JPH0748171A - 低温焼成基板用組成物およびそれから得られる基板 - Google Patents
低温焼成基板用組成物およびそれから得られる基板Info
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Abstract
系複合組成物において、Ag、Ag−Pd、Au、Cu
等の低抵抗導体ペーストと同時焼成でき、高抗折強度
(23kgf/mm2 以上)でかつ低誘電率、低誘電正接等
の物性を有し、さらに、熱膨脹係数を30〜55×10
-7/℃の間で制御可能であって、AlN等との複合化も
可能である基板用組成物の提供を目的とする。 【構成】酸化物の重量%表示で、Al2 O3 :45〜5
8%、SiO2 :20〜35%、B2 O3 :5〜15
%、MgO:5〜20%、アルカリ金属酸化物:0〜4
%の組成のガラス粉末80.0〜99.9重量%とコー
ジェライトを析出させる外部核剤として作用する無機フ
ィラー0.1〜20.0重量%からなる低温焼成基板用
組成物であり、1050℃以下で焼成することにより、
ムライトおよびコージェライトを結晶相として析出す
る。
Description
(L)、コンデンサー(C)、抵抗(R)等のチップ部
品等を搭載し、これらをAg、Ag−Pd、Au、Cu
等の低抵抗導体配線により相互接続することのできる低
温焼成多層基板用の組成物に関する。とりわけ、半導体
素子搭載部が窒化アルミニウム等で構成される複合型ガ
ラスセラミックスパッケージの配線基板として好適に使
用できる。
機器等に使用される基板材料はAl2 O3 (アルミナ)
が一般的であったが、アルミナは焼結温度が約1600
℃と高く、同時焼成用配線導体にタングステンまたはモ
リブデン等の高融点金属材料を用いている。しかし、こ
れらの高融点金属材料では電気抵抗が比較的高いため、
電気抵抗の低いAg、Ag−Pd、Au、Cu等の使用
が望まれていた。そこで、焼成温度が約850〜約10
50℃と低く、上記低抵抗導体が使用可能な低温焼成基
板が各種提案されている。
低いため、消費電力の大きな高速LSIを搭載すること
ができないという問題を有していた。そこでこの問題を
解決すべく、例えば実開昭61−149336号公報に
開示されている如く、AlN(窒化アルミニウム)等の
高熱伝導率材料を半導体素子搭載部として用い、一方で
配線部を低温焼成多層基板内に設ける複合構造のパッケ
ージが提案されている。この構造のパッケージの場合に
は、高熱伝導率材料と低温焼成基板の接合時に残留応力
が誘発され易いことから、両者の熱膨張係数が近似して
いることと低温焼成基板の強度が高いことが要求され
る。
してガラス+フィラー系、非ガラス系および結晶化ガラ
ス系があるが、ガラス+フィラー系は、目標とする熱膨
張係数の達成は比較的容易であるが強度が低く、逆に非
ガラス系および結晶化ガラス系は、強度は比較的高いも
のの、目標とする熱膨張係数を達成することが困難であ
った。
ふまえた上で開発された低温焼成基板用組成物およびそ
れから得られる基板に関する。即ち、酸化物の重量%表
示で: Al2 O3 :45〜58% SiO2 :20〜35% B2 O3 : 5〜15% MgO : 5〜20% Li2 O : 0〜 2% Na2 O : 0〜 2% K2 O : 0〜 2% 但し、Li2 O+Na2 O+K2 O:0〜4% の組成のガラス粉末80.0〜99.9重量%と比表面
積が、平均で1.4m2/g以上である無機フィラー
0.1〜20.0重量%からなる組成物であることを第
1の特徴とする。
ラス粉末が、熱処理することによりムライトを主結晶相
として析出するガラスであり、無機フィラーが、熱処理
時前記ガラス粉末との接触面からガラス内部に向かって
コージェライトを析出させる外部核剤であることを第2
の特徴とする。
に加え、無機フィラーが、Al2 O3 、SiO2 、石英
ガラス、MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO、Z
rO2 、TiO2 、GeO2 、SnO2 、Ga2 O3 、
Cr2 O3 、ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マ
ンガン、モリブデン、ニッケル、バナジウム、タングス
テン、希土類金属の酸化物から選ばれた少なくとも1種
および/または熱処理後にAl2 O3 、SiO2 、Mg
O、CaO、SrO、BaO、ZnO、ZrO2 、Ti
O2 、GeO2 、SnO2 、Ga2 O3 、Cr2 O3 、
ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マンガン、モリ
ブデン、ニッケル、バナジウム、タングステン、希土類
金属の酸化物になる化合物から選ばれた少なくとも1種
であることを第3の特徴とする。
に加え、無機フィラーがドロマイト、タルク、カオリナ
イトから選ばれた少なくとも1種であることを第4の特
徴とする。
に加え、無機フィラーが、Al2 O3 、SiO2 、B2
O3 、P2 O5 、MgO、CaO、SrO、BaO、Z
nO、ZrO2 、TiO2 、Li2 O、Na2 O、K2
O、Cr2 O3 、CoO、CuO、Fe2 O3 、MnO
2 の少なくとも2種の成分から構成される複合酸化物お
よび固溶体から選ばれた少なくとも1種であることを第
5の特徴とする。
特徴に加え、無機フィラーが、ムライト、シリマナイ
ト、コージェライト、ウォラストナイト、フォルステラ
イト、ステアタイト、スピネル、ジルコン、アノーサイ
ト、セルシアン、ユークリプタイト、スポジューメン、
チタナイト、ウィレマイト、ガーナイト、エンスタタイ
ト、ゲーレナイト、チタン酸アルミニウム、ホウ酸アル
ミニウムから選ばれた少なくとも1種であることを第6
の特徴とする。
に加え、上記組成物を成形、焼成して作製される低温焼
成基板がムライトおよびコージェライトの結晶相を有
し、熱膨張係数が30〜55×10-7/℃、抗折強度が
23kgf/mm2 以上であることを第7の特徴とし、
AlN等との複合化にも適する。
る。まず、ガラス粉末について述べる。本発明に使用さ
れるガラス粉末は、熱処理により結晶化する。
(3Al2 O3 ・2SiO2 ),コージェライト(2M
gO・2Al2 O3 ・5SiO2 )、スピネル(MgO
・Al2 O3 )およびサフィリン(4MgO・5Al2
O3 ・2SiO2 )の構成成分であり、また、残存ガラ
スの中間酸化物である。Al2 O3 が45重量%未満で
は結晶化度が低くなり、基板の強度が23kgf/mm
2 に達しない。逆に58重量%を越えると溶融温度が高
くなり、失透しやすくなる。
ージェライト、フォルステライト(2MgO・Si
O2 )、サフィリンの構成成分であり、また、残存ガラ
スの骨格を形成する。SiO2 が20重量%未満では結
晶化度が低くなり、基板の強度が低下する。逆に35重
量%を越えるとコージェライト結晶の析出量が多くなり
すぎ強度が低下する。
未満では溶融温度が高くなりすぎる。逆に15重量%を
越えると結晶化度が低くなり、基板の強度が低下する。
とともに、結晶化ガラス中のコージェライト、フォルス
テライト、スピネルおよびサフィリンの構成成分であ
る。MgOが5重量%未満では溶融温度が高くなりすぎ
る。また、結晶化度が低くなり、基板の強度が低下す
る。逆に20重量%を越えると分相領域に入り、溶融時
失透してしまう。
等を総合的に勘案すると、上記成分中のAl2 O3 は4
7〜53重量%、SiO2 は24〜33重量%、B2 O
3 は5〜15重量%、MgOは7〜14重量%であるこ
とが好ましい。
少なくとも2種必須)成分を添加することにより、高温
時におけるガラスの電気伝導度が大きくなるため、電気
溶融の適用が可能となり、クリーンな状態でガラスを溶
融することが可能となる。R2 O成分は、単独で用いる
と基板の誘電正接(tanδ)を増大させ、絶縁抵抗を
低下させる。しかし、2成分以上を同時に添加し混合ア
ルカリ効果を利用すると、tanδの増大および絶縁抵
抗の低下を抑制することができる。R2 Oは合計で1重
量%未満では、電気溶融時キャリアーとしての効果がな
い。逆にLi2O、Na2 O、K2 Oのいずれかが2重
量%を越えるか、その合計が4重量%を越えると基板の
tanδの増大および絶縁抵抗の低下が起こるばかりで
なく、熱膨張係数が大きくなりすぎる。上記の理由で電
気溶融を行う場合、R2 Oは1〜4重量%とするが、そ
の構成比は少なくとも2種が0.3重量%以上であるこ
とが好ましい。また、R2 Oを2成分とする場合はどの
2種の組み合わせでも良いが、混合アルカリ効果が最も
顕著に現われるLi2 OとK2 Oの組み合わせが好まし
い。R2 Oを3成分添加するとさらに効果は著しい。但
し、電気溶融以外の方法でガラス溶融を行う場合は、R
2 O成分を加えなくても良い。この場合、tanδは小
さく、かつ絶縁抵抗は高く好ましい。
スの成分として0.1〜5重量%加えても良い。鉄、ニ
ッケル、銅、バナジウム、マンガン、コバルトの酸化物
は大気中で焼成を行う場合の着色成分である。また、モ
リブデン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コ
バルトの酸化物は水素を含む還元性雰囲気中で焼成を行
う場合の着色成分である。また、モリブデン、鉄、バナ
ジウムの酸化物は中性雰囲気(窒素等の不活性雰囲気)
中で焼成を行う場合の着色成分である。これらの着色成
分は上記のようにガラスの成分として加えても、添加物
(フィラー)として加えても同様の効果が得られる。着
色成分をフィラーとして添加、混合する場合には、酸化
物粉末、炭酸塩、硫酸塩、水酸化物等の金属塩化合物粉
末、金属粉末のいずれを用いても良い。着色成分をフィ
ラーとして用いる場合には、それ自身が後述の外部核剤
としての役割も兼ねる。
上のための合計で3重量%以下のCaO、BaO、Zn
O、結晶化促進剤としての合計で5重量%以下のZrO
2 、SnO2 、結晶化促進剤としての作用の他に融剤と
しての作用も持つ5重量%以下のF2 等を加えても良
い。
る。無機フィラ−は外部核剤として働き、ガラス粉末と
の接触面からガラス内部に向かってコージェライト相を
析出させる作用を有する。従って、無機フィラーを添加
することにより基板の熱膨張係数を低い領域で制御で
き、強度の向上も計れる。無機フィラーが0.1重量%
未満では基板の主結晶相がムライト、副結晶相がフォル
ステライト、スピネル、サフィリンの少なくとも1種と
なるため、熱膨張係数が50〜70×10-7/℃と、A
lN等に比べて大きくなる。無機フィラーが0.1〜2
0.0重量%では、上記結晶相のみならず表面結晶であ
るコージェライト相も析出するため基板の熱膨張係数が
低下し、30〜55×10-7/℃の間で制御可能とな
り、AlN等に近似した値が得られる。また、コージェ
ライトの析出と同時にムライトの析出量も増え、トータ
ルの結晶化度が増大するため基板の強度も向上する。無
機フィラーが20.0重量%を越えると焼結性が低下
し、1050℃以下の低温焼成ではち密に焼結できなく
なる。ムライトとコージェライトの結晶化度のバランス
を考慮すると、無機フィラーの量は1〜15重量%であ
ることがさらに好ましい。
るため、ガラス粉末との接触面積が大きい方が良い。ガ
ラス粉末との接触面からガラス内部に向かって十分な量
のコージェライト相を析出させ、熱膨張係数を低下させ
るためには、無機フィラーの比表面積は平均で1.4m
2 /g以上であることが必要である。またグリーンシー
トの成形性および基板の焼結性を考慮すると、無機フィ
ラーの比表面積は平均で10m2 /gを越えないことが
好ましい。
域において、フィラー単独では融解することがなく、ま
た分解はしても分解後の固体生成物は融解することがな
く、さらに基板の電気的性質を悪化させないものが好ま
しく用いられる。無機フィラーとしては、石英ガラスや
Al2 O3 、SiO2 、MgO、CaO、SrO、Ba
O、ZnO、ZrO2 、TiO2 、GeO2 、Sn
O2 、Ga2 O3 、Cr2O 3、ニオブ、タンタル、コ
バルト、銅、鉄、マンガン、モリブデン、ニッケル、バ
ナジウム、タングステン、希土類金属の酸化物等の酸化
物、熱処理後にこれらの酸化物に変化しうる炭酸塩、硫
酸塩、水酸化物等の化合物、ドロマイト、タルク、カオ
リナイト等の粘土鉱物、Al2 O3 、SiO2 、B2 O
3 、P2 O5、MgO、CaO、SrO、BaO、Zn
O、ZrO2 、TiO2 、Li2 O、Na2 O、K
2 O、Cr2 O3 、CoO、CuO、Fe2 O3 、Mn
O2 等の酸化物の少なくとも2種の成分から構成される
複合酸化物及び固溶体が使用できる。無機フィラーとし
て複合酸化物を用いる場合には、それ自身の強度、熱膨
張係数、誘電率、誘電正接、絶縁抵抗等の諸物性を勘案
するとムライト、シリマナイト、コージェライト、ウォ
ラストナイト、フォルステライト、ステアタイト、スピ
ネル、ジルコン、アノーサイト、セルシアン、ユークリ
プタイト、スポジューメン、チタナイト、ウィレマイ
ト、ガーナイト、エンスタタイト、ゲーレナイト、チタ
ン酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム等が好ましい。
尚、上記のジルコニア(ZrO2 )は部分安定化ジルコ
ニアや安定化ジルコニアも含む。
を変えることにより、種々の熱膨張係数を達成すること
ができる。
g、Ag−Pd、Au、Cu等の低抵抗導体材料と共に
約850〜約1050℃で焼成可能であり、焼成後ムラ
イト、コージェライト、フォルステライト、スピネル、
サフィリン等の結晶相を有し、抗折強度が23kgf/
mm2 以上の高強度基板が得られる。また、誘電率は7
以下と低く、信号ノイズの低減にも効果を有する。さら
に、熱膨張係数を30〜55×10-7/℃の間に制御で
きるため、高熱伝導率材料であるAlN等に近似させる
ことが可能で、AlN等との接合に際しても残留応力を
極めて小さくできるので高い信頼性が得られる。
ス組成となるように各成分原料を適宜秤量、調合してバ
ッチを調製し、表中に示す溶融温度で2〜3時間溶解
し、溶融ガラスとする。この溶融ガラスを水冷ロールで
フレーク状に成形する。このガラスをボールミル等で微
粉砕し、平均粒径約2〜5μmのガラス粉末とする。次
いで、比表面積が、平均で1.4m2 /g以上である無
機フィラーをガラス粉末と混合し、本発明の低温焼成基
板用組成物微粉体を得る。
ルエン、エタノール等の溶剤と共にボールミル中で分散
した後、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステ
ル等のバインダー及びDBP、DOP等の可塑剤を加え
スラリー状にし、ドクターブレード法でグリーンシート
に成形する。これを切断、積層後、大気中、水素を含む
還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中で200℃/hの
昇温速度で850〜1050℃まで上げ、この焼成温度
で2時間保持し低温焼成基板を得、誘電率、誘電正接
(tanδ)および絶縁抵抗を以下に示す方法で測定し
た。その結果を表1乃至表3(実施例)および表4及び
5(比較例A)に示す。
未満の無機フィラーを用いたものについても全く同じ方
法で低温焼成基板を得、誘導率、誘電正接(tanδ)
および絶縁抵抗を測定した。その結果を表6(比較例
B)に示す。
数、結晶相、抗折強度については本実施例および比較例
で得られた微粉体を用いて以下に示す方法で測定した。
その結果を表1乃至表3(実施例)、表4及び5(比較
例A)及び表6(比較例B)に示す。
施し、25℃−60%RH、1MHzにおいてインピー
ダンスメーターで測定した。
施し、25℃−60%RH、50Vにおいて絶縁抵抗計
で測定した。
れ、室温から20℃/min の昇温速度で上昇させ、転移
点、軟化点、結晶化ピーク温度を測定した。
測定した結晶化ピーク温度まで200℃/hで昇温しそ
の温度で2時間保持し焼結したサンプルを室温から10
℃/min の昇温速度で上昇させ、熱膨張係数(30〜4
00℃の平均値、単位:10-7/℃)を測定した。
た後、粉末X線回折により測定した。
01に準じて加工し、3点曲げによりその強度を測定し
た。
て、多層配線基板を試作した。上記グリーンシートにパ
ンチングによりヴィアホールを形成し、Ag、Ag−P
d、Au、Cu等の低抵抗金属粉体からなるペーストを
スクリーン印刷法によりヴィアに充填、さらに所望のパ
タ−ンを印刷し、回路を形成する。次いで各層を熱圧着
法により積層し、切断後、焼成を行う。Ag、Ag−P
d、Au導体の場合は、大気中もしくは中性雰囲気中で
100〜200℃/hの昇温速度で850〜1000℃
まで上げ、この温度で1〜3時間保持し、多層基板を得
る。Cu導体の場合は、弱酸化性もしくは非酸化性雰囲
気中で脱バインダーを完全に行った後、Cuの酸化防止
のために水素を含む還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気
中で850〜1050℃で焼成を行う。こうして得られ
た多層基板の配線抵抗は低く、導体層の接着強度も十分
であった。また、導体層の半田濡れ性も良好であり、強
固なリ−ド付が可能であった。
する2タイプのセラミックスパッケージの作製例を示
す。プレス成形後、焼成されたAlNキャップ1にMo
−Mn等のメタライズ、およびNi、Auメッキを施
す。一方、低温焼成基板2の封止エリア3にもAuメッ
キ膜を形成する。次いで、半導体素子4をAlNキャッ
プ1に半田付けし、これを低温焼成基板2上で半田封止
する。(図1参照)
1表面を予め酸化処理する。一方、低温焼成基板12の
AlNとの接合面13にほうけい酸ガラスを印刷し、不
活性ガス雰囲気中約500℃でガラスを溶融し接合を行
う。(図2参照)
半導体素子4,14からの熱を効率良くAlN等を通じ
て逃がすことができると同時に、低温焼成基板2,12
の有する低誘電率および配線導体5,15の有する低抵
抗により、高集積、高速半導体素子を気密封止すること
ができる。
体素子のパッケージの一例の断面図である。
体素子のパッケージの他の例の断面図である。
4,14………半導体素子、5,15………配線導体。
Claims (7)
- 【請求項1】 酸化物の重量%表示で: Al2 O3 :45〜58% SiO2 :20〜35% B2 O3 : 5〜15% MgO : 5〜20% Li2 O : 0〜 2% Na2 O : 0〜 2% K2 O : 0〜 2% 但し、Li2 O+Na2 O+K2 O:0〜4% の組成のガラス粉末80.0〜99.9重量%と比表面
積が、平均で1.4m2/g以上である無機フィラー
0.1〜20.0重量%からなる低温焼成基板用組成
物。 - 【請求項2】 ガラス粉末が、熱処理することにより
ムライトを主結晶相として析出するガラスであり、無機
フィラーが、熱処理時前記ガラス粉末との接触面からガ
ラス内部に向かってコージェライトを析出させる外部核
剤であることを特徴とする請求項1に記載の低温焼成基
板用組成物。 - 【請求項3】 無機フィラーが、Al2 O3 、SiO
2 、石英ガラス、MgO、CaO、SrO、BaO、Z
nO、ZrO2 、TiO2 、GeO2、SnO2 、Ga
2 O3 、Cr2 O3 、ニオブ、タンタル、コバルト、
銅、鉄、マンガン、モリブデン、ニッケル、バナジウ
ム、タングステン、希土類金属の酸化物から選ばれた少
なくとも1種および/または熱処理後にAl2 O3 、S
iO2 、MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO、Z
rO2 、TiO2 、GeO2 、SnO2 、Ga2 O3 、
Cr2 O3 、ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マ
ンガン、モリブデン、ニッケル、バナジウム、タングス
テン、希土類金属の酸化物になる化合物から選ばれた少
なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2
に記載の低温焼成基板用組成物。 - 【請求項4】 無機フィラーがドロマイト、タルク、
カオリナイトから選ばれた少なくとも1種であることを
特徴とする請求項1または2に記載の低温焼成基板用組
成物。 - 【請求項5】 無機フィラーが、Al2 O3 、SiO
2 、B2 O3 、P2 O5 、MgO、CaO、SrO、B
aO、ZnO、ZrO2 、TiO2 、Li2 O、Na2
O、K2 O、Cr2 O3 、CoO、CuO、Fe
2 O3 、MnO2 の少なくとも2種の成分から構成され
る複合酸化物及び固溶体から選ばれた少なくとも1種で
あることを特徴とする請求項1または2に記載の低温焼
成基板用組成物。 - 【請求項6】 無機フィラーが、ムライト、シリマナ
イト、コージェライト、ウォラストナイト、フォルステ
ライト、ステアタイト、スピネル、ジルコン、アノーサ
イト、セルシアン、ユークリプタイト、スポジューメ
ン、チタナイト、ウィレマイト、ガーナイト、エンスタ
タイト、ゲーレナイト、チタン酸アルミニウム、ホウ酸
アルミニウムから選ばれた少なくとも1種であることを
特徴とする請求項1,2及び5のいずれかに記載の低温
焼成基板用組成物。 - 【請求項7】 請求項1乃至6記載のいずれかの組成
物を成形、焼成して作製される、ムライトおよびコージ
ェライトの結晶相を有し、熱膨張係数が30〜55×1
0-7/℃、抗折強度が23kgf/mm2 以上であるこ
とを特徴とする低温焼成基板。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10297960A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-10 | Kyocera Corp | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 |
JP2001284807A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 回路基板 |
JP2003077755A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ |
JP2008085034A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2008109018A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2009256183A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Asahi Glass Co Ltd | フリット |
JP2009292704A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Noritake Co Ltd | リチウムイオン電池の正極活物質製造用匣鉢及びその製造方法 |
JP2010285346A (ja) * | 2010-07-21 | 2010-12-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスセラミックス誘電体材料およびその製造方法 |
JP2012073162A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード |
WO2013099944A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品 |
JP2013249238A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 低温焼成基板用無鉛ガラスセラミックス組成物 |
CN106356343A (zh) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 株式会社神户制钢所 | 散热基板、装置及散热基板的制造方法 |
JP6260731B1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-01-17 | Tdk株式会社 | ガラスセラミックス焼結体およびコイル電子部品 |
WO2022054337A1 (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 岡本硝子株式会社 | 低温共焼成基板用組成物 |
-
1993
- 1993-08-04 JP JP21340193A patent/JP3361573B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10297960A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-10 | Kyocera Corp | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 |
JP2001284807A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 回路基板 |
JP2003077755A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ |
JP2008085034A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2008109018A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2009256183A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Asahi Glass Co Ltd | フリット |
JP2009292704A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Noritake Co Ltd | リチウムイオン電池の正極活物質製造用匣鉢及びその製造方法 |
JP2010285346A (ja) * | 2010-07-21 | 2010-12-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスセラミックス誘電体材料およびその製造方法 |
JP2012073162A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード |
WO2013099944A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品 |
JP2013249238A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 低温焼成基板用無鉛ガラスセラミックス組成物 |
CN106356343A (zh) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 株式会社神户制钢所 | 散热基板、装置及散热基板的制造方法 |
JP6260731B1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-01-17 | Tdk株式会社 | ガラスセラミックス焼結体およびコイル電子部品 |
JP2018131353A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | Tdk株式会社 | ガラスセラミックス焼結体およびコイル電子部品 |
KR20180094479A (ko) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 티디케이가부시기가이샤 | 유리 세라믹스 소결체 및 코일 전자부품 |
TWI644876B (zh) * | 2017-02-15 | 2018-12-21 | 日商Tdk股份有限公司 | 玻璃陶瓷燒結體以及線圈電子部件 |
US10781132B2 (en) | 2017-02-15 | 2020-09-22 | Tdk Corporation | Glass ceramics sintered body and coil electronic component |
WO2022054337A1 (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 岡本硝子株式会社 | 低温共焼成基板用組成物 |
JPWO2022054337A1 (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | ||
KR20220149598A (ko) * | 2020-09-14 | 2022-11-08 | 오카모토 가라스 가부시키가이샤 | 저온 공소성 기판용 조성물 |
EP4108646A4 (en) * | 2020-09-14 | 2024-01-24 | Okamoto Glass Co Ltd | SUBSTRATE COMPOSITION BURNED AT LOW TEMPERATURE |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3361573B2 (ja) | 2003-01-07 |
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