JPH0745808A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH0745808A JPH0745808A JP5207016A JP20701693A JPH0745808A JP H0745808 A JPH0745808 A JP H0745808A JP 5207016 A JP5207016 A JP 5207016A JP 20701693 A JP20701693 A JP 20701693A JP H0745808 A JPH0745808 A JP H0745808A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上の層間絶縁膜を薄くしてスメア
を低減化する。 【構成】 電荷結合デバイスを用いた固体撮像素子にお
いて、転送電極２０７と遮光用金属膜２１０との間の層
間絶縁膜を、シリコン酸化膜２０８−シリコン窒化膜２
０９−シリコン酸化膜２０８の３層膜によって構成し、
層間絶縁膜を薄くしても絶縁耐圧を確保できるようにす
る。 【効果】 転送電極２０７−金属膜２１０間の層間絶縁
膜を薄くしたことにより、半導体基板上の層間絶縁膜も
薄くなり、回折効果による電荷転送領域近傍への入射光
を抑制することができる。
を低減化する。 【構成】 電荷結合デバイスを用いた固体撮像素子にお
いて、転送電極２０７と遮光用金属膜２１０との間の層
間絶縁膜を、シリコン酸化膜２０８−シリコン窒化膜２
０９−シリコン酸化膜２０８の３層膜によって構成し、
層間絶縁膜を薄くしても絶縁耐圧を確保できるようにす
る。 【効果】 転送電極２０７−金属膜２１０間の層間絶縁
膜を薄くしたことにより、半導体基板上の層間絶縁膜も
薄くなり、回折効果による電荷転送領域近傍への入射光
を抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子関し、特
に電荷結合デバイスを用いた一次元または二次元固体撮
像素子に関する。
に電荷結合デバイスを用いた一次元または二次元固体撮
像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子は、従来一般的に使用され
てきた撮像管に比べ小型、軽量、高耐久性、低消費電
力、低残像、低焼き付き性等において優れ、イメージサ
イズの小さい民生用ムービーカメラ分野においては、既
に撮像管を凌駕し、比較的イメージサイズの大きい業務
用カメラ分野においてもとって代わろうとしている。
てきた撮像管に比べ小型、軽量、高耐久性、低消費電
力、低残像、低焼き付き性等において優れ、イメージサ
イズの小さい民生用ムービーカメラ分野においては、既
に撮像管を凌駕し、比較的イメージサイズの大きい業務
用カメラ分野においてもとって代わろうとしている。
【０００３】図３にインターライン転送型固体撮像素子
の平面概念図を示す。図３において、３１は、入射光を
光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換部、３２は、
光電変換部３１に蓄積されている信号電荷を読み出しこ
れを図の下方に向けて転送する垂直転送部、３３は、垂
直転送部３２より転送されてきた信号電荷を図の左方に
転送する水平転送部、３４は、水平転送部より転送され
てきた信号電荷を電圧信号に変換する出力回路部であ
る。
の平面概念図を示す。図３において、３１は、入射光を
光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換部、３２は、
光電変換部３１に蓄積されている信号電荷を読み出しこ
れを図の下方に向けて転送する垂直転送部、３３は、垂
直転送部３２より転送されてきた信号電荷を図の左方に
転送する水平転送部、３４は、水平転送部より転送され
てきた信号電荷を電圧信号に変換する出力回路部であ
る。
【０００４】図４は、図３のＩ−Ｉ′線での従来例の断
面図である。図４において、４０１はｎ型半導体基板、
４０２はｐ型ウェル層、４０３は光電変換部のｎ型半導
体領域、４０４は光電変換部のｐ+ 型領域、４０５は電
荷転送部のｎ型半導体領域、４０６は素子分離部のｐ+
型領域、４０７はポリシリコンからなる電荷転送部の転
送電極、４０８はシリコン酸化膜、４１０は遮光用金属
膜、４１１は保護シリコン酸化膜である。
面図である。図４において、４０１はｎ型半導体基板、
４０２はｐ型ウェル層、４０３は光電変換部のｎ型半導
体領域、４０４は光電変換部のｐ+ 型領域、４０５は電
荷転送部のｎ型半導体領域、４０６は素子分離部のｐ+
型領域、４０７はポリシリコンからなる電荷転送部の転
送電極、４０８はシリコン酸化膜、４１０は遮光用金属
膜、４１１は保護シリコン酸化膜である。
【０００５】このような固体撮像素子には、撮像管には
みられないスミアと呼ばれる画質を劣化させる現象があ
る。これは、高輝度の被写体を撮影したとき、入射光の
回折効果により垂直転送部近傍にも光が入射しこれによ
り励起された電荷が垂直電荷転送部に漏れ込むことによ
り偽信号を発生させる現象である。
みられないスミアと呼ばれる画質を劣化させる現象があ
る。これは、高輝度の被写体を撮影したとき、入射光の
回折効果により垂直転送部近傍にも光が入射しこれによ
り励起された電荷が垂直電荷転送部に漏れ込むことによ
り偽信号を発生させる現象である。
【０００６】このスミア現象を抑制するための手段とし
て、図５に示すように、固体撮像素子の最上層部に感光
性高分子樹脂にてマイクロレンズアレイ５２１（Y.Ishi
hara, et al., “A HIGH PHOTOSENSIBITY IL-CCD IMAGE
SENSOR WITH MONOLITHIC RESIN LENS ARRAY”, IEDM8
3,pp.497-500 参照）を形成したり、図６に示すよう
に、固体撮像素子の最上層部に屈折率の異なる膜（シリ
コン窒化膜６２０）を配置することにより、入射光を光
電変換部中央に集光する技術が開発された（特開昭６１
−４９４６７号公報参照）。なお、図５、図６におい
て、図４に示す従来例の部分に対応する部分には下２桁
が共通する参照番号が付されており、その余の５２０は
平坦化膜である。
て、図５に示すように、固体撮像素子の最上層部に感光
性高分子樹脂にてマイクロレンズアレイ５２１（Y.Ishi
hara, et al., “A HIGH PHOTOSENSIBITY IL-CCD IMAGE
SENSOR WITH MONOLITHIC RESIN LENS ARRAY”, IEDM8
3,pp.497-500 参照）を形成したり、図６に示すよう
に、固体撮像素子の最上層部に屈折率の異なる膜（シリ
コン窒化膜６２０）を配置することにより、入射光を光
電変換部中央に集光する技術が開発された（特開昭６１
−４９４６７号公報参照）。なお、図５、図６におい
て、図４に示す従来例の部分に対応する部分には下２桁
が共通する参照番号が付されており、その余の５２０は
平坦化膜である。
【０００７】しかしながら、上述のスミア対策では、固
体撮像素子に対して予め設定（設計）された入射角にて
入射してくる光に対して、図５におけるマイクロレンズ
アレイ５２１の曲率および高さ、あるいは図６における
膜（シリコン窒化膜６２０）の屈折率および膜厚を最適
化した場合、前述した入射角と異なる入射角をもって入
射してくる光に対しては集光点（もしくは領域）がずれ
てしまうため、スミア抑制効果が減殺されるという欠点
があった。
体撮像素子に対して予め設定（設計）された入射角にて
入射してくる光に対して、図５におけるマイクロレンズ
アレイ５２１の曲率および高さ、あるいは図６における
膜（シリコン窒化膜６２０）の屈折率および膜厚を最適
化した場合、前述した入射角と異なる入射角をもって入
射してくる光に対しては集光点（もしくは領域）がずれ
てしまうため、スミア抑制効果が減殺されるという欠点
があった。
【０００８】上述した欠点を克服するために図４に示す
従来の固体撮像素子では、ｎ型半導体基板４０１と遮光
用金属膜４１０間の距離ｄ1 を短くすることにより、入
射光の回折効果を低減し、垂直転送部近傍に入射する光
の光量を削減することによりスミア偽信号量の低減に努
めてきた（T.Teranishi, et al.,“A Flame Interline
Transfer CCD Image Sensor for HDTV Camera Syste
m”, IEEE Trans. Electoron Device Vol.ED-34, 1987
p.1052 参照）。
従来の固体撮像素子では、ｎ型半導体基板４０１と遮光
用金属膜４１０間の距離ｄ1 を短くすることにより、入
射光の回折効果を低減し、垂直転送部近傍に入射する光
の光量を削減することによりスミア偽信号量の低減に努
めてきた（T.Teranishi, et al.,“A Flame Interline
Transfer CCD Image Sensor for HDTV Camera Syste
m”, IEEE Trans. Electoron Device Vol.ED-34, 1987
p.1052 参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の固体撮像素子では、ｎ型半導体基板４０１と遮
光用金属膜４１０間の距離ｄ1 を短くすると、転送電極
４０７と遮光用金属膜４１０間の距離ｄ2 も短くなるた
め、ある距離以下に設定した場合、前記転送電極４０７
と遮光用金属膜４１０間の層間絶縁耐圧が著しく低下す
るという問題点があり、一定間隔以下の距離に短縮する
ことはできなかった。例えば、転送電極４０７をリンド
ープの多結晶シリコン膜で、シリコン酸化膜４０８をこ
の多結晶シリコン膜の熱酸化膜で、また遮光用金属膜４
１０をアルミニウム膜で構成した場合、前記シリコン酸
化膜４０８の膜厚は約２００ｎｍ程度とする必要があ
る。すなわち、従来の固体撮像素子では、転送電極と遮
光用金属膜との間の層間絶縁膜をシリコン酸化膜のみに
より構成していたため、スミア効果を十分に低減化する
ことはできなかった。
た従来の固体撮像素子では、ｎ型半導体基板４０１と遮
光用金属膜４１０間の距離ｄ1 を短くすると、転送電極
４０７と遮光用金属膜４１０間の距離ｄ2 も短くなるた
め、ある距離以下に設定した場合、前記転送電極４０７
と遮光用金属膜４１０間の層間絶縁耐圧が著しく低下す
るという問題点があり、一定間隔以下の距離に短縮する
ことはできなかった。例えば、転送電極４０７をリンド
ープの多結晶シリコン膜で、シリコン酸化膜４０８をこ
の多結晶シリコン膜の熱酸化膜で、また遮光用金属膜４
１０をアルミニウム膜で構成した場合、前記シリコン酸
化膜４０８の膜厚は約２００ｎｍ程度とする必要があ
る。すなわち、従来の固体撮像素子では、転送電極と遮
光用金属膜との間の層間絶縁膜をシリコン酸化膜のみに
より構成していたため、スミア効果を十分に低減化する
ことはできなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ため、本発明によれば、半導体基板上に一次元もしくは
二次元状に配置された光電変換部と、前記光電変換部で
生成された信号電荷を読み出して転送する電荷転送部
と、前記光電変換部上および前記電荷転送部の転送電極
上を覆うように形成された第１の層間絶縁膜と、少なく
とも前記電荷転送部の転送電極上を覆うように前記第１
の層間絶縁膜上に形成された、前記第１の層間絶縁膜よ
り誘電率の高い材料からなる第２の層間絶縁膜と、前記
光電変換部上および前記電荷転送部の転送電極上を覆う
ように前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間
絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成された、前記
光電変換部上に開口を有する遮光膜と、を有する固体撮
像素子が提供される。
ため、本発明によれば、半導体基板上に一次元もしくは
二次元状に配置された光電変換部と、前記光電変換部で
生成された信号電荷を読み出して転送する電荷転送部
と、前記光電変換部上および前記電荷転送部の転送電極
上を覆うように形成された第１の層間絶縁膜と、少なく
とも前記電荷転送部の転送電極上を覆うように前記第１
の層間絶縁膜上に形成された、前記第１の層間絶縁膜よ
り誘電率の高い材料からなる第２の層間絶縁膜と、前記
光電変換部上および前記電荷転送部の転送電極上を覆う
ように前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間
絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成された、前記
光電変換部上に開口を有する遮光膜と、を有する固体撮
像素子が提供される。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例の製造方法
を説明するための、図３のＩ−Ｉ′線断面での工程断面
図である。まず、ｎ型半導体基板１０１上にｐ型ウェル
層１０２を形成し、続いて、フォトリソグラフィ法、イ
オン注入法を用いて光電変換部となるｎ型半導体領域１
０３およびｐ+ 型半導体領域１０４、電荷転送部となる
ｎ型半導体領域１０５、および素子分離領域となるｐ+
型半導体領域１０６を形成する〔図１（ａ）〕。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例の製造方法
を説明するための、図３のＩ−Ｉ′線断面での工程断面
図である。まず、ｎ型半導体基板１０１上にｐ型ウェル
層１０２を形成し、続いて、フォトリソグラフィ法、イ
オン注入法を用いて光電変換部となるｎ型半導体領域１
０３およびｐ+ 型半導体領域１０４、電荷転送部となる
ｎ型半導体領域１０５、および素子分離領域となるｐ+
型半導体領域１０６を形成する〔図１（ａ）〕。
【００１２】次に、熱酸化を施すことによりシリコン酸
化膜１０８ａを形成し、続いてＣＶＤ法、写真食刻法を
用いて電荷転送部の多結晶シリコンからなる転送電極１
０７を形成する〔図１（ｂ）〕。次に、熱酸化を施すこ
とにより電荷転送部の多結晶シリコンからなる転送電極
１０７上に厚さ約５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜１０８
ｂを形成する。続いてＣＶＤ法により厚さ約３０ｎｍ程
度のシリコン窒化膜１０９を形成し、写真食刻法を用い
て前記転送電極１０７を覆う部分のみを残すようにパタ
ーニングし、さらにＣＶＤ法を用いて厚さ約２０ｎｍ程
度のシリコン酸化膜１０８ｃを形成する〔図１
（ｃ）〕。
化膜１０８ａを形成し、続いてＣＶＤ法、写真食刻法を
用いて電荷転送部の多結晶シリコンからなる転送電極１
０７を形成する〔図１（ｂ）〕。次に、熱酸化を施すこ
とにより電荷転送部の多結晶シリコンからなる転送電極
１０７上に厚さ約５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜１０８
ｂを形成する。続いてＣＶＤ法により厚さ約３０ｎｍ程
度のシリコン窒化膜１０９を形成し、写真食刻法を用い
て前記転送電極１０７を覆う部分のみを残すようにパタ
ーニングし、さらにＣＶＤ法を用いて厚さ約２０ｎｍ程
度のシリコン酸化膜１０８ｃを形成する〔図１
（ｃ）〕。
【００１３】続いて、アルミニウムの蒸着と写真食刻法
により、転送電極１０７およびシリコン窒化膜１０９を
覆う遮光用金属膜１１０を形成し、最後に、ＣＶＤ法に
より全面に保護シリコン酸化膜１１１を形成することに
より本発明の第１の実施例の固体撮像素子が得られる
〔図１（ｄ）〕。
により、転送電極１０７およびシリコン窒化膜１０９を
覆う遮光用金属膜１１０を形成し、最後に、ＣＶＤ法に
より全面に保護シリコン酸化膜１１１を形成することに
より本発明の第１の実施例の固体撮像素子が得られる
〔図１（ｄ）〕。
【００１４】本実施例の構造では、転送電極１０７と遮
光用金属膜１１０との間に誘電率の高いシリコン窒化膜
１０９が配置されているため、この電極と金属膜との間
の電界強度を緩和することができる。したがって、この
Ｏ−Ｎ−Ｏ（酸化膜−窒化膜−酸化膜）構造の絶縁膜を
用いたことにより、転送電極１０７と遮光用金属膜１１
０間の距離ｄ2 を従来例に比べて短くすることができ、
これにともなって半導体基板と金属膜１１０との距離ｄ
1 も短くすることができる。よって、転送電極１０７と
遮光用金属膜１１０間の層間絶縁耐圧を保持したままで
入射光の回折効果を減殺することができ、垂直転送部近
傍に入射する光を抑制することができる。さらに本実施
例では、遮光用金属膜１１０から半導体基板までの距離
ｄ1 を転送電極１０７までの距離ｄ2 より短くすること
ができるため、より顕著な効果を享受することができ
る。また、本実施例では、光電変換部上にシリコン窒化
膜１０９が配置されていないため、最終シンター工程で
の界面準位低減処理効果が薄れることはない。
光用金属膜１１０との間に誘電率の高いシリコン窒化膜
１０９が配置されているため、この電極と金属膜との間
の電界強度を緩和することができる。したがって、この
Ｏ−Ｎ−Ｏ（酸化膜−窒化膜−酸化膜）構造の絶縁膜を
用いたことにより、転送電極１０７と遮光用金属膜１１
０間の距離ｄ2 を従来例に比べて短くすることができ、
これにともなって半導体基板と金属膜１１０との距離ｄ
1 も短くすることができる。よって、転送電極１０７と
遮光用金属膜１１０間の層間絶縁耐圧を保持したままで
入射光の回折効果を減殺することができ、垂直転送部近
傍に入射する光を抑制することができる。さらに本実施
例では、遮光用金属膜１１０から半導体基板までの距離
ｄ1 を転送電極１０７までの距離ｄ2 より短くすること
ができるため、より顕著な効果を享受することができ
る。また、本実施例では、光電変換部上にシリコン窒化
膜１０９が配置されていないため、最終シンター工程で
の界面準位低減処理効果が薄れることはない。
【００１５】図２は、本発明の第２の実施例を示す、図
３のＩ−Ｉ′線での断面図である。図２において、２０
１はｎ型半導体基板、２０２はｐ型ウェル層、２０３は
光電変換部のｎ型半導体領域、２０４は光電変換部のｐ
+ 型領域、２０５は電荷転送部のｎ型半導体領域、２０
６は素子分離部のｐ+ 型領域、２０７は転送電極、２０
８はシリコン酸化膜、２０９はシリコン窒化膜、２１０
は遮光用金属膜、２１１は保護シリコン酸化膜である。
３のＩ−Ｉ′線での断面図である。図２において、２０
１はｎ型半導体基板、２０２はｐ型ウェル層、２０３は
光電変換部のｎ型半導体領域、２０４は光電変換部のｐ
+ 型領域、２０５は電荷転送部のｎ型半導体領域、２０
６は素子分離部のｐ+ 型領域、２０７は転送電極、２０
８はシリコン酸化膜、２０９はシリコン窒化膜、２１０
は遮光用金属膜、２１１は保護シリコン酸化膜である。
【００１６】この第２の実施例の第１の実施例と異なる
ところは、シリコン窒化膜２０９の両端が遮光用金属膜
２１０の両端より突出している点である。第２の実施例
においては、図２に示した構成により、スネルの法則に
従って、入射光を、屈折率約１．４５のシリコン酸化膜
間に配置された屈折率約２．００のシリコン窒化膜２０
９によって光電変換部側へ屈折させることができるた
め、遮光用金属膜１１０−半導体基板間の耐圧高く保持
しつつスミア偽信号量を低減化することができる。
ところは、シリコン窒化膜２０９の両端が遮光用金属膜
２１０の両端より突出している点である。第２の実施例
においては、図２に示した構成により、スネルの法則に
従って、入射光を、屈折率約１．４５のシリコン酸化膜
間に配置された屈折率約２．００のシリコン窒化膜２０
９によって光電変換部側へ屈折させることができるた
め、遮光用金属膜１１０−半導体基板間の耐圧高く保持
しつつスミア偽信号量を低減化することができる。
【００１７】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。また、実施例では、イン
ターライン転送型二次元固体撮像素子について説明した
が、本発明は他の二次元撮像素子や一次元撮像素子にも
適用しうるものである。また、前述した従来の集光技術
を、本発明の実施例と組み合わせて用いることにより、
さらにスミア低減効果を高めるようにすることができ
る。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。また、実施例では、イン
ターライン転送型二次元固体撮像素子について説明した
が、本発明は他の二次元撮像素子や一次元撮像素子にも
適用しうるものである。また、前述した従来の集光技術
を、本発明の実施例と組み合わせて用いることにより、
さらにスミア低減効果を高めるようにすることができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、転送電
極１０７、２０７と遮光用金属膜１１０、２１０との間
に酸化膜より誘電率の高い膜を含む積層絶縁膜を配置し
たものであるので、転送電極１０７、２０７と遮光用金
属膜１１０、２１０との距離ｄ2 を、したがって半導体
基板と遮光用金属膜１１０、２１０との間の距離ｄ1 を
従来例に比べて短くすることができるため、本発明によ
れば、層間絶縁耐圧を高く保持したままで入射光の回折
効果を低減し、垂直転送部近傍に入射する光を削減して
スミア偽信号量を低減化することができる。
極１０７、２０７と遮光用金属膜１１０、２１０との間
に酸化膜より誘電率の高い膜を含む積層絶縁膜を配置し
たものであるので、転送電極１０７、２０７と遮光用金
属膜１１０、２１０との距離ｄ2 を、したがって半導体
基板と遮光用金属膜１１０、２１０との間の距離ｄ1 を
従来例に比べて短くすることができるため、本発明によ
れば、層間絶縁耐圧を高く保持したままで入射光の回折
効果を低減し、垂直転送部近傍に入射する光を削減して
スミア偽信号量を低減化することができる。
【００１９】また、本発明の第１の実施例では、光電変
換部上のシリコン窒化膜を除去しているため、半導体基
板と遮光用金属膜１１０間の距離ｄ1 を転送電極１０７
と遮光用金属膜１１０との距離ｄ2 より短くでき、より
効果的にスミア偽信号を削減することができる。さら
に、光電変換部上に窒化膜が存在していないことによ
り、最終シンター工程において界面準位を効果的に低減
化することができる。また、第２の実施例では、前述し
た入射光の回折効果の低減に加えて、スネルの法則に従
い屈折率約１．４５のシリコン酸化膜間に配置された屈
折率約２．００のシリコン窒化膜２０９による入射光の
光電変換部側への屈折効果を利用することができるた
め、遮光用金属膜−半導体基板間の耐圧をも高く維持し
つつスミア偽信号量を低減化することができる。
換部上のシリコン窒化膜を除去しているため、半導体基
板と遮光用金属膜１１０間の距離ｄ1 を転送電極１０７
と遮光用金属膜１１０との距離ｄ2 より短くでき、より
効果的にスミア偽信号を削減することができる。さら
に、光電変換部上に窒化膜が存在していないことによ
り、最終シンター工程において界面準位を効果的に低減
化することができる。また、第２の実施例では、前述し
た入射光の回折効果の低減に加えて、スネルの法則に従
い屈折率約１．４５のシリコン酸化膜間に配置された屈
折率約２．００のシリコン窒化膜２０９による入射光の
光電変換部側への屈折効果を利用することができるた
め、遮光用金属膜−半導体基板間の耐圧をも高く維持し
つつスミア偽信号量を低減化することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程断面図。
めの工程断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】インターライン転送型固体撮像素子の概略平面
図。
図。
【図４】第１の従来例の断面図。
【図５】第２の従来例の断面図。
【図６】第３の従来例の断面図。
３１ 光電変換部 ３２ 垂直転送部 ３３ 水平転送部 ３４ 出力部 １０１、２０１、４０１、５０１、６０１ ｎ型半導体
基板 １０２、２０２、４０２、５０２、６０２ ｐ型ウェル
層 １０３、２０３、４０３、５０３、６０３ 光電変換部
のｎ型半導体領域 １０４、２０４、４０４、５０４、６０４ 光電変換部
のｐ+ 型半導体領域 １０５、２０５、４０５、５０５、６０５ 電荷転送部
のｎ型半導体領域 １０６、２０６、４０６、５０６、６０６ 素子分離部
のｐ+ 型半導体領域 １０７、２０７、４０７、５０７、６０７ 転送電極 １０８、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、２０８、４０
８、５０８、６０８シリコン酸化膜 １０９、２０９ シリコン窒化膜 １１０、２１０、４１０、５１０、６１０ 遮光用金属
膜 １１１、２１１、４１１、６１１ 保護シリコン酸化膜 ５２０ 平坦化膜 ６２０ シリコン窒化膜 ５２１ マイクロレンズアレイ
基板 １０２、２０２、４０２、５０２、６０２ ｐ型ウェル
層 １０３、２０３、４０３、５０３、６０３ 光電変換部
のｎ型半導体領域 １０４、２０４、４０４、５０４、６０４ 光電変換部
のｐ+ 型半導体領域 １０５、２０５、４０５、５０５、６０５ 電荷転送部
のｎ型半導体領域 １０６、２０６、４０６、５０６、６０６ 素子分離部
のｐ+ 型半導体領域 １０７、２０７、４０７、５０７、６０７ 転送電極 １０８、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、２０８、４０
８、５０８、６０８シリコン酸化膜 １０９、２０９ シリコン窒化膜 １１０、２１０、４１０、５１０、６１０ 遮光用金属
膜 １１１、２１１、４１１、６１１ 保護シリコン酸化膜 ５２０ 平坦化膜 ６２０ シリコン窒化膜 ５２１ マイクロレンズアレイ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に一次元もしくは二次元状
に配置された光電変換部と、 前記光電変換部で生成された信号電荷を読み出して転送
する電荷転送部と、 前記光電変換部上および前記電荷転送部の転送電極上を
覆うように形成された第１の層間絶縁膜と、 少なくとも前記電荷転送部の転送電極上を覆うように前
記第１の層間絶縁膜上に形成された、前記第１の層間絶
縁膜より誘電率の高い材料からなる第２の層間絶縁膜
と、 前記光電変換部上および前記電荷転送部の転送電極上を
覆うように前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の
層間絶縁膜と、 前記第３の層間絶縁膜上に形成された、前記光電変換部
上に開口を有する遮光膜と、 を有する固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記第２の層間絶縁膜が前記光電変換部
の周辺部のみを覆っていることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 前記第１および第３の層間絶縁膜がシリ
コン酸化膜であり、前記第２の層間絶縁膜がシリコン窒
化膜であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素
子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5207016A JP2621767B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 固体撮像素子 |
| KR1019940018800A KR0175175B1 (ko) | 1993-07-03 | 1994-07-30 | 고체 화상 소자 |
| US08/573,366 US5585653A (en) | 1993-07-30 | 1995-12-15 | Solid-state photoelectric imaging device with reduced smearing |
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|---|---|---|---|
| JP5207016A JP2621767B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 固体撮像素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745808A true JPH0745808A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2621767B2 JP2621767B2 (ja) | 1997-06-18 |
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ID=16532807
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| KR (1) | KR0175175B1 (ja) |
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| US7709917B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-05-04 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and method of manufacturing the same |
| JP2017055080A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像装置の製造方法 |
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| US6177711B1 (en) | 1996-09-19 | 2001-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element |
| JP3003590B2 (ja) * | 1996-10-02 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
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- 1993-07-30 JP JP5207016A patent/JP2621767B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1994
- 1994-07-30 KR KR1019940018800A patent/KR0175175B1/ko not_active IP Right Cessation
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1995
- 1995-12-15 US US08/573,366 patent/US5585653A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US5585653A (en) | 1996-12-17 |
| KR950004570A (ko) | 1995-02-18 |
| JP2621767B2 (ja) | 1997-06-18 |
| KR0175175B1 (ko) | 1999-02-01 |
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