JP3361573B2 - 低温焼成基板用組成物及びそれから得られる低温焼成基板 - Google Patents
低温焼成基板用組成物及びそれから得られる低温焼成基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子やコイル
（Ｌ）、コンデンサー（Ｃ）、抵抗（Ｒ）等のチップ部
品等を搭載し、これらをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ
等の低抵抗導体配線により相互接続することのできる低
温焼成多層基板用の組成物に関する。とりわけ、半導体
素子搭載部が窒化アルミニウム等で構成される複合型ガ
ラスセラミックスパッケージの配線基板として好適に使
用できる。
（Ｌ）、コンデンサー（Ｃ）、抵抗（Ｒ）等のチップ部
品等を搭載し、これらをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ
等の低抵抗導体配線により相互接続することのできる低
温焼成多層基板用の組成物に関する。とりわけ、半導体
素子搭載部が窒化アルミニウム等で構成される複合型ガ
ラスセラミックスパッケージの配線基板として好適に使
用できる。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、コンピュータや民生
機器等に使用される基板材料はＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）
が一般的であったが、アルミナは焼結温度が約１６００
℃と高く、同時焼成用配線導体にタングステンまたはモ
リブデン等の高融点金属材料を用いている。しかし、こ
れらの高融点金属材料では電気抵抗が比較的高いため、
電気抵抗の低いＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の使用
が望まれていた。そこで、焼成温度が約８５０〜約１０
５０℃と低く、上記低抵抗導体が使用可能な低温焼成基
板が各種提案されている。
機器等に使用される基板材料はＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）
が一般的であったが、アルミナは焼結温度が約１６００
℃と高く、同時焼成用配線導体にタングステンまたはモ
リブデン等の高融点金属材料を用いている。しかし、こ
れらの高融点金属材料では電気抵抗が比較的高いため、
電気抵抗の低いＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の使用
が望まれていた。そこで、焼成温度が約８５０〜約１０
５０℃と低く、上記低抵抗導体が使用可能な低温焼成基
板が各種提案されている。
【０００３】しかしながら、低温焼成基板は熱伝導率が
低いため、消費電力の大きな高速ＬＳＩを搭載すること
ができないという問題を有していた。そこでこの問題を
解決すべく、例えば実開昭６１−１４９３３６号公報に
開示されている如く、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の
高熱伝導率材料を半導体素子搭載部として用い、一方で
配線部を低温焼成多層基板内に設ける複合構造のパッケ
ージが提案されている。この構造のパッケージの場合に
は、高熱伝導率材料と低温焼成基板の接合時に残留応力
が誘発され易いことから、両者の熱膨張係数が近似して
いることと低温焼成基板の強度が高いことが要求され
る。
低いため、消費電力の大きな高速ＬＳＩを搭載すること
ができないという問題を有していた。そこでこの問題を
解決すべく、例えば実開昭６１−１４９３３６号公報に
開示されている如く、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の
高熱伝導率材料を半導体素子搭載部として用い、一方で
配線部を低温焼成多層基板内に設ける複合構造のパッケ
ージが提案されている。この構造のパッケージの場合に
は、高熱伝導率材料と低温焼成基板の接合時に残留応力
が誘発され易いことから、両者の熱膨張係数が近似して
いることと低温焼成基板の強度が高いことが要求され
る。
【０００４】従来知られている低温焼成基板には、大別
してガラス＋フィラー系、非ガラス系および結晶化ガラ
ス系があるが、ガラス＋フィラー系は、目標とする熱膨
張係数の達成は比較的容易であるが強度が低く、逆に非
ガラス系および結晶化ガラス系は、強度は比較的高いも
のの、目標とする熱膨張係数を達成することが困難であ
った。
してガラス＋フィラー系、非ガラス系および結晶化ガラ
ス系があるが、ガラス＋フィラー系は、目標とする熱膨
張係数の達成は比較的容易であるが強度が低く、逆に非
ガラス系および結晶化ガラス系は、強度は比較的高いも
のの、目標とする熱膨張係数を達成することが困難であ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
ふまえた上で開発された低温焼成基板用組成物及びそれ
から得られる低温焼成基板に関する。即ち、本発明は、
酸化物の重量％表示で： Ａｌ2Ｏ3 ：４５％を超え、５８％以下 ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2Ｏ ： ０〜２％ Ｎａ2Ｏ ： ０〜２％ Ｋ2Ｏ ： ０〜２％ 但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜４％の組成のガ
ラス粉末８０.０〜９９.９重量％と比表面積が、平均で
１.４ｍ2／ｇ以上である無機フィラー０.１〜２０.０重
量％からなる低温焼成基板用組成物であることを第１の
特徴とする。
ふまえた上で開発された低温焼成基板用組成物及びそれ
から得られる低温焼成基板に関する。即ち、本発明は、
酸化物の重量％表示で： Ａｌ2Ｏ3 ：４５％を超え、５８％以下 ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2Ｏ ： ０〜２％ Ｎａ2Ｏ ： ０〜２％ Ｋ2Ｏ ： ０〜２％ 但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜４％の組成のガ
ラス粉末８０.０〜９９.９重量％と比表面積が、平均で
１.４ｍ2／ｇ以上である無機フィラー０.１〜２０.０重
量％からなる低温焼成基板用組成物であることを第１の
特徴とする。
【０００６】また、本発明は上記第１の特徴に加え、ガ
ラス粉末が、熱処理することによりムライトを主結晶相
として析出するガラスであり、無機フィラーが、熱処理
時前記ガラス粉末との接触面からガラス内部に向かって
コージェライトを析出させる外部核剤であることを第２
の特徴とする。
ラス粉末が、熱処理することによりムライトを主結晶相
として析出するガラスであり、無機フィラーが、熱処理
時前記ガラス粉末との接触面からガラス内部に向かって
コージェライトを析出させる外部核剤であることを第２
の特徴とする。
【０００７】また、本発明は上記第１または第２の特徴
に加え、無機フィラーが、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、石英
ガラス、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｚ
ｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＧｅＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｇａ2 Ｏ3 、
Ｃｒ2 Ｏ3 、ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マ
ンガン、モリブデン、ニッケル、バナジウム、タングス
テン、希土類金属の酸化物から選ばれた少なくとも１種
および／または熱処理後にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＧｅＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、
ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マンガン、モリ
ブデン、ニッケル、バナジウム、タングステン、希土類
金属の酸化物になる化合物から選ばれた少なくとも１種
であることを第３の特徴とする。
に加え、無機フィラーが、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、石英
ガラス、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｚ
ｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＧｅＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｇａ2 Ｏ3 、
Ｃｒ2 Ｏ3 、ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マ
ンガン、モリブデン、ニッケル、バナジウム、タングス
テン、希土類金属の酸化物から選ばれた少なくとも１種
および／または熱処理後にＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＧｅＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、
ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マンガン、モリ
ブデン、ニッケル、バナジウム、タングステン、希土類
金属の酸化物になる化合物から選ばれた少なくとも１種
であることを第３の特徴とする。
【０００８】また、本発明は上記第１または第２の特徴
に加え、無機フィラーがドロマイト、タルク、カオリナ
イトから選ばれた少なくとも１種であることを第４の特
徴とする。
に加え、無機フィラーがドロマイト、タルク、カオリナ
イトから選ばれた少なくとも１種であることを第４の特
徴とする。
【０００９】また、本発明は上記第１または第２の特徴
に加え、無機フィラーが、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2
Ｏ3 、Ｐ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚ
ｎＯ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2
Ｏ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ
2 の少なくとも２種の成分から構成される複合酸化物お
よび固溶体から選ばれた少なくとも１種であることを第
５の特徴とする。
に加え、無機フィラーが、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2
Ｏ3 、Ｐ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚ
ｎＯ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2
Ｏ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ
2 の少なくとも２種の成分から構成される複合酸化物お
よび固溶体から選ばれた少なくとも１種であることを第
５の特徴とする。
【００１０】また、本発明は上記第１，２または第５の
特徴に加え、無機フィラーが、ムライト、シリマナイ
ト、コージェライト、ウォラストナイト、フォルステラ
イト、ステアタイト、スピネル、ジルコン、アノーサイ
ト、セルシアン、ユークリプタイト、スポジューメン、
チタナイト、ウィレマイト、ガーナイト、エンスタタイ
ト、ゲーレナイト、チタン酸アルミニウム、ホウ酸アル
ミニウムから選ばれた少なくとも１種であることを第６
の特徴とする。
特徴に加え、無機フィラーが、ムライト、シリマナイ
ト、コージェライト、ウォラストナイト、フォルステラ
イト、ステアタイト、スピネル、ジルコン、アノーサイ
ト、セルシアン、ユークリプタイト、スポジューメン、
チタナイト、ウィレマイト、ガーナイト、エンスタタイ
ト、ゲーレナイト、チタン酸アルミニウム、ホウ酸アル
ミニウムから選ばれた少なくとも１種であることを第６
の特徴とする。
【００１１】さらに、本発明は上記第１乃至第６の特徴
に加え、上記組成物を成形、焼成して作製される低温焼
成基板がムライトおよびコージェライトの結晶相を有
し、熱膨張係数が３０〜５５×１０-7／℃、抗折強度が
２３ｋｇｆ／ｍｍ2 以上であることを第７の特徴とし、
ＡｌＮ等との複合化にも適する。
に加え、上記組成物を成形、焼成して作製される低温焼
成基板がムライトおよびコージェライトの結晶相を有
し、熱膨張係数が３０〜５５×１０-7／℃、抗折強度が
２３ｋｇｆ／ｍｍ2 以上であることを第７の特徴とし、
ＡｌＮ等との複合化にも適する。
【００１２】次に、上記組成の限定理由を以下に説明す
る。まず、ガラス粉末について述べる。本発明に使用さ
れるガラス粉末は、熱処理により結晶化する。
る。まず、ガラス粉末について述べる。本発明に使用さ
れるガラス粉末は、熱処理により結晶化する。
【００１３】Ａｌ2 Ｏ3 は結晶化ガラス中のムライト
（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ），コージェライト（２Ｍ
ｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）、スピネル（ＭｇＯ
・Ａｌ2 Ｏ3 ）およびサフィリン（４ＭｇＯ・５Ａｌ2
Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）の構成成分であり、また、残存ガラ
スの中間酸化物である。Ａｌ2 Ｏ3 が４５重量％未満で
は結晶化度が低くなり、基板の強度が２３ｋｇｆ／ｍｍ
2 に達しない。逆に５８重量％を越えると溶融温度が高
くなり、失透しやすくなる。
（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ），コージェライト（２Ｍ
ｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）、スピネル（ＭｇＯ
・Ａｌ2 Ｏ3 ）およびサフィリン（４ＭｇＯ・５Ａｌ2
Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）の構成成分であり、また、残存ガラ
スの中間酸化物である。Ａｌ2 Ｏ3 が４５重量％未満で
は結晶化度が低くなり、基板の強度が２３ｋｇｆ／ｍｍ
2 に達しない。逆に５８重量％を越えると溶融温度が高
くなり、失透しやすくなる。
【００１４】ＳｉＯ2 は結晶化ガラス中のムライト、コ
ージェライト、フォルステライト（２ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ2 ）、サフィリンの構成成分であり、また、残存ガラ
スの骨格を形成する。ＳｉＯ2 が２０重量％未満では結
晶化度が低くなり、基板の強度が低下する。逆に３５重
量％を越えるとコージェライト結晶の析出量が多くなり
すぎ強度が低下する。
ージェライト、フォルステライト（２ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ2 ）、サフィリンの構成成分であり、また、残存ガラ
スの骨格を形成する。ＳｉＯ2 が２０重量％未満では結
晶化度が低くなり、基板の強度が低下する。逆に３５重
量％を越えるとコージェライト結晶の析出量が多くなり
すぎ強度が低下する。
【００１５】Ｂ2 Ｏ3 は融剤として使用され、５重量％
未満では溶融温度が高くなりすぎる。逆に１５重量％を
越えると結晶化度が低くなり、基板の強度が低下する。
未満では溶融温度が高くなりすぎる。逆に１５重量％を
越えると結晶化度が低くなり、基板の強度が低下する。
【００１６】ＭｇＯはガラス作製時の溶融温度を下げる
とともに、結晶化ガラス中のコージェライト、フォルス
テライト、スピネルおよびサフィリンの構成成分であ
る。ＭｇＯが５重量％未満では溶融温度が高くなりすぎ
る。また、結晶化度が低くなり、基板の強度が低下す
る。逆に２０重量％を越えると分相領域に入り、溶融時
失透してしまう。
とともに、結晶化ガラス中のコージェライト、フォルス
テライト、スピネルおよびサフィリンの構成成分であ
る。ＭｇＯが５重量％未満では溶融温度が高くなりすぎ
る。また、結晶化度が低くなり、基板の強度が低下す
る。逆に２０重量％を越えると分相領域に入り、溶融時
失透してしまう。
【００１７】強度、溶融性、成形性、結晶相のバランス
等を総合的に勘案すると、上記成分中のＡｌ2 Ｏ3 は４
７〜５３重量％、ＳｉＯ2 は２４〜３３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 は５〜１５重量％、ＭｇＯは７〜１４重量％であるこ
とが好ましい。
等を総合的に勘案すると、上記成分中のＡｌ2 Ｏ3 は４
７〜５３重量％、ＳｉＯ2 は２４〜３３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 は５〜１５重量％、ＭｇＯは７〜１４重量％であるこ
とが好ましい。
【００１８】また、Ｒ2 Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの内、
少なくとも２種必須）成分を添加することにより、高温
時におけるガラスの電気伝導度が大きくなるため、電気
溶融の適用が可能となり、クリーンな状態でガラスを溶
融することが可能となる。Ｒ2 Ｏ成分は、単独で用いる
と基板の誘電正接（ｔａｎδ）を増大させ、絶縁抵抗を
低下させる。しかし、２成分以上を同時に添加し混合ア
ルカリ効果を利用すると、ｔａｎδの増大および絶縁抵
抗の低下を抑制することができる。Ｒ2 Ｏは合計で１重
量％未満では、電気溶融時キャリアーとしての効果がな
い。逆にＬｉ2Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれかが２重
量％を越えるか、その合計が４重量％を越えると基板の
ｔａｎδの増大および絶縁抵抗の低下が起こるばかりで
なく、熱膨張係数が大きくなりすぎる。上記の理由で電
気溶融を行う場合、Ｒ2 Ｏは１〜４重量％とするが、そ
の構成比は少なくとも２種が０．３重量％以上であるこ
とが好ましい。また、Ｒ2 Ｏを２成分とする場合はどの
２種の組み合わせでも良いが、混合アルカリ効果が最も
顕著に現われるＬｉ2 ＯとＫ2 Ｏの組み合わせが好まし
い。Ｒ2 Ｏを３成分添加するとさらに効果は著しい。但
し、電気溶融以外の方法でガラス溶融を行う場合は、Ｒ
2 Ｏ成分を加えなくても良い。この場合、ｔａｎδは小
さく、かつ絶縁抵抗は高く好ましい。
少なくとも２種必須）成分を添加することにより、高温
時におけるガラスの電気伝導度が大きくなるため、電気
溶融の適用が可能となり、クリーンな状態でガラスを溶
融することが可能となる。Ｒ2 Ｏ成分は、単独で用いる
と基板の誘電正接（ｔａｎδ）を増大させ、絶縁抵抗を
低下させる。しかし、２成分以上を同時に添加し混合ア
ルカリ効果を利用すると、ｔａｎδの増大および絶縁抵
抗の低下を抑制することができる。Ｒ2 Ｏは合計で１重
量％未満では、電気溶融時キャリアーとしての効果がな
い。逆にＬｉ2Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれかが２重
量％を越えるか、その合計が４重量％を越えると基板の
ｔａｎδの増大および絶縁抵抗の低下が起こるばかりで
なく、熱膨張係数が大きくなりすぎる。上記の理由で電
気溶融を行う場合、Ｒ2 Ｏは１〜４重量％とするが、そ
の構成比は少なくとも２種が０．３重量％以上であるこ
とが好ましい。また、Ｒ2 Ｏを２成分とする場合はどの
２種の組み合わせでも良いが、混合アルカリ効果が最も
顕著に現われるＬｉ2 ＯとＫ2 Ｏの組み合わせが好まし
い。Ｒ2 Ｏを３成分添加するとさらに効果は著しい。但
し、電気溶融以外の方法でガラス溶融を行う場合は、Ｒ
2 Ｏ成分を加えなくても良い。この場合、ｔａｎδは小
さく、かつ絶縁抵抗は高く好ましい。
【００１９】上記基本成分の他に以下の着色成分をガラ
スの成分として０．１〜５重量％加えても良い。鉄、ニ
ッケル、銅、バナジウム、マンガン、コバルトの酸化物
は大気中で焼成を行う場合の着色成分である。また、モ
リブデン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コ
バルトの酸化物は水素を含む還元性雰囲気中で焼成を行
う場合の着色成分である。また、モリブデン、鉄、バナ
ジウムの酸化物は中性雰囲気（窒素等の不活性雰囲気）
中で焼成を行う場合の着色成分である。これらの着色成
分は上記のようにガラスの成分として加えても、添加物
（フィラー）として加えても同様の効果が得られる。着
色成分をフィラーとして添加、混合する場合には、酸化
物粉末、炭酸塩、硫酸塩、水酸化物等の金属塩化合物粉
末、金属粉末のいずれを用いても良い。着色成分をフィ
ラーとして用いる場合には、それ自身が後述の外部核剤
としての役割も兼ねる。
スの成分として０．１〜５重量％加えても良い。鉄、ニ
ッケル、銅、バナジウム、マンガン、コバルトの酸化物
は大気中で焼成を行う場合の着色成分である。また、モ
リブデン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コ
バルトの酸化物は水素を含む還元性雰囲気中で焼成を行
う場合の着色成分である。また、モリブデン、鉄、バナ
ジウムの酸化物は中性雰囲気（窒素等の不活性雰囲気）
中で焼成を行う場合の着色成分である。これらの着色成
分は上記のようにガラスの成分として加えても、添加物
（フィラー）として加えても同様の効果が得られる。着
色成分をフィラーとして添加、混合する場合には、酸化
物粉末、炭酸塩、硫酸塩、水酸化物等の金属塩化合物粉
末、金属粉末のいずれを用いても良い。着色成分をフィ
ラーとして用いる場合には、それ自身が後述の外部核剤
としての役割も兼ねる。
【００２０】また、上記のガラス組成にさらに溶融性向
上のための合計で３重量％以下のＣａＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、結晶化促進剤としての合計で５重量％以下のＺｒＯ
2 、ＳｎＯ2 、結晶化促進剤としての作用の他に融剤と
しての作用も持つ５重量％以下のＦ2 等を加えても良
い。
上のための合計で３重量％以下のＣａＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、結晶化促進剤としての合計で５重量％以下のＺｒＯ
2 、ＳｎＯ2 、結晶化促進剤としての作用の他に融剤と
しての作用も持つ５重量％以下のＦ2 等を加えても良
い。
【００２１】次に、無機フィラーの作用について述べ
る。無機フィラ−は外部核剤として働き、ガラス粉末と
の接触面からガラス内部に向かってコージェライト相を
析出させる作用を有する。従って、無機フィラーを添加
することにより基板の熱膨張係数を低い領域で制御で
き、強度の向上も計れる。無機フィラーが０．１重量％
未満では基板の主結晶相がムライト、副結晶相がフォル
ステライト、スピネル、サフィリンの少なくとも１種と
なるため、熱膨張係数が５０〜７０×１０-7／℃と、Ａ
ｌＮ等に比べて大きくなる。無機フィラーが０．１〜２
０．０重量％では、上記結晶相のみならず表面結晶であ
るコージェライト相も析出するため基板の熱膨張係数が
低下し、３０〜５５×１０-7／℃の間で制御可能とな
り、ＡｌＮ等に近似した値が得られる。また、コージェ
ライトの析出と同時にムライトの析出量も増え、トータ
ルの結晶化度が増大するため基板の強度も向上する。無
機フィラーが２０．０重量％を越えると焼結性が低下
し、１０５０℃以下の低温焼成ではち密に焼結できなく
なる。ムライトとコージェライトの結晶化度のバランス
を考慮すると、無機フィラーの量は１〜１５重量％であ
ることがさらに好ましい。
る。無機フィラ−は外部核剤として働き、ガラス粉末と
の接触面からガラス内部に向かってコージェライト相を
析出させる作用を有する。従って、無機フィラーを添加
することにより基板の熱膨張係数を低い領域で制御で
き、強度の向上も計れる。無機フィラーが０．１重量％
未満では基板の主結晶相がムライト、副結晶相がフォル
ステライト、スピネル、サフィリンの少なくとも１種と
なるため、熱膨張係数が５０〜７０×１０-7／℃と、Ａ
ｌＮ等に比べて大きくなる。無機フィラーが０．１〜２
０．０重量％では、上記結晶相のみならず表面結晶であ
るコージェライト相も析出するため基板の熱膨張係数が
低下し、３０〜５５×１０-7／℃の間で制御可能とな
り、ＡｌＮ等に近似した値が得られる。また、コージェ
ライトの析出と同時にムライトの析出量も増え、トータ
ルの結晶化度が増大するため基板の強度も向上する。無
機フィラーが２０．０重量％を越えると焼結性が低下
し、１０５０℃以下の低温焼成ではち密に焼結できなく
なる。ムライトとコージェライトの結晶化度のバランス
を考慮すると、無機フィラーの量は１〜１５重量％であ
ることがさらに好ましい。
【００２２】また無機フィラーは外部核剤として作用す
るため、ガラス粉末との接触面積が大きい方が良い。ガ
ラス粉末との接触面からガラス内部に向かって十分な量
のコージェライト相を析出させ、熱膨張係数を低下させ
るためには、無機フィラーの比表面積は平均で１．４ｍ
2 ／ｇ以上であることが必要である。またグリーンシー
トの成形性および基板の焼結性を考慮すると、無機フィ
ラーの比表面積は平均で１０ｍ2 ／ｇを越えないことが
好ましい。
るため、ガラス粉末との接触面積が大きい方が良い。ガ
ラス粉末との接触面からガラス内部に向かって十分な量
のコージェライト相を析出させ、熱膨張係数を低下させ
るためには、無機フィラーの比表面積は平均で１．４ｍ
2 ／ｇ以上であることが必要である。またグリーンシー
トの成形性および基板の焼結性を考慮すると、無機フィ
ラーの比表面積は平均で１０ｍ2 ／ｇを越えないことが
好ましい。
【００２３】無機フィラーは低温焼成基板の全焼成温度
域において、フィラー単独では融解することがなく、ま
た分解はしても分解後の固体生成物は融解することがな
く、さらに基板の電気的性質を悪化させないものが好ま
しく用いられる。無機フィラーとしては、石英ガラスや
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＧｅＯ2 、Ｓｎ
Ｏ2 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ｃｒ2Ｏ 3、ニオブ、タンタル、コ
バルト、銅、鉄、マンガン、モリブデン、ニッケル、バ
ナジウム、タングステン、希土類金属の酸化物等の酸化
物、熱処理後にこれらの酸化物に変化しうる炭酸塩、硫
酸塩、水酸化物等の化合物、ドロマイト、タルク、カオ
リナイト等の粘土鉱物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ
3 、Ｐ2 Ｏ5、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ
2 Ｏ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ2 等の酸化物の少なくとも２種の成分から構成される
複合酸化物及び固溶体が使用できる。無機フィラーとし
て複合酸化物を用いる場合には、それ自身の強度、熱膨
張係数、誘電率、誘電正接、絶縁抵抗等の諸物性を勘案
するとムライト、シリマナイト、コージェライト、ウォ
ラストナイト、フォルステライト、ステアタイト、スピ
ネル、ジルコン、アノーサイト、セルシアン、ユークリ
プタイト、スポジューメン、チタナイト、ウィレマイ
ト、ガーナイト、エンスタタイト、ゲーレナイト、チタ
ン酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム等が好ましい。
尚、上記のジルコニア（ＺｒＯ2 ）は部分安定化ジルコ
ニアや安定化ジルコニアも含む。
域において、フィラー単独では融解することがなく、ま
た分解はしても分解後の固体生成物は融解することがな
く、さらに基板の電気的性質を悪化させないものが好ま
しく用いられる。無機フィラーとしては、石英ガラスや
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＧｅＯ2 、Ｓｎ
Ｏ2 、Ｇａ2 Ｏ3 、Ｃｒ2Ｏ 3、ニオブ、タンタル、コ
バルト、銅、鉄、マンガン、モリブデン、ニッケル、バ
ナジウム、タングステン、希土類金属の酸化物等の酸化
物、熱処理後にこれらの酸化物に変化しうる炭酸塩、硫
酸塩、水酸化物等の化合物、ドロマイト、タルク、カオ
リナイト等の粘土鉱物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ
3 、Ｐ2 Ｏ5、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ
2 Ｏ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｍｎ
Ｏ2 等の酸化物の少なくとも２種の成分から構成される
複合酸化物及び固溶体が使用できる。無機フィラーとし
て複合酸化物を用いる場合には、それ自身の強度、熱膨
張係数、誘電率、誘電正接、絶縁抵抗等の諸物性を勘案
するとムライト、シリマナイト、コージェライト、ウォ
ラストナイト、フォルステライト、ステアタイト、スピ
ネル、ジルコン、アノーサイト、セルシアン、ユークリ
プタイト、スポジューメン、チタナイト、ウィレマイ
ト、ガーナイト、エンスタタイト、ゲーレナイト、チタ
ン酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム等が好ましい。
尚、上記のジルコニア（ＺｒＯ2 ）は部分安定化ジルコ
ニアや安定化ジルコニアも含む。
【００２４】上記無機フィラーの種類と量、ガラス組成
を変えることにより、種々の熱膨張係数を達成すること
ができる。
を変えることにより、種々の熱膨張係数を達成すること
ができる。
【００２５】
【発明の作用】本発明の低温焼成基板用組成物は，Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗導体材料と共に
約８５０〜約１０５０℃で焼成可能であり、焼成後ムラ
イト、コージェライト、フォルステライト、スピネル、
サフィリン等の結晶相を有し、抗折強度が２３ｋｇｆ／
ｍｍ2 以上の高強度基板が得られる。また、誘電率は７
以下と低く、信号ノイズの低減にも効果を有する。さら
に、熱膨張係数を３０〜５５×１０-7／℃の間に制御で
きるため、高熱伝導率材料であるＡｌＮ等に近似させる
ことが可能で、ＡｌＮ等との接合に際しても残留応力を
極めて小さくできるので高い信頼性が得られる。
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗導体材料と共に
約８５０〜約１０５０℃で焼成可能であり、焼成後ムラ
イト、コージェライト、フォルステライト、スピネル、
サフィリン等の結晶相を有し、抗折強度が２３ｋｇｆ／
ｍｍ2 以上の高強度基板が得られる。また、誘電率は７
以下と低く、信号ノイズの低減にも効果を有する。さら
に、熱膨張係数を３０〜５５×１０-7／℃の間に制御で
きるため、高熱伝導率材料であるＡｌＮ等に近似させる
ことが可能で、ＡｌＮ等との接合に際しても残留応力を
極めて小さくできるので高い信頼性が得られる。
【００２６】
【実施例および比較例】常法に従い、表に示す目標ガラ
ス組成となるように各成分原料を適宜秤量、調合してバ
ッチを調製し、表中に示す溶融温度で２〜３時間溶解
し、溶融ガラスとする。この溶融ガラスを水冷ロールで
フレーク状に成形する。このガラスをボールミル等で微
粉砕し、平均粒径約２〜５μｍのガラス粉末とする。次
いで、比表面積が、平均で１．４ｍ2 ／ｇ以上である無
機フィラーをガラス粉末と混合し、本発明の低温焼成基
板用組成物微粉体を得る。
ス組成となるように各成分原料を適宜秤量、調合してバ
ッチを調製し、表中に示す溶融温度で２〜３時間溶解
し、溶融ガラスとする。この溶融ガラスを水冷ロールで
フレーク状に成形する。このガラスをボールミル等で微
粉砕し、平均粒径約２〜５μｍのガラス粉末とする。次
いで、比表面積が、平均で１．４ｍ2 ／ｇ以上である無
機フィラーをガラス粉末と混合し、本発明の低温焼成基
板用組成物微粉体を得る。
【００２７】基板を作製する場合には、前記微粉体をト
ルエン、エタノール等の溶剤と共にボールミル中で分散
した後、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステ
ル等のバインダー及びＤＢＰ、ＤＯＰ等の可塑剤を加え
スラリー状にし、ドクターブレード法でグリーンシート
に成形する。これを切断、積層後、大気中、水素を含む
還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中で２００℃／ｈの
昇温速度で８５０〜１０５０℃まで上げ、この焼成温度
で２時間保持し低温焼成基板を得、誘電率、誘電正接
（ｔａｎδ）および絶縁抵抗を以下に示す方法で測定し
た。その結果を表１乃至表３（実施例）および表４及び
５（比較例Ａ）に示す。
ルエン、エタノール等の溶剤と共にボールミル中で分散
した後、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステ
ル等のバインダー及びＤＢＰ、ＤＯＰ等の可塑剤を加え
スラリー状にし、ドクターブレード法でグリーンシート
に成形する。これを切断、積層後、大気中、水素を含む
還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中で２００℃／ｈの
昇温速度で８５０〜１０５０℃まで上げ、この焼成温度
で２時間保持し低温焼成基板を得、誘電率、誘電正接
（ｔａｎδ）および絶縁抵抗を以下に示す方法で測定し
た。その結果を表１乃至表３（実施例）および表４及び
５（比較例Ａ）に示す。
【００２８】また、比表面積が、平均で１．４ｍ2 ／ｇ
未満の無機フィラーを用いたものについても全く同じ方
法で低温焼成基板を得、誘導率、誘電正接（ｔａｎδ）
および絶縁抵抗を測定した。その結果を表６（比較例
Ｂ）に示す。
未満の無機フィラーを用いたものについても全く同じ方
法で低温焼成基板を得、誘導率、誘電正接（ｔａｎδ）
および絶縁抵抗を測定した。その結果を表６（比較例
Ｂ）に示す。
【００２９】また、示差熱分析（ＤＴＡ）、熱膨張係
数、結晶相、抗折強度については本実施例および比較例
で得られた微粉体を用いて以下に示す方法で測定した。
その結果を表１乃至表３（実施例）、表４及び５（比較
例Ａ）及び表６（比較例Ｂ）に示す。
数、結晶相、抗折強度については本実施例および比較例
で得られた微粉体を用いて以下に示す方法で測定した。
その結果を表１乃至表３（実施例）、表４及び５（比較
例Ａ）及び表６（比較例Ｂ）に示す。
【００３０】誘電率、誘電正接（ｔａｎδ）
各粉末を前述の通り基板に成形、焼成したものに電極を
施し、２５℃−６０％ＲＨ、１ＭＨｚにおいてインピー
ダンスメーターで測定した。
施し、２５℃−６０％ＲＨ、１ＭＨｚにおいてインピー
ダンスメーターで測定した。
【００３１】絶縁抵抗
各粉末を前述の通り基板に成形、焼成したものに電極を
施し、２５℃−６０％ＲＨ、５０Ｖにおいて絶縁抵抗計
で測定した。
施し、２５℃−６０％ＲＨ、５０Ｖにおいて絶縁抵抗計
で測定した。
【００３２】示差熱分析（ＤＴＡ）
各粉末５００mgを示差熱分析装置の試料ホルダーに入
れ、室温から２０℃／min の昇温速度で上昇させ、転移
点、軟化点、結晶化ピーク温度を測定した。
れ、室温から２０℃／min の昇温速度で上昇させ、転移
点、軟化点、結晶化ピーク温度を測定した。
【００３３】熱膨張係数
各粉末をペレッターで棒状に加圧成形した後、ＤＴＡで
測定した結晶化ピーク温度まで２００℃／ｈで昇温しそ
の温度で２時間保持し焼結したサンプルを室温から１０
℃／min の昇温速度で上昇させ、熱膨張係数（３０〜４
００℃の平均値、単位：１０-7／℃）を測定した。
測定した結晶化ピーク温度まで２００℃／ｈで昇温しそ
の温度で２時間保持し焼結したサンプルを室温から１０
℃／min の昇温速度で上昇させ、熱膨張係数（３０〜４
００℃の平均値、単位：１０-7／℃）を測定した。
【００３４】結晶相
前述ので得られたサンプルと同じ物を再び微粉体とし
た後、粉末Ｘ線回折により測定した。
た後、粉末Ｘ線回折により測定した。
【００３５】抗折強度
前述ので得られたサンプルと同じ物をＪＩＳ−Ｒ１６
０１に準じて加工し、３点曲げによりその強度を測定し
た。
０１に準じて加工し、３点曲げによりその強度を測定し
た。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】
【表６】
【００４２】さらに、実施例に示した組成の粉末を用い
て、多層配線基板を試作した。上記グリーンシートにパ
ンチングによりヴィアホールを形成し、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属粉体からなるペーストを
スクリーン印刷法によりヴィアに充填、さらに所望のパ
タ−ンを印刷し、回路を形成する。次いで各層を熱圧着
法により積層し、切断後、焼成を行う。Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ導体の場合は、大気中もしくは中性雰囲気中で
１００〜２００℃／ｈの昇温速度で８５０〜１０００℃
まで上げ、この温度で１〜３時間保持し、多層基板を得
る。Ｃｕ導体の場合は、弱酸化性もしくは非酸化性雰囲
気中で脱バインダーを完全に行った後、Ｃｕの酸化防止
のために水素を含む還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気
中で８５０〜１０５０℃で焼成を行う。こうして得られ
た多層基板の配線抵抗は低く、導体層の接着強度も十分
であった。また、導体層の半田濡れ性も良好であり、強
固なリ−ド付が可能であった。
て、多層配線基板を試作した。上記グリーンシートにパ
ンチングによりヴィアホールを形成し、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属粉体からなるペーストを
スクリーン印刷法によりヴィアに充填、さらに所望のパ
タ−ンを印刷し、回路を形成する。次いで各層を熱圧着
法により積層し、切断後、焼成を行う。Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ導体の場合は、大気中もしくは中性雰囲気中で
１００〜２００℃／ｈの昇温速度で８５０〜１０００℃
まで上げ、この温度で１〜３時間保持し、多層基板を得
る。Ｃｕ導体の場合は、弱酸化性もしくは非酸化性雰囲
気中で脱バインダーを完全に行った後、Ｃｕの酸化防止
のために水素を含む還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気
中で８５０〜１０５０℃で焼成を行う。こうして得られ
た多層基板の配線抵抗は低く、導体層の接着強度も十分
であった。また、導体層の半田濡れ性も良好であり、強
固なリ−ド付が可能であった。
【００４３】さらに、半導体素子搭載部をＡｌＮで構成
する２タイプのセラミックスパッケージの作製例を示
す。プレス成形後、焼成されたＡｌＮキャップ１にＭｏ
−Ｍｎ等のメタライズ、およびＮｉ、Ａｕメッキを施
す。一方、低温焼成基板２の封止エリア３にもＡｕメッ
キ膜を形成する。次いで、半導体素子４をＡｌＮキャッ
プ１に半田付けし、これを低温焼成基板２上で半田封止
する。（図１参照）
する２タイプのセラミックスパッケージの作製例を示
す。プレス成形後、焼成されたＡｌＮキャップ１にＭｏ
−Ｍｎ等のメタライズ、およびＮｉ、Ａｕメッキを施
す。一方、低温焼成基板２の封止エリア３にもＡｕメッ
キ膜を形成する。次いで、半導体素子４をＡｌＮキャッ
プ１に半田付けし、これを低温焼成基板２上で半田封止
する。（図１参照）
【００４４】プレス成形後、焼成されたＡｌＮベース１
１表面を予め酸化処理する。一方、低温焼成基板１２の
ＡｌＮとの接合面１３にほうけい酸ガラスを印刷し、不
活性ガス雰囲気中約５００℃でガラスを溶融し接合を行
う。（図２参照）
１表面を予め酸化処理する。一方、低温焼成基板１２の
ＡｌＮとの接合面１３にほうけい酸ガラスを印刷し、不
活性ガス雰囲気中約５００℃でガラスを溶融し接合を行
う。（図２参照）
【００４５】この様なタイプのパッケージを用いれば、
半導体素子４，１４からの熱を効率良くＡｌＮ等を通じ
て逃がすことができると同時に、低温焼成基板２，１２
の有する低誘電率および配線導体５，１５の有する低抵
抗により、高集積、高速半導体素子を気密封止すること
ができる。
半導体素子４，１４からの熱を効率良くＡｌＮ等を通じ
て逃がすことができると同時に、低温焼成基板２，１２
の有する低誘電率および配線導体５，１５の有する低抵
抗により、高集積、高速半導体素子を気密封止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の低温焼成基板とＡｌＮとを用いた半導
体素子のパッケージの一例の断面図である。
体素子のパッケージの一例の断面図である。
【図２】本発明の低温焼成基板とＡｌＮとを用いた半導
体素子のパッケージの他の例の断面図である。
体素子のパッケージの他の例の断面図である。
１，１１………ＡｌＮ、２，１２………低温焼成基板、
４，１４………半導体素子、５，１５………配線導体。
４，１４………半導体素子、５，１５………配線導体。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 淳
鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株
式会社鹿児島国分工場内
(72)発明者 小長 智美
鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株
式会社鹿児島国分工場内
(72)発明者 森上 義博
鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株
式会社鹿児島国分工場内
(56)参考文献 特開 昭63−79739（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−29349（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−83737（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−234568（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/18 - 35/195
H05K 1/03
H01L 23/15
Claims (8)
- 【請求項１】酸化物の重量％表示で： Ａｌ2Ｏ3 ：４５％を超え、５８％以下 ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2Ｏ ： ０〜２％ Ｎａ2Ｏ ： ０〜２％ Ｋ2Ｏ ： ０〜２％ 但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜４％の組成のガ
ラス粉末８０.０〜９９.９重量％と比表面積が、平均で
１.４ｍ2／ｇ以上である無機フィラー０.１〜２０.０重
量％からなる低温焼成基板用組成物。 - 【請求項２】ガラス粉末組成のＬｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2
Ｏが、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの３種の内の少なく
とも２種を含むものである請求項１記載の低温焼成基板
用組成物。 - 【請求項３】ガラス粉末が、熱処理することによりムラ
イトを主結晶相として析出するガラスであり、無機フィ
ラーが、熱処理時前記ガラス粉末との接触面からガラス
内部に向かってコージェライトを析出させる外部核剤で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の低温焼
成基板用組成物。 - 【請求項４】無機フィラーが、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、石
英ガラス、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、
ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｎＯ2、Ｇａ2Ｏ3、Ｃｒ
2Ｏ3、ニオブ、タンタル、コバルト、銅、鉄、マンガ
ン、モリブデン、ニッケル、バナジウム、タングステ
ン、希土類金属の酸化物から選ばれた少なくとも１種お
よび／または熱処理後にＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、
ＧｅＯ2、ＳｎＯ2、Ｇａ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ニオブ、タン
タル、コバルト、銅、鉄、マンガン、モリブデン、ニッ
ケル、バナジウム、タングステン、希土類金属の酸化物
になる化合物から選ばれた少なくとも１種であることを
特徴とする請求項１、２または３に記載の低温焼成基板
用組成物。 - 【請求項５】無機フィラーがドロマイト、タルク、カオ
リナイトから選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とする請求項１、２または３に記載の低温焼成基板用組
成物。 - 【請求項６】無機フィラーが、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｂ2
Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｃ
ｒ2Ｏ3、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ2の少なく
とも２種の成分から構成される複合酸化物及び固溶体か
ら選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求
項１、２または３に記載の低温焼成基板用組成物。 - 【請求項７】無機フィラーが、ムライト、シリマナイ
ト、コージェライト、ウォラストナイト、フォルステラ
イト、ステアタイト、スピネル、ジルコン、アノーサイ
ト、セルシアン、ユークリプタイト、スポジューメン、
チタナイト、ウィレマイト、ガーナイト、エンスタタイ
ト、ゲーレナイト、チタン酸アルミニウム、ホウ酸アル
ミニウムから選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とする請求項１、２、３または６に記載の低温焼成基板
用組成物。 - 【請求項８】請求項１乃至７記載のいずれかの組成物を
成形、焼成して作製される、ムライトおよびコージェラ
イトの結晶相を有し、熱膨張係数が３０〜５５×１０-7
／℃、抗折強度が２３ｋｇｆ／ｍｍ2以上であることを
特徴とする低温焼成基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21340193A JP3361573B2 (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 低温焼成基板用組成物及びそれから得られる低温焼成基板 |
| US08/156,059 US5468694A (en) | 1992-11-21 | 1993-11-22 | Composition for producing low temperature co-fired substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21340193A JP3361573B2 (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 低温焼成基板用組成物及びそれから得られる低温焼成基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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