JPS62291017A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62291017A JPS62291017A JP13529286A JP13529286A JPS62291017A JP S62291017 A JPS62291017 A JP S62291017A JP 13529286 A JP13529286 A JP 13529286A JP 13529286 A JP13529286 A JP 13529286A JP S62291017 A JPS62291017 A JP S62291017A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に不純物添
加ポリシリコンの形成方法に関する。
加ポリシリコンの形成方法に関する。
従来この種の不純物添加ポリシリコンの形成方法として
は、化学的気相成長法にょシボリシリコンを成長し、気
相拡散や、イオン注入法にょ勺ボロン、リン、ヒ累など
の所望する不純物を導入していた。
は、化学的気相成長法にょシボリシリコンを成長し、気
相拡散や、イオン注入法にょ勺ボロン、リン、ヒ累など
の所望する不純物を導入していた。
上述した従来の不純物添加ポリシリコンの形成方法では
拡散やイオン注入で導入した不純物の多くは、ポリシリ
コンのグレインパウンダリー（ポリシリコン粒子の境界
）に集まってグレイ／の中には、少しの不純物しか入ら
ない、不純物が電気伝導に寄与するには、グレインの中
の結晶を禍成するＳｉ原子と入れ代わらなければ々らな
い。
拡散やイオン注入で導入した不純物の多くは、ポリシリ
コンのグレインパウンダリー（ポリシリコン粒子の境界
）に集まってグレイ／の中には、少しの不純物しか入ら
ない、不純物が電気伝導に寄与するには、グレインの中
の結晶を禍成するＳｉ原子と入れ代わらなければ々らな
い。
ＭＯ８型集積回路のゲートや配線の材料として不純物添
加ポリシリコンを使う場合、その抵抗率はできるだけ小
さいことが要求されるが、従来の不純物添加ポリシリコ
ンの形成方法では、効果的にポリシリコン粒子の中に不
純物が導入できないので、抵抗率を下げるためには、非
常に多くの不純物を導入しなけれはならないという欠点
がある。
加ポリシリコンを使う場合、その抵抗率はできるだけ小
さいことが要求されるが、従来の不純物添加ポリシリコ
ンの形成方法では、効果的にポリシリコン粒子の中に不
純物が導入できないので、抵抗率を下げるためには、非
常に多くの不純物を導入しなけれはならないという欠点
がある。
−Ｆ述１．た従来の不純物添加ポリシリコンの製造方法
に対して本発明はアモルファスシリコンにイオン注入法
で不純物を導入するという独創的内容を有する。
に対して本発明はアモルファスシリコンにイオン注入法
で不純物を導入するという独創的内容を有する。
本発明の不純物添加ポリシリコンの形成方法は、半導体
基板表面に、化学的気相成長法によりアモルファスシリ
コンを成長し、イオン注入法によりボロン、リン、ヒ素
などの不純物を導入した後、７００°０以上の温度で熱
処理を行ガい、不純物を添加し７たアモルファスシリコ
ンを不純物添加ポリシリコンに変換する工程を七“して
いる。
基板表面に、化学的気相成長法によりアモルファスシリ
コンを成長し、イオン注入法によりボロン、リン、ヒ素
などの不純物を導入した後、７００°０以上の温度で熱
処理を行ガい、不純物を添加し７たアモルファスシリコ
ンを不純物添加ポリシリコンに変換する工程を七“して
いる。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の工程図である。まず第１
図（ａ）ハアモルファスシリコン３を、ｆｉ面ｅシリコ
ン酸化膜（Ｓｉ０２）２でおおった半導体基板１に５，
０ＯＯＡ形成したところを示す。アモルファスシリコン
はＳｉ（４を原料ガスとして５６０°０の温度で減圧化
学気相成長（Ｌ Ｐ ＣＶ １１ ）装置を用いて形成
し友。次に第１図（ｂｌのようにイオン注入法によりヒ
素（Ａｓ）４をエネルギー７０ｋｅＶドーズ量ｌＸｌ０
１６ｃｍ ” で注入する。常圧ＣＶ Ｉ）法で１０
０ＯＡのシリコン酸化膜ヲアモルファスシリコン表面に
成長１ツた後、９５０°Ｃの温度で３０分間アニールす
る。アニール後常圧ＣＶＤシリコン酸化膜をＨＦ系の液
で除去する。その様子ｆ第１図Ｃに示す。ここでは熱処
理によってアモルファスノリコンがポリシリコンに変化
した様子と、イオン注入したヒ累のうち大部分かポリシ
リコン粒子５内に存在し７、グレインバウンダリーには
ほとんど存在しないので、従来の方法で形成した不純物
添加ポリシリコンに比べてより低い抵抗が得られる。ま
た同図において、６はポリシリ粒子内のヒ素原子、７は
グレインバウンダリーのヒ素原子で、ヒ素原子がポリシ
リ粒子内に効率良く存在していることをモデル的に示し
ている。
図（ａ）ハアモルファスシリコン３を、ｆｉ面ｅシリコ
ン酸化膜（Ｓｉ０２）２でおおった半導体基板１に５，
０ＯＯＡ形成したところを示す。アモルファスシリコン
はＳｉ（４を原料ガスとして５６０°０の温度で減圧化
学気相成長（Ｌ Ｐ ＣＶ １１ ）装置を用いて形成
し友。次に第１図（ｂｌのようにイオン注入法によりヒ
素（Ａｓ）４をエネルギー７０ｋｅＶドーズ量ｌＸｌ０
１６ｃｍ ” で注入する。常圧ＣＶ Ｉ）法で１０
０ＯＡのシリコン酸化膜ヲアモルファスシリコン表面に
成長１ツた後、９５０°Ｃの温度で３０分間アニールす
る。アニール後常圧ＣＶＤシリコン酸化膜をＨＦ系の液
で除去する。その様子ｆ第１図Ｃに示す。ここでは熱処
理によってアモルファスノリコンがポリシリコンに変化
した様子と、イオン注入したヒ累のうち大部分かポリシ
リコン粒子５内に存在し７、グレインバウンダリーには
ほとんど存在しないので、従来の方法で形成した不純物
添加ポリシリコンに比べてより低い抵抗が得られる。ま
た同図において、６はポリシリ粒子内のヒ素原子、７は
グレインバウンダリーのヒ素原子で、ヒ素原子がポリシ
リ粒子内に効率良く存在していることをモデル的に示し
ている。
本実施例のイオン注入条件では、本発明の不純物添加ポ
リシリコンの層抵抗は１０（１／口で、従来の不純物添
加ポリシリコンの約１／２になる。
リシリコンの層抵抗は１０（１／口で、従来の不純物添
加ポリシリコンの約１／２になる。
以上説明したように本発明による不純物添加ボリミ コ
ンハ、アモルファスシリコンにイオン注入で不純物を導
入するため、ポリシリコンに変化したとき不純物がグレ
インバウンダリーに集まるのではなくポリシリコンの粒
子内に多く存在する。
ンハ、アモルファスシリコンにイオン注入で不純物を導
入するため、ポリシリコンに変化したとき不純物がグレ
インバウンダリーに集まるのではなくポリシリコンの粒
子内に多く存在する。
従って従来の方法による不純物添加ボリシマンと同じ抵
抗率を得ようとするときは、より少ない不純物の導入で
すむという効果がある。
抗率を得ようとするときは、より少ない不純物の導入で
すむという効果がある。
第１図は本発明の不純物添加ポリシリコンの製造方法を
示す工程断面図である。第１図（ａｌはアモルファスシ
リコン成長後、第１図ｆｂｌはイオン注入法によるヒ素
（Ａｓ）導入後、第１図（Ｃ）はアニールによりアモル
ファスシリコンをポリシリコンに変換した後の様子をそ
れぞれ示す。 １・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・シリコ
ン酸（ｔＪ、３・・・・・・アモルファスシリコン、４
・・・・・イオン注人後のヒ素原子、５・・・・・・ポ
リシリコン粒子、６・・・・・・粒子内のヒ累原子、７
・・・・・・グレインバウンダリーのヒ素原子。 ６一
示す工程断面図である。第１図（ａｌはアモルファスシ
リコン成長後、第１図ｆｂｌはイオン注入法によるヒ素
（Ａｓ）導入後、第１図（Ｃ）はアニールによりアモル
ファスシリコンをポリシリコンに変換した後の様子をそ
れぞれ示す。 １・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・シリコ
ン酸（ｔＪ、３・・・・・・アモルファスシリコン、４
・・・・・イオン注人後のヒ素原子、５・・・・・・ポ
リシリコン粒子、６・・・・・・粒子内のヒ累原子、７
・・・・・・グレインバウンダリーのヒ素原子。 ６一
Claims (1)
- 半導体基板表面に化学的気相成長法によりアモルファス
シリコンを成長し、イオン注入法によりボロン、リン、
ヒ素などの不純物を導入した後、７００℃以上の温度で
熱処理を行ない前記のアモルファスシリコンを不純物添
加ポリシリコンに変換する工程を含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135292A JPH0752714B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135292A JPH0752714B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291017A true JPS62291017A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0752714B2 JPH0752714B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=15148287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61135292A Expired - Lifetime JPH0752714B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752714B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137619A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213019A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61135292A patent/JPH0752714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213019A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137619A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752714B2 (ja) | 1995-06-05 |
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