JP3996780B2 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体レーザ装置としては、図８（ａ）に示すように、半導体レーザ素子８１と、受光素子８２と、これらを収容するパッケージ８３とを備えて、配線基板８４に取り付けられるものがある。この配線基板８４は配線パターン８５を有しており、電源ノイズを抑制するコンデンサを配線パターン８５上に配置している。なお、上記コンデンサ８６の固定は半田等を用いて行われる。
【０００３】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、図８（ｂ）に示すように、パッケージ８３の外部の電源装置１０１が電気エネルギーを配線パターン８５の配線を介して受光素子８２に供給している。この際、上記電源装置１０１からのノイズが受光素子８２の内部回路で増幅されて受光素子８２の出力信号に発振として現れようとするのを、コンデンサ８６で抑制している。つまり、上記受光素子８２の発振レベルが大きくなろうとするのを、コンデンサ８６が抑制している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記パッケージ８３の外部にコンデンサ８６を配置しているため、受光素子８２とコンデンサ８６との距離が１０ｍｍ〜２０ｍｍと長くなり、電源ノイズの抑制効果が小さくなってしまうという問題がある。
【０００５】
また、上記コンデンサ８６を配置するためのスペースを配線基板８４に設ける必要があるため、配線パターン８５の自由が効かないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、電源ノイズの抑制効果を向上させることができ、しかも配線基板の配線パターンの自由を大きくできる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
レーザチップおよび受光素子を搭載する金属ブロックと、電極にすべきリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置において、
上記リードにコンデンサを電気的に直接接続し、上記コンデンサと上記受光素子とを上記リードを介して互いに電気的に接続していて、
上記コンデンサは、上記樹脂ブロックに設けられた凹部に収容されていると共に、樹脂で被覆されて上記樹脂内に埋設されていることを特徴としている。
【００２１】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記金属ブロックに例えばＯＰＩＣ（光集積回路）を取り付けた場合、リードにコンデンサが電気的に直接接続されているので、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短い。したがって、上記コンデンサによって電源ノイズを効率よく抑制して、電源ノイズの抑制効果を向上させることができる。
【００２２】
また、上記リードにコンデンサが電気的に直接接続されているから、リードに接続する例えば配線基板上に、電源ノイズを抑制するためのコンデンサを配置しなくてもよく、その配線基板の配線パターンの自由を大きくできる。
【００２３】
また、上記コンデンサを配線基板上に配置しなくてもいいから、配線基板に取り付ける部品点数を少なくすることができる。
【００２４】
また、上記ＯＰＩＣを高速化させた場合、ＯＰＩＣの電力消費が増えるが、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣの電源電圧が安定に保たれ、ＯＰＩＣが不安定になるのを防止することができる。すなわち、上記ＯＰＩＣを高速化しても、ＯＰＩＣを安定動作させることができる。
【００２５】
また、上記ＯＰＩＣの動作電圧を低減しても、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣは負荷の変動の影響を受け難く、ＯＰＩＣの動作が不安定にならない。
【００２６】
また、上記コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、コンデンサの容量を大きくする必要はない。したがって、上記コンデンサの容量を小さくして、製造コストを低減することができる。
【００２７】
【００２８】
また、上記コンデンサが樹脂内に埋設されるので、外力によりコンデンサが故障したり、外力によりコンデンサがリードから剥がれたりする可能性が減少する。その結果、生産における歩留の向上と、取り扱いが容易になることによる作業性の向上と、コンデンサの剥離が減少することによる信頼性の向上とが同時に実現できる。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記コンデンサは、上記金属ブロックに対して上記レーザチップと反対側に設けられている。
【００３０】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記コンデンサは金属ブロックに対してレーザチップと反対側に設けられるので、レーザチップを例えばＡｇペーストでダイボンドする際の熱がコンデンサに伝わり難くなる。したがって、上記コンデンサをリードに例えばＡｇペーストでダイボンドする場合、そのＡｇペーストの耐熱温度と、コンデンサ保護用の樹脂の耐熱温度とを低くすることができるので、材料選びが容易になり、価格低減にも繋がる。
【００３１】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
レーザチップおよび受光素子を搭載する金属ブロックと、電極にすべきリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、
上記樹脂ブロックに、上記リードを露出させる凹部を形成する工程と、
上記凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサと上記リードとをＡｇペーストで接着することにより、上記コンデンサと上記受光素子とを上記リードを介して互いに電気的に接続する工程と、
上記コンデンサを樹脂で被覆することにより、上記コンデンサを上記樹脂内に埋設する工程とを備えたことを特徴としている。
【００３２】
上記構成の半導体レーザ装置の製造方法によれば、上記リードを露出させる凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサとリードとをＡｇペーストで接着するから、Ａｇペースト塗布時、あるいはコンデンサを搭載した時のＡｇペーストの広がりを抑えることができる。したがって、上記Ａｇペーストを塗付すべきでないリードに、Ａｇペーストが塗布されるのを阻止することができる。
【００３３】
また、上記リードがＡｇペーストによりショートしているか否かの確認は、凹部から露出しているリードに対してのみ行えばよいので、その確認のための装置を簡略化ができる。
【００３４】
また、上記コンデンサを樹脂で被覆するので、耐環境性を向上をさせることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体レーザ装置およびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
この発明の実施の形態を説明する前に、まずこの発明をより理解し易くするために参考例を説明する
【００３６】
図１（ａ）は、本発明の参考例の半導体レーザ装置の概略上面図であり、図１（ｂ）は上記半導体レーザ装置の等価回路図である。図１（ａ）では、パッケージの一部を理解容易のために省略し、図１（ｂ）では、パッケージ内における受光素子，コンデンサ以外の構成部は省略している。
【００３７】
上記半導体レーザ装置は、図１（ａ）に示すように、半導体レーザ素子１と、受光素子２と、この受光素子２に接続されたコンデンサ８と、半導体レーザ素子１，受光素子２およびコンデンサ８を収容するパッケージ３とを備えて、配線パターン５を有する配線基板４に取り付けられている。上記パッケージ３内には搭載部としての放熱台１０を設けている。その放熱台１０の一方の端部は鉤状に形成されていて、その端部の側面にサブマウント１４を固定している。このサブマウント１４のダイボンド面１５に、半導体レーザ素子１がダイボンドされている。上記サブマウント１４のダイボンド面１５と、放熱台１０の鉤状の端部の先端面１６とは同一平面上にある。また、上記パッケージ３内、かつ、放熱台１０の近傍にはリードピン７を設けている。
【００３８】
また、上記受光素子２は、図１（ｂ）に示すように、パッケージ３の外部に設けられた電源装置１０１と配線パターン５の配線により接続されている。上記コンデンサ８は、ワイヤボンド可能なチップコンデンサである。
【００３９】
図６は、上記半導体レーザ装置を概略側面図である。図６において、３ａはパッケージ３の底部であり、パッケージ３における底部３ａ以外の構成部はその底部３ａに取り付けられていない。
【００４０】
上記受光素子２は、図６に示すように、放熱台１０の上面である第１のダイボンド面１８にダイボンドされている。そして、上記コンデンサ８は、放熱台１０の上面と放熱台１０の底面との間の中間の面である第２のダイボンド面１７にダイボンドされている。上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは互いに平行になっている。また、上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と、受光素子２のワイヤボンド面２１と、リードピン７のワイヤボンド面１９とは互いに平行であり、かつ、コンデンサ８のワイヤボンド面２０は、受光素子２のワイヤボンド面２１とリードピン７のワイヤボンド面１９との間にある。
【００４１】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記コンデンサ８がパッケージ３内に収容されているから、コンデンサ８から受光素子２までの距離を短くすることができる。具体的には、上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と受光素子２のワイヤボンド面２１との距離を５ｍｍ程度にすることができる。これにより、図７に示すように、図８（ａ），（ｂ）に示した従来例よりも、発振レベルが小さくなっている。すなわち、上記コンデンサ８によって電源ノイズをより効率よく抑制して、電源ノイズの抑制効果を向上できたのである。
【００４２】
また、上記コンデンサ８がパッケージ３内に収容されているから、電源ノイズを抑制するためのコンデンサを配線基板４上に配置しなくてもよく、配線基板４の配線パターン５の自由を大きくできる。
【００４３】
また、上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは互いに平行になっているから、コンデンサ８から受光素子２までの距離を極めて短くすることができる。具体的には、上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と受光素子２のワイヤボンド面２１との距離を１ｍｍ〜２ｍｍにすることができる。
【００４４】
以下に、上記半導体レーザ装置の製造方法を図２，図３，…，図６を用いて説明する。
【００４５】
まず、図２に示すように、上記放熱台１０の鉤状の端部の側面にＡｇペースト１１を塗付し、半導体レーザ素子１を搭載したサブマウント１４を放熱台１０に押し付けるようにして、サブマウント１４をその鉤状の端部の側面にダイボンドする。
【００４６】
次に、図３に示すように、上記放熱台１０の第２のダイボンド面１７にＡｇペースト３１を塗付し、コンデンサ８を放熱台１０に押し付けるようにして、コンデンサ８を放熱台１０の第２のダイボンド面１７にダイボンドする。このとき、上記第１のダイボンド面１８は放熱台１０の上面であり、第２のダイボンド面１７は放熱台１０の上面と放熱台１０の底面との間の中間の面であることにより、Ａｇペースト３１が中間の面である第２のダイボンド面１７から放熱台１０の上面である第１のダイボンド面１８に流れ込まない。すなわち、上記第１のダイボンド面１８がＡｇペースト３１で汚染されていない。
【００４７】
その後、図４に示すように、上記放熱台１０の第１のダイボンド面１８に樹脂性接着剤１２を塗付し、受光素子２を放熱台１０に押し付けるようにして、受光素子２を第１のダイボンド面１８にダイボンドする。
【００４８】
次に、図５に示すように、上記放熱台１０の第１のダイボンド面１８に受光素子２がダイボンドされた状態で熱硬化用オーブン１３内に一定時間放置することにより、樹脂性接着剤１２を硬化させる。
【００４９】
そして、上記樹脂性接着剤１２の熱硬化が完了したら、図示しないワイヤボンド装置によりワイヤボンドを行って、図６に示すように、半導体レーザ素子１とリードピン２７をワイヤ２９でワイヤボンドして、受光素子２とコンデンサ８をワイヤ９でワイヤボンドし、さらにコンデンサ８とリードピン７をワイヤ４９でワイヤボンドする。これと共に、上記受光素子２とリードピン７をワイヤ３９でワイヤボンドする。このとき、上記受光素子２、コンデンサ８およびリードピン７のワイヤボンド面は互いに略平行であり、かつ、コンデンサ８のワイヤボンド面２０は、受光素子２のワイヤボンド面２１とリードピン７のワイヤボンド面１９との間にあるから、受光素子２のワイヤボンド面２１とコンデンサ８のワイヤボンド面２０との間、および、そのコンデンサ８のワイヤボンド面２０とリードピン７のワイヤボンド面１９との間のワイヤボンドを無理無く行え、生産性を向上させることができる。
【００５０】
また、上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは互いに平行になっているから、コンデンサ８と受光素子２とを同じ向きに配置することができ、それらのダイボンドおよびワイヤボンドを容易に行うことができる。
【００５１】
また、上記Ａｇペースト３１で汚染されていない第１のダイボンド面１８に受光素子２がダイボンドされているから、受光素子２と第１のダイボンド面１８の間にＡｇペースト３１が介在していない。つまり、上記受光素子２が第１のダイボンド面１８に対して傾くのを阻止できる。
【００５２】
また、上記サブマウント１４のダイボンド面１５と放熱台１０の鉤状の端部の先端面１６とが略同一面上にあるから、ダイボンド面１５と先端面１６とを接続するワイヤボンドを容易に行え、生産性を向上させることができる。
【００５３】
上記実施の形態では、上記サブマウント１４のダイボンド面１５と、放熱台１０の鉤状の端部の先端面１６とは、同一平面上にあたったが、略同一平面上にあってもよい。
【００５４】
また、上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは、互いに平行になっていたが、互いに略平行になってもよい。
【００５５】
上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と、受光素子２のワイヤボンド面２１と、リードピン７のワイヤボンド面１９とは、互いに平行であったが、互いに略平行であってもよい。
【００５６】
図９は本発明の一実施の形態の半導体レーザ装置としてのホログラムレーザの斜視図であり、図１０は図９のＸ−Ｘ線から見た断面図であり、図１１は図９のＸＩ−ＸＩ線から見た断面図である。
【００５７】
上記ホログラムレーザは、図９に示すように、金属ブロック９２と、電極にすべき複数のリード９３とが樹脂ブロック９４を介して一体化してなる電極ブロック９１を備えている。上記樹脂ブロック９４には、リード９３を露出させる凹部９４ａが形成されている。
【００５８】
上記金属ブロック９２は、図１０に示すように、レーザチップとしてのＬＤ（レーザダイオード）チップ９５と、受光素子を有するＯＰＩＣ９６とを搭載している。上記ＬＤチップ９５は、サブマウント９７を介して金属ブロック９２に取り付けられている。また、上記金属ブロック９２には、ＬＤチップ９５およびＯＰＩＣ９６を収容するキャップ９８を取り付けている。このキャップ９８の図中左側（金属ブロック９２と反対側）の端部には、ＬＤチップ９５に対向するようにホログラム素子９９を取り付けている。
【００５９】
上記リード９３，９３は、金属ブロック９２側の端部が金属ブロック９２を挟み込み、金属ブロック９２と反対側の端部が樹脂ブロック９４から露出している。
【００６０】
上記樹脂ブロック９４の凹部９４ａ内には、図１１に示すように、コンデンサ１００を収容している。その凹部９４ａを上方から見た図が図１２である。この図１２に示すように、コンデンサ１００はリード９３にＡｇペースト９０でダイボンドされている。そして、上記コンデンサ１００は、図示しない樹脂で被覆されて埋設されている。
【００６１】
上記構成のホログラムレーザによれば、コンデンサ１００をリード９３にダイボンドしているので、リード９３とコンデンサ１００とを配線で接続する場合よりも、コンデンサ１００からＯＰＩＣ９６までの距離が短くなる。その結果、上記コンデンサ１００によって電源ノイズを効率よく抑制して、電源ノイズの抑制効果を向上させることができる。
【００６２】
また、上記コンデンサ１００がリード９３にダイボンドされているので、リード９３に接続する例えばフレキシブル基板上にコンデンサ１００を設けなくてもよく、そのフレキシブル基板の配線パターンの自由を大きくできる。
【００６３】
また、上記コンデンサ１００をフレキシブル基板上に配置しなくてもいいから、フレキシブル基板に取り付ける部品点数を少なくすることができる。
【００６４】
また、上記ＯＰＩＣ９６を高速化させた場合、ＯＰＩＣ９６の電力消費が増えるが、コンデンサからＯＰＩＣ９６までの距離が短いので、ＯＰＩＣ９６の電源電圧が安定に保たれ、ＯＰＩＣ９６が不安定になるのを防止することができる。すなわち、上記ＯＰＩＣ９６を高速化しても、ＯＰＩＣ９６を安定動作させることができる。
【００６５】
また、上記ＯＰＩＣ９６の動作電圧を低減しても、コンデンサからＯＰＩＣ９６までの距離が短いので、ＯＰＩＣ９６は負荷の変動の影響を受け難く、ＯＰＩＣ９６の動作が不安定にならない。
【００６６】
また、上記コンデンサからＯＰＩＣ９６までの距離が短いので、コンデンサ１００の容量を大きくする必要はない。したがって、上記コンデンサ１００の容量を小さくして、製造コストを低減することができる。
【００６７】
また、上記コンデンサ１００が樹脂ブロック９４内に埋設されるので、外力によりコンデンサ１００が故障したり、外力によりコンデンサ１００がリード９３から剥がれたりする可能性が減少する。その結果、生産における歩留の向上、取り扱いが容易なることによる作業性の向上、コンデンサ１００の剥離が減少することによる信頼性の向上が同時に実現できる。
【００６８】
また、上記コンデンサ１００は金属ブロック９２に対してＬＤチップ９５と反対側に設けられるので、ＬＤチップ９５をＡｇペーストでダイボンドする際の熱がコンデンサ１００に伝わり難くなる。したがって、上記コンデンサ１００をリード９３にダイボンドするＡｇペースト９０の耐熱温度と、コンデンサ保護用の樹脂の耐熱温度とを低くすることができるので、材料選びが容易になり、価格低減にも繋がる。
【００６９】
次に、上記ホログラムレーザの製造方法について説明する。
【００７０】
まず、上記樹脂ブロック９４に、リード９３を露出させる凹部９４ａを形成する。
【００７１】
次に、上記凹部４１ａ内にコンデンサ１００を収容し、このコンデンサ１００とリード９３とをＡｇペースト９０で接着する。
【００７２】
そして、上記コンデンサ１００を樹脂で被覆することにより、コンデンサ１００を埋設する。
【００７３】
このように、上記リード９３を露出させる凹部４１ａ内にコンデンサ１００を収容し、このコンデンサ１００とリード９３とをＡｇペースト９０で接着するから、Ａｇペースト９０の塗布時、あるいはコンデンサ１００の搭載時のＡｇペースト９０の広がりを抑えることができる。したがって、上記Ａｇペースト９０を塗付すべきでないリード９３に、Ａｇペースト９０が塗布されるのを阻止することができる。
【００７４】
また、上記リード９３がＡｇペースト９０によりショートしているか否かの確認は、凹部４１ａから露出しているリード９３に対してのみ行えばよいので、その確認のための装置を簡略化ができる。
【００７５】
また、上記コンデンサ１００を樹脂で被覆するので、耐環境性を向上をさせることができる。
【００７６】
上記ホログラムレーザは、例えば、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ（一度だけ書込み可能なＣＤ／複数回のデータの書込み可能がＣＤ）、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ（一度だけ書込み可能なＤＶＤ／複数回のデータの書換えが可能なＤＶＤ）等の光ディスクの信号読み取り、または、その光ディスクの書込み用光源として使用することができる。
【００７７】
【発明の効果】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】
以上より明らかなように、本発明の半導体レーザ装置は、金属ブロックに例えばＯＰＩＣを取り付けた場合、金属ブロックと一体化したリードにコンデンサを電気的に直接接続しているので、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短くなり、コンデンサによって電源ノイズを効率よく抑制し、電源ノイズの抑制効果を向上させることができる。
【００８４】
また、上記リードにコンデンサが電気的に直接接続されているから、リードに接続する例えば配線基板上に、電源ノイズを抑制するためのコンデンサを配置しなくてもよく、その配線基板の配線パターンの自由を大きくできる。
【００８５】
また、上記コンデンサを配線基板上に配置しなくてもいいから、配線基板に取り付ける部品点数を少なくすることができる。
【００８６】
また、上記ＯＰＩＣを高速化しても、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣの電源電圧が安定に保たれ、ＯＰＩＣの安定動作を維持できる。
【００８７】
また、上記ＯＰＩＣの動作電圧を低減しても、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣは負荷の変動の影響を受け難く、ＯＰＩＣの安定動作を維持できる。
【００８８】
また、上記コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、コンデンサの容量を大きくする必要はなく、コンデンサの容量を小さくして、製造コストを低減することができる。
【００８９】
また、上記コンデンサが樹脂内に埋設されるので、外力によりコンデンサが故障したり、外力によりコンデンサがリードから剥がれたりする可能性が減少して、生産における歩留の向上と、取り扱いが容易になることによる作業性の向上と、コンデンサの剥離が減少することによる信頼性の向上とが同時に実現できる。
【００９０】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記コンデンサは金属ブロックに対してレーザチップと反対側に設けられるので、レーザチップを例えばＡｇペーストでダイボンドする際の熱がコンデンサに伝わり難く、コンデンサをダイボンドするための例えばＡｇペーストの耐熱温度と、コンデンサ保護用の樹脂の耐熱温度とを低くすることができる。
【００９１】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、金属ブロックとリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、リードを露出させる凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサとリードとをＡｇペーストで接着するから、Ａｇペースト塗布時、あるいはコンデンサを搭載した時のＡｇペーストの広がりを抑えて、塗付すべきリードのみにＡｇペーストを塗布することができる。
【００９２】
また、上記リードがＡｇペーストによりショートしているか否かの確認は、凹部から露出しているリードに対してのみ行えばよいので、その確認のための装置を簡略化ができる。
【００９３】
また、上記コンデンサを樹脂で被覆するので、耐環境性を向上をさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（ａ）は本発明の参考例の半導体レーザ装置の概略上面図であり、図１（ｂ）は上記半導体レーザ装置の等価回路図である。
【図２】 図２は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図３】 図３は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図４】 図４は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図５】 図５は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図６】 図６は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図７】 図７は上記半導体レーザの発振レベルと従来の半導体レーザ装置の発振レベルを示す図である。
【図８】 図８（ａ）は上記従来の半導体レーザ装置の概略上面図であり、図８（ｂ）は上記従来の半導体レーザ装置の等価回路図である。
【図９】 図９は本発明の一実施の形態の半導体レーザ装置としてのホログラムレーザの斜視図である。
【図１０】 図１０は図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】 図１１は図９のＸＩ−ＸＩ線から見た断面図である。
【図１２】 図１２は上記ホログラムレーザの樹脂ブロックの凹部を上方から見た図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ素子
２ 受光素子
３ パッケージ
８ コンデンサ
９２ 金属ブロック
９３ リード
９５ ＬＤチップ
９４ 樹脂ブロック
１００ コンデンサ
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体レーザ装置としては、図８（ａ）に示すように、半導体レーザ素子８１と、受光素子８２と、これらを収容するパッケージ８３とを備えて、配線基板８４に取り付けられるものがある。この配線基板８４は配線パターン８５を有しており、電源ノイズを抑制するコンデンサを配線パターン８５上に配置している。なお、上記コンデンサ８６の固定は半田等を用いて行われる。
【０００３】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、図８（ｂ）に示すように、パッケージ８３の外部の電源装置１０１が電気エネルギーを配線パターン８５の配線を介して受光素子８２に供給している。この際、上記電源装置１０１からのノイズが受光素子８２の内部回路で増幅されて受光素子８２の出力信号に発振として現れようとするのを、コンデンサ８６で抑制している。つまり、上記受光素子８２の発振レベルが大きくなろうとするのを、コンデンサ８６が抑制している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記パッケージ８３の外部にコンデンサ８６を配置しているため、受光素子８２とコンデンサ８６との距離が１０ｍｍ〜２０ｍｍと長くなり、電源ノイズの抑制効果が小さくなってしまうという問題がある。
【０００５】
また、上記コンデンサ８６を配置するためのスペースを配線基板８４に設ける必要があるため、配線パターン８５の自由が効かないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、電源ノイズの抑制効果を向上させることができ、しかも配線基板の配線パターンの自由を大きくできる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
レーザチップおよび受光素子を搭載する金属ブロックと、電極にすべきリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置において、
上記リードにコンデンサを電気的に直接接続し、上記コンデンサと上記受光素子とを上記リードを介して互いに電気的に接続していて、
上記コンデンサは、上記樹脂ブロックに設けられた凹部に収容されていると共に、樹脂で被覆されて上記樹脂内に埋設されていることを特徴としている。
【００２１】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記金属ブロックに例えばＯＰＩＣ（光集積回路）を取り付けた場合、リードにコンデンサが電気的に直接接続されているので、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短い。したがって、上記コンデンサによって電源ノイズを効率よく抑制して、電源ノイズの抑制効果を向上させることができる。
【００２２】
また、上記リードにコンデンサが電気的に直接接続されているから、リードに接続する例えば配線基板上に、電源ノイズを抑制するためのコンデンサを配置しなくてもよく、その配線基板の配線パターンの自由を大きくできる。
【００２３】
また、上記コンデンサを配線基板上に配置しなくてもいいから、配線基板に取り付ける部品点数を少なくすることができる。
【００２４】
また、上記ＯＰＩＣを高速化させた場合、ＯＰＩＣの電力消費が増えるが、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣの電源電圧が安定に保たれ、ＯＰＩＣが不安定になるのを防止することができる。すなわち、上記ＯＰＩＣを高速化しても、ＯＰＩＣを安定動作させることができる。
【００２５】
また、上記ＯＰＩＣの動作電圧を低減しても、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣは負荷の変動の影響を受け難く、ＯＰＩＣの動作が不安定にならない。
【００２６】
また、上記コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、コンデンサの容量を大きくする必要はない。したがって、上記コンデンサの容量を小さくして、製造コストを低減することができる。
【００２７】
【００２８】
また、上記コンデンサが樹脂内に埋設されるので、外力によりコンデンサが故障したり、外力によりコンデンサがリードから剥がれたりする可能性が減少する。その結果、生産における歩留の向上と、取り扱いが容易になることによる作業性の向上と、コンデンサの剥離が減少することによる信頼性の向上とが同時に実現できる。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記コンデンサは、上記金属ブロックに対して上記レーザチップと反対側に設けられている。
【００３０】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記コンデンサは金属ブロックに対してレーザチップと反対側に設けられるので、レーザチップを例えばＡｇペーストでダイボンドする際の熱がコンデンサに伝わり難くなる。したがって、上記コンデンサをリードに例えばＡｇペーストでダイボンドする場合、そのＡｇペーストの耐熱温度と、コンデンサ保護用の樹脂の耐熱温度とを低くすることができるので、材料選びが容易になり、価格低減にも繋がる。
【００３１】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
レーザチップおよび受光素子を搭載する金属ブロックと、電極にすべきリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、
上記樹脂ブロックに、上記リードを露出させる凹部を形成する工程と、
上記凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサと上記リードとをＡｇペーストで接着することにより、上記コンデンサと上記受光素子とを上記リードを介して互いに電気的に接続する工程と、
上記コンデンサを樹脂で被覆することにより、上記コンデンサを上記樹脂内に埋設する工程とを備えたことを特徴としている。
【００３２】
上記構成の半導体レーザ装置の製造方法によれば、上記リードを露出させる凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサとリードとをＡｇペーストで接着するから、Ａｇペースト塗布時、あるいはコンデンサを搭載した時のＡｇペーストの広がりを抑えることができる。したがって、上記Ａｇペーストを塗付すべきでないリードに、Ａｇペーストが塗布されるのを阻止することができる。
【００３３】
また、上記リードがＡｇペーストによりショートしているか否かの確認は、凹部から露出しているリードに対してのみ行えばよいので、その確認のための装置を簡略化ができる。
【００３４】
また、上記コンデンサを樹脂で被覆するので、耐環境性を向上をさせることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体レーザ装置およびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
この発明の実施の形態を説明する前に、まずこの発明をより理解し易くするために参考例を説明する
【００３６】
図１（ａ）は、本発明の参考例の半導体レーザ装置の概略上面図であり、図１（ｂ）は上記半導体レーザ装置の等価回路図である。図１（ａ）では、パッケージの一部を理解容易のために省略し、図１（ｂ）では、パッケージ内における受光素子，コンデンサ以外の構成部は省略している。
【００３７】
上記半導体レーザ装置は、図１（ａ）に示すように、半導体レーザ素子１と、受光素子２と、この受光素子２に接続されたコンデンサ８と、半導体レーザ素子１，受光素子２およびコンデンサ８を収容するパッケージ３とを備えて、配線パターン５を有する配線基板４に取り付けられている。上記パッケージ３内には搭載部としての放熱台１０を設けている。その放熱台１０の一方の端部は鉤状に形成されていて、その端部の側面にサブマウント１４を固定している。このサブマウント１４のダイボンド面１５に、半導体レーザ素子１がダイボンドされている。上記サブマウント１４のダイボンド面１５と、放熱台１０の鉤状の端部の先端面１６とは同一平面上にある。また、上記パッケージ３内、かつ、放熱台１０の近傍にはリードピン７を設けている。
【００３８】
また、上記受光素子２は、図１（ｂ）に示すように、パッケージ３の外部に設けられた電源装置１０１と配線パターン５の配線により接続されている。上記コンデンサ８は、ワイヤボンド可能なチップコンデンサである。
【００３９】
図６は、上記半導体レーザ装置を概略側面図である。図６において、３ａはパッケージ３の底部であり、パッケージ３における底部３ａ以外の構成部はその底部３ａに取り付けられていない。
【００４０】
上記受光素子２は、図６に示すように、放熱台１０の上面である第１のダイボンド面１８にダイボンドされている。そして、上記コンデンサ８は、放熱台１０の上面と放熱台１０の底面との間の中間の面である第２のダイボンド面１７にダイボンドされている。上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは互いに平行になっている。また、上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と、受光素子２のワイヤボンド面２１と、リードピン７のワイヤボンド面１９とは互いに平行であり、かつ、コンデンサ８のワイヤボンド面２０は、受光素子２のワイヤボンド面２１とリードピン７のワイヤボンド面１９との間にある。
【００４１】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記コンデンサ８がパッケージ３内に収容されているから、コンデンサ８から受光素子２までの距離を短くすることができる。具体的には、上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と受光素子２のワイヤボンド面２１との距離を５ｍｍ程度にすることができる。これにより、図７に示すように、図８（ａ），（ｂ）に示した従来例よりも、発振レベルが小さくなっている。すなわち、上記コンデンサ８によって電源ノイズをより効率よく抑制して、電源ノイズの抑制効果を向上できたのである。
【００４２】
また、上記コンデンサ８がパッケージ３内に収容されているから、電源ノイズを抑制するためのコンデンサを配線基板４上に配置しなくてもよく、配線基板４の配線パターン５の自由を大きくできる。
【００４３】
また、上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは互いに平行になっているから、コンデンサ８から受光素子２までの距離を極めて短くすることができる。具体的には、上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と受光素子２のワイヤボンド面２１との距離を１ｍｍ〜２ｍｍにすることができる。
【００４４】
以下に、上記半導体レーザ装置の製造方法を図２，図３，…，図６を用いて説明する。
【００４５】
まず、図２に示すように、上記放熱台１０の鉤状の端部の側面にＡｇペースト１１を塗付し、半導体レーザ素子１を搭載したサブマウント１４を放熱台１０に押し付けるようにして、サブマウント１４をその鉤状の端部の側面にダイボンドする。
【００４６】
次に、図３に示すように、上記放熱台１０の第２のダイボンド面１７にＡｇペースト３１を塗付し、コンデンサ８を放熱台１０に押し付けるようにして、コンデンサ８を放熱台１０の第２のダイボンド面１７にダイボンドする。このとき、上記第１のダイボンド面１８は放熱台１０の上面であり、第２のダイボンド面１７は放熱台１０の上面と放熱台１０の底面との間の中間の面であることにより、Ａｇペースト３１が中間の面である第２のダイボンド面１７から放熱台１０の上面である第１のダイボンド面１８に流れ込まない。すなわち、上記第１のダイボンド面１８がＡｇペースト３１で汚染されていない。
【００４７】
その後、図４に示すように、上記放熱台１０の第１のダイボンド面１８に樹脂性接着剤１２を塗付し、受光素子２を放熱台１０に押し付けるようにして、受光素子２を第１のダイボンド面１８にダイボンドする。
【００４８】
次に、図５に示すように、上記放熱台１０の第１のダイボンド面１８に受光素子２がダイボンドされた状態で熱硬化用オーブン１３内に一定時間放置することにより、樹脂性接着剤１２を硬化させる。
【００４９】
そして、上記樹脂性接着剤１２の熱硬化が完了したら、図示しないワイヤボンド装置によりワイヤボンドを行って、図６に示すように、半導体レーザ素子１とリードピン２７をワイヤ２９でワイヤボンドして、受光素子２とコンデンサ８をワイヤ９でワイヤボンドし、さらにコンデンサ８とリードピン７をワイヤ４９でワイヤボンドする。これと共に、上記受光素子２とリードピン７をワイヤ３９でワイヤボンドする。このとき、上記受光素子２、コンデンサ８およびリードピン７のワイヤボンド面は互いに略平行であり、かつ、コンデンサ８のワイヤボンド面２０は、受光素子２のワイヤボンド面２１とリードピン７のワイヤボンド面１９との間にあるから、受光素子２のワイヤボンド面２１とコンデンサ８のワイヤボンド面２０との間、および、そのコンデンサ８のワイヤボンド面２０とリードピン７のワイヤボンド面１９との間のワイヤボンドを無理無く行え、生産性を向上させることができる。
【００５０】
また、上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは互いに平行になっているから、コンデンサ８と受光素子２とを同じ向きに配置することができ、それらのダイボンドおよびワイヤボンドを容易に行うことができる。
【００５１】
また、上記Ａｇペースト３１で汚染されていない第１のダイボンド面１８に受光素子２がダイボンドされているから、受光素子２と第１のダイボンド面１８の間にＡｇペースト３１が介在していない。つまり、上記受光素子２が第１のダイボンド面１８に対して傾くのを阻止できる。
【００５２】
また、上記サブマウント１４のダイボンド面１５と放熱台１０の鉤状の端部の先端面１６とが略同一面上にあるから、ダイボンド面１５と先端面１６とを接続するワイヤボンドを容易に行え、生産性を向上させることができる。
【００５３】
上記実施の形態では、上記サブマウント１４のダイボンド面１５と、放熱台１０の鉤状の端部の先端面１６とは、同一平面上にあたったが、略同一平面上にあってもよい。
【００５４】
また、上記第１のダイボンド面１８と第２のダイボンド面１７とは、互いに平行になっていたが、互いに略平行になってもよい。
【００５５】
上記コンデンサ８のワイヤボンド面２０と、受光素子２のワイヤボンド面２１と、リードピン７のワイヤボンド面１９とは、互いに平行であったが、互いに略平行であってもよい。
【００５６】
図９は本発明の一実施の形態の半導体レーザ装置としてのホログラムレーザの斜視図であり、図１０は図９のＸ−Ｘ線から見た断面図であり、図１１は図９のＸＩ−ＸＩ線から見た断面図である。
【００５７】
上記ホログラムレーザは、図９に示すように、金属ブロック９２と、電極にすべき複数のリード９３とが樹脂ブロック９４を介して一体化してなる電極ブロック９１を備えている。上記樹脂ブロック９４には、リード９３を露出させる凹部９４ａが形成されている。
【００５８】
上記金属ブロック９２は、図１０に示すように、レーザチップとしてのＬＤ（レーザダイオード）チップ９５と、受光素子を有するＯＰＩＣ９６とを搭載している。上記ＬＤチップ９５は、サブマウント９７を介して金属ブロック９２に取り付けられている。また、上記金属ブロック９２には、ＬＤチップ９５およびＯＰＩＣ９６を収容するキャップ９８を取り付けている。このキャップ９８の図中左側（金属ブロック９２と反対側）の端部には、ＬＤチップ９５に対向するようにホログラム素子９９を取り付けている。
【００５９】
上記リード９３，９３は、金属ブロック９２側の端部が金属ブロック９２を挟み込み、金属ブロック９２と反対側の端部が樹脂ブロック９４から露出している。
【００６０】
上記樹脂ブロック９４の凹部９４ａ内には、図１１に示すように、コンデンサ１００を収容している。その凹部９４ａを上方から見た図が図１２である。この図１２に示すように、コンデンサ１００はリード９３にＡｇペースト９０でダイボンドされている。そして、上記コンデンサ１００は、図示しない樹脂で被覆されて埋設されている。
【００６１】
上記構成のホログラムレーザによれば、コンデンサ１００をリード９３にダイボンドしているので、リード９３とコンデンサ１００とを配線で接続する場合よりも、コンデンサ１００からＯＰＩＣ９６までの距離が短くなる。その結果、上記コンデンサ１００によって電源ノイズを効率よく抑制して、電源ノイズの抑制効果を向上させることができる。
【００６２】
また、上記コンデンサ１００がリード９３にダイボンドされているので、リード９３に接続する例えばフレキシブル基板上にコンデンサ１００を設けなくてもよく、そのフレキシブル基板の配線パターンの自由を大きくできる。
【００６３】
また、上記コンデンサ１００をフレキシブル基板上に配置しなくてもいいから、フレキシブル基板に取り付ける部品点数を少なくすることができる。
【００６４】
また、上記ＯＰＩＣ９６を高速化させた場合、ＯＰＩＣ９６の電力消費が増えるが、コンデンサからＯＰＩＣ９６までの距離が短いので、ＯＰＩＣ９６の電源電圧が安定に保たれ、ＯＰＩＣ９６が不安定になるのを防止することができる。すなわち、上記ＯＰＩＣ９６を高速化しても、ＯＰＩＣ９６を安定動作させることができる。
【００６５】
また、上記ＯＰＩＣ９６の動作電圧を低減しても、コンデンサからＯＰＩＣ９６までの距離が短いので、ＯＰＩＣ９６は負荷の変動の影響を受け難く、ＯＰＩＣ９６の動作が不安定にならない。
【００６６】
また、上記コンデンサからＯＰＩＣ９６までの距離が短いので、コンデンサ１００の容量を大きくする必要はない。したがって、上記コンデンサ１００の容量を小さくして、製造コストを低減することができる。
【００６７】
また、上記コンデンサ１００が樹脂ブロック９４内に埋設されるので、外力によりコンデンサ１００が故障したり、外力によりコンデンサ１００がリード９３から剥がれたりする可能性が減少する。その結果、生産における歩留の向上、取り扱いが容易なることによる作業性の向上、コンデンサ１００の剥離が減少することによる信頼性の向上が同時に実現できる。
【００６８】
また、上記コンデンサ１００は金属ブロック９２に対してＬＤチップ９５と反対側に設けられるので、ＬＤチップ９５をＡｇペーストでダイボンドする際の熱がコンデンサ１００に伝わり難くなる。したがって、上記コンデンサ１００をリード９３にダイボンドするＡｇペースト９０の耐熱温度と、コンデンサ保護用の樹脂の耐熱温度とを低くすることができるので、材料選びが容易になり、価格低減にも繋がる。
【００６９】
次に、上記ホログラムレーザの製造方法について説明する。
【００７０】
まず、上記樹脂ブロック９４に、リード９３を露出させる凹部９４ａを形成する。
【００７１】
次に、上記凹部４１ａ内にコンデンサ１００を収容し、このコンデンサ１００とリード９３とをＡｇペースト９０で接着する。
【００７２】
そして、上記コンデンサ１００を樹脂で被覆することにより、コンデンサ１００を埋設する。
【００７３】
このように、上記リード９３を露出させる凹部４１ａ内にコンデンサ１００を収容し、このコンデンサ１００とリード９３とをＡｇペースト９０で接着するから、Ａｇペースト９０の塗布時、あるいはコンデンサ１００の搭載時のＡｇペースト９０の広がりを抑えることができる。したがって、上記Ａｇペースト９０を塗付すべきでないリード９３に、Ａｇペースト９０が塗布されるのを阻止することができる。
【００７４】
また、上記リード９３がＡｇペースト９０によりショートしているか否かの確認は、凹部４１ａから露出しているリード９３に対してのみ行えばよいので、その確認のための装置を簡略化ができる。
【００７５】
また、上記コンデンサ１００を樹脂で被覆するので、耐環境性を向上をさせることができる。
【００７６】
上記ホログラムレーザは、例えば、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ（一度だけ書込み可能なＣＤ／複数回のデータの書込み可能がＣＤ）、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ（一度だけ書込み可能なＤＶＤ／複数回のデータの書換えが可能なＤＶＤ）等の光ディスクの信号読み取り、または、その光ディスクの書込み用光源として使用することができる。
【００７７】
【発明の効果】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】
以上より明らかなように、本発明の半導体レーザ装置は、金属ブロックに例えばＯＰＩＣを取り付けた場合、金属ブロックと一体化したリードにコンデンサを電気的に直接接続しているので、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短くなり、コンデンサによって電源ノイズを効率よく抑制し、電源ノイズの抑制効果を向上させることができる。
【００８４】
また、上記リードにコンデンサが電気的に直接接続されているから、リードに接続する例えば配線基板上に、電源ノイズを抑制するためのコンデンサを配置しなくてもよく、その配線基板の配線パターンの自由を大きくできる。
【００８５】
また、上記コンデンサを配線基板上に配置しなくてもいいから、配線基板に取り付ける部品点数を少なくすることができる。
【００８６】
また、上記ＯＰＩＣを高速化しても、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣの電源電圧が安定に保たれ、ＯＰＩＣの安定動作を維持できる。
【００８７】
また、上記ＯＰＩＣの動作電圧を低減しても、コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、ＯＰＩＣは負荷の変動の影響を受け難く、ＯＰＩＣの安定動作を維持できる。
【００８８】
また、上記コンデンサからＯＰＩＣまでの距離が短いので、コンデンサの容量を大きくする必要はなく、コンデンサの容量を小さくして、製造コストを低減することができる。
【００８９】
また、上記コンデンサが樹脂内に埋設されるので、外力によりコンデンサが故障したり、外力によりコンデンサがリードから剥がれたりする可能性が減少して、生産における歩留の向上と、取り扱いが容易になることによる作業性の向上と、コンデンサの剥離が減少することによる信頼性の向上とが同時に実現できる。
【００９０】
一実施形態の半導体レーザ装置は、上記コンデンサは金属ブロックに対してレーザチップと反対側に設けられるので、レーザチップを例えばＡｇペーストでダイボンドする際の熱がコンデンサに伝わり難く、コンデンサをダイボンドするための例えばＡｇペーストの耐熱温度と、コンデンサ保護用の樹脂の耐熱温度とを低くすることができる。
【００９１】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、金属ブロックとリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、リードを露出させる凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサとリードとをＡｇペーストで接着するから、Ａｇペースト塗布時、あるいはコンデンサを搭載した時のＡｇペーストの広がりを抑えて、塗付すべきリードのみにＡｇペーストを塗布することができる。
【００９２】
また、上記リードがＡｇペーストによりショートしているか否かの確認は、凹部から露出しているリードに対してのみ行えばよいので、その確認のための装置を簡略化ができる。
【００９３】
また、上記コンデンサを樹脂で被覆するので、耐環境性を向上をさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（ａ）は本発明の参考例の半導体レーザ装置の概略上面図であり、図１（ｂ）は上記半導体レーザ装置の等価回路図である。
【図２】 図２は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図３】 図３は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図４】 図４は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図５】 図５は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図６】 図６は上記半導体レーザ装置の製造の一工程の概略側面図である。
【図７】 図７は上記半導体レーザの発振レベルと従来の半導体レーザ装置の発振レベルを示す図である。
【図８】 図８（ａ）は上記従来の半導体レーザ装置の概略上面図であり、図８（ｂ）は上記従来の半導体レーザ装置の等価回路図である。
【図９】 図９は本発明の一実施の形態の半導体レーザ装置としてのホログラムレーザの斜視図である。
【図１０】 図１０は図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】 図１１は図９のＸＩ−ＸＩ線から見た断面図である。
【図１２】 図１２は上記ホログラムレーザの樹脂ブロックの凹部を上方から見た図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ素子
２ 受光素子
３ パッケージ
８ コンデンサ
９２ 金属ブロック
９３ リード
９５ ＬＤチップ
９４ 樹脂ブロック
１００ コンデンサ
Claims (3)
- レーザチップおよび受光素子を搭載する金属ブロックと、電極にすべきリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置において、
上記リードにコンデンサを電気的に直接接続し、上記コンデンサと上記受光素子とを上記リードを介して互いに電気的に接続していて、
上記コンデンサは、上記樹脂ブロックに設けられた凹部に収容されていると共に、樹脂で被覆されて上記樹脂内に埋設されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記コンデンサは、上記金属ブロックに対して上記レーザチップと反対側に設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - レーザチップおよび受光素子を搭載する金属ブロックと、電極にすべきリードとが樹脂ブロックを介して一体化してなる電極ブロックを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、
上記樹脂ブロックに、上記リードを露出させる凹部を形成する工程と、
上記凹部内にコンデンサを収容し、このコンデンサと上記リードとをＡｇペーストで接着することにより、上記コンデンサと上記受光素子とを上記リードを介して互いに電気的に接続する工程と、
上記コンデンサを樹脂で被覆することにより、上記コンデンサを上記樹脂内に埋設する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017164A JP3996780B2 (ja) | 2001-03-21 | 2002-01-25 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US10/101,696 US6847665B2 (en) | 2001-03-21 | 2002-03-21 | Semiconductor laser device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001080585 | 2001-03-21 | ||
| JP2001-80585 | 2001-03-21 | ||
| JP2002017164A JP3996780B2 (ja) | 2001-03-21 | 2002-01-25 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353549A JP2002353549A (ja) | 2002-12-06 |
| JP3996780B2 true JP3996780B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=26611664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002017164A Expired - Fee Related JP3996780B2 (ja) | 2001-03-21 | 2002-01-25 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6847665B2 (ja) |
| JP (1) | JP3996780B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4178995B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-11-12 | 住友電気工業株式会社 | 光受信モジュール |
| JP2004281440A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Chichibu Fuji Co Ltd | 半導体レーザユニット |
| JP5106822B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-12-26 | 三菱重工業株式会社 | 半導体装置、検査装置及び半導体装置の製造方法 |
| DE102017108050B4 (de) * | 2017-04-13 | 2022-01-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterstrahlungsquelle |
| JP7279888B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2023-05-23 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3047735B2 (ja) * | 1994-05-16 | 2000-06-05 | 住友電気工業株式会社 | 光受信モジュ−ルとその製造方法 |
| US5500867A (en) * | 1994-09-13 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Laser package having an impedance matching transformer |
| JPH10214437A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Toshiba Corp | 光学ユニット及びその製造方法 |
| US5974066A (en) * | 1997-05-09 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit |
| JP2000077765A (ja) | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザダイオード発光デバイス |
| US20010034479A1 (en) * | 2000-04-19 | 2001-10-25 | Ring Lawrence S. | Optically based transcutaneous blood gas sensor |
| JP2002164613A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2002
- 2002-01-25 JP JP2002017164A patent/JP3996780B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-21 US US10/101,696 patent/US6847665B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020141465A1 (en) | 2002-10-03 |
| US6847665B2 (en) | 2005-01-25 |
| JP2002353549A (ja) | 2002-12-06 |
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