【構成】 スリットをいれたテープ８をＩＣチップ１搭
載部外側のダイパッド５に予め設けておき、樹脂ペース
ト６塗布後チップを固定する時にテープ８上に沁出した
余分なペーストを、テープ８を剥離する時に同時に除去
し、チップ直近の領域へのワイヤボンド可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＩＣチップのダイ
ボンド、特に導電性エポキシ樹脂ペーストを使用した方
法、およびその時に使用されるＩＣパッケージに関する
ものである。
ボンド、特に導電性エポキシ樹脂ペーストを使用した方
法、およびその時に使用されるＩＣパッケージに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣチップのダイボンド方法にお
いては、（１）後工程でのプロセス温度、圧力に接着が
耐えられること、（２）機械的接着強度が充分にあるこ
と、（３）電気伝導性、熱伝導性が確保されること、
（４）信頼性が高いこと、および（５）作業性に富み経
済的効果が得られること、が必要とされる。従来はこれ
らのうち、（１）〜（４）を重視してＡｕーＳｉ、Ａｕ
ーＳｎ等の共晶合金を使用する方法が多用されていた。
いては、（１）後工程でのプロセス温度、圧力に接着が
耐えられること、（２）機械的接着強度が充分にあるこ
と、（３）電気伝導性、熱伝導性が確保されること、
（４）信頼性が高いこと、および（５）作業性に富み経
済的効果が得られること、が必要とされる。従来はこれ
らのうち、（１）〜（４）を重視してＡｕーＳｉ、Ａｕ
ーＳｎ等の共晶合金を使用する方法が多用されていた。
【０００３】しかしこの方法ではダイボンドを行なう際
にＩＣチップ、共晶合金、パッケージ内のダイボンド領
域、この３体の間の接着を確実にするためには、３体全
体を３００℃以上で少なくとも１分間は保持しなければ
ならない。
にＩＣチップ、共晶合金、パッケージ内のダイボンド領
域、この３体の間の接着を確実にするためには、３体全
体を３００℃以上で少なくとも１分間は保持しなければ
ならない。
【０００４】かかる条件ではＧａＡｓ、ＩｎＰに代表さ
れる化合物半導体を主材料とするＩＣでは、デバイスの
電極材料の熱的安定性を損なう、原子数個程度の厚さに
まで薄層化されたエピ構造を乱す、等の問題が顕在化し
ていた。またプロセス温度的には余裕のあるＳｉーＩＣ
でも、金を主材料とする方法はコストの面から回避した
い要求も大きかった。
れる化合物半導体を主材料とするＩＣでは、デバイスの
電極材料の熱的安定性を損なう、原子数個程度の厚さに
まで薄層化されたエピ構造を乱す、等の問題が顕在化し
ていた。またプロセス温度的には余裕のあるＳｉーＩＣ
でも、金を主材料とする方法はコストの面から回避した
い要求も大きかった。
【０００５】近年、前記（１）〜（４）の課題を克服
し、（５）の利点を最大限に活用することを目的に、上
記共晶合金法に代わる方法として、銀などの金属微粉末
を大量に混入したエポキシ樹脂、あるいはポリイミド樹
脂を接着剤としたダイボンド法が開発されるに及んだ。
し、（５）の利点を最大限に活用することを目的に、上
記共晶合金法に代わる方法として、銀などの金属微粉末
を大量に混入したエポキシ樹脂、あるいはポリイミド樹
脂を接着剤としたダイボンド法が開発されるに及んだ。
【０００６】図３はこの樹脂ボンド法を説明するもの
で、樹脂ペーストをパッケージ内のメッキなどの方法に
よって金属が形成されたダイボンド領域（ダイパッド）
に滴下、流動させた後（図３ーＡ）、ＩＣチップを載
置、固定し（図３ーＢ）、樹脂の加熱硬化（図３ーＣ）
という手順でダイボンドが行なわれる。
で、樹脂ペーストをパッケージ内のメッキなどの方法に
よって金属が形成されたダイボンド領域（ダイパッド）
に滴下、流動させた後（図３ーＡ）、ＩＣチップを載
置、固定し（図３ーＢ）、樹脂の加熱硬化（図３ーＣ）
という手順でダイボンドが行なわれる。
【０００７】この時ＩＣチップとダイパッドの間に空隙
が形成されると、熱伝導性、電気伝導性が損なわれ、ま
た樹脂ペーストの加熱硬化時にＩＣチップに局所的な応
力が印加されるなどの問題が生じ、信頼性の著しい欠落
を招いてしまう。ＩＣチップ裏面とダイパッドの間の均
一な接着は本方法の必須用件である。
が形成されると、熱伝導性、電気伝導性が損なわれ、ま
た樹脂ペーストの加熱硬化時にＩＣチップに局所的な応
力が印加されるなどの問題が生じ、信頼性の著しい欠落
を招いてしまう。ＩＣチップ裏面とダイパッドの間の均
一な接着は本方法の必須用件である。
【０００８】温度条件としては、樹脂ペーストの硬化に
必要とされる２００℃程度で数１０分から数時間と、比
較的緩やかな条件であり、ＩＣチップに与える熱的負荷
は少ない。また経済性の面でも前記共晶合金法に対し
て、金合金を使用しない、多数個の連続処理が可能と、
極めて安価であることが知られている。
必要とされる２００℃程度で数１０分から数時間と、比
較的緩やかな条件であり、ＩＣチップに与える熱的負荷
は少ない。また経済性の面でも前記共晶合金法に対し
て、金合金を使用しない、多数個の連続処理が可能と、
極めて安価であることが知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、樹
脂ボンド法では、ＩＣチップとダイパッドの間に空隙を
作らない事が第一の必須用件である。それには樹脂ペー
ストが均一に、かつ適度な厚さをもって塗布されなけれ
ばならない。しかしながら、たとえ適度な厚さに塗布さ
れた場合であっても、ＩＣチップの載置、加圧固定の時
に、チップとダイパッドの間に充填された余分な樹脂ペ
ーストが沁出し、ダイパッド部に拡がることが回避でき
なかった。
脂ボンド法では、ＩＣチップとダイパッドの間に空隙を
作らない事が第一の必須用件である。それには樹脂ペー
ストが均一に、かつ適度な厚さをもって塗布されなけれ
ばならない。しかしながら、たとえ適度な厚さに塗布さ
れた場合であっても、ＩＣチップの載置、加圧固定の時
に、チップとダイパッドの間に充填された余分な樹脂ペ
ーストが沁出し、ダイパッド部に拡がることが回避でき
なかった。
【００１０】一方、チップ裏面とＩＣ内の一つの電極を
同電位としなければならないＩＣでは、このダイパッド
部にＩＣの電極パッドから直接ワイヤボンドする必要が
ある。高速動作が必要なＩＣでは、このワイヤー長を短
くして、そのワイヤーの長さに比例する寄生インダクタ
ンス成分を極力取り除くことで、ＩＣの性能向上、安定
動作が保障される。
同電位としなければならないＩＣでは、このダイパッド
部にＩＣの電極パッドから直接ワイヤボンドする必要が
ある。高速動作が必要なＩＣでは、このワイヤー長を短
くして、そのワイヤーの長さに比例する寄生インダクタ
ンス成分を極力取り除くことで、ＩＣの性能向上、安定
動作が保障される。
【００１１】しかし、樹脂ペースト上にワイヤボンドす
ることは不可能であり、ダイボンド時に沁出した余分な
樹脂ペーストが妨げとなって、ワイヤー長を短くできな
いということが問題となっていた。
ることは不可能であり、ダイボンド時に沁出した余分な
樹脂ペーストが妨げとなって、ワイヤー長を短くできな
いということが問題となっていた。
【００１２】本発明は、この問題を解決するもので、沁
出した樹脂を除去し、ＩＣチップ直近でのワイヤボンド
を可能とさせるＩＣパッケージ、およびをこのパッケー
ジを使用した実装方法を開示することを目的とする。
出した樹脂を除去し、ＩＣチップ直近でのワイヤボンド
を可能とさせるＩＣパッケージ、およびをこのパッケー
ジを使用した実装方法を開示することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、ダイパッドのＩＣチップ載置領
域の周辺部に、後工程で容易に剥離可能な薄いテープを
予め貼り付けたＩＣパッケージを使用する。さらに通常
の樹脂ダイボンド法によりＩＣチップをダイパッド領域
に固定後、同テープ上に沁出した余分な樹脂ペーストを
テープを剥離することにより除去する。
に、本発明においては、ダイパッドのＩＣチップ載置領
域の周辺部に、後工程で容易に剥離可能な薄いテープを
予め貼り付けたＩＣパッケージを使用する。さらに通常
の樹脂ダイボンド法によりＩＣチップをダイパッド領域
に固定後、同テープ上に沁出した余分な樹脂ペーストを
テープを剥離することにより除去する。
【００１４】
【作用】上記パッケージ、およびダイボンド方法によ
り、沁出した余分な樹脂はきれいに除去されるため、Ｉ
Ｃチップ直近のダイパッド部が露出し、この部分へのワ
イヤボンドが可能となる。その結果、ワイヤー長が短縮
され寄生インダクタンスを抑えることができ、高周波領
域でのＩＣ性能を向上、安定させることが可能となる。
り、沁出した余分な樹脂はきれいに除去されるため、Ｉ
Ｃチップ直近のダイパッド部が露出し、この部分へのワ
イヤボンドが可能となる。その結果、ワイヤー長が短縮
され寄生インダクタンスを抑えることができ、高周波領
域でのＩＣ性能を向上、安定させることが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。図１は本発明によるパッケージの一つの形
態を示している。ワイヤボンドするための内部電極２
と、ＩＣチップ外部との電気的接続を取るための外部電
極３をもつパッケージ１において、ダイパッド５のＩＣ
チップが載置される領域の外側に、ＩＣチップに対し２
００〜３００μｍの隙間をおいて、互いに対向する角に
スリット入れたアルミ箔テープ８が貼られている。
て説明する。図１は本発明によるパッケージの一つの形
態を示している。ワイヤボンドするための内部電極２
と、ＩＣチップ外部との電気的接続を取るための外部電
極３をもつパッケージ１において、ダイパッド５のＩＣ
チップが載置される領域の外側に、ＩＣチップに対し２
００〜３００μｍの隙間をおいて、互いに対向する角に
スリット入れたアルミ箔テープ８が貼られている。
【００１６】図ではスリットは対向する２ヵ所のみに切
られているが、対向する角４ヵ所全部に切られていても
同様な効果が期待できる。スリットが切られていない場
合は、後に同テープを剥離する時にＩＣチップも位置ず
れを起こす可能性が高くなり好ましくない。またテープ
の幅は沁出して拡がった樹脂ペーストよりも広くなけれ
ば、その目的を達することができず、０．５ｍｍ〜１．
０ｍｍが適当である。
られているが、対向する角４ヵ所全部に切られていても
同様な効果が期待できる。スリットが切られていない場
合は、後に同テープを剥離する時にＩＣチップも位置ず
れを起こす可能性が高くなり好ましくない。またテープ
の幅は沁出して拡がった樹脂ペーストよりも広くなけれ
ば、その目的を達することができず、０．５ｍｍ〜１．
０ｍｍが適当である。
【００１７】図２のＡ〜Ｄは上記パッケージを使用し
た、本発明によるＩＣチップのダイボンド法について説
明するものである。まず図２のＡに示すように、例え
ば、粘度１７０００ｃｐｓのエポキシ系樹脂中に、粒径
約１５μφの銀粉末を重量で７５〜８０％含有するペー
スト６を、前記テープで囲まれた領域のほぼ中央にディ
スペンサ等で滴下し流動させる。
た、本発明によるＩＣチップのダイボンド法について説
明するものである。まず図２のＡに示すように、例え
ば、粘度１７０００ｃｐｓのエポキシ系樹脂中に、粒径
約１５μφの銀粉末を重量で７５〜８０％含有するペー
スト６を、前記テープで囲まれた領域のほぼ中央にディ
スペンサ等で滴下し流動させる。
【００１８】次に、図２のＢに示すように、ＩＣチップ
４を載置し、上方から圧迫固定する。この時、ＩＣチッ
プ下の余分な樹脂ペーストは沁出するが、樹脂ペースト
自体の持つ表面張力のためＩＣチップの角部よりは辺部
により多く沁出する。
４を載置し、上方から圧迫固定する。この時、ＩＣチッ
プ下の余分な樹脂ペーストは沁出するが、樹脂ペースト
自体の持つ表面張力のためＩＣチップの角部よりは辺部
により多く沁出する。
【００１９】最後に図２のＣのように、箔テープ８をそ
のスリット部から慎重に剥離し、テープ上に載った剰余
の樹脂ペーストをテープと一緒に除去する。この状態で
樹脂ペーストを加熱硬化させ、ダイボンドを完了する。
チップ直近の部分にはペーストが残らないため、次のワ
イヤボンド工程で、この領域へのワイヤボンディングが
可能となる。
のスリット部から慎重に剥離し、テープ上に載った剰余
の樹脂ペーストをテープと一緒に除去する。この状態で
樹脂ペーストを加熱硬化させ、ダイボンドを完了する。
チップ直近の部分にはペーストが残らないため、次のワ
イヤボンド工程で、この領域へのワイヤボンディングが
可能となる。
【００２０】なお、上記例においては、パッケージとし
てＬＣＣ（Leadless Chip Carrier）を想定している、
ダイパッドを一つの電極として使用する他のパッケージ
形状に対しても、本発明を応用することはもちろん可能
である。
てＬＣＣ（Leadless Chip Carrier）を想定している、
ダイパッドを一つの電極として使用する他のパッケージ
形状に対しても、本発明を応用することはもちろん可能
である。
【００２１】また、前記テープとしてはアルミ箔テープ
を用いたが、他の材質、たとえば銅箔なども可能であ
る。ただし、テープを剥がす時に粘着剤がダイパッド側
に多く残るものは、後のワイヤーボンドの際にこの残さ
がワイヤーの接着力を弱めてしまう畏れがあるので好ま
しくない。
を用いたが、他の材質、たとえば銅箔なども可能であ
る。ただし、テープを剥がす時に粘着剤がダイパッド側
に多く残るものは、後のワイヤーボンドの際にこの残さ
がワイヤーの接着力を弱めてしまう畏れがあるので好ま
しくない。
【００２２】さらに、以上の説明においてはＩＣチップ
の周囲のみを前記テープにて囲う場合を想定したが、同
一パッケージの中に一個のＩＣチップのみならず、電源
用のチップコンデンサー、あるいはＩＣチップ複数個を
同時に搭載するマルチチップモジュールの場合にも、本
発明を個々の搭載部品に対して個別に適用することがで
きる。
の周囲のみを前記テープにて囲う場合を想定したが、同
一パッケージの中に一個のＩＣチップのみならず、電源
用のチップコンデンサー、あるいはＩＣチップ複数個を
同時に搭載するマルチチップモジュールの場合にも、本
発明を個々の搭載部品に対して個別に適用することがで
きる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように，本発明によれば、樹脂を
用いたダイボンド法での余分なペーストをＩＣ直近部で
完全に除去できるため、当該部分へのワイヤーボンドが
可能となり、高速ＩＣの性能を価格を押さえながら向上
させることが可能となる。
用いたダイボンド法での余分なペーストをＩＣ直近部で
完全に除去できるため、当該部分へのワイヤーボンドが
可能となり、高速ＩＣの性能を価格を押さえながら向上
させることが可能となる。
【図１】本発明によるＩＣのパッケージを示した図であ
る。
る。
【図２】本発明によるダイボンド法の工程フローを示し
た図である。
た図である。
【図３】従来使用されている樹脂ダイボンド法の工程フ
ローを示した図である。
ローを示した図である。
１：ＩＣパッケージ ２：内部電極 ３：外部電極 ４：ＩＣチップ ５：ダイパッド ６：樹脂ペースト ７：ボンディングワイヤー ８：金属箔テープ
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイパッドのＩＣチップ搭載部の外周部
に、チップ搭載部に対して少なくとも２００μｍの間隙
をおいて、剥離可能なテープを設けたことを特徴とする
ＩＣパッケージ。 - 【請求項２】 前記テープは互いに対向する角にスリッ
トを設けた、金属性テープである第１項記載のＩＣパッ
ケージ - 【請求項３】 第１項記載のパッケージにおいて、樹脂
ペーストを前記テープに囲まれた領域のほぼ中央に滴
下、流動させる第１の工程と、ＩＣチップを前記樹脂ペ
ースト上に載置する第２の工程と、ＩＣチップ下部より
沁出し前記テープ上に拡がった剰余ペーストを前記テー
プを剥離することで除去する第３の工程と、樹脂ペース
トを加熱硬化させＩＣチップをダイパッド領域に固着さ
せる工程よりなる、ＩＣチップのダイボンドの方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5089765A JPH06302631A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 樹脂ボンディング用ｉｃパッケージおよびダイボンドの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5089765A JPH06302631A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 樹脂ボンディング用ｉｃパッケージおよびダイボンドの方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302631A true JPH06302631A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13979804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5089765A Pending JPH06302631A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 樹脂ボンディング用ｉｃパッケージおよびダイボンドの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302631A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6949731B2 (en) | 2003-02-26 | 2005-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving module having a light-receiving device on a die-capacitor |
| JP2010177584A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュール |
| JP2016115865A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP5089765A patent/JPH06302631A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6949731B2 (en) | 2003-02-26 | 2005-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-receiving module having a light-receiving device on a die-capacitor |
| JP2010177584A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュール |
| JP2016115865A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
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