JPS5996723A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5996723A JPS5996723A JP20661582A JP20661582A JPS5996723A JP S5996723 A JPS5996723 A JP S5996723A JP 20661582 A JP20661582 A JP 20661582A JP 20661582 A JP20661582 A JP 20661582A JP S5996723 A JPS5996723 A JP S5996723A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
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- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景Ｊ
従来、高１波用トランジスタからなる半導体装置は、例
えば、第１図（Ａ）乃至同図（Ｃ）に示すニオ呈により
製造されている。先ず、同図（Ａｌに示す如く、Ｎ型半
鴫体基板１の表面に所定の膜厚の絶縁層２を形成する。
えば、第１図（Ａ）乃至同図（Ｃ）に示すニオ呈により
製造されている。先ず、同図（Ａｌに示す如く、Ｎ型半
鴫体基板１の表面に所定の膜厚の絶縁層２を形成する。
次いで、周知の写真蝕刻法により絶縁層２の所定領域に
窓３を開口するっこの窓３を介して半導体基板１内に例
えばボロンの不純物拡散７行ない、熱処理を施してペー
ス領域４を形成する。次いで、絶縁層２を除去した後同
図（Ｂ）に示す如く、ペース領域４及び半導体基板１上
に新しく絶縁層５を形成する。次いで、周知の写真蝕刻
法によりペース領域４の所定領域を露出させるための窓
６を絶縁層５に開口する。次いで、不純物としてＡｓを
含んだ多結晶シリコンを減圧ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
ｃａ １Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によ
り、窓６によって露出されたペース領域４上及び絶縁層
５上に厚さ約４０００Ｘ堆積して多結晶シリコン層７を
形成する。次いで、約１０００℃の温度で３０分間熱処
理を施し、同図（Ｃ１に示す如く、ベース鶴域４内に所
定の接合深さを有するエミッタ領域８を形成する。この
ようにして得られた半導体装置セのエミッタ領域８の表
面抵抗ρ８は、約１５Ω／口である。
窓３を開口するっこの窓３を介して半導体基板１内に例
えばボロンの不純物拡散７行ない、熱処理を施してペー
ス領域４を形成する。次いで、絶縁層２を除去した後同
図（Ｂ）に示す如く、ペース領域４及び半導体基板１上
に新しく絶縁層５を形成する。次いで、周知の写真蝕刻
法によりペース領域４の所定領域を露出させるための窓
６を絶縁層５に開口する。次いで、不純物としてＡｓを
含んだ多結晶シリコンを減圧ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
ｃａ １Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によ
り、窓６によって露出されたペース領域４上及び絶縁層
５上に厚さ約４０００Ｘ堆積して多結晶シリコン層７を
形成する。次いで、約１０００℃の温度で３０分間熱処
理を施し、同図（Ｃ１に示す如く、ベース鶴域４内に所
定の接合深さを有するエミッタ領域８を形成する。この
ようにして得られた半導体装置セのエミッタ領域８の表
面抵抗ρ８は、約１５Ω／口である。
而して、前述の９口く、減圧ＣＶＤ法にて不純物ｔドー
プした多結晶シｖＬＩン層７を形成し、これに熱処理を
施してエミッタ領域８を形成すると、エミッタ領域８０
表面抵抗ρ−３は、多結晶シリコン層７を形成する際の
温度、真空度。
プした多結晶シｖＬＩン層７を形成し、これに熱処理を
施してエミッタ領域８を形成すると、エミッタ領域８０
表面抵抗ρ−３は、多結晶シリコン層７を形成する際の
温度、真空度。
多結晶シリコン層７を形成するだめの雰囲気ガスである
８ｉＨ４，４ｓＨ，の流電、 ＡｓＨ，／ Ｓ ｉ Ｈ
。
８ｉＨ４，４ｓＨ，の流電、 ＡｓＨ，／ Ｓ ｉ Ｈ
。
のモル比等によって決定される。これらのパラメータを
所定値に設定して、特にＡｓＨｓ／ＳｉＨ４のモル比を
変化させた場合のエミッタ領域８の表面抵抗ρ、を調べ
ると第２図に示す通りである。同図から明らかな如く、
従来方法によるものでは、エミッタ領域８の表面抵抗ρ
５は、約１５Ω／口まで下げるのが限界であることが判
る。
所定値に設定して、特にＡｓＨｓ／ＳｉＨ４のモル比を
変化させた場合のエミッタ領域８の表面抵抗ρ、を調べ
ると第２図に示す通りである。同図から明らかな如く、
従来方法によるものでは、エミッタ領域８の表面抵抗ρ
５は、約１５Ω／口まで下げるのが限界であることが判
る。
その結果、従来の半導体装置の製造方法では、エミッタ
領域８０表面抵抗ρ５を十分に下げることができず、高
周波特性を向上させることができなかった。
領域８０表面抵抗ρ５を十分に下げることができず、高
周波特性を向上させることができなかった。
本発明は、浅い接合深さでしかも高い不純物濃度のエミ
ッタ領域を有して、高周波特性に優れた半導体装置を容
易に得ることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことをその目的とするものである。
ッタ領域を有して、高周波特性に優れた半導体装置を容
易に得ることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことをその目的とするものである。
本発明は、ベース領域上に所定の不純物がドープされた
非晶質シリコン層を形成して、これに熱処理を施す工程
を設けて、非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に変化
させると共に、ベース領域内に浅い接合深さで高濃度の
エミッタ領域を形成し、高周波特性に優れた半導体装置
を容易に得ることができる半導体装置の製造方法である
。
非晶質シリコン層を形成して、これに熱処理を施す工程
を設けて、非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に変化
させると共に、ベース領域内に浅い接合深さで高濃度の
エミッタ領域を形成し、高周波特性に優れた半導体装置
を容易に得ることができる半導体装置の製造方法である
。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第３図（Ａ）乃至同図（Ｃ）は、本発明の実施例を工程
順に示す説明図である。先ず、同図（Ａｌに示す如く、
例えばＮ型半導体基板２０の表面に、所定の厚で絶縁層
２１を熱酸化法等により形成する。次いで、周知の写真
蝕刻法により、絶縁層２１の所定領域に窓２２を形成す
る。この窓２２を介して半扉体基板２０内に例えばポロ
ンの不純物拡散を行ない、熱処理を施してベース領域２
３を形成する。次いで、絶縁層２１を除去した後、同図
（Ｂ）に示す如く、ペース領域２３及び半導体基板２０
上に新しく絶縁層２４を形成する。この絶縁層２４にペ
ース領域２３の所定傾城を露出させるための窓２５を周
知の写真蝕刻法にて開口する。次いで、例えばＳ ｉ
Ｈ，ガス及びＡｓＨ３ガスが供給された２００〜４００
℃の低温〆囲気下で、プラズマＣ、Ｖ、Ｄ、法によＩＪ
窓２５を介してＡｓがドープされた非晶質シリコン層
２６をペース領域２３に接続するようにして、絶縁層２
４上に厚さ約４００ＯＡ形成する。次に、これに約１０
００℃の温度で熱処理を施し、ベース領域２３内に浅い
接合深さでエミッタ領域２７を形成すると共に、非晶質
シリコン層２６を多結晶シリコン層２８に変化させる。
順に示す説明図である。先ず、同図（Ａｌに示す如く、
例えばＮ型半導体基板２０の表面に、所定の厚で絶縁層
２１を熱酸化法等により形成する。次いで、周知の写真
蝕刻法により、絶縁層２１の所定領域に窓２２を形成す
る。この窓２２を介して半扉体基板２０内に例えばポロ
ンの不純物拡散を行ない、熱処理を施してベース領域２
３を形成する。次いで、絶縁層２１を除去した後、同図
（Ｂ）に示す如く、ペース領域２３及び半導体基板２０
上に新しく絶縁層２４を形成する。この絶縁層２４にペ
ース領域２３の所定傾城を露出させるための窓２５を周
知の写真蝕刻法にて開口する。次いで、例えばＳ ｉ
Ｈ，ガス及びＡｓＨ３ガスが供給された２００〜４００
℃の低温〆囲気下で、プラズマＣ、Ｖ、Ｄ、法によＩＪ
窓２５を介してＡｓがドープされた非晶質シリコン層
２６をペース領域２３に接続するようにして、絶縁層２
４上に厚さ約４００ＯＡ形成する。次に、これに約１０
００℃の温度で熱処理を施し、ベース領域２３内に浅い
接合深さでエミッタ領域２７を形成すると共に、非晶質
シリコン層２６を多結晶シリコン層２８に変化させる。
然る後、アニール処理、配線電極の形１戊等を行ない、
所定の仕様を満足した半導体装置Ｌ」を得る。
所定の仕様を満足した半導体装置Ｌ」を得る。
ここで、非晶質シリコン層２６を形成する手段としては
、プラズマＣ，Ｖ、Ｄ、法の他にも減圧Ｃ０■、Ｄ、法
等如何なるものを用いても良い。その際の設定温度は、
シリコンが結晶イヒしない程度の高温下で、所定の品質
が得られるような下限温度以上の範囲内で設定すれば良
い。
、プラズマＣ，Ｖ、Ｄ、法の他にも減圧Ｃ０■、Ｄ、法
等如何なるものを用いても良い。その際の設定温度は、
シリコンが結晶イヒしない程度の高温下で、所定の品質
が得られるような下限温度以上の範囲内で設定すれば良
い。
このようにして得られた半導体’ＡｔｊｌＬ３．０は、
Ａｓをドープした非晶ｄシリコン層２６を拡散源にして
エミッタ領域２７が形成されているので、エミッタ領域
２７０表面抵抗ρＳを約１０Ω／口と極めて小さい値に
設定することができるａつまり、高不純物嫌度の浅い接
合深さのエミツ夕領域２７を形成して、高周波特性を同
上させることができる。この効果を確認するために、実
施例の製造工程中”Ｈｓ ／Ｓ ｉ Ｈ，のモル比を変
化させてエミッタ領域２７を形成し、そのエミッタ領域
２７の表面抵抗ρＳとＡｓＨ，／８ｉＨ４のモル比との
関係を調べたところ第４図に示す結果を得た。同図から
明らかな如く、エミッタ領域２２０表面抵抗ρＳは、約
１０Ω／口まで小さくできることが確認された。
Ａｓをドープした非晶ｄシリコン層２６を拡散源にして
エミッタ領域２７が形成されているので、エミッタ領域
２７０表面抵抗ρＳを約１０Ω／口と極めて小さい値に
設定することができるａつまり、高不純物嫌度の浅い接
合深さのエミツ夕領域２７を形成して、高周波特性を同
上させることができる。この効果を確認するために、実
施例の製造工程中”Ｈｓ ／Ｓ ｉ Ｈ，のモル比を変
化させてエミッタ領域２７を形成し、そのエミッタ領域
２７の表面抵抗ρＳとＡｓＨ，／８ｉＨ４のモル比との
関係を調べたところ第４図に示す結果を得た。同図から
明らかな如く、エミッタ領域２２０表面抵抗ρＳは、約
１０Ω／口まで小さくできることが確認された。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、浅い接合深さでしかも高い不純物濃度のエミ
ッタ領域を有して、高周波特性に優れた半導体装置を容
易に得ることができるものである。
によれば、浅い接合深さでしかも高い不純物濃度のエミ
ッタ領域を有して、高周波特性に優れた半導体装置を容
易に得ることができるものである。
第１図（Ａｔ乃至同図（Ｃ１は、従来の半導体装置の製
造方法を工程順に示す説明図、第２図は、同方法にて得
られた半導体装置のエミッタ領域の表面抵抗とＡ ｓ
Ｈｓ／ ＳｔＨ，！比との関係を示す特性図、第３図（
Ｎ乃至同図（ｑは、禾発明方法を工程順に示す説明図、
第４図は、本発明方法にて得られた半導体装置のエミッ
タ領域の表面抵抗とＡｓＨ３／８ｉＨ４モル比との関係
を示す特性図である。 ２０・・・半導体基板、２１．２４・・・絶縁層、２２
．２５・・・窓、２３・・・ベース領域、２６・・・非
晶質シリコン層、２７・・・エミッタ領域、２８・・・
多結晶シリコン層、３０・・・半導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 ２ 第４図 ０．１ ０．２ ０．３ ＡｓＨ３／ＳｉＨ４”ルル
造方法を工程順に示す説明図、第２図は、同方法にて得
られた半導体装置のエミッタ領域の表面抵抗とＡ ｓ
Ｈｓ／ ＳｔＨ，！比との関係を示す特性図、第３図（
Ｎ乃至同図（ｑは、禾発明方法を工程順に示す説明図、
第４図は、本発明方法にて得られた半導体装置のエミッ
タ領域の表面抵抗とＡｓＨ３／８ｉＨ４モル比との関係
を示す特性図である。 ２０・・・半導体基板、２１．２４・・・絶縁層、２２
．２５・・・窓、２３・・・ベース領域、２６・・・非
晶質シリコン層、２７・・・エミッタ領域、２８・・・
多結晶シリコン層、３０・・・半導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 ２ 第４図 ０．１ ０．２ ０．３ ＡｓＨ３／ＳｉＨ４”ルル
Claims (1)
- −ｓＭ、型の半導体基板の所定領域に反対導電型の不純
物領域を形成する工程と、該不純物領域の所定領域を露
出する窓を有する絶縁層を該不純物領域及び前記半導体
基板上に形成する工程と、該不純物領域と反対導電型の
不狼屯５勿を含む雰囲気中で前記窓を介して該不純物領
域に接続する非晶質シリコン層を前記絶縁１曽上に形成
する工程と、該非晶質シリコン層に熱処理を施して多結
晶シリコン層に変化させると共に前記不純物領域内に反
対ｇ成型の高績度不純物領域を形成する工程とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20661582A JPS5996723A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20661582A JPS5996723A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996723A true JPS5996723A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16526303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20661582A Pending JPS5996723A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814292A (en) * | 1986-07-02 | 1989-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process of fabricating a semiconductor device involving densification and recrystallization of amorphous silicon |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP20661582A patent/JPS5996723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814292A (en) * | 1986-07-02 | 1989-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process of fabricating a semiconductor device involving densification and recrystallization of amorphous silicon |
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