JP2010177584A - 光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】ワイヤボンディング耐性を向上させ、歩留まりの向上と信頼性の向上とを図った光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール30の製造方法は次の工程を備える。ドライバIC32のチップにバンプ32aを形成する工程(図4(b))、高周波信号線36の表面全体にマスクテープ90を貼りマスクする工程(図4(d))、ドライバICの実装領域にNCP樹脂93を供給する工程(図4(e))、ボンダ95を用いてモジュール基板33上の複数の電極等とバンプ32aとを加熱により接合すると同時にNCP樹脂93を硬化させる工程(図4(f))、ポストキュアを行う工程(図4(h))、マスクテープ90を剥がす工程(図4(g))、および複数の高周波信号線36とVCSELアレイ31とをワイヤ37で接合する工程。
【選択図】図4

Description

本発明は、ICを基板上にフリップチップボンディングにより実装して光モジュールを製造する方法、特に、樹脂を基板へ先に供給した後に、バンプの接続と共に樹脂を硬化させる樹脂材料を用いて光モジュールを作製するのに好適な光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュールに関する。
従来、フリップチップボンディング(FCB:Flip Chip Bonding)に関して、例えば、特許文献1に開示された技術が知られている。この従来技術では、半導体装置の電極に半田バンプを形成し、このバンプを基板上の電極にリフロー接合し、さらに半導体装置と基板との間の隙間に樹脂を流し込んで硬化させ、半導体装置を基板に実装する。
また、樹脂を基板へ先に供給した後に、バンプの接続と共に樹脂を硬化させて、半導体装置を基板にFCBにより実装するのに用いる材料として、例えばNCP(Non-Conductive Paste)樹脂等の樹脂が知られている。NCP樹脂等の樹脂は、高温での硬化性を高め、材料を基板へ先に供給し、その後、バンプの接続と同時に硬化が終了できる反応性を付与した液状封止材料である。
特開2001−148404号公報
ところで、基板にFCBにより実装されるICと基板に実装される光素子アレイとを備え、ICと光素子アレイの各光素子との間において信号が、基板上に形成された複数の伝送線路と、該伝送線路と各光素子とを接続する複数のワイヤとを介して伝送される光モジュールでは、複数の伝送線路を極力短く(例えば10Gbps伝送では500μm以下、5Gbps伝送では1mm以下に)するのが望ましい。
このように、光素子アレイとワイヤで接続される複数の伝送線路がICの実装領域の近くにある光モジュールを製造するのに、工程の短縮化が図れる等の理由により、NCP樹脂等の樹脂を用いてICをFCBにより実装する方法が考えられる。この方法では、NCP樹脂等の樹脂を基板上に必要な量だけ塗布などにより供給するのが難しい。そのため、樹脂の供給量のばらつき等により、ボンディング時或いはその後に行うポストキュア時に樹脂の一部が流れて(広がって)伝送線路上にその樹脂が付着する虞がある。このように樹脂が伝送線路に付着すると、そのバラツキにより、伝達特性のチャネル間バラツキが増大する、必要な伝送特性が得られなくなる、製品間バラツキが増大する等の不具合が生じ、歩留まりが悪くなる。また、伝送線路と光素子アレイとをワイヤで接続するが、その接続部におけるワイヤボンディング強度(ワイヤプル強度)が低下し、光モジュールの信頼性が低下する。
本発明は、このような従来の背景に鑑みて為されたもので、ワイヤボンディング耐性を向上させ、歩留まりの向上と信頼性の向上とを図った光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュールを提供することを目的とする。
上記課題を解消するために、本発明の第1の態様は、基板にフリップチップ実装されるICと前記基板に実装される光素子アレイとを備え、前記ICと前記光素子アレイの各光素子との間において信号が、前記基板上に形成された複数の伝送線路と、該伝送線路と前記各光素子とを接続する複数のワイヤとを介して伝送される光モジュールの製造方法において、前記ICのチップにバンプを形成する第1の工程と、少なくとも前記複数の伝送線路をマスク手段でマスクする第2の工程と、前記基板における前記ICが実装される領域に樹脂を供給する第3の工程と、ボンダを用いて前記基板上の電極と前記ICのバンプとを加熱により接合すると同時に前記樹脂を硬化させる第4の工程と、前記基板上の電極と前記バンプの接合部を再加熱してポストキュアを行う第5の工程と、前記第5の工程の前或いは後に前記マスク手段を除去する第6の工程と、前記複数の伝送線路と前記光素子アレイとをワイヤにより接続する工程と、を備えることを特徴とする。
ここで、樹脂は、材料を先に基板に供給した後に、バンプの接続とともに樹脂を硬化させる工程をとるもので、高温での硬化性が高く、基板上の電極とバンプとの接続と同時に硬化が終了する反応性が付与された液状封止材料である。このような液状封止材料として、例えばNCP(Non-Conductive Paste)樹脂、ACP(Anisotropic Conductive Paste:異方性導電ペースト)樹脂等の樹脂がある。
この構成によれば、第3の工程で基板に樹脂を供給する前に、少なくとも複数の伝送線をマスク手段でマスクして保護している。このため、樹脂の供給量のばらつき等により、第4の工程でのボンディング時或いはその後に行うポストキュア時に、樹脂の一部が流れてIC実装領域の外に広がる場合でも、その樹脂が送線路上に付着するのをマスク手段で防ぐことができる。これにより、樹脂が伝送線路に付着して必要な伝送特性が得られなくなる等の不具合が発生するのを防止でき、歩留まりが向上する。また、伝送線路と光素子アレイとをワイヤで接続するが、その接続部におけるワイヤボンディング強度(ワイヤプル強度)が向上し、光モジュールの信頼性が向上する。
本発明の他の態様は、前記第2の工程において、前記マスク手段として前記第4の工程での加熱に耐え得る耐熱性を少なくとも有するマスクテープを用い、該マスクテープを少なくとも前記複数の伝送線路上に貼ることを特徴とする。
この構成によれば、樹脂が送線路上に付着するのをマスクテープで防ぐことができる。
本発明の他の態様は、前記マスクテープは、糊部にシロキサンフリーのアクリル系粘着剤を使用したテープであることを特徴とする。
この構成によれば、マスクテープはその糊部にシロキサンフリーのアクリル系粘着剤を使用したテープであるため、低分子シロキサンの発生がなく、低分子シロキサンにより生成される絶縁物が光素子アレイとワイヤで接続される複数の伝送線路に付着することによる接点不良等の不具合が発生するのを防ぐことができる。
本発明の第2の態様は、ボンディング用の電極の列と前記電極の列と接続されるべきICとが近接して配置され、かつ、前記ICが基板上に接着用の樹脂によって固定されるモジュールにおいて、前記ICの固定時の樹脂の染み出しの端部が前記電極の列にほぼ平行となっていることを特徴とする。
この構成によれば、マスクテープを除去した状態において、樹脂の複数の伝送線路と対向する側の境界線が、マスクテープの側面により直線の境界線となっている。このため、各伝送線路に対してワイヤボンディング装置を位置決めして各伝送線路と各光素子とをワイヤボンディングする際に、各伝送線路と各光素子とに対してその装置を正確に位置決めすることができる。これにより、各伝送線路と各光素子とを同じ線路長のワイヤで接続することができ、チャネル間バラツキがなく、伝送特性の良い光モジュールを実現することができる。
本発明によれば、ワイヤボンディング耐性を向上させ、歩留まりの向上と信頼性の向上とを図った光モジュールを実現することができる。
光モジュールが使用される並列光伝送装置の概略構成を示す分解斜視図。 図1に示す光モジュールの一部を示す図で、ドライバICがモジュール基板に実装された状態を示す斜視図。 ドライバICおよびVCSELアレイがモジュール基板に実装された状態を示す斜視図。 (a)〜(g)は本発明の一実施形態に係る光モジュールの製造方法を説明するための工程図。 図2に示す光モジュールのモジュール基板を示す平面図で、ICの実装領域およびマスクテープによるマスク領域を示す説明図。 マスクテープを剥がし、VCSELアレイと複数の高周波信号線とをワイヤで接続する前の状態を示す平面図で、光モジュールの一部を示す平面図。 マスクをしないで作製した光モジュールの一部を示す図で、VCSELアレイと複数の高周波信号線とをワイヤで接続する前の状態を示す平面図。 ワイヤボンディング接続を用いたICの接続状態の平面図。
本発明の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を説明する前に、光モジュール用いた並列光伝送装置の概略構成を図1乃至図3に基づいて説明する。
並列光伝送装置1は、図1に示すように、電気基板10と、電気プラガブルソケット20と、光モジュール30と、押さえ板40と、光コネクタ50と、光学部品60とを備えている。この並列光伝送装置1は、一例として、電気信号を光信号に変換し、その光信号を複数のチャネル、例えば12チャネル(12ch)で12本の光ファイバを介して並列伝送(10Gbps/1ch×12ch伝送)する送信用の並列光伝送装置である。
そのため、この並列光伝送装置1の光モジュール30は、図2および図3に示すように、複数(本例では12個)の面発光型半導体レーザ素子(VCSEL)からなるVCSELアレイ(光素子アレイ)31と、VCSELアレイ31の各VCSELを駆動するドライバIC(電子素子)32と、VCSELアレイ31およびドライバIC32が実装されたモジュール基板33と、を備えている。モジュール基板33上には、ノイズ除去用のコンデンサ35が実装されている。
VCSELアレイ31は、図2および図3に示すように、モジュール基板33に形成された後述する孔91内に配置されている。ドライバIC32は、モジュール基板33上に、フリップチップボンディング(FCB:Flip Chip Bonding)により実装されている。モジュール基板33には、VCSELアレイ31とドライバIC32を電気的に接続する伝送線路で、2本の信号線を1組とする複数組(本例では12組、24本)の高周波信号線36が形成されている。これらの高周波信号線(伝送線路)36とVCSELアレイ31の各VCSELとがワイヤ37で電気的に接続されている(図3参照)。このように、VCSELアレイ31とドライバIC32は、複数組(12ch)の高周波信号線36およびワイヤ37により電気的に接続されており、各組(ch)の高周波信号線36およびワイヤ37を介してドライバIC32からVCSELアレイ31の各VCSELへ駆動信号(差動信号)が供給されるようになっている。
電気基板10の表面および裏面には、複数の電気端子と、各電気端子と接続された配線パターン(図示省略)とが形成されている。配線パターンには、外部からドライバIC32へ差動信号を供給するための信号線で、2本の信号線を1組とする複数組(12組)の高周波信号線と、ドライバIC32を制御するための複数の制御信号線と、複数のモニタ信号線とが形成されている。また、複数の電気端子として、12組の高周波信号線にそれぞれ接続された端子で、2つの端子を1組とする12組(12ch)の信号入出力端子、複数の制御信号線に接続された複数の端子、および複数のモニタ信号線に接続された複数の端子が形成されている。
光モジュール30は、電気基板10上に位置決めされてネジで固定される電気プラガブルソケット20のモジュール収容凹部21(図1参照)内に装着される。光モジュール30をモジュール収容凹部21内に装着し、モジュールカバー34の上から押さえた板40を電気プラガブルソケット20にねじで固定すると、光モジュール30の各電気端子と電気基板10の各電気端子とが、電気プラガブルソケット20の複数の接続端子部22を介して電気的に接続されるようになっている。複数の接続端子部22は、所定の押圧力を受けるとコイル状のバネ部(図示省略)が収縮して上部コンタクトピンと下部コンタクトピンとが電気的に接続されるように構成されたバネ状の端子である。
光コネクタ50は、図1に示すように、複数本(本例では12本)の光ファイバが一列に配置されたテープファイバ51と、複数本の光ファイバを保持したコネクタ部(フェルール)52と、VCSELアレイ31の各VCSELからそれぞれ垂直な方向に出射される光(光信号)を90度曲げた後複数本の光ファイバの各端面に光結合させる光学部品60とを有する。コネクタ部52は、多心用のフェルール型コネクタ(MTコネクタ)である。テープファイバ51は、別の光コネクタ53に接続され、光モジュール30との間で光信号を並列に伝送する。
マスクテープ90としては、好適にはシロキサンフリーのマスクテープが利用される。筆者らは、ポリイミド系粘着材を用いたポリイミドテープや、アクリル系粘着材を用いたポリイミドテープなど複数のテープをマスクテープの候補として、それぞれのテープを用いた場合のICワイヤボンディングの強度検証の実験を繰り返し、その結果として、シロキサンフリーのポリイミドテープを使った際に容易に十分なボンディング強度を得られることを発見した。
(製造方法の一実施形態)
次に、図1乃至図3で説明した光モジュール30の製造方法の一実施形態を、図4乃至図6に基づいて説明する。
図5は、図2に示す光モジュールのモジュール基板を示す平面図で、ICの実装領域およびマスクテープによるマスク領域を示している。
図5に示すように、モジュール基板33上には、上述した複数組(本例では12組、24本)の高周波信号線36の他に、ドライバIC32と電気的に接続されるVDD端子71、72と、ドライバIC32と電気的に接続されるGVD端子80と、グランドパターン81とが形成されている。各高周波信号線36は、ドライバIC32をFCBにより実装(FCB実装)した際に、ドライバIC32側に設けられた複数の信号入出力端子とそれぞれ電気的に接続される。
また、モジュール基板33上には、ドライバIC32に差動信号を供給するための複数組(12ch)の高周波信号線38の最上層の線路38aと、ドライバIC32に制御信号を供給するための複数の制御信号線39の最上層の線路39aとが形成されている。各高周波信号線38の最上層の線路38aは、ドライバIC32をFCB実装した際に、ドライバIC32側に設けられた複数の信号入出力端子とそれぞれ電気的に接続される。同様に、各制御信号線39の最上層の線路39aも、ドライバIC32側に設けられた複数の制御信号入力端子とそれぞれ電気的に接続される。
上述した光モジュール30の製造方法は、以下の工程を備える。
(第1の工程) 図4(a)に示すドライバIC32のチップ(ICチップ)に、多数のバンプ32aを形成する(図4(b)参照)。
この後、チップ32aを引っくり返す(図4(c)参照)。
(第2の工程) 少なくとも複数の高周波信号線(伝送線路)36の表面全体にマスク手段としてのシロキサンフリーのマスクテープ90を貼り、その表面全体をマスクテープ90でマスクする(図4(d)参照)。
このとき、マスクテープ90は、例えば、図5の破線で示すように、複数の高周波信号線(伝送線路)36のワイヤボンディングする箇所に貼る。マスクテープの貼り方はこれに限られず、樹脂のしみだしにより覆われる可能性のある電極(信号線)を覆うように貼ればよい。
(第3の工程) モジュール基板33におけるドライバICが実装される領域32A(図5参照)にNCP樹脂93等の樹脂を供給する(図4(e)参照)。
図5のおいて太い一点鎖線で示す領域94は、NCP樹脂93を塗布する領域を示している。
(第4の工程) ボンダ95を用いてモジュール基板33上の複数の電極や複数の信号線とドライバICの複数のバンプ32aとを加熱により接合すると同時にNCP樹脂93を硬化させる(図4(f)参照)。
このときの加熱温度を例えば200℃とし、加熱時間を例えば4秒とする。
(第5の工程) モジュール基板33上の各電極や各信号線と各バンプ32aとの接合部を再加熱してポストキュアを行う(図4(h)参照)。
このときの加熱温度を例えば165℃とし、加熱時間を例えば60分とする。
(第6の工程) 上記第5の工程の前或いは後にマスクテープ90を剥がして除去する(図4(g)参照)。
(第7の工程) マスクテープ90を剥がした後に、複数の高周波信号線36の表面全体を、プラズマクリーニングにより洗浄する。
(第8の工程) VCSELアレイ31を孔91内に実装する(図3参照)。
(第9の工程) 複数の高周波信号線36とVCSELアレイ31の各VCSELとをワイヤ37で接合する(図3参照)。
以上の工程により、図3に示すような光モジュール30が作製される。
一実施形態に係る製造方法によれば、以下の作用効果を奏する。
・第3の工程でモジュール基板33にNCP樹脂93を供給する前に、少なくとも複数の高周波信号線36をマスクテープ90でマスクして保護している。このため、NCP樹脂93の供給量のばらつき等により、第4の工程でのボンディング時或いはその後に行うポストキュア時に、NCP樹脂93の一部が流れてIC実装領域の外に広がる場合でも、そのNCP樹脂93が複数の高周波信号線36上に付着するのをマスクテープ90で防ぐことができる。これにより、NCP樹脂93が複数の高周波信号線36に付着して必要な伝送特性が得られなくなる等の不具合が発生するのを防止でき、歩留まりが向上する。
・シロキサンフリーのマスクテープを使用することで容易に正常な電極(信号線)表面を得られ、ワイヤボンディング特性が改善される。
・複数の高周波信号線36とVCSELアレイ31とをワイヤ37で接続するが、その接続部におけるワイヤボンディング強度(ワイヤプル強度)が向上し、光モジュールの信頼性が向上する。
上記一実施形態に係る製造方法により製造された光モジュール30では、図6に示すように、上記第6の工程でマスクテープ90を除去した状態において、NCP樹脂93の、複数の高周波信号線36と対向する側の境界線93aが、マスクテープ90の一側面により直線の境界線となっている。伝送路上の樹脂を一直線上にできるので伝送路特性を一定にでき、チャネル間のバラツキをなくすことができる。また、これにより、各高周波信号線36と各VCSELアレイとを同じ線路長のワイヤ37で接続することができ、伝送特性の良い光モジュール30を実現することができる。
これに対して、複数の高周波信号線36の表面全体をマスクテープ90でマスクしなかった場合には、図7に示すように、上記NCP樹脂93の、複数の高周波信号線36と対向する側の境界線100が不規則に蛇行し、高周波信号線36の表面に付着したりする。この場合、高周波信号線36に対してワイヤボンディング装置を位置決めして各高周波信号線36と各VCSELアレイとをワイヤボンディングする際に、境界線100が不規則に蛇行したNCP樹脂93が障害となり、各高周波信号線36と各VCSELアレイとに対してその装置を正確に位置決めすることができない。これにより、各高周波信号線36と各VCSELアレイとを同じ線路長のワイヤ37で接続することができず、伝送特性が低下してしまう。
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記一実施形態では、マスク手段としてマスクテープ90を用いたが、マスクテープ90に代えて、複数の高周波信号線36の表面全体にソルダーレジストのような液体状の樹脂にて印刷して形成し、これをマスク手段とする製造方法にも本発明は適用可能である。
・上記実施形態では、電気信号を光信号に変換する機能を有する送信用の光モジュールについて説明したが、光信号を電気信号に変換する機能を有する受信用の光モジュールにも本発明は適用可能である。この構成では、複数の光素子として複数のフォトダイオードを有するフォトダイオードアレイを用い、電子素子としてドライバIC33に代えて、各フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅するTIA(Transimpedance Amplifier)機能を備えた増幅用ICを用いる。
・ワイヤボンディング接続のICに本発明を適用した例を図8に示した。この場合、電極列60に配列方向にほぼ平行に樹脂の端部100が規定されている。これによって電極上のボンディング部も点線50のように一列に設定することが可能となり、電気的な環境を均一にすることができる。
30:光モジュール
35:コンデンサ
31:VCSELアレイ(光素子アレイ)
32:ドライバIC(電子素子)
33:モジュール基板、
50:接点のライン
60:電極(信号線)
71、72:電源端子(VDD端子)
80:グランド端子(GVD端子)
81:グランドパターン
91:孔
93:樹脂
100:樹脂の染み出しの端部

Claims (4)

  1. 基板にフリップチップ実装されるICと前記基板に実装される光素子アレイとを備え、前記ICと前記光素子アレイの各光素子との間において信号が、前記基板上に形成された複数の伝送線路と、該伝送線路と前記各光素子とを接続する複数のワイヤとを介して伝送される光モジュールの製造方法において、
    前記ICのチップにバンプを形成する第1の工程と、
    少なくとも前記複数の伝送線路をマスク手段でマスクする第2の工程と、
    前記基板における前記ICが実装される領域に樹脂を供給する第3の工程と、
    ボンダを用いて前記基板上の電極と前記ICのバンプとを加熱により接合すると同時に前記樹脂を硬化させる第4の工程と、
    前記基板上の電極と前記バンプの接合部を再加熱してポストキュアを行う第5の工程と、
    前記第5の工程の前或いは後に前記マスク手段を除去する第6の工程と、を備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。
  2. 前記第2の工程において、前記マスク手段として前記第4の工程での加熱に耐え得る耐熱性を少なくとも有するマスクテープを用い、該マスクテープを少なくとも前記複数の伝送線路上に貼ることを特徴とする請求項1に記載の光モジュールの製造方法。
  3. 前記マスクテープは、糊部にシロキサンフリーのアクリル系粘着剤を使用したテープであることを特徴とする請求項2に記載の光モジュールの製造方法。
  4. ボンディング用の電極の列と前記電極の列と接続されるべきICとが近接して配置され、かつ、前記ICが基板上に接着用の樹脂によって固定されるモジュールにおいて、前記ICの固定時の樹脂の染み出しの端部が前記電極の列にほぼ平行となっていることを特徴とする光モジュール。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62219583A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Kyocera Corp 光プリンタヘツド
JPH03145177A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JPH04142779A (ja) * 1990-10-04 1992-05-15 Fujitsu Ltd 赤外線検知装置
JPH06302631A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 樹脂ボンディング用icパッケージおよびダイボンドの方法
JPH0715046A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Matsushita Electric Works Ltd 射出成形プリント基板
JPH07178961A (ja) * 1993-12-22 1995-07-18 Kyocera Corp 画像装置
JPH1074868A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体実装装置及び半導体装置の封止方法
JPH10150144A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ハイブリッド光集積基板上の素子実装構造
JP2002118130A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Apic Yamada Corp マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JP2006209829A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Sony Corp シール構造及びディスク状再生装置
JP2007184392A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Taika:Kk 熱伝導構造体、それを用いた放熱部材及び電子機器
JP2008192947A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Apic Yamada Corp 樹脂封止装置及び樹脂封止方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62219583A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Kyocera Corp 光プリンタヘツド
JPH03145177A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JPH04142779A (ja) * 1990-10-04 1992-05-15 Fujitsu Ltd 赤外線検知装置
JPH06302631A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 樹脂ボンディング用icパッケージおよびダイボンドの方法
JPH0715046A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Matsushita Electric Works Ltd 射出成形プリント基板
JPH07178961A (ja) * 1993-12-22 1995-07-18 Kyocera Corp 画像装置
JPH1074868A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体実装装置及び半導体装置の封止方法
JPH10150144A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ハイブリッド光集積基板上の素子実装構造
JP2002118130A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Apic Yamada Corp マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JP2006209829A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Sony Corp シール構造及びディスク状再生装置
JP2007184392A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Taika:Kk 熱伝導構造体、それを用いた放熱部材及び電子機器
JP2008192947A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Apic Yamada Corp 樹脂封止装置及び樹脂封止方法

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