JPH0752714B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH0752714B2
JPH0752714B2 JP61135292A JP13529286A JPH0752714B2 JP H0752714 B2 JPH0752714 B2 JP H0752714B2 JP 61135292 A JP61135292 A JP 61135292A JP 13529286 A JP13529286 A JP 13529286A JP H0752714 B2 JPH0752714 B2 JP H0752714B2
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amorphous silicon
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arsenic
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康彦 松本
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に不純物添
加ポリシリコンの形成方法に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の不純物添加ポリシリコンの形成方法として
は、化学的気相成長法によりポリシリコンを成長し、気
相拡散や、イオ注入法によりボロン,リン,ヒ素などの
所望する不純物を導入していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の不純物添加ポリシリコンの形成方法では
拡散やイオン注入で導入した不純物の多くは、ポリシリ
コンのグレインバウンダリー(ポリシリコン粒子の境
界)に集まってグレインの中には、少しの不純物しか入
らない。不純物が電気伝導に寄与するには、グレインの
中の結晶を構成するSi原子と入れ代わらなければならな
い。MOS型集積回路のゲートや配線の材料として不純物
添加ポリシリコンを使う場合、その抵抗率はできるだけ
小さいことが要求されるが、従来の不純物添加ポリシリ
コンの形成方法では、効果的にポリシリコン粒子の中に
不純物が導入できないので、抵抗率を下げるためには、
非常に多くの不純物を導入しなければならないという欠
点がある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の不純物添加ポリシリコンの製造方法に対
して本発明はアモルファスシリコンにイオン注入法で不
純物を導入するという独創的内容を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の不純物添加ポリシリコンの形成方法は、半導体
基板表面に、化学的気相成長法によりアモルファスシリ
コンを成長し、イオン注入法によりボロン,リン,ヒ素
などの不純物を導入した後、700℃以上の温度で熱処理
を行ない、不純物を添加したアモルファスシリコンを不
純物添加ポリシリコンに変換する工程を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を用いて説明する。第1図は
本発明の一実施例の工程図である。まず第1図(a)は
アモルファスシリコン3を、表面をシリコン酸化膜(Si
O2)2でおおった半導体基板1に5,000Å形成したとこ
ろを示す。アモルファスシリコンはSiH4を原料ガスとし
て560℃の温度で減圧化学気相成長(LPCVD)装置を用い
て形成した。次に第1図(b)のようにイオン注入法に
よりヒ素(AS)4をエネルギー70keVトーズ量1×1016c
m-2で注入する。常圧CVD法で1000Åのシリコン酸化膜を
アモルファスシリコン表面に成長した後、950℃の温度
で30分間アニールする。アニール後常圧CVDシリコン酸
化膜をHF系の液で除去する。その様子を第1図cに示
す。ここでは熱処理によってアモルファスシリコンがポ
リシリコンに変化した様子と、イオン注入したヒ素のう
ち大部分がポリシリコン粒子5内に存在し、グレインバ
ウンダリーにはほとんど存在しないので、従来の方法で
形成した不純物添加ポリシリコンに比べてより低い抵抗
が得られる。また同図において、6はポリシリ粒子内の
ヒ素原子、7はグレインバウンダリーのヒ素原子で、ヒ
素原子がポリシリ粒子内に効率良く存在していることを
モデル的に示している。
本実施例のイオン注入条件では、本発明の不純物添加ポ
リシリコンの層抵抗は10Ω/□で、従来の不純物添加ポ
リシリコンの約1/2になる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明による不純物添加ポリミコン
は、アモルファスシリコンにイオン注入で不純物を導入
するため、ポリシリコンに変化したとき不純物がグレイ
ンバウンダリーに集まるのではなくポリシリコンの粒子
内に多く存在する。
従って従来の方法による不純物添加ポリシマンと同じ抵
抗率を得ようとするときは、より少ない不純物の導入で
すむという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の不純物添加ポリシリコンの製造方法を
示す工程断面図である。第1図(a)はアモルファスシ
リコン成長後、第1図(b)はイオン注入法によるヒ素
(As)導入後、第1図(c)はアニールによりアモルフ
ァスシリコンをポリシリコンに変換した後の様子をそれ
ぞれ示す。 1……シリコン半導体基板、2……シリコン酸化膜、3
……アモルファスシリコン、4……イオン注入後のヒ素
原子、5……ポリシリコン粒子、6……粒子内のヒ素原
子、7……グレインバウンダリーのヒ素原子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板表面に化学的気相成長法により
    アモルファスシリコンを成長し、イオン注入法によりボ
    ロン,リン,ヒ素などの不純物を導入した後、700℃以
    上の温度で熱処理を行ない前記のアモルファスシリコン
    を不純物添加ポリシリコンに変換する工程を含むことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
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