JPH10214437A - 光学ユニット及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体レーザ及び信号検出器などの
光学的な位置合わせ精度を高くする。 【解決手段】配線基板４０に形成された開口部４１に対
して、位置合わせ用突起４１の形成されたヒートシンク
４２を接合し、このヒートシンク４２の位置合わせ用突
起５１に基づいて位置合わせして半導体レーザ４３を実
装し、そして、この半導体レーザ４３の実装の姿勢に基
づいて信号検出器４４を位置合わせしてヒートシンク４
２に実装する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクを記録
媒体として情報の記録再生を行う記録再生装置に係わ
り、特に光ディスクにレーザ光を照射して検出するため
の光ピックアップヘッド等の光学ユニット及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ機器の情報記憶媒体とし
て、ＦＤ、ＨＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＤ、さらにはＤＶＤ
とその記憶情報量が増大している。その中で、ＤＶＤ
（ディジタルビデオディスク）の出現により、最もメモ
リ情報量の大きいＤＶＤプレーヤの開発が進展してい
る。

【０００３】このような状況の中で、情報を読み書きす
るために用いる半導体レーザを用いた光ピックアップの
実装開発が重要である。又、光記録媒体は、単純に音声
や動画の再生だけでなく、パーソナルコンピュータのＲ
ＯＭなどとしても用いられ、さまざまな機器に組み込ま
れるようになり、光ピックアップの小型、薄型化が要求
されるようになっている。

【０００４】図１７は光ディスクを用いた記録再生装置
のシステム構成図である。光ディスク１に対して、レー
ザ光を照射するための光ピックアップヘッド装置２が備
え付けられている。

【０００５】この光ピックアップヘッド装置２は、回転
駆動される光ディスク１の信号記録面に対向配置される
もので、半導体レーザ３の光軸上には光学部品、例えば
回折格子４、光学素子５、ミラー６、光学素子７、対物
レンズ８が配置され、かつ光学素子５からの光軸上には
第１の光検出素子（以下、信号検出器と称する）９が配
置されている。

【０００６】このような構成であれば、半導体レーザ３
から出力されたレーザ光Ｑが、回折格子４、光学素子
５、ミラー６、光学素子７、対物レンズ８を通して光デ
ィスク１に照射することで情報の記録が行われる。

【０００７】又、光ディスク１からの反射レーザ光Ｐを
対物レンズ８、光学素子７、ミラー６、光学素子５を通
して信号検出器９で受光することにより、情報の読取り
が行われる。

【０００８】このような光ピックアップヘッド装置２に
おいて、半導体レーザ３や信号検出器９は、図１８に示
すように銅等のような熱伝導性の良い材料で形成された
ヒートシンク１０と呼ばれる部材に接合されている。

【０００９】又、このヒートシンク１０には、半導体レ
ーザ３の後側からのモニター用のレーザ光を検出する第
２の光検出素子（以下、光検出器と称する）１１が接合
されている。

【００１０】このヒートシンク１０は、ステム１２と呼
ばれる別部材に接合され、半導体レーザ３、信号検出器
９及び光検出器１１は、ステム１２にガラス封止された
ピン１３にワイヤボンディングされ、信号の外部への取
り出しを行っている。

【００１１】しかしながら、このステム１２を用いた方
式では、ピン１３をステム１２から絶縁する必要があ
り、図１９に示すようにガラス材１４でピン１３を浮か
す方法が取られており、その製造工程が煩雑となり、か
つ光ピックアップヘッド装置２の小型化が困難である。

【００１２】又、ヒートシンク１０とステム１２とを同
一材料で形成すると、ガラス材１４との熱膨脹率の違い
により不具合が生じることがある。又、半導体レーザ３
の発熱に対し、ヒートシンク１０とステム１２との間に
熱抵抗が発生するため、放熱が妨げられ、良好な熱伝導
が得にくいことがある。

【００１３】又、上記光ピックアップヘッド装置２は、
ステム１２の外形を光学ベースへの取り付けの際の位置
合わせ基準にするが、ヒートシンク１０とが別部材のた
めに半導体レーザ３との光学的な位置合わせ精度が高く
できない。このために、光学素子の精度が十分に確保さ
れず、位置合わせ調整に手間がかかり、作業効率が悪
い。

【００１４】さらに、半導体レーザ３、信号検出器９及
び光検出器１１の光学的な位置合わせ精度に改良すべき
ところがある。すなわち、ＤＶＤ用の光ピックアップヘ
ッドでは、読み出しトラックの狭ピッチ化に対応すべ
く、半導体レーザ３と信号検出器９との位置合わせ精度
は高いことが要求されている。

【００１５】例えば、半導体レーザ３の発光中心点から
信号検出器９のフォトダイオードの受光中心までは、最
小でＸ方向、Ｙ方向共に±５μｍ程度の高精度で位置合
わせする必要がある。さらに、Ｚ方向は±５〜４０μｍ
の精度が必要である。又、半導体レーザ３をヒートシン
ク１０に接合した際の回転方向の精度も±０．５度以下
で、信号検出器９との位置合わせが必要となる。これ
は、ＤＶＤ（光ディスク）になると、さらに高い位置合
わせ精度が要求される。

【００１６】又、半導体レーザ３の発光中心とステムパ
ッケージとの位置合わせ精度を高める手段も必要である
が、従来のパッケージでは別部材であるため、位置合わ
せ精度の向上は困難である。

【００１７】さらに、従来技術から進展して、信号増幅
回路等の周辺回路を取り込んだ光集積型ピックアップヘ
ッドが望まれているが、従来のパッケージ構造では、出
力端子にピンを使用するために、小型、薄型化が困難で
あり、各光学素子とピン間を接続するワイヤボンディン
グも煩雑である。

【００１８】一方、図２０は光ピックアップの別の構成
図である。配線基板２０には、セラミックなどにパター
ンが形成されている。この配線基板２０の中央部には、
Ｃｕなどで作られたヒートシンク２１が設けられてお
り、光ピックアップヘッド搭載時には、熱を筐体側へと
放熱する。

【００１９】このヒートシンク２１の垂直面には、Ａｌ
ＮやＳｉＣなどで形成されたサブマウント基板２２に搭
載された半導体レーザ２３が接合されている。図２１は
かかるサブマウント基板２２の製造プロセスの一例を示
す図である。

【００２０】同図(a) に示すようにＡｌＮやＳｉＣなど
の焼結基板２４に対して表面研磨が行われ、次に同図
(b) に示すように焼結基板２４に対して真空蒸着などに
よりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属膜２５が形成される。

【００２１】続いて、半導体レーザ２３を搭載するため
に同図(c) に示すようにろう材２６、例えばＡｕ−Ｓｎ
や半田などが形成される。最後に、焼結基板２４が必要
な大きさに切断され、同図(d) に示すようにサブマウン
ト基板２２が完成する。

【００２２】図２２はかかるサブマウント基板２２の別
の製造プロセスを示す図である。上記製造プロセススと
同様に、同図(a) 〜(c) に示すようにＡｌＮやＳｉＣな
どの焼結基板２４に対して表面研磨が行われ、次に焼結
基板２４に対して真空蒸着などによりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
などの金属膜２５が形成され、続いて半導体レーザ２３
を搭載するためにろう材２６が形成される。

【００２３】そして、焼結基板２４の切断方法を上記一
例と変えることによって、同図(d)に示すように基板端
面全体に電極を形成したサブマウント基板２２が完成す
る。図２３はかかるサブマウント基板２２の別の製造プ
ロセスを示す図である。

【００２４】同図(a) に示す焼結基板２４の表面に、同
図(b)(c)に示すように金属膜２５及びろう材２６が形成
される。これら金属膜２５及びろう材２６は、それぞれ
マスキングすることによって必要な形状に形成される。
この後、焼結基板２４を切断することによって、同図
(d) に示す基板端面全面に電極を形成したサブマウント
基板２２が得られる。

【００２５】しかしながら、以上のサブマウント基板２
２の製造プロセスでは、いずれも基板端面の一部に電極
パターンを形成するものではない。再び、図２０に戻っ
て、半導体レーザ２３の動作時に発生する熱は、サブマ
ウント基板２２を経由してヒートシンク２１から放熱さ
れる。

【００２６】このヒートシンク２１の上面には、半導体
レーザ２３から上方に出力され、光ディスク表面で反射
してきたレーザ光を受光する信号検出器２７が接合され
ている。

【００２７】又、半導体レーザ２３の下方のヒートシン
ク２１の面には、半導体レーザ２３の下方に出力された
レーザ光をモニタするための光検出器２８が搭載されて
いる。この光検出器２８は、レーザ光の上方への反射を
防ぐため、水平面に対して１０°程度の角度を設けて搭
載されている。

【００２８】このように半導体レーザ２３や信号検出器
２７、光検出器２８を搭載の後、これらはワイヤボンデ
ィング法などにより配線基板２０との電気的接続が行わ
れる。

【００２９】ところが、かかるワイヤボンディングを行
う場合、半導体レーザ２３は垂直方向に搭載されている
ために、配線基板２０を載置するステージを回転させる
か、又は専用のステージ治具が必要となり、製造プロセ
スは煩雑なものとなる。

【００３０】すなわち、半導体レーザ２３は、配線基板
２０に対して垂直方向に配置されているために、通常
は、中継ピン２９などを介してワイヤボンディングを行
っている。ところが、中継ピン２９の取り付け精度、特
に傾きや曲りなどがある場合にはワイヤボンディング性
が著しく低下する。

【００３１】図２４はかかる半導体レーザ２３周辺の拡
大図である。半導体レーザ２３は、電圧を印加すること
によってレーザ光を出力するが、この電圧を印加する電
極は半導体レーザ２３の両面にそれぞれ形成されてお
り、例えば表面がカソード電極３０で、サブマウント基
板２２と接合する裏面がアノード電極となっている。

【００３２】電気的な接続は、サブマウント基板２２を
介して行い、サブマウント基板２２上には第１の取り出
し用電極３１及び第２の取り出し用電極３２が形成され
ている。

【００３３】このうち第１の取り出し用電極３１は、ワ
イヤボンディング法により半導体レーザ２３のカソード
電極３０に接続され、スルーホール３３等を通してサブ
マウント基板２２の裏面電極（図示せず）と電気的に導
通している。このサブマウント基板２２の裏面電極は、
半田等によりヒートシンク２１と接続され、カソード電
極３０は最終的にＧＮＤに接地される。

【００３４】又、半導体レーザ２３のアノード電極は、
ＡｕＳｎ半田などによりサブマウント基板２２上の第２
の取り出し用電極３２に電気的に接続される。この半導
体レーザ２３のアノード電極は、第２の取り出し用電極
３２と中継ピン２９をワイヤボンディングすることによ
り配線基板２０と電気的に接続される。

【００３５】このようなワイヤボンディング終了後は、
缶パッケージ（図示せず）などで気密封止を行い信頼性
を確保する。このような厳重な封止を行うのは、半導体
レーザ２３の発光面以外の端面は、ダイシング後に表面
処理が行われておらず、活性層が露出しており湿度に非
常に弱いためである。

【００３６】しかしながら、以上の光ピックアップの構
造では、半導体レーザ２３が配線基板２０に対して垂直
方向に搭載されているので、半導体レーザ２３と配線基
板２０とをワイヤボンディングするためには、配線基板
２０を固定するステージを回転させたり、又は専用のス
テージを用意しなければならない。

【００３７】又、中継ピン２９へのワイヤボンディング
も、中継ピン２９の取り付け精度、すなわち傾きや曲り
などを確保することが難しいので安定させることが困難
である。一方、半導体レーザ２３は、湿度に弱いため、
信頼性確保には気密封止などの厳重な封止が必要とさ
れ、コストアップの要因にもなっている。

【００３８】

【発明が解決しようとする課題】以上のように光ピック
アップヘッド装置２の小型化への困難があり、かつ半導
体レーザ３の発熱に対してその放熱が妨げられ、良好な
熱伝導が得にくい。又、半導体レーザ３と信号検出器９
となどの光学的な位置合わせ精度が十分に確保されず、
位置合わせ調整に手間がかかり、作業効率が悪い。

【００３９】一方、半導体レーザ２３が配線基板２０に
対して垂直方向に搭載されているので、半導体レーザ２
３と配線基板２０とをワイヤボンディングするために
は、配線基板２０を固定するステージを回転させたり、
又は専用のステージを用意しなければならず、かつ中継
ピン２９へのワイヤボンディングも、中継ピン２９の取
り付け精度を確保することが難しい。そのうえ、半導体
レーザ２３は、湿度に弱いため、信頼性確保には気密封
止などの厳重な封止が必要である。

【００４０】そこで、本発明は、記録媒体として情報の
記録再生を行うに信頼性の高い光学ユニット及びその製
造方法を提供することを目的とする。又、本発明は、半
導体レーザ及び信号検出器などの光学的な位置合わせ精
度を高くできる光学ユニット及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。又、本発明は、簡便な製造プロセ
スで信頼性の高い光学ユニット及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【００４１】

【課題を解決するための手段】請求項１によれば、開口
部が形成された配線基板と、この配線基板の開口部に設
けられ、かつ位置合わせ用部位が形成されたヒートシン
クと、このヒートシンクの位置合わせ用部位に基づいて
位置合わせされてヒートシンクに実装されたレーザ素子
と、レーザ素子の実装の姿勢に基づいて位置合わせされ
てヒートシンクに実装された光検出素子と、を備えた光
学ユニットである。

【００４２】請求項２によれば、請求項１記載の光学ユ
ニットにおいて、配線基板上には、少なくともレーザ素
子を発振させる第１のチップ集積回路、光検出素子から
出力される電気信号を増幅する第２のチップ集積回路、
ノイズ除去用や電磁遮蔽用の各チップ部品が実装されて
いる。

【００４３】請求項３によれば、請求項２記載の光学ユ
ニットにおいて、配線基板には、レーザ素子、光検出素
子、ヒートシンク、第１のチップ集積回路、第２のチッ
プ集積回路、各チップ部品を気密封止するための覆体が
設けられている。

【００４４】請求項４によれば、請求項２記載の光学ユ
ニットにおいて、配線基板上の第１及び第２のチップ集
積回路のチップ表面側には、レーザ素子から出力された
レーザ光の迷光を遮光する遮光膜が形成されている。

【００４５】請求項５によれば、請求項２記載の光学ユ
ニットにおいて、第１及び第２のチップ集積回路は、チ
ップ表面を配線基板側に向かせて配線基板上に実装され
ている。

【００４６】請求項６によれば、請求項５記載の光学ユ
ニットにおいて、第１及び第２のチップ集積回路と配線
基板との各隙間は、それぞれ遮光用の樹脂が封止されて
いる。

【００４７】請求項７によれば、請求項１記載の光学ユ
ニットにおいて、レーザ素子はヒートシンクに対してサ
ブマウント基板を介して実装され、かつサブマウント基
板には、レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電
極と電気的に接続するための取り出し用電極がマウント
表面から端面に亘って形成されている。

【００４８】請求項８によれば、請求項７記載の光学ユ
ニットにおいて、レーザ素子の発光面以外の端面とサブ
マウント基板との間は、封止樹脂が塗布されている。請
求項９によれば、請求項１記載の光学ユニットにおい
て、レーザ素子は、第１と第２のサブマウント基板の間
に挟まれてヒートシンクに接合する構成で、第１のサブ
マウント基板は、レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成さ
れた各電極のうち一方の電極と電気的に接続するための
第１の取り出し用電極がマウント表面から端面に亘って
形成され、第２のサブマウント基板は、レーザ素子の表
裏面にそれぞれ形成された各電極のうち他方の電極と電
気的に接続するための第２の取り出し用電極がマウント
表面から端面に亘って形成されている。

【００４９】請求項１０によれば、請求項９記載の光学
ユニットにおいて、第１と第２のサブマウント基板の間
は、封止樹脂が塗布されている。請求項１１によれば、
配線基板に設けられたヒートシンクに対して少なくとも
レーザ素子及び光検出素子を搭載した光学ユニットにお
いて、レーザ素子はヒートシンクに対してサブマウント
基板を介して実装され、かつサブマウント基板には、レ
ーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極と電気的
に接続するための取り出し用電極がマウント表面から端
面に亘って形成されている。

【００５０】請求項１２によれば、請求項１１記載の光
学ユニットにおいて、レーザ素子の発光面以外の端面と
サブマウント基板との間は、封止樹脂が塗布されてい
る。請求項１３によれば、配線基板に設けられたヒート
シンクに対して少なくともレーザ素子及び光検出素子を
搭載した光学ユニットにおいて、レーザ素子の表裏面に
それぞれ形成された各電極のうち一方の電極と電気的に
接続するための第１の取り出し用電極がマウント表面か
ら端面に亘って形成された第１のサブマウント基板と、
レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極のうち
他方の電極と電気的に接続するための第２の取り出し用
電極がマウント表面から端面に亘って形成された第２の
サブマウント基板とを備え、レーザ素子は、第１と第２
のサブマウント基板の間に挟んでヒートシンクに接合さ
れた光学ユニットである。

【００５１】請求項１４によれば、請求項１３記載の光
学ユニットにおいて、第１と第２のサブマウント基板の
間は、封止樹脂が塗布されている。請求項１５によれ
ば、レーザ素子から出力され、対象物から反射してきた
レーザ光を光検出素子で検出する光学ユニットにおい
て、開口部が形成され、かつ少なくともレーザ素子を発
振させる第１のチップ集積回路、光検出素子から出力さ
れる電気信号を増幅する第２のチップ集積回路、ノイズ
除去用や電磁遮蔽用の各チップ部品が実装された配線基
板と、この配線基板の開口部に設けられ、かつ位置合わ
せ用部位が形成されたヒートシンクと、レーザ素子を挟
んで一体化してヒートシンクに実装するもので、レーザ
素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極のうち一方の
電極と電気的に接続するための第１の取り出し用電極が
マウント表面から端面に亘って形成された第１のサブマ
ウント基板、及びレーザ素子の表裏面にそれぞれ形成さ
れた各電極のうち他方の電極と電気的に接続するための
第２の取り出し用電極がマウント表面から端面に亘って
形成された第２のサブマウント基板と、レーザ素子の実
装の姿勢に基づいて位置合わせされてヒートシンクに実
装された光検出素子と、第１及び第２のチップ集積回路
のチップ表面側に形成され、レーザ素子から出力された
レーザ光の迷光を遮光する遮光膜と、を備えた光学ユニ
ットである。

【００５２】請求項１６によれば、配線基板に形成され
た開口部に対して、位置合わせ用部位が形成されたヒー
トシンクを接合する第１の工程と、ヒートシンクの位置
合わせ用部位に基づいて位置合わせし、レーザ素子をヒ
ートシンクに実装する第２の工程と、レーザ素子の実装
の姿勢に基づいて位置合わせし、光検出素子をヒートシ
ンクに実装する第３の工程と、を有する光学ユニットの
製造方法である。

【００５３】請求項１７によれば、レーザ素子から出力
され、対象物から反射してきたレーザ光を光検出素子で
検出する光学ユニットの製造方法において、配線基板に
形成された開口部に対して、光学ベースに取り付けるた
めの位置合わせ用部位が形成されたヒートシンクを接合
する第１の工程と、配線基板上に、少なくともレーザ素
子を発振させる第１のチップ集積回路、光検出素子から
出力される電気信号を増幅する第２のチップ集積回路、
ノイズ除去用や電磁遮蔽用の各チップ部品を実装する第
２の工程と、ヒートシンクの位置合わせ用部位に基づい
て位置合わせし、レーザ素子をヒートシンクに実装する
第２の工程と、レーザ素子の実装の姿勢に基づいて位置
合わせし、光検出素子をヒートシンクに実装する第３の
工程と、レーザ素子、光検出素子、第１及び第２のチッ
プ集積回路、各チップ部品と配線基板とをそれぞれワイ
ヤボンディング方により接続する第４の工程と、配線基
板に対し、レーザ素子、光検出素子、ヒートシンク、第
１のチップ集積回路、第２のチップ集積回路、各チップ
部品を気密封止するための覆体を設ける第５の工程と、
を有する光学ユニットの製造方法である。

【００５４】請求項１８によれば、請求項１６又は１７
記載の光学ユニットの製造方法において、レーザ素子
は、ヒートシンクに対して位置合わせ用部位の中心線に
対して位置合わせしてヒートシンクに実装する。

【００５５】請求項１９によれば、請求項１６又は１７
記載の光学ユニットの製造方法において、光検出素子を
ヒートシンクに実装する工程は、ヒートシンクに接着剤
を塗布する工程と、レーザ素子の発光点を参照しながら
光検出素子を位置合わせし、光検出素子をヒートシンク
上にマウントして接着剤を仮硬化する工程と、この仮硬
化の後、接着剤を所望の接着強度に本硬化する工程とを
有する。

【００５６】請求項２０によれば、請求項１６又は１７
記載の光学ユニットの製造方法において、レーザ素子を
ヒートシンクに対して実装する場合、ヒートシンクに対
して、レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極
と電気的に接続するための取り出し用電極がマウント表
面から端面に亘って形成されたサブマウント基板を設
け、このサブマウント基板にレーザ素子を実装する。

【００５７】請求項２１によれば、請求項２０記載の光
学ユニットの製造方法において、レーザ素子の発光面以
外の端面とサブマウント基板との間は、封止樹脂が塗布
されている。

【００５８】請求項２２によれば、請求項２０記載の光
学ユニットの製造方法において、サブマウント基板は、
焼結基板の表面に金属膜を形成し、次にレーザ素子を接
合するためのろう材を金属膜上に形成し、次に焼結基板
を切断の後、この切断面に端面電極を形成する。

【００５９】請求項２３によれば、請求項２２記載の光
学ユニットの製造方法において、焼結基板にスルーホー
ルを形成する工程を付加した。請求項２４によれば、請
求項１６又は１７記載の光学ユニットの製造方法におい
て、レーザ素子をヒートシンクに対して実装する場合、
レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極のうち
一方の電極と電気的に接続するための第１の取り出し用
電極がマウント表面から端面に亘って形成された第１の
サブマウント基板と、レーザ素子の表裏面にそれぞれ形
成された各電極のうち他方の電極と電気的に接続するた
めの第２の取り出し用電極がマウント表面から端面に亘
って形成された第２のサブマウント基板との間にレーザ
素子を挟んで一体化し、これら第１及び第２のサブマウ
ント基板及びレーザ素子の一体をヒートシンクに実装す
る。請求項２５によれば、請求項２４記載の光学ユニッ
トの製造方法において、第１と第２のサブマウント基板
の間は、封止樹脂が塗布されている。

【００６０】

【発明の実施の形態】

(1) 以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参
照して説明する。図１は光学ユニットとしての光ピック
アップヘッドの斜視図である。配線基板４０は、セラミ
ックなどによりパターンが形成され、その中央部には、
開口部４１が形成されている。

【００６１】この配線基板４０の開口部４１には、例え
ば銅等の放熱性の優れたヒートシンク４２が配置されて
いる。このヒートシンク４２は、図面上においてヒート
シンク上部４２ａ及びヒートシンク下部４２ｂが現れて
いる。

【００６２】このヒートシンク上部４２ａには、半導体
レーザ４３、信号検出器４４、光検出器４５が配置され
ている。なお、信号検出器４４は、半導体レーザ４３か
ら出力されたレーザ光が光ディスク等に照射され、その
反射レーザ光を検出するものである。又、光検出器４５
は、半導体レーザ４３の後方から出力されたレーザ光を
受光してモニタするものである。

【００６３】配線基板４０におけるヒートシンク４２の
左右側には、信号処理用のベアチップＩＣ４６、信号増
幅用のベアチップＩＣ４７及び各チップ部品４８が配置
されている。このうち信号処理用のベアチップＩＣ４６
は半導体レーザ４３の発振を増幅駆動する機能を有し、
信号増幅用のベアチップＩＣ４７は信号検出器４４から
の電気信号を電圧信号に変換し、かつ増幅出力する機能
を有している。

【００６４】各チップ部品４８は、半導体レーザ４３に
加える電気信号、信号検出器４４からの電気信号、光検
出器４５からの電気信号に対して、ノイズ除去効果を持
たせるためのバイパスコンデンサや電磁遮蔽用のインダ
クタンスである。

【００６５】従って、これらチップ部品４８は、半導体
レーザ４３、信号検出器４４、光検出器４５の実装位置
の最も近傍に配置するのがよい。又、ベアチップＩＣ４
６は半導体レーザ４３に近付き、ベアチップＩＣ４７は
信号検出器４４に近付いて配置されるのがよく、かつそ
れぞれのベアチップＩＣ４６、４７は相互に電気的干渉
を避けるために、同一パッケージ内では遠く実装配置す
る。

【００６６】中継ピン４９は、ヒートシンク４２に垂直
方向に搭載された半導体レーザ４３を、配線基板４０に
ワイヤボンディング接続するための中間接続用として配
置される。

【００６７】図２は上記光学ユニットを断面方向から見
た構成図である。ヒートシンク４２の下部には、光学ベ
ース５０に取り付けるための位置合わせ用部位、すなわ
ち位置合わせガイド５１が形成されている。

【００６８】この位置合わせガイド５１は、突起状に形
成されており、この突起部位が光学ベース５０に嵌合さ
れることにより、ヒートシンク４２を位置合わせする。
なお、この位置合わせガイド５１は、突起状に形成する
に限らず、光学ベース５０との形状に応じて凹型に形成
してもよい。

【００６９】又、この光ピックアップヘッドは、その全
体を気密封止用のカン５２により覆われている。このカ
ン５２には、半導体レーザ４３から出力されるレーザ光
４３ａ及び光ディスク等からの反射レーザ光４３ｂを通
過させる開口部５３が形成され、かつこの開口部５３に
レーザ光４３ａ及び反射レーザ光４３ｂ透過するための
透光部材５３が接着されている。

【００７０】又、半導体レーザ４３の下方には、レーザ
光の発光モニタ用の上記光検出器４５が傾きをもって配
置されている。これは、半導体レーザ４３の後方から発
光されるレーザ光が光検出器４５で９０°反射して、再
度半導体レーザ４３に飛び込まないようにレーザ反射角
度を変えるためである。

【００７１】次に上記の如く構成された光ピックアップ
ヘッドの製造方法について図３に示す製造プロセスを参
照して説明する。配線基板４０には、同図(a) に示すよ
うに開口部４１が形成される。

【００７２】この配線基板４０の両面には、それぞれ基
材４０ａ上に配線パターン５５ａ、５５ｂが形成され、
かつスルーホール５６を形成することで各配線パターン
５５ａ、５５ｂ間の導通がとられている。

【００７３】なお、この配線基板４０は、多層基板を用
いてもよく、さらに気密封止を実施する必要性からセラ
ミック基板がよい。この場合、配線基板４０は、樹脂封
止等の簡易封止でよい場合には、ガラエポ等の有機基板
やメタルコア基板等の金属基板、さらにはポリイミド等
のフレキシブル基板でもよい。

【００７４】次に、配線基板４０に対し、図３(b) に示
すように中継ピン４９が銀ろう付５５されるとともに、
ヒートシンク４２が配線基板４０の開口部４１に挿入さ
れて銀ろう付５６される。これも気密封止の向上から実
施しているが、高温半田や共晶半田の半田材でもよい。
又、ヒートシンク４２は、配線基板４０の裏面のリング
状に形成したパターン５７にヒートシンク下部４２ｂを
固着したが、表面パターンをリング状に形成して固着し
てもよい。

【００７５】次に、配線基板４０に対し、図３(c) に示
すように各チップ部品４８、各ベアチップＩＣ４６、４
７及び光検出器４５が半田付又は導電性ペースト等の導
電性接着材５７ａにより接続される。

【００７６】次に、ヒートシンク上部４２ａに対し、半
導体レーザ４３及び信号検出器４４が接着される。この
場合、先ず、半導体レーザ４３をサブマウント基板５８
に対し、例えば金−すず共晶半田付する。次にサブマウ
ント基板５８をヒートシンク上部４２ａに、例えば金−
すず共晶半田付で接着する。

【００７７】なお、サブマウント基板５８は、窒化アル
ミニウム（ＡＩＮ）や炭化珪素（ＳｉＣ）を用いてお
り、これは半導体レーザ４３とヒートシンク４２の熱膨
脹係数が大きく異なるために、その熱ストレスを軽減す
る応力緩和材として用いる。さらに、放熱性を損なうこ
とのないように、熱伝導性の優れた部材を用いる。ただ
し、接合材自身が応力緩和材として機能すれば、半導体
レーザ４３とヒートシンク４２とを直接接合してもよ
い。

【００７８】ここで、半導体レーザ４３のヒートシンク
４２への接合の際には、半導体レーザ４３が実装された
サブマウント基板５８を位置合わせするが、この位置合
わせでは、半導体レーザ４３の発光面を画像検出した
り、発光（レーザ光を出力）させながら高精度で位置合
わせする。

【００７９】すなわち、半導体レーザ４３の位置合わせ
方法は、半導体レーザ４３を例えば吸着ピンで吸着し、
ＣＣＤカメラでヒートシンク４２と半導体レーザ４３の
発光面とをモニターしながらＸ及びＹ方向を位置合わせ
し、半導体レーザ４３をヒートシンク４２に半田接合す
る。これと共に、Ｚ方向、θ方向は、別のＣＣＤカメラ
で認識して接合する。

【００８０】なお、モニターカメラには、半導体レーザ
４３が実装される基準位置をメモリしておくことでマウ
ント精度は高くできる。又、半導体レーザ４３を発光さ
せながら、その発光面をＣＣＤカメラを用いて画像認識
し、ズレ量を検出することで、半導体レーザ４３のθ方
向の傾き角をさらに高精度にマウントできる。

【００８１】このときの半導体レーザ４３の位置合わせ
精度は、図３(d) に示すようにヒートシンク下部４２ｂ
に形成した位置合わせ用突起５１の中心線に対して、Ｘ
及びＹ方向で±１０μｍ程度である。又、半導体レーザ
４３の中心線４３ａに対する、半導体レーザ４３自身の
回転傾きθは±０．５度以内で実装する。

【００８２】続いて、実装済みの半導体レーザ４３に対
し、信号検出器４４が高精度で接着される。このときの
信号検出器４４の実装精度が最も重要となり、光ピック
アップの性能を左右する。

【００８３】この信号検出器４４のＸ、Ｙ及びＺ方向の
位置合わせ精度を図１を参照して説明すると、Ｘ方向の
精度は半導体レーザ４３の発光中心と信号検出器４４に
形成されたフォトダイオードとの中心からのずれであ
り、Ｙ方向の精度は半導体レーザ４３の発光中心と信号
検出器４４上に形成されたフォトダイオードとの距離の
ばらつきであり、それぞれ±５μｍである。

【００８４】これら精度を実現するために、信号検出器
４４の接着材５９には、接合時に信号検出器４４が微動
しない接合材料とプロセスが望ましく、例えば加熱併用
型ＵＶ接着材が用いられる。

【００８５】そのプロセスを説明すると、先ず、ヒート
シンク４２に加熱併用型ＵＶ接着材が塗布される。次
に、マウンタのボンディングツールで信号検出器４４を
ピックアップし、半導体レーザ４３の発光点を認識しな
がらＸ、Ｙ位置を算出してマウントする。この半導体レ
ーザ４３の発光点を認識する作業は、例えば２視野顕微
鏡を用いて、比較的遠い２点を同一画像で認識する方法
が用いられる。

【００８６】この後、ボンディングツールを信号検出器
４４から離さないで、ＵＶ光を照射して加熱併用型ＵＶ
接着材を仮硬化する。これにより、信号検出器４４は、
高精度に接着される。

【００８７】しかる後、必要に応じて加熱工程により加
熱併用型ＵＶ接着材の本硬化を行い、所望の接着強度を
得る。このように信号検出器４４を実装した後、半導体
レーザ４３、信号検出器４４、各ベアチップＩＣ４６、
４７と配線基板４０とが図３(e) に示すようにワイヤボ
ンディング法により接続される。

【００８８】このとき、必要に応じて中継ピン４９を中
継して配線基板４０と接続してもよいし、半導体レーザ
４３から配線基板４０に直接ワイヤボンディング接続し
てもよい。なお、６０、６１、６２はボンディングワイ
ヤを示す。

【００８９】このワイヤボンディングは、各ベアチップ
ＩＣ４６、４７面へのボンディングと、半導体レーザ４
３の高段差のボンディングとは、ワイヤーボンダーを用
いて実施する。

【００９０】半導体レーザ４３の立体ボンディング、す
なわち実装された半導体レーザ４３の平面及び倒立面に
対する各ボンディングであり、それぞれボンディング面
が異なるので、最初に半導体レーザ４３のボンディング
パッドにボンディングを行い、この後、配線基板４０を
９０度回転させて、配線基板４０上のボンディング面を
ボンデングツールに対して正規面である平面に修正す
る。

【００９１】そして、配線基板４０上のボンディング面
に対してボンディングを行い、半導体レーザ４３と配線
基板４０上のボンディング面とをボンディングワイヤで
接続するものとなる。

【００９２】続いて、光ピックアップ装置全体を気密封
止用のカン５２で覆う。このカン５２と配線基板４０と
の接続は、気密封止性を向上するために、例えば抵抗溶
接法、ロウ付、又は半田付がある。更に、簡易法として
樹脂封止等でもよい。

【００９３】又、カン５２は、半導体レーザ４３から出
力されるレーサ光及びその反射レーザ光を透過するため
の透光部材５３が低融点ガラス等で接着される。これに
より、光ピックアップ装置が完成する。

【００９４】なお、この光ピックアップ装置と外部回路
ユニットとの接続は、例えば図３(e) に示すように配線
基板４０の裏面の配線パターン５５ｂとフレキシブル配
線基板（図示せず）をはんだ付けや導電接着材等で容易
に接続ができる。

【００９５】このように上記第１の実施の形態において
は、配線基板４０に形成された開口部４１に対して、位
置合わせ用突起５１の形成されたヒートシンク４２を接
合し、このヒートシンク４２の位置合わせ用突起５１に
基づいて位置合わせして半導体レーザ４３を実装し、そ
してこの半導体レーザ４３の実装の姿勢に基づいて信号
検出器４４を位置合わせしてヒートシンク４２に実装す
るので、半導体レーザ４３及び信号検出器４４などの光
学的な位置合わせ精度を高くでき、しかも簡便な製造プ
ロセスで信頼性の高い光ピックアップを製造できる。そ
して、このような光ピックアップであれば、記録媒体と
して情報の記録再生を行うに当たり、信頼性の高いもの
とすることができる。

【００９６】又、配線基板４０上に、ヒートシンク４
２、半導体レーザ４３及び信号検出器４４だけでなく、
その周辺回路としての各ベアチップＩＣ４６、４７を実
装するので、従来別途回路基板等に設けられていた各ベ
アチップＩＣ４６、４７などを同一の配線基板４０上に
実装でき、光ピックアップ装置全体からみて小型化で
き、いわゆる小型の集積型光ピックアップヘッドを簡便
な製造方法で得ることができる。 (2) 次に本発明の第２の実施の形態について図４(a) 〜
(c) に示す光ピックアップヘッドの構成図を参照して説
明する。なお、図１と同一部分には同一符号を付してあ
る。

【００９７】これら光ピックアップヘッドは、図５に示
すように半導体レーザ４３から出力されたレーザ光、又
は入射されたレーザ光がパッケージ内で不要に反射を生
じたり、又は信号検出器４４及び光検出器４５のＰＤに
入射（一次入射光）した後、ＰＤ面で反射光がパッケー
ジ内のカン５２内壁や配線基板４０に何度も反射し、い
わゆる迷光として各ベアチップＩＣ４６、４７の表面に
入射し、これらベアチップＩＣ４６、４７の表面に形成
された回路素子の動作時のノイズを発生する等の悪影響
を防ぐ対策を施したものである。

【００９８】具体的に説明すると、図４(a) は各ベアチ
ップＩＣ４６、４７の表面にそれぞれ黒色の遮光樹脂７
０を塗布してある。この製造プロセスは、例えば各ベア
チップＩＣ４６、４７のウエハ上に遮光性のある絶縁
膜、すなわち遮光樹脂７０を塗布する工程を付加するこ
とで容易に達成できる。

【００９９】若しくは、各ベアチップＩＣ４６、４７を
配線基板４０に実装し、ワイヤボンディング法で各ベア
チップＩＣ４６、４７を配線基板４０に接続した後、各
ベアチップＩＣ４６、４７のＩＣ表面に黒色の遮光樹脂
７０をポッティング、すなわちディスペンス法で塗布す
れば簡便である。

【０１００】ここで、遮光樹脂７０は、ベアチップ用の
汎用の封止樹脂の流用が可能であり、エポキシやフェノ
ール等の熱硬化性やポリイミド等の熱可塑性樹脂が挙げ
られる。

【０１０１】又、遮光樹脂７０の塗布方法としては、各
ベアチップＩＣ４６、４７のＩＣ表面のみに塗布するの
が望ましいが、これらＩＣチップ全体をモールド封止し
てもよい。又、ＩＣ表面のみを被覆する際には、ワイヤ
ボンディングの一部を覆ってもよい。このときには、封
止樹脂の硬化収縮によりワイヤに応力が発生してワイヤ
断線等の生じない、例えばシリコン樹脂等の低応力樹脂
でもよい。

【０１０２】このように各ベアチップＩＣ４６、４７の
ＩＣ表面に黒色の遮光樹脂７０を塗布すれば、迷光によ
り各ベアチップＩＣ４６、４７の表面に形成された回路
素子の動作時のノイズを発生する等の悪影響を防止でき
る。

【０１０３】図４(b) は、各ベアチップＩＣ４６、４７
をそのＩＣ表面を下向き、すなわちＩＣ表面を配線基板
４０側に向けてて配線基板４０に接続した、いわゆるフ
リップチップボンディング（フェイスダウンボンディン
グ）を用いたものである。

【０１０４】これは各ベアチップＩＣ４６、４７の電極
にＡｕ等で突起（バンプ）７１を用いて熱圧着で接続す
る。このような構成であれば、各ベアチップＩＣ４６、
４７の裏面で迷光は反射させるものとなり、遮光効果を
容易に実現できると共に、ワイヤボンディングでのワイ
ヤ接続スペースが不要となり高密度実装が可能となる。

【０１０５】図４(c) は、各ベアチップＩＣ４６、４７
をそのＩＣ表面を下向きして配線基板４０に接続し、か
つこれらベアチップＩＣ４６、４７と配線基板４０との
隙間に黒色の遮光樹脂７２を注入したものである。この
遮光樹脂７２は、例えばフリップチップ用のエポキシ樹
脂等の封止樹脂が適用可能である。

【０１０６】このような構成であれば、遮光効果をさら
に向上できる。 (3) 次に本発明の第３の実施の形態について説明する。
なお、図１と同一部分には同一符号を付してある。

【０１０７】図６は光ピックアップヘッドの構成図であ
る。半導体レーザ４３の実装されているヒートシンク４
２には、半導体レーザ４３の後方から出力されるモニタ
ー用のレーザ光路を変更する光路変更機構８０が形成さ
れている。

【０１０８】この光路変更機構８０は、半導体レーザ４
３の接合面の直下のヒートシンク４２に、例えば斜め角
度４５°の傾斜面を形成したものである。この傾斜面
は、鏡面仕上げすればレーザ反射効率の効果がさらに高
くなる。

【０１０９】又、モニター用のレーザ光を検出する光検
出器４５は、ヒートシンク４２上に実装されずに配線基
板４０上に平面実装されている。このように平面実装す
れば、ワイヤボンディングの作業性は飛躍的に向上す
る。 (4) 次に本発明の第４の実施の形態について説明する。

【０１１０】図７は光ピックアップヘッドの構成図であ
る。なお、図１と同一部分には同一符号を付してある。
この光ピックアップヘッドは、配線基板４０に半導体レ
ーザ４３、信号検出器４４及び光検出器４５の接合され
たヒートシンク４２の他に、各ベアチップＩＣ４６、４
７と１つのチップ部品４８を実装したものである。

【０１１１】最小パッケージとしては、各ベアチップＩ
Ｃ４６、４７やチップ部品４８の全く無いパッケージも
あるが、その場合には、削減した部品はパッケージと電
気的に接続する配線基板上に後付してもよい。

【０１１２】このように配線基板４０上に実装する部品
を削減することにより、光ピックアップヘッド装置全体
を小型化できる。 (5) 次に本発明の第５の実施の形態について説明する。

【０１１３】図８は光ピックアップヘッドの構成図であ
る。配線基板９０は、セラミックなどに配線パターンを
形成したものであり、かつその中央部には、開口部９１
が形成されている。

【０１１４】この配線基板９０の開口部９１には、Ｃｕ
等で形成されたヒートシンク９２が配線基板９０を貫通
するように開口部９１に設けられている。このヒートシ
ンク９２の下部には、図示しないが上記第１の実施の形
態と同様に位置合わせガイド（第１の実施の形態の位置
合わせガイド５１に相当）が形成されている。

【０１１５】このヒートシンク９２の垂直面には、Ａｌ
ＮやＳｉＣなどで形成されたサブマウント基板９３が接
合され、このサブマウント基板９３に半導体レーザ９４
が搭載されている。これにより、半導体レーザ９４の動
作時に発生する熱は、ヒートシンク９２により放熱され
る。

【０１１６】図９はかかる半導体レーザ９４の周辺の拡
大構成図である。半導体レーザ９４は、各発光面９４
ａ、９４ｂを有すると共に、カソード電極９４ｃ及びア
ノード電極９４ｄが形成され、このうち各発光面９４
ａ、９４ｂにはそれぞれ反射コーティングが施され、か
つカソード電極９４ｃ及びアノード電極９４ｄはＡｕな
どでメタライズされている。

【０１１７】なお、各発光面９４ａ、９４ｂ以外の端面
には、一切コーティングが成されていない。このため、
湿度に弱い活性層が露出することになるので、その面に
は、封止樹脂９５がディスペンサ等により塗布され、耐
湿性を向上させている。この封止樹脂９５は、半導体レ
ーザ９４の発光面９４ａ、９４ｂに回り込まないように
チクソ性を有するものを選択する。

【０１１８】半導体レーザ９４は、カソード電極９４ｃ
とアノード電極９４ｄに電圧を印加することによって発
光するが、これらカソード電極９４ｃとアノード電極９
４ｄの電気的な接続はサブマウント基板９３を介して行
われる。

【０１１９】このサブマウント基板９３上には、第１の
取り出し電極９６及び第２の取り出し電極９７が形成さ
れている。第１の取り出し電極９６は、ワイヤボンディ
ング法により半導体レーザ９４のカソード電極９４ｃと
接続され、スルーホール９８を通してサブマウント基板
９３の裏面電極（図示せず）と電気的に導通が取られて
いる。このサブマウント基板９３の裏面電極は、半田等
によりヒートシンク９２と接続されているので、カソー
ド電極９４ｃは、最終的にＧＮＤに接地されている。

【０１２０】第２の取り出し電極９７は、サブマウント
基板９３の表面から基板端面にまで延長されて形成され
ている。この第２の取り出し電極９７には、半導体レー
ザ９４のアノード電極９４ｄがＡｕＳｎ半田等により電
気的に接続されている。

【０１２１】そして、半導体レーザ９４のアノード電極
９４ｄと配線基板９０との電気的接続は、第２の取り出
し電極９７の端面電極９７ａと配線基板９０上の配線パ
ターン９０ａとを直接ワイヤボンディングすることによ
り行われる。

【０１２２】ここで、第１及び第２の取り出し電極９
６、９７の形成されたサブマウント基板９３の製造プロ
セスについて説明する。図１０はかかるサブマウント基
板９３の製造プロセスの一例を示す。

【０１２３】同図(a) に示すようにＡｌＮやＳｉＣなど
の焼結基板９８に対して表面研磨が行われる。次に、こ
の焼結基板９８の表面に、同図(b) に示すようにＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕなどの金属膜９９が真空蒸着等により形成さ
れる。続いて、同図(c) に示すように金属膜９９上に、
半導体レーザ９４の接続のためのろう材１００、例えば
Ａｕ−Ｓｎや半田などが形成される。

【０１２４】この後、同図(d)(e)に示すように端面電極
を形成する面で焼結基板９８が切断され、この切断面に
希望する形状にマスキングを行い、真空蒸着などにより
Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの端面電極９７ａが形成される。

【０１２５】そして、必要な大きさに切断することによ
り、同図(f) に示すようなサブマウント基板９３が得ら
れる。なお、この製造プロセスにおいて、サブマウント
基板９３の表面基板と裏面基板との接続は、端面に形成
したパターンにより行っている。

【０１２６】一方、図１１はサブマウント基板９３の他
の製造プロセスを示す。同図(a) に示すようにＡｌＮや
ＳｉＣなどの焼結基板９８に対して表面研磨が行われ、
かつスルーホール１０１が形成される。

【０１２７】次に、この焼結基板９８の表面に、同図
(b) に示すようにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属膜９９が
真空蒸着等により形成される。続いて、同図(c) に示す
ように金属膜９９上に、半導体レーザ９４の接続のため
のろう材１００、例えばＡｕ−Ｓｎや半田などが形成さ
れる。

【０１２８】この後、端面電極を形成する面で焼結基板
９８を切断し、この切断面に希望する形状にマスキング
を行い、真空蒸着などによりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの端
面電極９７ａを形成する。

【０１２９】そして、必要な大きさに切断することによ
り、同図(e) に示すようなサブマウント基板９３が得ら
れる。なお、この製造プロセスにおいて、サブマウント
基板９３の表面基板と裏面基板との接続は、スルーホー
ル１０１により行っている。

【０１３０】再び図９に戻り、信号検出器１０２がヒー
トシンク９２の上面に接合されている。この信号検出器
１０２は、半導体レーザ９４から出力され、光ディスク
表面で反射してきたレーザ光を受光するものである。

【０１３１】又、光検出器１０３がヒートシンク９２に
おける半導体レーザ９４の下方の面上に搭載されてい
る。この光検出器１０３は、半導体レーザ９４の後方か
ら出力されるモニター用のレーザ光を受光するものであ
る。なお、この光検出器１０３は、レーザ光の上方への
反射を防止するために、水平面に対して１０°程度の角
度を設けて搭載されている。

【０１３２】次に上記の如く構成された光ピックアップ
ヘッド装置に適用する光学ユニットの製造方法について
簡単に説明する。配線基板９０には、開口部９１が形成
される。

【０１３３】次に、配線基板９０に対し、ヒートシンク
９２が開口部９１に挿入されて銀ろう付される。次に、
ヒートシンク９２の上部に対し、半導体レーザ９４及び
信号検出器１０２が接着される。この場合、先ず、半導
体レーザ９４がサブマウント基板９３に対し、例えば金
−すず共晶半田付される。次にサブマウント基板９３が
ヒートシンク９２の上部に、例えば金−すず共晶半田付
により接着される。

【０１３４】ここで、半導体レーザ９４のヒートシンク
４２への接合の際には、半導体レーザ９４が実装された
サブマウント基板９３を位置合わせするが、この位置合
わせでは、半導体レーザ９４の発光面を画像検出した
り、発光させながら高精度で位置合わせする。

【０１３５】すなわち、半導体レーザ９４の位置合わせ
方法は、半導体レーザ９４を例えば吸着ピンで吸着し、
ＣＣＤカメラでヒートシンク９２と半導体レーザ９４の
発光面とをモニターしながらＸ及びＹ方向を位置合わせ
し、半導体レーザ９４をヒートシンク９２に半田接合す
る。これと共に、Ｚ方向、θ方向は、別のＣＣＤカメラ
で認識して接合する。

【０１３６】このときの半導体レーザ９４の位置合わせ
精度は、ヒートシンク９２の下部に形成した位置合わせ
用ガイドの中心線に対して、Ｘ及びＹ方向で±１０μｍ
程度である。又、半導体レーザ９４の中心線に対する、
半導体レーザ９４自身の回転傾きθは±０．５度以内で
実装する。

【０１３７】続いて、実装済みの半導体レーザ９４に対
し、信号検出器１０２を高精度で接着する。このときの
信号検出器１０２の実装精度が最も重要となり、光ピッ
クアップの性能を左右する。

【０１３８】この信号検出器１０２のＸ、Ｙ及びＺ方向
の位置合わせ精度を説明すると、Ｘ方向の精度は半導体
レーザ９４の発光中心と信号検出器１０２に形成された
フォトダイオードとの中心からのずれであり、Ｙ方向の
精度は半導体レーザ９４の発光中心と信号検出器１０２
上に形成されたフォトダイオードとの距離のばらつきで
あり、それぞれ±５μｍである。

【０１３９】これら精度を実現するために、信号検出器
１０２の接着材には、接合時に信号検出器１０２が微動
しない接合材料とプロセスが望ましく、例えば加熱併用
型ＵＶ接着材を用いる。

【０１４０】そのプロセスを説明すると、上記第１の実
施の形態と同様に、ヒートシンク９２に加熱併用型ＵＶ
接着材が塗布され、次にマウンタのボンディングツール
で信号検出器１０２がピックアップされ、半導体レーザ
９４の発光点を認識しながらＸ、Ｙ位置を算出してマウ
ントされる。

【０１４１】この後、ボンディングツールを信号検出器
１０２から離さないで、ＵＶ光を照射して加熱併用型Ｕ
Ｖ接着材を仮硬化する。これにより、信号検出器１０２
は、高精度に接着される。

【０１４２】しかる後、必要に応じて加熱工程により加
熱併用型ＵＶ接着材の本硬化を行い、所望の接着強度を
得る。このように信号検出器１０２を実装した後、半導
体レーザ９４、信号検出器１０２等と配線基板９０とを
ワイヤボンディング法により接続する。

【０１４３】ボンディング終了の後は、従来のように缶
パッケージで気密封止を行わずとも、半導体レーザ９４
の耐湿性が向上しているので、簡易的な樹脂パッケージ
でも信頼性を確保することができる。

【０１４４】このように上記第５の実施の形態において
は、サブマウント基板９３に第２の取り出し電極９７を
形成し、この電極９７をサブマウント基板９３の表面か
ら基板端面にまで延長して形成したので、半導体レーザ
９４のアノード電極９４ｄと配線基板９０との電気的接
続を、第２の取り出し電極９７の端面電極９７ａと配線
基板９０上の配線パターン９０ａとを直接ワイヤボンデ
ィングすることができ、中継ピンを無くすことができ
る。これにより、安定したワイヤボンディングを行うこ
とができる。

【０１４５】又、半導体レーザ９４の各発光面９４ａ、
９４ｂ以外の端面には、封止樹脂９５を塗布したので、
缶パッケージで気密封止を行わなくても半導体レーザ９
４の耐湿性を向上でき、簡易的な樹脂パッケージでも信
頼性を確保でき、コストダウンを図れる。 (6) 次に本発明の第６の実施の形態について説明する。
なお、図９と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。

【０１４６】図１２は光ピックアップヘッドにおける半
導体レーザ周辺の構成図である。半導体レーザ９４は、
第１のサブマウント基板１１０と第２のサブマウント基
板１１１との間に挟まれて設けられてヒートシンク９２
に接合されている。

【０１４７】図１３はかかる半導体レーザ９４と第１の
サブマウント基板１１０、第２のサブマウント基板１１
１との接合関係を示す図である。第１のサブマウント基
板１１０は、半導体レーザ９４のアノード電極９４ｄと
電気的に接続するための第１の電極１１２がサブマウン
ト基板端面まで延長されて形成されている。

【０１４８】第２のサブマウント基板１１１は、半導体
レーザ９４のカソード電極９４ｃと電気的に接続するた
めの第２の電極１１３がサブマウント基板端面まで延長
されて形成されている。

【０１４９】これら第１及び第２のサブマウント基板１
１０、１１１と半導体レーザ９４とは、ＡｕＳｎ半田等
で接合された後、第１と第２のサブマウント基板１１
０、１１との間の補強及び耐湿性の向上を兼ねて封止樹
脂１１４により封止されている。

【０１５０】そして、これら一体化された第１及び第２
のサブマウント基板１１０、１１１と半導体レーザ９４
とのうち第１のサブマウント基板１１０がヒートシンク
９２に半田等で接合される。

【０１５１】半導体レーザ９４と配線基板９０との電気
的接続は、第１のサブマウント基板１１０の第１の電極
１１２の基板端面部と配線パターン９０ａとをワイヤボ
ンディングし、第２のサブマウント基板１１１の第２の
電極１１３の基板端面部と配線パターン９０ｂとをワイ
ヤボンディングすることにより行われる。

【０１５２】このように上記第６の実施の形態において
は、半導体レーザ９４を第１及び第２のサブマウント基
板１１０、１１１との間に挟み、かつ第１及び第２のサ
ブマウント基板１１０、１１１の第１及び第２の電極１
１２、１１３をサブマウント基板端面まで延長されて形
成したので、ワイヤボンディング時にステージの回転や
交換などを行わずにでき、かつ中継ピンも不要となる。
これにより、光ピックアップヘッド装置の製造プロセス
を簡略化することができ、かつ安定したワイヤボンディ
ング性を得ることができる。

【０１５３】又、第１と第２とのサブマウント基板１１
０、１１１との間、すなわち半導体レーザ９４の端面が
封止樹脂１１４により封止されているので、光ピックア
ップヘッド装置全体の気密封止が不要となり、簡易的な
樹脂パッケージでも信頼性を確保でき、コストダウンを
図れる。

【０１５４】なお、第６の実施の形態では、半導体レー
ザ９４と第１及び第２のサブマウント基板１１０、１１
１との接続をＡｕＳｎ半田等により行っているが、この
うち少なくとも１つ、例えば半導体レーザ９４と第２の
サブマウント基板１１１との接続に異方導電接着剤を用
いてもよく、この場合、接続と補強と封止とを同時に行
うことができる。 (7) 次に本発明の第７の実施の形態について説明する。

【０１５５】図１４は光ピックアップヘッド装置の構成
図である。配線基板１２０は、セラミックなどによりパ
ターンが形成され、その中央部には、開口部１２１が形
成されている。なお、この配線基板１２０の両面には、
それぞれ基材上に配線パターン１２０ａ等が形成され、
かつスルーホール１２０ｂを形成することで配線パター
ン１２０ａ等の間の導通がとられている。

【０１５６】なお、この配線基板１２０は、多層基板を
用いてもよく、さらに気密封止を実施する必要性からセ
ラミック基板がよい。この場合、配線基板１２０は、樹
脂封止等の簡易封止でよい場合には、ガラエポ等の有機
基板やメタルコア基板等の金属基板、さらにはポリイミ
ド等のフレキシブル基板でもよい。

【０１５７】この配線基板１２０の開口部１２１には、
例えば銅等の放熱性の優れたヒートシンク１２２が配置
されている。このヒートシンク１２２の上部には、半導
体レーザ１２３、信号検出器１２４、光検出器１２５が
配置されている。なお、信号検出器１２４は、半導体レ
ーザ１２３から出力されたレーザ光が光ディスク等に照
射され、その反射レーザ光を検出するものである。又、
光検出器１２５は、半導体レーザ４３の後方から出力さ
れたレーザ光を受光してモニタするものである。

【０１５８】配線基板１２０上のヒートシンク１２２の
左右側には、信号処理用のベアチップＩＣ１２６、信号
増幅用のベアチップＩＣ１２７及び各チップ部品１２８
が配置されている。このうち信号処理用のベアチップＩ
Ｃ１２６は半導体レーザ１２３の発振を増幅駆動する機
能を有し、信号増幅用のベアチップＩＣ１２７は信号検
出器１２４からの電気信号を電圧信号に変換し、かつ増
幅出力する機能を有している。

【０１５９】各チップ部品１２８は、半導体レーザ１２
３に加える電気信号、信号検出器１２４からの電気信
号、光検出器１２５からの電気信号に対して、ノイズ除
去効果を持たせるためのバイパスコンデンサや電磁遮蔽
用のインダクタンスである。

【０１６０】従って、これらチップ部品１２８は、半導
体レーザ１２３、信号検出器１２４、光検出器１２５の
実装位置の最も近傍に配置するのがよい。又、ベアチッ
プＩＣ１２６は半導体レーザ１２３に近付き、ベアチッ
プＩＣ１２７は信号検出器１２４に近付いて配置される
のがよく、かつそれぞれのベアチップＩＣ１２６、１２
７は相互に電気的干渉を避けるために、遠く実装配置す
る。

【０１６１】上記半導体レーザ１２３は、第１のサブマ
ウント基板１２９と第２のサブマウント基板１３０との
間に挟まれて設けられてヒートシンク１２２に接合され
ている。

【０１６２】図１５はかかる半導体レーザ１２３と第１
のサブマウント基板１２９、第２のサブマウント基板１
３０との接合関係を示す図である。第１のサブマウント
基板１２９には、半導体レーザ１２３のアノード電極と
電気的に接続するための第１の電極１３１がサブマウン
ト基板端面まで延長されて形成され、かつ第２のサブマ
ウント基板１３０には、半導体レーザ１２３のカソード
電極と電気的に接続するための第２の電極１３２がサブ
マウント基板端面まで延長されて形成されている。

【０１６３】これら第１及び第２のサブマウント基板１
２９、１３０と半導体レーザ１２３とは、ＡｕＳｎ半田
等で接合された後、第１と第２のサブマウント基板１２
０、１３０との間の補強及び耐湿性の向上を兼ねて封止
樹脂１３３により封止されている。

【０１６４】一方、図１６はかかる光ピックアップヘッ
ド装置を断面方向から見た構成図である。ヒートシンク
１２２の下部には、光学ベースに取り付けるための位置
合わせガイド１３４が形成されている。

【０１６５】この位置合わせガイド１３４は、突起状に
形成されており、この突起部位が光学ベースに嵌合され
ることにより、ヒートシンク１２２を位置合わせする。
この位置合わせガイド１３４は、突起状に形成するに限
らず、光学ベースとの形状に応じて凹型に形成してもよ
い。

【０１６６】上記光検出器１２５は、半導体レーザ１２
３の下方に傾きをもって配置されている。これは、半導
体レーザ１２３の後方から発光されるレーザ光が光検出
器１２５で９０°反射して、再度半導体レーザ１２３に
飛び込まないようにレーザ反射角度を変えるためであ
る。

【０１６７】又、各ベアチップＩＣ１２６、１２７の表
面には、迷光を防ぐためにそれぞれ黒色の遮光樹脂１３
５が塗布してある。この遮光樹脂１３５としては、例え
ばフリップチップ用のエポキシ樹脂等の封止樹脂が用い
られる。

【０１６８】この製造プロセスは、例えば各ベアチップ
ＩＣ１２６、１２７のウエハ上に遮光性のある絶縁膜、
すなわち遮光樹脂１３５を塗布する工程を付加すること
で容易に達成できる。

【０１６９】なお、迷光を防ぐ手段としては、上記第２
の実施の形態と同様に、各ベアチップＩＣ１２６、１２
７をそのＩＣ表面を下向き、すなわちＩＣ表面を配線基
板１２０側に向けて配置してもよいし、又、各ベアチッ
プＩＣ１２６、１２７をそのＩＣ表面を下向きして配線
基板１２０に接続し、かつこれらベアチップＩＣ１２
６、１２７と配線基板１２０との隙間に黒色の遮光樹脂
を注入してもよい。

【０１７０】次に上記の如く構成された光ピックアップ
ヘッド装置の製造方法について説明する。配線基板１２
０の開口部４１には、ヒートシンク１２２が挿入されて
銀ろう付される。

【０１７１】次に、配線基板１２０に対し、各チップ部
品１２８、各ベアチップＩＣ１２６、１２７及び光検出
器１２５が半田付又は導電性ペースト等の導電性接着材
により接続される。

【０１７２】次に、ヒートシンク１２２の上部に対し、
半導体レーザ１２３及び信号検出器１２４が接合され
る。この場合、半導体レーザ１２３は、第１及び第２の
サブマウント基板１２９、１３０との間に挟まれ、Ａｕ
Ｓｎ半田等で接合された後、第１と第２のサブマウント
基板１２０、１３０との間が補強及び耐湿性の向上を兼
ねて封止樹脂１３３により封止される。

【０１７３】そして、第１のサブマウント基板１２９の
部分がヒートシンク１２２に接合される。ここで、半導
体レーザ１２３のヒートシンク１２２への接合の際に
は、半導体レーザ１２３が実装された第１及び第２のサ
ブマウント基板１２９、１３０を位置合わせするが、こ
の位置合わせでは、半導体レーザ１２３の発光面を画像
検出したり、発光（レーザ光を出力）させながら高精度
で位置合わせする。

【０１７４】すなわち、半導体レーザ１２３の位置合わ
せ方法は、半導体レーザ１２３を例えば吸着ピンで吸着
し、ＣＣＤカメラでヒートシンク１２２と半導体レーザ
１２３の発光面とをモニターしながらＸ及びＹ方向を位
置合わせし、半導体レーザ１２３をヒートシンク１２２
に半田接合する。これと共に、Ｚ方向、θ方向は、別の
ＣＣＤカメラで認識して接合する。

【０１７５】なお、モニターカメラには、半導体レーザ
１２３が実装される基準位置をメモリしておくことでマ
ウント精度は高くできる。又、半導体レーザ１２３を発
光させながら、その発光面をＣＣＤカメラを用いて画像
認識し、ズレ量を検出することで、半導体レーザ１２３
のθ方向の傾き角をさらに高精度にマウントできる。

【０１７６】このときの半導体レーザ１２３の位置合わ
せ精度は、ヒートシンク１２２の下部に形成した位置合
わせ用ガイド１３４の中心線に対して、Ｘ及びＹ方向で
±１０μｍ程度である。又、半導体レーザ１２３の中心
線に対する、半導体レーザ１２３自身の回転傾きθは±
０．５度以内で実装する。

【０１７７】続いて、実装済みの半導体レーザ１２３に
対し、信号検出器１２４を高精度で接着する。このとき
の信号検出器１２４の実装精度が最も重要となり、光ピ
ックアップの性能を左右する。

【０１７８】この信号検出器１２４のＸ、Ｙ及びＺ方向
の位置合わせ精度を説明すると、Ｘ方向の精度は半導体
レーザ１２３の発光中心と信号検出器１２４に形成され
たフォトダイオードとの中心からのずれであり、Ｙ方向
の精度は半導体レーザ１２３の発光中心と信号検出器１
２４上に形成されたフォトダイオードとの距離のばらつ
きであり、それぞれ±５μｍである。

【０１７９】これら精度を実現するために、信号検出器
１２４の接着材には、接合時に信号検出器１２４が微動
しない接合材料とプロセスが望ましく、例えば加熱併用
型ＵＶ接着材を用いる。

【０１８０】そのプロセスを説明すると、先ず、ヒート
シンク１２２に加熱併用型ＵＶ接着材を塗布する。次
に、マウンタのボンディングツールで信号検出器１２４
をピックアップし、半導体レーザ１２３の発光点を認識
しながらＸ、Ｙ位置を算出してマウントする。この半導
体レーザ１２３の発光点を認識する作業は、例えば２視
野顕微鏡を用いて、比較的遠い２点を同一画像で認識す
る方法が用いられる。

【０１８１】この後、ボンディングツールを信号検出器
１２４から離さないで、ＵＶ光を照射して加熱併用型Ｕ
Ｖ接着材を仮硬化する。これにより、信号検出器１２４
は、高精度に接着される。

【０１８２】しかる後、必要に応じて加熱工程により加
熱併用型ＵＶ接着材の本硬化を行い、所望の接着強度を
得る。このように信号検出器１２４を実装した後、半導
体レーザ１２３、信号検出器１２４、各ベアチップＩＣ
１２６、１２７と配線基板１２０とをワイヤボンディン
グ法により接続する。

【０１８３】このとき、半導体レーザ１２３と配線基板
１２０との電気的接続は、図１５に示すように第１のサ
ブマウント基板１２９の第１の電極１３１の基板端面部
と配線パターン１２０ｃとをワイヤボンディングし、第
２のサブマウント基板１３０の第２の電極１３２の基板
端面部と配線パターン１２０ｄとをワイヤボンディング
することにより行われる。

【０１８４】ボンディング終了の後は、従来のように缶
パッケージで気密封止を行わずとも、半導体レーザ１２
３の耐湿性が向上しているので、簡易的な樹脂パッケー
ジでも信頼性を確保することができる。

【０１８５】このように上記第７の実施の形態において
は、配線基板１２０に形成された開口部１２１に対し
て、位置合わせ用ガイド１３４の形成されたヒートシン
ク１２２を接合し、このヒートシンク１２２の位置合わ
せ用ガイド１３４に基づいて位置合わせして半導体レー
ザ１２３を実装し、そしてこの半導体レーザ１２３の実
装の姿勢に基づいて信号検出器１２４を位置合わせして
ヒートシンク１２２に実装するので、半導体レーザ１２
３及び信号検出器１２４などの光学的な位置合わせ精度
を高くでき、しかも簡便な製造プロセスで信頼性の高い
光ピックアップを製造できる。そして、このような光ピ
ックアップであれば、記録媒体として情報の記録再生を
行うに当たり、信頼性の高いものとすることができる。

【０１８６】又、配線基板１２０上に、ヒートシンク１
２２、半導体レーザ１２３及び信号検出器１２４だけで
なく、その周辺回路としての各ベアチップＩＣ１２６、
１２７を実装するので、従来別途回路基板等に設けられ
ていた各ベアチップＩＣ１２６、１２７などを同一の配
線基板１２０上に実装でき、光ピックアップ装置全体か
らみて小型化でき、いわゆる小型の集積型光ピックアッ
プヘッドを簡便な製造方法で得ることができる。

【０１８７】又、各ベアチップＩＣ１２６、１２７の表
面に遮光樹脂１３５を塗布したので、信号検出器１２４
及び光検出器１２５のＰＤに入射（一次入射光）した
後、ＰＤ面で反射光がパッケージの内壁や配線基板１２
０に何度も反射する、いわゆる迷光として各ベアチップ
ＩＣ１２６、１２７の表面に入射したときの、これらベ
アチップＩＣ１２６、１２７の表面に形成された回路素
子の動作時のノイズを発生する等の悪影響を防ぐことが
できる。

【０１８８】又、半導体レーザ１２３を第１及び第２の
サブマウント基板１２９、１３０との間に挟み、かつ第
１及び第２のサブマウント基板１２９、１３０の第１及
び第２の電極１３１、１３２をサブマウント基板端面ま
で延長して形成したので、ワイヤボンディング時にステ
ージの回転や交換などを行わずにでき、かつ中継ピンも
不要となる。これにより、光ピックアップヘッド装置の
製造プロセスを簡略化することができ、かつ安定したワ
イヤボンディング性を得ることができる。

【０１８９】又、第１と第２とのサブマウント基板１２
９、１３０との間、すなわち半導体レーザ１２３の端面
が封止樹脂１３３により封止されているので、光ピック
アップヘッド装置全体の気密封止が不要となり、簡易的
な樹脂パッケージでも信頼性を確保でき、コストダウン
を図れる。

【０１９０】

【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、記
録媒体として情報の記録再生を行うに信頼性の高い光学
ユニット及びその製造方法を提供できる。又、本発明に
よれば、半導体レーザ及び信号検出器などの光学的な位
置合わせ精度を高くできる光学ユニット及びその製造方
法を提供できる。又、本発明によれば、簡便な製造プロ
セスで信頼性の高い光学ユニット及びその製造方法を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる光ユニットとしての光ピックア
ップヘッドの第１の実施の形態を示す斜視図。

【図２】同光ピックアップヘッドを断面方向から見た構
成図。

【図３】光ピックアップヘッドの製造プロセスを示す
図。

【図４】本発明に係わる光ピックアップヘッドの迷光に
対する対策を施した第２の実施の形態を示す構成図。

【図５】迷光の光路を示す図。

【図６】本発明に係わる光ピックアップヘッドに光路変
更機構を形成した第３の実施の形態を示す構成図。

【図７】本発明に係わる光ピックアップヘッドの部品点
数を削減した第４の実施の形態を示す構成図。

【図８】本発明に係わる光ピックアップヘッドの第５の
実施の形態を示す構成図。

【図９】同光ピックアップヘッドにおける半導体レーザ
の周辺の拡大構成図。

【図１０】サブマウント基板の製造プロセスの一例を示
す図。

【図１１】サブマウント基板の他の製造プロセスを示す
図。

【図１２】本発明に係わる光ピックアップヘッドの第６
の実施の形態を示す構成図。

【図１３】半導体レーザと第１及び第２のサブマウント
基板との接合関係を示す図。

【図１４】本発明に係わる光ピックアップヘッドの第７
の実施の形態を示す構成図。

【図１５】半導体レーザと第１及び第２のサブマウント
基板との接合関係を示す図。

【図１６】同装置を断面方向から見た構成図。

【図１７】従来の光ディスクを用いた記録再生装置のシ
ステム構成図。

【図１８】同装置における光ピックアップヘッド装置の
一部外観図。

【図１９】ステム方式におけるピンのガラス材に対する
浮かし方法を示す図。

【図２０】従来の光ピックアップヘッドの別の構成図。

【図２１】サブマウント基板の製造プロセスの一例を示
す図。

【図２２】サブマウント基板の別の製造プロセスを示す
図。

【図２３】サブマウント基板の別の製造プロセスを示す
図。

【図２４】半導体レーザ周辺の拡大図。

【符号の説明】

４０，９０，１２０…配線基板、 ４１，９１，１２１…開口部、 ４２，９２，１２２…ヒートシンク、 ４３，９４，１２３…半導体レーザ、 ４４，１０２，１２４…信号検出器、 ４５，１０３，１２５…光検出器、 ４６，４７，１２６，１２７…ベアチップＩＣ、 ４８，１２８…チップ部品、 ４９…中継ピン、 ５０…光学ベース、 ５１，１３４…位置合わせガイド、 ５２…気密封止用のカン、 ７０，７２，１３５…遮光樹脂、 ９３…サブマウント基板、 ９５，１３３…封止樹脂、 ９６…第１の取り出し電極、 ９７…第２の取り出し電極、 １１０，１２９…第１のサブマウント基板、 １１２，１３１…第１の電極、 １１１，１３０…第２のサブマウント基板、 １１３，１３２…第２の電極。

フロントページの続き (72)発明者 加島 規安 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 生澤 稔 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 国分 保夫 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 木下 暁 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 荒川 雅之 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 開口部が形成された配線基板と、 この配線基板の開口部に設けられ、かつ位置合わせ用部
   位が形成されたヒートシンクと、 このヒートシンクの前記位置合わせ用部位に基づいて位
   置合わせされて前記ヒートシンクに実装されたレーザ素
   子と、 前記レーザ素子の実装の姿勢に基づいて位置合わせされ
   て前記ヒートシンクに実装された光検出素子と、を具備
   したことを特徴とする光学ユニット。
2. 【請求項２】 前記配線基板上には、少なくとも前記レ
   ーザ素子を発振させる第１のチップ集積回路、前記光検
   出素子から出力される電気信号を増幅する第２のチップ
   集積回路、ノイズ除去用や電磁遮蔽用の各チップ部品が
   実装されていることを特徴とする請求項１記載の光学ユ
   ニット。
3. 【請求項３】 前記配線基板には、前記レーザ素子、前
   記光検出素子、前記ヒートシンク、前記第１のチップ集
   積回路、前記第２のチップ集積回路、前記各チップ部品
   を気密封止するための覆体が設けられたことを特徴とす
   る請求項２記載の光学ユニット。
4. 【請求項４】 前記配線基板上の前記第１及び第２のチ
   ップ集積回路のチップ表面側には、前記レーザ素子から
   出力されたレーザ光の迷光を遮光する遮光膜が形成され
   たことを特徴とする請求項２記載の光学ユニット。
5. 【請求項５】 前記第１及び第２のチップ集積回路は、
   チップ表面を前記配線基板側に向かせて前記配線基板上
   に実装したことを特徴とする請求項２記載の光学ユニッ
   ト。
6. 【請求項６】 前記第１及び第２のチップ集積回路と前
   記配線基板との各隙間は、それぞれ遮光用の樹脂が封止
   されたことを特徴とする請求項５記載の光学ユニット。
7. 【請求項７】 前記レーザ素子は前記ヒートシンクに対
   してサブマウント基板を介して実装され、かつ前記サブ
   マウント基板には、前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ
   形成された各電極と電気的に接続するための取り出し用
   電極がマウント表面から端面に亘って形成されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の光学ユニット。
8. 【請求項８】 前記レーザ素子の発光面以外の端面と前
   記サブマウント基板との間は、封止樹脂が塗布されたこ
   とを特徴とする請求項７記載の光学ユニット。
9. 【請求項９】 前記レーザ素子は、第１と第２のサブマ
   ウント基板の間に挟まれて前記ヒートシンクに接合する
   構成で、 前記第１のサブマウント基板は、前記レーザ素子の表裏
   面にそれぞれ形成された各電極のうち一方の電極と電気
   的に接続するための第１の取り出し用電極がマウント表
   面から端面に亘って形成され、 前記第２のサブマウント基板は、前記レーザ素子の表裏
   面にそれぞれ形成された各電極のうち他方の電極と電気
   的に接続するための第２の取り出し用電極がマウント表
   面から端面に亘って形成されたことを特徴とする請求項
   １記載の光学ユニット。
10. 【請求項１０】 第１と第２のサブマウント基板の間
    は、封止樹脂が塗布されたことを特徴とする請求項９記
    載の光学ユニット。
11. 【請求項１１】 配線基板に設けられたヒートシンクに
    対して少なくともレーザ素子及び光検出素子を搭載した
    光学ユニットにおいて、 前記レーザ素子は前記ヒートシンクに対してサブマウン
    ト基板を介して実装され、かつ前記サブマウント基板に
    は、前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電
    極と電気的に接続するための取り出し用電極がマウント
    表面から端面に亘って形成されていることを特徴とする
    光学ユニット。
12. 【請求項１２】 前記レーザ素子の発光面以外の端面と
    前記サブマウント基板との間は、封止樹脂が塗布された
    ことを特徴とする請求項１１記載の光学ユニット。
13. 【請求項１３】 配線基板に設けられたヒートシンクに
    対して少なくともレーザ素子及び光検出素子を搭載した
    光学ユニットにおいて、 前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極の
    うち一方の電極と電気的に接続するための第１の取り出
    し用電極がマウント表面から端面に亘って形成された第
    １のサブマウント基板と、 前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極の
    うち他方の電極と電気的に接続するための第２の取り出
    し用電極がマウント表面から端面に亘って形成された第
    ２のサブマウント基板とを備え、 前記レーザ素子は、前記第１と第２のサブマウント基板
    の間に挟んで前記ヒートシンクに接合されたことを特徴
    とする光学ユニット。
14. 【請求項１４】 前記第１と第２のサブマウント基板の
    間は、封止樹脂が塗布されたことを特徴とする請求項１
    ３記載の光学ユニット。
15. 【請求項１５】 レーザ素子から出力され、対象物から
    反射してきたレーザ光を光検出素子で検出する光学ユニ
    ットにおいて、 開口部が形成され、かつ少なくとも前記レーザ素子を発
    振させる第１のチップ集積回路、前記光検出素子から出
    力される電気信号を増幅する第２のチップ集積回路、ノ
    イズ除去用や電磁遮蔽用の各チップ部品が実装された配
    線基板と、 この配線基板の開口部に設けられ、かつ位置合わせ用部
    位が形成されたヒートシンクと、 前記レーザ素子を挟んで一体化して前記ヒートシンクに
    実装するもので、前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ形
    成された各電極のうち一方の電極と電気的に接続するた
    めの第１の取り出し用電極がマウント表面から端面に亘
    って形成された第１のサブマウント基板、及び前記レー
    ザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極のうち他方
    の電極と電気的に接続するための第２の取り出し用電極
    がマウント表面から端面に亘って形成された第２のサブ
    マウント基板と、 前記レーザ素子の実装の姿勢に基づいて位置合わせされ
    て前記ヒートシンクに実装された光検出素子と、 前記第１及び第２のチップ集積回路のチップ表面側に形
    成され、前記レーザ素子から出力されたレーザ光の迷光
    を遮光する遮光膜と、を具備したことを特徴とする光学
    ユニット。
16. 【請求項１６】 配線基板に形成された開口部に対し
    て、位置合わせ用部位が形成されたヒートシンクを接合
    する第１の工程と、 前記ヒートシンクの前記位置合わせ用部位に基づいて位
    置合わせし、レーザ素子を前記ヒートシンクに実装する
    第２の工程と、 前記レーザ素子の実装の姿勢に基づいて位置合わせし、
    光検出素子を前記ヒートシンクに実装する第３の工程
    と、を有することを特徴とする光学ユニットの製造方
    法。
17. 【請求項１７】 レーザ素子から出力され、対象物から
    反射してきたレーザ光を光検出素子で検出する光学ユニ
    ットの製造方法において、 配線基板に形成された開口部に対して、光学ベースに取
    り付けるための位置合わせ用部位が形成されたヒートシ
    ンクを接合する第１の工程と、 前記配線基板上に、少なくとも前記レーザ素子を発振さ
    せる第１のチップ集積回路、前記光検出素子から出力さ
    れる電気信号を増幅する第２のチップ集積回路、ノイズ
    除去用や電磁遮蔽用の各チップ部品を実装する第２の工
    程と、 前記ヒートシンクの前記位置合わせ用部位に基づいて位
    置合わせし、前記レーザ素子を前記ヒートシンクに実装
    する第２の工程と、 前記レーザ素子の実装の姿勢に基づいて位置合わせし、
    前記光検出素子を前記ヒートシンクに実装する第３の工
    程と、 前記レーザ素子、前記光検出素子、前記第１及び第２の
    チップ集積回路、前記各チップ部品と前記配線基板とを
    それぞれワイヤボンディング方により接続する第４の工
    程と、 前記配線基板に対し、前記レーザ素子、前記光検出素
    子、前記ヒートシンク、前記第１のチップ集積回路、前
    記第２のチップ集積回路、前記各チップ部品を気密封止
    するための覆体を設ける第５の工程と、を有することを
    特徴とする光学ユニットの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記レーザ素子は、前記ヒートシンク
    に対して前記位置合わせ用部位の中心線に対して位置合
    わせして前記ヒートシンクに実装することを特徴とする
    請求項１６又は１７記載の光学ユニットの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記光検出素子を前記ヒートシンクに
    実装する工程は、 前記ヒートシンクに接着剤を塗布する工程と、 前記レーザ素子の発光点を参照しながら前記光検出素子
    を位置合わせし、前記光検出素子を前記ヒートシンク上
    にマウントして前記接着剤を仮硬化する工程と、 この仮硬化の後、前記接着剤を所望の接着強度に本硬化
    する工程と、を有することを特徴とする請求項１６又は
    １７記載の光学ユニットの製造方法。
20. 【請求項２０】 前記レーザ素子を前記ヒートシンクに
    対して実装する場合、前記ヒートシンクに対して、前記
    レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極と電気
    的に接続するための取り出し用電極がマウント表面から
    端面に亘って形成されたサブマウント基板を設け、この
    サブマウント基板に前記レーザ素子を実装することを特
    徴とする請求項１６又は１７記載の光学ユニットの製造
    方法。
21. 【請求項２１】 前記レーザ素子の発光面以外の端面と
    前記サブマウント基板との間は、封止樹脂が塗布された
    ことを特徴とする請求項２０記載の光学ユニットの製造
    方法。
22. 【請求項２２】 前記サブマウント基板は、焼結基板の
    表面に金属膜を形成し、次に前記レーザ素子を接合する
    ためのろう材を前記金属膜上に形成し、次に前記焼結基
    板を切断の後、この切断面に端面電極を形成することに
    より製造されることを特徴とする請求項２０記載の光学
    ユニットの製造方法。
23. 【請求項２３】 前記焼結基板にスルーホールを形成す
    る工程を付加したことを特徴とする請求項２２記載の光
    学ユニットの製造方法。
24. 【請求項２４】 前記レーザ素子を前記ヒートシンクに
    対して実装する場合、 前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極の
    うち一方の電極と電気的に接続するための第１の取り出
    し用電極がマウント表面から端面に亘って形成された第
    １のサブマウント基板と、 前記レーザ素子の表裏面にそれぞれ形成された各電極の
    うち他方の電極と電気的に接続するための第２の取り出
    し用電極がマウント表面から端面に亘って形成された第
    ２のサブマウント基板との間に前記レーザ素子を挟んで
    一体化し、 これら第１及び第２のサブマウント基板及び前記レーザ
    素子の一体を前記ヒートシンクに実装するとを特徴とす
    る請求項１６又は１７記載の光学ユニットの製造方法。
25. 【請求項２５】 前記第１と第２のサブマウント基板の
    間は、封止樹脂が塗布されたことを特徴とする請求項２
    ４記載の光学ユニットの製造方法。