JPH0749807Y2 - 光集積回路装置 - Google Patents
光集積回路装置Info
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- JPH0749807Y2 JPH0749807Y2 JP1987077936U JP7793687U JPH0749807Y2 JP H0749807 Y2 JPH0749807 Y2 JP H0749807Y2 JP 1987077936 U JP1987077936 U JP 1987077936U JP 7793687 U JP7793687 U JP 7793687U JP H0749807 Y2 JPH0749807 Y2 JP H0749807Y2
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- circuit device
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 以下の順序に従って本考案を説明する。
A.産業上の利用分野 B.考案の概要 C.背景技術［第２図、第３図］ D.考案が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図］ H.考案の効果 （A.産業上の利用分野） 本考案は光集積回路装置、特にコンパクト化、高信頼度
化を図ることのできる光集積回路装置に関する。
化を図ることのできる光集積回路装置に関する。
（B.考案の概要） 本考案は、光集積回路装置において、 コンパクト化、高信頼度化及び放熱性向上を図るため、 半導体基板の電極パッドにリードの先端部を直接固定
し、該半導体基板の底面を直接外部に露出させたもので
ある。
し、該半導体基板の底面を直接外部に露出させたもので
ある。
（C.背景技術）［第２図、第３図］ 本願出願人会社は第２図に示すような光集積回路を用い
て光学ヘッドを非常にコンパクト化することを特願昭61
−38575（特開昭62−196880号公報）、特願昭61−38576
（特開昭62−197931号公報）、特願昭61−126318（特開
昭62−283430号公報）等により提案した。同図におい
て、１はシリコン半導体基板で、表面にはフォーカスサ
ーボ、トラッキングサーボ等のために必要な光検知を行
う複数のフォトダイオード２、２、２が形成されてい
る。３は半導体基板１の表面に形成されたモニター用フ
ォトダイオードであり、該フォトダイオード３と、上記
複数のフォトダイオード２、２、２が形成された領域と
の間にはレーザダイオード４がボンディングされてい
る。５は上記フォトダイオード２、２、２が形成された
領域上に接着された透明な材料からなるプリズムで、該
プリズム５のレーザダイオード４側の面は傾斜光学面６
とされレーザダイオード４から出射されたレーザビーム
を反射する。そして、該レーザビームの例えばコンパク
トディスク等の光学式記録媒体表面からの戻り光は上記
傾斜光学面６に達しプリズム５内に入射する。そして、
プリズム５に入射したレーザビームはフォトダイオード
２、２、２によって検知されてフォーカスサーボ、トラ
ッキングサーボ及び信号の読取に供される。
て光学ヘッドを非常にコンパクト化することを特願昭61
−38575（特開昭62−196880号公報）、特願昭61−38576
（特開昭62−197931号公報）、特願昭61−126318（特開
昭62−283430号公報）等により提案した。同図におい
て、１はシリコン半導体基板で、表面にはフォーカスサ
ーボ、トラッキングサーボ等のために必要な光検知を行
う複数のフォトダイオード２、２、２が形成されてい
る。３は半導体基板１の表面に形成されたモニター用フ
ォトダイオードであり、該フォトダイオード３と、上記
複数のフォトダイオード２、２、２が形成された領域と
の間にはレーザダイオード４がボンディングされてい
る。５は上記フォトダイオード２、２、２が形成された
領域上に接着された透明な材料からなるプリズムで、該
プリズム５のレーザダイオード４側の面は傾斜光学面６
とされレーザダイオード４から出射されたレーザビーム
を反射する。そして、該レーザビームの例えばコンパク
トディスク等の光学式記録媒体表面からの戻り光は上記
傾斜光学面６に達しプリズム５内に入射する。そして、
プリズム５に入射したレーザビームはフォトダイオード
２、２、２によって検知されてフォーカスサーボ、トラ
ッキングサーボ及び信号の読取に供される。
この光集積回路11によるフォーカスサーボ等の原理は上
記各出願の願書に添付した明細書において詳細に説明さ
れているし、また本考案の本質には直接関係しないので
特に説明しない。
記各出願の願書に添付した明細書において詳細に説明さ
れているし、また本考案の本質には直接関係しないので
特に説明しない。
第３図は第２図に示した光集積回路を実装した光集積回
路装置の従来例の断面図であり、この図において、７は
例えば樹脂からなるパッケージ、８、８、８はリードで
あり、このうちの１つのリード８上に第２図に示した光
集積回路がボンディングされている。９、９は上記半導
体基板１の電極パッドとリード８、８の内端部との間を
接続するコネクトワイヤ、10はパッケージ７の開口した
上面を閉塞する透明キャップである。このように、第２
図に示した光集積回路は第３図に示すように実装するこ
とが検討された。
路装置の従来例の断面図であり、この図において、７は
例えば樹脂からなるパッケージ、８、８、８はリードで
あり、このうちの１つのリード８上に第２図に示した光
集積回路がボンディングされている。９、９は上記半導
体基板１の電極パッドとリード８、８の内端部との間を
接続するコネクトワイヤ、10はパッケージ７の開口した
上面を閉塞する透明キャップである。このように、第２
図に示した光集積回路は第３図に示すように実装するこ
とが検討された。
（D.考案が解決しようとする問題点） ところで、第３図に示すような光集積回路装置によれば
半導体基板１とリード8,8との間をコネクトワイヤ9,9に
より接続しなければならなかった。従って、半導体基板
１とリード8,8との間には必然的に間隔が存在し、これ
がコンパクト化を制約する一つの要因となる。また、コ
ネクトワイヤ9,9の断線事故等が発生し易く、信頼性の
向上を図ることが難しくなる。そして、ワイヤボンディ
ングという工程が必要なので生産性の向上を図ることが
制約される。更にまた、パッケージ７は樹脂からなり熱
伝導性が悪いので、レーザダイオード４で発生した熱の
放熱性が悪く、レーザダイオード４の温度上昇が許容限
度を越える虞れがあった。
半導体基板１とリード8,8との間をコネクトワイヤ9,9に
より接続しなければならなかった。従って、半導体基板
１とリード8,8との間には必然的に間隔が存在し、これ
がコンパクト化を制約する一つの要因となる。また、コ
ネクトワイヤ9,9の断線事故等が発生し易く、信頼性の
向上を図ることが難しくなる。そして、ワイヤボンディ
ングという工程が必要なので生産性の向上を図ることが
制約される。更にまた、パッケージ７は樹脂からなり熱
伝導性が悪いので、レーザダイオード４で発生した熱の
放熱性が悪く、レーザダイオード４の温度上昇が許容限
度を越える虞れがあった。
本考案はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、光集積回路を構成する半導体基板の電極がリード
を介して電気的に導出されるようにした光集積回路装置
において、コンパクト化、信頼性向上、生産性の向上及
び放熱性の向上を図ることを目的とする。
あり、光集積回路を構成する半導体基板の電極がリード
を介して電気的に導出されるようにした光集積回路装置
において、コンパクト化、信頼性向上、生産性の向上及
び放熱性の向上を図ることを目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本考案光集積回路装置は上記問題点を解決するため、半
導体基板の電極パッドにリードの先端部を直接固定し、
半導体基板の底面を直接外部に露出させたことを特徴と
する。
導体基板の電極パッドにリードの先端部を直接固定し、
半導体基板の底面を直接外部に露出させたことを特徴と
する。
（F.作用） 本考案光集積回路装置によれば、半導体基板とリードと
の間に間隔がないのでコンパクト化を図ることができ
る。そして、リードがコネクトワイヤを介することな
く、直接半導体素子の電極パッドに接続されているの
で、コネクトワイヤの断線による不良の生じる余地がな
い。従って、その分信頼度が向上する。そして、ワイヤ
ボンディング工程が不要となるので製造工数の低減を図
ることができ、生産性を向上させることができる。
の間に間隔がないのでコンパクト化を図ることができ
る。そして、リードがコネクトワイヤを介することな
く、直接半導体素子の電極パッドに接続されているの
で、コネクトワイヤの断線による不良の生じる余地がな
い。従って、その分信頼度が向上する。そして、ワイヤ
ボンディング工程が不要となるので製造工数の低減を図
ることができ、生産性を向上させることができる。
また、半導体基板の底面が直接に外部に露出しているの
でレーザダイオードやフォトダイオードで発生した熱
は、半導体基板を通じて外部へ非常に効果的に放熱する
ことができる。
でレーザダイオードやフォトダイオードで発生した熱
は、半導体基板を通じて外部へ非常に効果的に放熱する
ことができる。
（G.実施例）［第１図］ 以下、本考案光集積回路装置を図示実施例に従って詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本考案光集積回路装置の一つの実施例を示す断
面図である。尚、全図を通して共通する部分には共通の
符号を付した。
面図である。尚、全図を通して共通する部分には共通の
符号を付した。
11は光集積回路で、複数のフォトダイオード２、２、２
及び３が形成された半導体基板１の表面にレーザダイオ
ード４及びプリズム５が固着されてなるもので、その構
成は第２図に示した光集積回路11と全く同じである。
及び３が形成された半導体基板１の表面にレーザダイオ
ード４及びプリズム５が固着されてなるもので、その構
成は第２図に示した光集積回路11と全く同じである。
この光集積回路11の半導体基板１の電極パッド1aにリー
ド８、８の内端部裏面が直接ボンディングされている。
該各電極パッド1aは金系の電極からなり、該パッド1aに
半田バンプを介してリード８先端部がボンディングされ
ているのである。
ド８、８の内端部裏面が直接ボンディングされている。
該各電極パッド1aは金系の電極からなり、該パッド1aに
半田バンプを介してリード８先端部がボンディングされ
ているのである。
そして、半導体基板１の電極パッド1aにリード８、８の
先端部をボンディングした状態の光集積回路11の表面に
接着材12を介して透明キャップ10を接着して光集積回路
11の表面側のみ封止し、該光集積回路11の裏面側はベア
チップのままの状態にしたものである。即ち、半導体基
板１の底面及び側面が直接外部に露出した構造となって
いる。
先端部をボンディングした状態の光集積回路11の表面に
接着材12を介して透明キャップ10を接着して光集積回路
11の表面側のみ封止し、該光集積回路11の裏面側はベア
チップのままの状態にしたものである。即ち、半導体基
板１の底面及び側面が直接外部に露出した構造となって
いる。
第１図に示す光集積回路装置によれば、リード８、８が
半導体基板１の電極パッド1aに直接固定されており、リ
ード８、８と半導体基板１の電極パッド1aとの間にはコ
ネクトワイヤが介在していないのでコネクトワイヤの断
線による事故の生じる余地はなくその分信頼度が向上す
る。また、ワイヤボンディング工程が不要となるので製
造工数の低減を図ることができ、延いては生産性の向上
を図ることができる。そして、リード８、８が半導体基
板１の電極パッド1aに直接固定されているのでリード
８、８の先端と半導体基板１との間に間隔は生ぜず、そ
の分コンパクト化を図ることができる。
半導体基板１の電極パッド1aに直接固定されており、リ
ード８、８と半導体基板１の電極パッド1aとの間にはコ
ネクトワイヤが介在していないのでコネクトワイヤの断
線による事故の生じる余地はなくその分信頼度が向上す
る。また、ワイヤボンディング工程が不要となるので製
造工数の低減を図ることができ、延いては生産性の向上
を図ることができる。そして、リード８、８が半導体基
板１の電極パッド1aに直接固定されているのでリード
８、８の先端と半導体基板１との間に間隔は生ぜず、そ
の分コンパクト化を図ることができる。
そして、第１図に示す光集積回路装置は、半導体基板１
底面が外部直接に露出した構造なので、光集積回路11
（特にレーザダイオード４）で発生した熱を半導体基板
１の底面から外部に直接放熱することができる。従っ
て、放熱経路に介在する放熱抵抗が著しく低減するので
放熱性を著しく向上させることができるのである。
底面が外部直接に露出した構造なので、光集積回路11
（特にレーザダイオード４）で発生した熱を半導体基板
１の底面から外部に直接放熱することができる。従っ
て、放熱経路に介在する放熱抵抗が著しく低減するので
放熱性を著しく向上させることができるのである。
尚、本実施例において、リード８、８の半導体基板１の
電極パッド1aへのボンディングは、リードフレームの一
部を成すリード８、８をボンディングし、その後リード
フレームの切断によりそのリード８、８をリードフレー
ムから分離するという方法によって行うようにしても良
いし、フレキシブルプリント基板上にプリントされた導
電膜をリードとしてボンディングするようにしても良
い。
電極パッド1aへのボンディングは、リードフレームの一
部を成すリード８、８をボンディングし、その後リード
フレームの切断によりそのリード８、８をリードフレー
ムから分離するという方法によって行うようにしても良
いし、フレキシブルプリント基板上にプリントされた導
電膜をリードとしてボンディングするようにしても良
い。
（H.考案の効果） 以上に述べたように、本考案光集積回路装置は、光集積
回路を構成する半導体基板の電極パッドにリードの先端
部が直接固定され、該半導体基板の表面がキャップによ
り外部から遮蔽され、該半導体基板の底面が直接外部に
露出せしめられたことを特徴とするものである。
回路を構成する半導体基板の電極パッドにリードの先端
部が直接固定され、該半導体基板の表面がキャップによ
り外部から遮蔽され、該半導体基板の底面が直接外部に
露出せしめられたことを特徴とするものである。
従って、本考案光集積回路装置によれば、半導体基板と
リードとの間に間隔がないのでコンパクト化を図ること
ができる。そして、リードがコネクトワイヤを介するこ
となく直接半導体素子の電極パッドに接続されているの
で、コネクトワイヤの断線による不良の生じる余地がな
い。従って、その分信頼度が向上する。そして、ワイヤ
ボンディング工程が不要となるので製造工数の低減を図
ることができ、生産性を向上させることができる。
リードとの間に間隔がないのでコンパクト化を図ること
ができる。そして、リードがコネクトワイヤを介するこ
となく直接半導体素子の電極パッドに接続されているの
で、コネクトワイヤの断線による不良の生じる余地がな
い。従って、その分信頼度が向上する。そして、ワイヤ
ボンディング工程が不要となるので製造工数の低減を図
ることができ、生産性を向上させることができる。
また、半導体基板の底面が直接に外部に露出しているの
でレーザダイオードやフォトダイオードで発生した熱を
半導体基板を通じて外部へ放熱することができ、放熱性
が非常に高くなる。
でレーザダイオードやフォトダイオードで発生した熱を
半導体基板を通じて外部へ放熱することができ、放熱性
が非常に高くなる。
第１図は本考案光集積回路装置の一つの実施例を示す断
面図、第２図及び第３図は背景技術を説明するためのも
ので、第２図は光集積回路の断面図、第３図は光集積回
路をパッケージに実装した光集積回路装置の従来例を示
す断面図である。 符号の説明 １……半導体基板、1a……電極パッド、２……フォトダ
イオード、４……レーザダイオード、５……プリズム、
８……リード、10……キャップ、11……光集積回路、12
……接着剤。
面図、第２図及び第３図は背景技術を説明するためのも
ので、第２図は光集積回路の断面図、第３図は光集積回
路をパッケージに実装した光集積回路装置の従来例を示
す断面図である。 符号の説明 １……半導体基板、1a……電極パッド、２……フォトダ
イオード、４……レーザダイオード、５……プリズム、
８……リード、10……キャップ、11……光集積回路、12
……接着剤。
Claims (1)
- 【請求項１】複数のフォトダイオード（２）が形成され
た半導体基板（１）の表面にレーザダイオード（４）及
びプリズム（５）を固着してなる光集積回路（11）の該
半導体基板（１）の電極パッド（1a）にリード（８）の
先端部を直接固定し、 上記半導体基板（１）の上記表面を透明なキャップ（1
0）により外部から遮蔽し、 上記半導体基板（１）の底面を外部に露出せしめた ことを特徴とする光集積回路装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987077936U JPH0749807Y2 (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | 光集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987077936U JPH0749807Y2 (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | 光集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187350U JPS63187350U (ja) | 1988-11-30 |
| JPH0749807Y2 true JPH0749807Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=30926414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987077936U Expired - Lifetime JPH0749807Y2 (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | 光集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749807Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111334A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4728448U (ja) * | 1971-04-14 | 1972-12-01 |
-
1987
- 1987-05-23 JP JP1987077936U patent/JPH0749807Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63187350U (ja) | 1988-11-30 |
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