JP2002026305A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲート絶縁膜となるシリコン窒化膜と反射防
止膜となるシリコン窒化膜とを同一工程で成膜でき、且
つ、エッチングによる反射防止膜の膜厚減少を抑制でき
る固体撮像装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 転送チャンネル部１１および受光部１２
を備えたシリコン基板１０上に、シリコン酸化膜１３
と、ゲート絶縁膜および反射防止膜として機能するシリ
コン窒化膜１４と、保護膜１５とをこの順に形成し、前
記シリコン窒化膜１４上方に、少なくとも前記受光部１
２上方においては前記保護膜１５を介して、ポリシリコ
ン膜を形成した後、前記ポリシリコン膜をエッチングし
て、前記転送チャネル部１１上方に転送電極１７を形成
する工程を含み、前記ポリシリコン膜のエッチングを、
前記受光部１２上方において、前記ポリシリコン膜が除
去され、且つ、前記保護膜１５が残存するように実施す
る。
止膜となるシリコン窒化膜とを同一工程で成膜でき、且
つ、エッチングによる反射防止膜の膜厚減少を抑制でき
る固体撮像装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 転送チャンネル部１１および受光部１２
を備えたシリコン基板１０上に、シリコン酸化膜１３
と、ゲート絶縁膜および反射防止膜として機能するシリ
コン窒化膜１４と、保護膜１５とをこの順に形成し、前
記シリコン窒化膜１４上方に、少なくとも前記受光部１
２上方においては前記保護膜１５を介して、ポリシリコ
ン膜を形成した後、前記ポリシリコン膜をエッチングし
て、前記転送チャネル部１１上方に転送電極１７を形成
する工程を含み、前記ポリシリコン膜のエッチングを、
前記受光部１２上方において、前記ポリシリコン膜が除
去され、且つ、前記保護膜１５が残存するように実施す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の固体撮像装置は、電荷転送にＣＣ
Ｄ（電荷結合素子；Charge Coupled Device）を用いた
ものが主流となっている。この固体撮像装置の構造を簡
単に説明すると、シリコン基板に、複数の受光部が行列
状に配置されており、この受光部の各列に対応するよう
に電荷転送部が形成されている。電荷転送部は、シリコ
ン基板内に転送チャンネル部が形成され、その上方にゲ
ート絶縁膜を介して転送電極が形成されたＣＣＤであ
る。このような固体撮像装置においては、受光部表面で
の反射を抑制して感度向上を図るため、受光部上に反射
防止膜を形成することが提案されている。
Ｄ（電荷結合素子；Charge Coupled Device）を用いた
ものが主流となっている。この固体撮像装置の構造を簡
単に説明すると、シリコン基板に、複数の受光部が行列
状に配置されており、この受光部の各列に対応するよう
に電荷転送部が形成されている。電荷転送部は、シリコ
ン基板内に転送チャンネル部が形成され、その上方にゲ
ート絶縁膜を介して転送電極が形成されたＣＣＤであ
る。このような固体撮像装置においては、受光部表面で
の反射を抑制して感度向上を図るため、受光部上に反射
防止膜を形成することが提案されている。
【０００３】図５は、反射防止膜を備えた固体撮像装置
の製造方法を説明するための工程図である。まず、受光
部５２および転送チャネル部５１が形成されたシリコン
基板５０上に、シリコン酸化膜５３、シリコン窒化膜５
４およびシリコン酸化膜５５をこの順に成膜し、３層構
造のゲート絶縁膜を形成する（図５Ａ）。続いて、ポリ
シリコン膜を成膜し、これをフォトリソグラフィーおよ
びエッチングによりパターニングして、転送チャンネル
部５１上方に転送電極５６を形成する（図５Ｂ）。次
に、熱酸化により転送電極５６表面をシリコン酸化膜５
７で被覆した後、シリコン窒化膜５４をパターニングし
て、受光部５２上に反射防止膜５４ａを形成する（図５
Ｃ）。
の製造方法を説明するための工程図である。まず、受光
部５２および転送チャネル部５１が形成されたシリコン
基板５０上に、シリコン酸化膜５３、シリコン窒化膜５
４およびシリコン酸化膜５５をこの順に成膜し、３層構
造のゲート絶縁膜を形成する（図５Ａ）。続いて、ポリ
シリコン膜を成膜し、これをフォトリソグラフィーおよ
びエッチングによりパターニングして、転送チャンネル
部５１上方に転送電極５６を形成する（図５Ｂ）。次
に、熱酸化により転送電極５６表面をシリコン酸化膜５
７で被覆した後、シリコン窒化膜５４をパターニングし
て、受光部５２上に反射防止膜５４ａを形成する（図５
Ｃ）。
【０００４】図６は、反射防止膜を備えた固体撮像装置
の別の製造方法を説明するための工程図である。図５と
同様に、受光部６２および転送チャネル部６１が形成さ
れたシリコン基板６０上に、シリコン酸化膜６３、シリ
コン窒化膜６４およびシリコン酸化膜６５からなる３層
構造のゲート絶縁膜と、転送電極６６とを形成する（図
６Ａ、Ｂ）。続いて、転送電極６６表面にシリコン酸化
膜６７を形成した後、受光部６２上のシリコン窒化膜６
４を除去する（図６Ｃ）。その後、新たにシリコン窒化
膜６８を成膜し（図６Ｄ）、これをパターニングして、
受光部６２上に反射防止膜６８ａを形成する（図６
Ｅ）。
の別の製造方法を説明するための工程図である。図５と
同様に、受光部６２および転送チャネル部６１が形成さ
れたシリコン基板６０上に、シリコン酸化膜６３、シリ
コン窒化膜６４およびシリコン酸化膜６５からなる３層
構造のゲート絶縁膜と、転送電極６６とを形成する（図
６Ａ、Ｂ）。続いて、転送電極６６表面にシリコン酸化
膜６７を形成した後、受光部６２上のシリコン窒化膜６
４を除去する（図６Ｃ）。その後、新たにシリコン窒化
膜６８を成膜し（図６Ｄ）、これをパターニングして、
受光部６２上に反射防止膜６８ａを形成する（図６
Ｅ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、転送電極形成
のためのエッチングとしては、ドライエッチングが用い
られる。しかし、図５の製造方法においては、このドラ
イエッチングの際に、ポリシリコン膜だけでなく、受光
部５２上のシリコン酸化膜５５、更にはシリコン窒化膜
５４までもがエッチングされる（図５Ｂを参照）。その
結果、受光部５２上のシリコン窒化膜、すなわち反射防
止膜５４ａの膜厚が減少する。反射防止効果は、反射防
止膜５４ａの屈折率および膜厚により決定するため、上
記ドライエッチングによる反射防止膜５４ａの膜厚減少
は、反射防止効果の低下の原因となり問題であった。
のためのエッチングとしては、ドライエッチングが用い
られる。しかし、図５の製造方法においては、このドラ
イエッチングの際に、ポリシリコン膜だけでなく、受光
部５２上のシリコン酸化膜５５、更にはシリコン窒化膜
５４までもがエッチングされる（図５Ｂを参照）。その
結果、受光部５２上のシリコン窒化膜、すなわち反射防
止膜５４ａの膜厚が減少する。反射防止効果は、反射防
止膜５４ａの屈折率および膜厚により決定するため、上
記ドライエッチングによる反射防止膜５４ａの膜厚減少
は、反射防止効果の低下の原因となり問題であった。
【０００６】一方、図６の製造方法においては、転送電
極形成のためのドライエッチング後、受光部６２上のシ
リコン窒化膜６４を除去し、新たにシリコン窒化膜６８
を形成して反射防止膜とする（図６Ｃ〜Ｅ参照）。従っ
て、反射防止膜の膜厚減少を回避し、十分な反射防止効
果を達成することができる。しかしながら、シリコン窒
化膜６４の除去と、新たなシリコン窒化膜６８の成膜と
いう工程が必要となるため、工程数が増大し、製造効率
が低下するという問題があった。
極形成のためのドライエッチング後、受光部６２上のシ
リコン窒化膜６４を除去し、新たにシリコン窒化膜６８
を形成して反射防止膜とする（図６Ｃ〜Ｅ参照）。従っ
て、反射防止膜の膜厚減少を回避し、十分な反射防止効
果を達成することができる。しかしながら、シリコン窒
化膜６４の除去と、新たなシリコン窒化膜６８の成膜と
いう工程が必要となるため、工程数が増大し、製造効率
が低下するという問題があった。
【０００７】本発明は、製造効率に優れ、且つ、エッチ
ングによる反射防止膜の膜厚減少を抑制できる固体撮像
装置の製造方法を提供することを目的とする。
ングによる反射防止膜の膜厚減少を抑制できる固体撮像
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の固体撮像装置の製造方法は、シリコン基板
内に転送チャンネル部および受光部を形成する工程と、
前記シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成する工程
と、前記シリコン酸化膜上に、前記転送チャンネル部上
方においては前記シリコン酸化膜と共にゲート絶縁膜と
して機能し、前記受光部上方においては反射防止膜とし
て機能するシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリ
コン窒化膜上に保護膜を形成する工程と、前記シリコン
窒化膜上方に、少なくとも前記受光部上方においては前
記保護膜を介して、ポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜をエッチングして、前記転送チャネ
ル部上方に転送電極を形成する工程とを含み、前記ポリ
シリコン膜のエッチングが、前記受光部上方において、
前記ポリシリコン膜が除去され、且つ、前記保護膜が残
存するように実施されることを特徴とする。
め、本発明の固体撮像装置の製造方法は、シリコン基板
内に転送チャンネル部および受光部を形成する工程と、
前記シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成する工程
と、前記シリコン酸化膜上に、前記転送チャンネル部上
方においては前記シリコン酸化膜と共にゲート絶縁膜と
して機能し、前記受光部上方においては反射防止膜とし
て機能するシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリ
コン窒化膜上に保護膜を形成する工程と、前記シリコン
窒化膜上方に、少なくとも前記受光部上方においては前
記保護膜を介して、ポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜をエッチングして、前記転送チャネ
ル部上方に転送電極を形成する工程とを含み、前記ポリ
シリコン膜のエッチングが、前記受光部上方において、
前記ポリシリコン膜が除去され、且つ、前記保護膜が残
存するように実施されることを特徴とする。
【０００９】このような製造方法によれば、ゲート絶縁
膜を構成するシリコン窒化膜と、反射防止膜を構成する
シリコン窒化膜とを同一工程で成膜するため、反射防止
膜を備えた固体撮像装置を効率良く製造することができ
る。また、転送電極形成のためのエッチングの際、受光
部上方においてはシリコン窒化膜上に保護膜が存在する
ため、このエッチングによる受光部上のシリコン窒化膜
（すなわち、反射防止膜）の膜厚減少を抑制することが
できる。そのため、反射防止目的に適合した膜厚の反射
防止膜を容易に形成することができ、感度に優れた固体
撮像装置を製造することができる。
膜を構成するシリコン窒化膜と、反射防止膜を構成する
シリコン窒化膜とを同一工程で成膜するため、反射防止
膜を備えた固体撮像装置を効率良く製造することができ
る。また、転送電極形成のためのエッチングの際、受光
部上方においてはシリコン窒化膜上に保護膜が存在する
ため、このエッチングによる受光部上のシリコン窒化膜
（すなわち、反射防止膜）の膜厚減少を抑制することが
できる。そのため、反射防止目的に適合した膜厚の反射
防止膜を容易に形成することができ、感度に優れた固体
撮像装置を製造することができる。
【００１０】前記製造方法においては、前記保護膜の膜
厚が、少なくとも前記受光部上方において、５〜１００
ｎｍの範囲であることが好ましい。転送電極形成のため
のエッチングによる反射防止膜の膜厚減少を、更に十分
に抑制することができるからである。
厚が、少なくとも前記受光部上方において、５〜１００
ｎｍの範囲であることが好ましい。転送電極形成のため
のエッチングによる反射防止膜の膜厚減少を、更に十分
に抑制することができるからである。
【００１１】また、前記製造方法においては、前記ポリ
シリコン膜を形成する工程の前に、少なくとも前記転送
チャンネル部上方において、前記保護膜を薄膜化または
除去することが好ましい。転送チャンネル部および転送
電極で構成される電荷転送部において、大きい転送容量
が確保できるからである。
シリコン膜を形成する工程の前に、少なくとも前記転送
チャンネル部上方において、前記保護膜を薄膜化または
除去することが好ましい。転送チャンネル部および転送
電極で構成される電荷転送部において、大きい転送容量
が確保できるからである。
【００１２】この場合、前記転送チャネル部上方と、前
記転送チャンネル部と前記受光部との間の少なくとも一
部上方とにおいて、前記保護膜を薄膜化または除去する
ことが好ましい。転送チャンネル部と受光部との間の領
域の保護膜を薄膜化または除去することにより、受光部
から転送チャンネル部へ電荷を読み出すための電圧を、
低電圧化することができる。
記転送チャンネル部と前記受光部との間の少なくとも一
部上方とにおいて、前記保護膜を薄膜化または除去する
ことが好ましい。転送チャンネル部と受光部との間の領
域の保護膜を薄膜化または除去することにより、受光部
から転送チャンネル部へ電荷を読み出すための電圧を、
低電圧化することができる。
【００１３】また、前記製造方法においては、前記シリ
コン窒化膜を形成する工程の前に、前記転送チャンネル
部上方と前記受光部上方とで、前記シリコン酸化膜の膜
厚を相違させることが好ましい。
コン窒化膜を形成する工程の前に、前記転送チャンネル
部上方と前記受光部上方とで、前記シリコン酸化膜の膜
厚を相違させることが好ましい。
【００１４】ゲート絶縁膜として好適なシリコン酸化膜
の膜厚は、十分な絶縁耐圧および転送容量の確保という
観点から決定される。一方、反射防止という観点からみ
たシリコン酸化膜の好適な膜厚は、シリコン基板および
シリコン酸化膜の屈折率と、受光部に入射する光との関
係から決定される。そのため、この両者は必ずしも一致
しない。しかしながら、この好ましい例によれば、シリ
コン酸化膜を、転送チャンネル部上においてはゲート絶
縁膜として好適な膜厚に調整し、受光部上においては反
射防止目的により適合した膜厚に調整することによっ
て、電荷転送部において十分な絶縁耐圧および転送容量
を確保しながら、反射防止による感度向上を更に十分に
実現させることができる。
の膜厚は、十分な絶縁耐圧および転送容量の確保という
観点から決定される。一方、反射防止という観点からみ
たシリコン酸化膜の好適な膜厚は、シリコン基板および
シリコン酸化膜の屈折率と、受光部に入射する光との関
係から決定される。そのため、この両者は必ずしも一致
しない。しかしながら、この好ましい例によれば、シリ
コン酸化膜を、転送チャンネル部上においてはゲート絶
縁膜として好適な膜厚に調整し、受光部上においては反
射防止目的により適合した膜厚に調整することによっ
て、電荷転送部において十分な絶縁耐圧および転送容量
を確保しながら、反射防止による感度向上を更に十分に
実現させることができる。
【００１５】また、前記製造方法においては、前記ポリ
シリコン膜を形成する工程の前に、前記転送チャンネル
部上方と前記受光部上方とで、前記シリコン窒化膜の膜
厚を相違させることが好ましい。
シリコン膜を形成する工程の前に、前記転送チャンネル
部上方と前記受光部上方とで、前記シリコン窒化膜の膜
厚を相違させることが好ましい。
【００１６】前述したシリコン酸化膜と同様に、シリコ
ン窒化膜についても、ゲート絶縁膜として好適な膜厚と
反射防止膜として好適な膜厚とは、必ずしも一致しな
い。しかしながら、この好ましい例によれば、シリコン
窒化膜を、転送チャンネル部上においてはゲート絶縁膜
として好適な膜厚に調整し、受光部上においては反射防
止膜として好適な膜厚に調整することができ、電荷転送
部において十分な絶縁耐圧および転送容量を確保しなが
ら、反射防止による感度向上を更に十分に実現させるこ
とができる。
ン窒化膜についても、ゲート絶縁膜として好適な膜厚と
反射防止膜として好適な膜厚とは、必ずしも一致しな
い。しかしながら、この好ましい例によれば、シリコン
窒化膜を、転送チャンネル部上においてはゲート絶縁膜
として好適な膜厚に調整し、受光部上においては反射防
止膜として好適な膜厚に調整することができ、電荷転送
部において十分な絶縁耐圧および転送容量を確保しなが
ら、反射防止による感度向上を更に十分に実現させるこ
とができる。
【００１７】また、前記製造方法においては、前記シリ
コン窒化膜を形成する工程の後であって、前記保護膜を
形成する工程の前に、少なくとも前記受光部上方におい
て、前記シリコン窒化膜上に追加の絶縁膜を形成するこ
とが好ましい。この追加の絶縁膜は、受光部上方におい
て、シリコン窒化膜と共に反射防止膜として機能する膜
であり、例えばシリコン窒化膜を使用することができ
る。
コン窒化膜を形成する工程の後であって、前記保護膜を
形成する工程の前に、少なくとも前記受光部上方におい
て、前記シリコン窒化膜上に追加の絶縁膜を形成するこ
とが好ましい。この追加の絶縁膜は、受光部上方におい
て、シリコン窒化膜と共に反射防止膜として機能する膜
であり、例えばシリコン窒化膜を使用することができ
る。
【００１８】この好ましい例によれば、反射防止目的に
適合した膜厚の反射防止膜を得ることが容易であり、反
射防止による感度向上を更に十分に実現させることがで
きる。
適合した膜厚の反射防止膜を得ることが容易であり、反
射防止による感度向上を更に十分に実現させることがで
きる。
【００１９】この場合、前記ポリシリコン膜を形成する
工程の前に、前記転送チャンネル部上方と前記受光部上
方とで、前記追加の絶縁膜の膜厚を相違させることが好
ましい。シリコン窒化膜とその上に形成される追加の絶
縁膜との合計膜厚を、転送チャンネル部上においてはゲ
ート絶縁膜として好適な膜厚に調整し、受光部上におい
ては反射防止膜として好適な膜厚に調整することができ
るため、電荷転送部において十分な絶縁耐圧および転送
容量を確保しながら、反射防止による感度向上を更に十
分に実現させることができるからである。
工程の前に、前記転送チャンネル部上方と前記受光部上
方とで、前記追加の絶縁膜の膜厚を相違させることが好
ましい。シリコン窒化膜とその上に形成される追加の絶
縁膜との合計膜厚を、転送チャンネル部上においてはゲ
ート絶縁膜として好適な膜厚に調整し、受光部上におい
ては反射防止膜として好適な膜厚に調整することができ
るため、電荷転送部において十分な絶縁耐圧および転送
容量を確保しながら、反射防止による感度向上を更に十
分に実現させることができるからである。
【００２０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説
明するための工程断面図である。
明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説
明するための工程断面図である。
【００２１】まず、シリコン基板１０内に受光部１２お
よび転送チャンネル部１１を形成する。形成方法として
は、例えば、イオン注入が採用される。具体的には、例
えば、ｎ型シリコン基板１０内に、ボロンなどのｐ型不
純物を注入し、ｐ型ウェルを形成する。次に、ｐ型ウェ
ル内に、リンなどのｎ型不純物を注入して、受光部１２
および転送チャンネル部１１を形成する。
よび転送チャンネル部１１を形成する。形成方法として
は、例えば、イオン注入が採用される。具体的には、例
えば、ｎ型シリコン基板１０内に、ボロンなどのｐ型不
純物を注入し、ｐ型ウェルを形成する。次に、ｐ型ウェ
ル内に、リンなどのｎ型不純物を注入して、受光部１２
および転送チャンネル部１１を形成する。
【００２２】続いて、シリコン基板１０上にシリコン酸
化膜１３を形成する。シリコン酸化膜１３の成膜方法と
しては、例えば、熱酸化法を採用することができる。ま
た、その膜厚は、例えば５〜１００ｎｍである。
化膜１３を形成する。シリコン酸化膜１３の成膜方法と
しては、例えば、熱酸化法を採用することができる。ま
た、その膜厚は、例えば５〜１００ｎｍである。
【００２３】次に、シリコン酸化膜１３上にシリコン窒
化膜１４を形成する。成膜方法としては、例えば、化学
気相成長法（以下、「ＣＶＤ法」という。）を採用する
ことができる。このシリコン窒化膜１４は、最終的に得
られる固体撮像装置において、転送チャンネル部１１上
ではシリコン酸化膜１３とともにゲート絶縁膜として機
能し、受光部１２上では反射防止膜として機能する膜で
ある。
化膜１４を形成する。成膜方法としては、例えば、化学
気相成長法（以下、「ＣＶＤ法」という。）を採用する
ことができる。このシリコン窒化膜１４は、最終的に得
られる固体撮像装置において、転送チャンネル部１１上
ではシリコン酸化膜１３とともにゲート絶縁膜として機
能し、受光部１２上では反射防止膜として機能する膜で
ある。
【００２４】この時点で、シリコン窒化膜１４の膜厚
は、反射防止の目的に適合した膜厚に調整される。この
膜厚は、シリコン窒化膜１４の屈折率および入射光の波
長に応じて、適宜決定することができる。具体的には、
例えば、５〜１００ｎｍである。
は、反射防止の目的に適合した膜厚に調整される。この
膜厚は、シリコン窒化膜１４の屈折率および入射光の波
長に応じて、適宜決定することができる。具体的には、
例えば、５〜１００ｎｍである。
【００２５】次に、シリコン窒化膜１４上に保護膜１５
を形成する（図１Ａ）。保護膜１５としては、例えば、
シリコン酸化膜を使用することができる。また、その成
膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法を採用することがで
きる。
を形成する（図１Ａ）。保護膜１５としては、例えば、
シリコン酸化膜を使用することができる。また、その成
膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法を採用することがで
きる。
【００２６】保護膜１５の膜厚は、後工程である転送電
極形成のためのエッチングが実施された後に、受光部１
２上に保護膜１５が残存し得るような膜厚に調整され
る。具体的には、例えば５〜１００ｎｍである。
極形成のためのエッチングが実施された後に、受光部１
２上に保護膜１５が残存し得るような膜厚に調整され
る。具体的には、例えば５〜１００ｎｍである。
【００２７】必要に応じて、転送チャンネル部１１上方
の保護膜１５が薄膜化または除去される（図１Ｂ）。こ
の場合、保護膜１５が薄膜化または除去される領域は、
転送チャンネル部１１よりも大きいことが好ましい。す
なわち、保護膜１５が薄膜化または除去される領域が、
転送チャンネル部１１と受光部１２との間の領域、更に
は受光部１２の端部にまで及ぶことが好ましい。なお、
薄膜化または除去方法としては、特に限定するものでは
ないが、例えば、フッ酸系エッチング液を用いたウェッ
トエッチングを採用することができる。
の保護膜１５が薄膜化または除去される（図１Ｂ）。こ
の場合、保護膜１５が薄膜化または除去される領域は、
転送チャンネル部１１よりも大きいことが好ましい。す
なわち、保護膜１５が薄膜化または除去される領域が、
転送チャンネル部１１と受光部１２との間の領域、更に
は受光部１２の端部にまで及ぶことが好ましい。なお、
薄膜化または除去方法としては、特に限定するものでは
ないが、例えば、フッ酸系エッチング液を用いたウェッ
トエッチングを採用することができる。
【００２８】更に、転送チャンネル部１１上の保護膜１
５を薄膜化または除去した後、新たにシリコン酸化膜１
６を形成してもよい。この場合、新たに形成されるシリ
コン酸化膜１６の膜厚は、例えば１〜５０ｎｍである。
５を薄膜化または除去した後、新たにシリコン酸化膜１
６を形成してもよい。この場合、新たに形成されるシリ
コン酸化膜１６の膜厚は、例えば１〜５０ｎｍである。
【００２９】続いて、シリコン窒化膜１４の上方に、少
なくとも受光部１２上においては保護膜１５を介して、
ポリシリコン膜を成膜する。成膜方法としては、例え
ば、ＣＶＤ法を採用することができる。
なくとも受光部１２上においては保護膜１５を介して、
ポリシリコン膜を成膜する。成膜方法としては、例え
ば、ＣＶＤ法を採用することができる。
【００３０】ポリシリコン膜をフォトリソグラフィーお
よびエッチングによりパターニングし、転送チャンネル
部１１上に転送電極１７を形成する（図１Ｃ）。このエ
ッチングには、例えば、ドライエッチングを採用するこ
とができる。また、このエッチングは、受光部１２上に
おいて、ポリシリコン膜が除去され、且つ、保護膜１５
が残存するように実施される。
よびエッチングによりパターニングし、転送チャンネル
部１１上に転送電極１７を形成する（図１Ｃ）。このエ
ッチングには、例えば、ドライエッチングを採用するこ
とができる。また、このエッチングは、受光部１２上に
おいて、ポリシリコン膜が除去され、且つ、保護膜１５
が残存するように実施される。
【００３１】このように、上記のエッチング工程におい
ては、受光部１２上方のシリコン窒化膜１４上に保護膜
１５が存在している。この保護膜１５の存在により、受
光部１２上方のシリコン窒化膜１４をエッチングに曝す
ことなく、その膜厚減少を回避できる。その結果、受光
部１２上方において、保護膜形成前のシリコン窒化膜１
４の膜厚、すなわち反射防止の目的に適合したシリコン
窒化膜１４の膜厚を確保することができる。
ては、受光部１２上方のシリコン窒化膜１４上に保護膜
１５が存在している。この保護膜１５の存在により、受
光部１２上方のシリコン窒化膜１４をエッチングに曝す
ことなく、その膜厚減少を回避できる。その結果、受光
部１２上方において、保護膜形成前のシリコン窒化膜１
４の膜厚、すなわち反射防止の目的に適合したシリコン
窒化膜１４の膜厚を確保することができる。
【００３２】続いて、受光部１２上に残存した保護膜１
５を除去した後、例えば熱酸化法により、転送電極１７
表面にシリコン酸化膜１８を形成する（図１Ｄ）。その
後、シリコン窒化膜１４をパターニングする（図１
Ｅ）。このとき、受光部１２上に残存したシリコン窒化
膜１４ａが反射防止膜となる。このような一連の工程
に、適宜、平坦化膜の形成工程などが付加されて、固体
撮像装置が製造される。
５を除去した後、例えば熱酸化法により、転送電極１７
表面にシリコン酸化膜１８を形成する（図１Ｄ）。その
後、シリコン窒化膜１４をパターニングする（図１
Ｅ）。このとき、受光部１２上に残存したシリコン窒化
膜１４ａが反射防止膜となる。このような一連の工程
に、適宜、平坦化膜の形成工程などが付加されて、固体
撮像装置が製造される。
【００３３】なお、上記説明においては、受光部１２お
よび転送チャンネル部１１の形成を、シリコン酸化膜１
３の形成前に実施する場合を例に挙げたが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、受光部１２の形
成を、転送電極１７の形成後に実施してもよい。
よび転送チャンネル部１１の形成を、シリコン酸化膜１
３の形成前に実施する場合を例に挙げたが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、受光部１２の形
成を、転送電極１７の形成後に実施してもよい。
【００３４】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断
面図である。本実施形態は、ポリシリコン膜形成の前
に、受光部上と転送チャンネル部上とでシリコン酸化膜
の膜厚を相違させる点を除いては、第１の実施形態と実
質的に同様である。
の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断
面図である。本実施形態は、ポリシリコン膜形成の前
に、受光部上と転送チャンネル部上とでシリコン酸化膜
の膜厚を相違させる点を除いては、第１の実施形態と実
質的に同様である。
【００３５】まず、受光部２２および転送チャンネル部
２１が形成されたシリコン基板２０上に、シリコン酸化
膜２３を形成する。ここまでの工程は、第１の実施形態
と同様にして実施することができる。
２１が形成されたシリコン基板２０上に、シリコン酸化
膜２３を形成する。ここまでの工程は、第１の実施形態
と同様にして実施することができる。
【００３６】但し、本実施形態においては、この時点で
のシリコン酸化膜２３は、反射防止目的に適合した膜厚
に調整され、例えば５〜１００ｎｍに調整される。
のシリコン酸化膜２３は、反射防止目的に適合した膜厚
に調整され、例えば５〜１００ｎｍに調整される。
【００３７】次に、転送チャンネル部２１上において、
シリコン酸化膜２３を薄膜化する（図２Ａ）。この工程
を実施することにより、シリコン酸化膜２３を、転送チ
ャンネル部２１上においては、ゲート絶縁膜として機能
するのに好適な膜厚とし、受光部２２上においては、反
射防止に効果的な膜厚とすることができる。
シリコン酸化膜２３を薄膜化する（図２Ａ）。この工程
を実施することにより、シリコン酸化膜２３を、転送チ
ャンネル部２１上においては、ゲート絶縁膜として機能
するのに好適な膜厚とし、受光部２２上においては、反
射防止に効果的な膜厚とすることができる。
【００３８】この薄膜化方法としては、特に限定するも
のではないが、例えば、フッ酸系エッチング液を用いた
ウェットエッチングを採用することができる。また、転
送チャンネル部２１上における薄膜化後のシリコン酸化
膜２３の膜厚は、例えば１〜８０ｎｍに調整することが
できる。
のではないが、例えば、フッ酸系エッチング液を用いた
ウェットエッチングを採用することができる。また、転
送チャンネル部２１上における薄膜化後のシリコン酸化
膜２３の膜厚は、例えば１〜８０ｎｍに調整することが
できる。
【００３９】続いて、シリコン窒化膜２４および保護膜
２５を形成し（図２Ｂ）、必要に応じて転送チャンネル
部２１上の保護膜２５を除去または薄膜化する（図２
Ｃ）。次に、必要に応じて薄いシリコン酸化膜２６を形
成した後、ポリシリコン膜を形成し、これをパターニン
グして、転送電極２７を形成する（図２Ｄ）。次に、受
光部２２上の保護膜２５を除去し、シリコン酸化膜２８
を形成した後（図２Ｅ）、シリコン窒化膜２４をパター
ニングして、反射防止膜２４ａを形成する（図２Ｆ）。
これらの工程は、第１の実施形態と同様にして実施する
ことができる。
２５を形成し（図２Ｂ）、必要に応じて転送チャンネル
部２１上の保護膜２５を除去または薄膜化する（図２
Ｃ）。次に、必要に応じて薄いシリコン酸化膜２６を形
成した後、ポリシリコン膜を形成し、これをパターニン
グして、転送電極２７を形成する（図２Ｄ）。次に、受
光部２２上の保護膜２５を除去し、シリコン酸化膜２８
を形成した後（図２Ｅ）、シリコン窒化膜２４をパター
ニングして、反射防止膜２４ａを形成する（図２Ｆ）。
これらの工程は、第１の実施形態と同様にして実施する
ことができる。
【００４０】なお、上記説明においては、シリコン酸化
膜２３に関して、ゲート絶縁膜に好適な膜厚が反射防止
に好適な膜厚よりも小さい場合を例に挙げた。これとは
反対に、ゲート絶縁膜に好適な膜厚が反射防止に好適な
膜厚よりも大きい場合は、図２Ａ工程において、シリコ
ン酸化膜２３をゲート絶縁膜として好適な膜厚に成膜し
た後、転送チャンネル部２１上ではなく、受光部２２上
のシリコン酸化膜２３を薄膜化すればよい。
膜２３に関して、ゲート絶縁膜に好適な膜厚が反射防止
に好適な膜厚よりも小さい場合を例に挙げた。これとは
反対に、ゲート絶縁膜に好適な膜厚が反射防止に好適な
膜厚よりも大きい場合は、図２Ａ工程において、シリコ
ン酸化膜２３をゲート絶縁膜として好適な膜厚に成膜し
た後、転送チャンネル部２１上ではなく、受光部２２上
のシリコン酸化膜２３を薄膜化すればよい。
【００４１】また、第１の実施形態と同様に、受光部２
２および転送チャンネル部２１の形成は、シリコン酸化
膜２３の形成前に限定されるものではなく、例えば、受
光部２２の形成を転送電極２７の形成後に実施してもよ
い。
２および転送チャンネル部２１の形成は、シリコン酸化
膜２３の形成前に限定されるものではなく、例えば、受
光部２２の形成を転送電極２７の形成後に実施してもよ
い。
【００４２】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図
である。本実施形態は、ポリシリコン膜形成の前に、受
光部上と転送チャンネル部上とでシリコン窒化膜の膜厚
を相違させる点を除いては、第１の実施形態と実質的に
同様である。
の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図
である。本実施形態は、ポリシリコン膜形成の前に、受
光部上と転送チャンネル部上とでシリコン窒化膜の膜厚
を相違させる点を除いては、第１の実施形態と実質的に
同様である。
【００４３】まず、受光部３２および転送チャンネル部
３１が形成されたシリコン基板３０上に、シリコン酸化
膜３３、シリコン窒化膜３４を形成する。この時点で、
シリコン窒化膜３４の膜厚は、反射防止目的に適合した
膜厚に調整される。続いて、保護膜３５を形成した後
（図３Ａ）、転送チャンネル部３１上の保護膜３５を除
去する（図３Ｂ）。ここまでの工程は、第１の実施形態
と同様にして実施できる。
３１が形成されたシリコン基板３０上に、シリコン酸化
膜３３、シリコン窒化膜３４を形成する。この時点で、
シリコン窒化膜３４の膜厚は、反射防止目的に適合した
膜厚に調整される。続いて、保護膜３５を形成した後
（図３Ａ）、転送チャンネル部３１上の保護膜３５を除
去する（図３Ｂ）。ここまでの工程は、第１の実施形態
と同様にして実施できる。
【００４４】次に、転送チャンネル部３１上のシリコン
窒化膜３４を薄膜化する（図３Ｃ）。この工程を実施す
ることにより、シリコン窒化膜３４を、転送チャンネル
部３１上においては、ゲート絶縁膜として機能するのに
好適な膜厚とし、受光部３２上においては、反射防止膜
として機能するのに好適な膜厚とすることができる。
窒化膜３４を薄膜化する（図３Ｃ）。この工程を実施す
ることにより、シリコン窒化膜３４を、転送チャンネル
部３１上においては、ゲート絶縁膜として機能するのに
好適な膜厚とし、受光部３２上においては、反射防止膜
として機能するのに好適な膜厚とすることができる。
【００４５】この薄膜化方法としては、特に限定するも
のではないが、例えば、リン酸によるウェットエッチン
グを採用することができる。また、転送チャンネル部３
１上における薄膜化後のシリコン窒化膜３４の膜厚は、
例えば１〜８０ｎｍに調整される。
のではないが、例えば、リン酸によるウェットエッチン
グを採用することができる。また、転送チャンネル部３
１上における薄膜化後のシリコン窒化膜３４の膜厚は、
例えば１〜８０ｎｍに調整される。
【００４６】続いて、必要に応じて薄いシリコン酸化膜
３６を形成した後、ポリシリコン膜を形成し、これをパ
ターニングして、転送電極３７を形成する（図３Ｄ）。
更に、受光部３２上の保護膜３５を除去し、シリコン酸
化膜３８を形成した後（図３Ｅ）、シリコン窒化膜３４
をパターニングして反射防止膜３４ａを形成する（図３
Ｆ）。これらの工程は、第１の実施形態と同様にして実
施することができる。
３６を形成した後、ポリシリコン膜を形成し、これをパ
ターニングして、転送電極３７を形成する（図３Ｄ）。
更に、受光部３２上の保護膜３５を除去し、シリコン酸
化膜３８を形成した後（図３Ｅ）、シリコン窒化膜３４
をパターニングして反射防止膜３４ａを形成する（図３
Ｆ）。これらの工程は、第１の実施形態と同様にして実
施することができる。
【００４７】なお、上記説明においては、シリコン窒化
膜３４の薄膜化を保護膜３５を形成した後に実施してい
るが、これを保護膜３５を形成する前に実施することも
可能である。
膜３４の薄膜化を保護膜３５を形成した後に実施してい
るが、これを保護膜３５を形成する前に実施することも
可能である。
【００４８】また、上記説明においては、シリコン窒化
膜３４に関して、ゲート絶縁膜として好適な膜厚が反射
防止膜として好適な膜厚よりも小さい場合を例に挙げ
た。これとは反対に、ゲート絶縁膜として好適な膜厚が
反射防止膜として好適な膜厚よりも大きい場合は、図３
Ａ工程において、シリコン窒化膜３４をゲート絶縁膜と
して好適な膜厚に成膜し、図３Ｃ工程において、転送チ
ャンネル部３１上ではなく、受光部３２上のシリコン窒
化膜３４を薄膜化すればよい。但し、この場合は、シリ
コン窒化膜３４の薄膜化は、保護膜３５形成前に実施す
る必要がある。
膜３４に関して、ゲート絶縁膜として好適な膜厚が反射
防止膜として好適な膜厚よりも小さい場合を例に挙げ
た。これとは反対に、ゲート絶縁膜として好適な膜厚が
反射防止膜として好適な膜厚よりも大きい場合は、図３
Ａ工程において、シリコン窒化膜３４をゲート絶縁膜と
して好適な膜厚に成膜し、図３Ｃ工程において、転送チ
ャンネル部３１上ではなく、受光部３２上のシリコン窒
化膜３４を薄膜化すればよい。但し、この場合は、シリ
コン窒化膜３４の薄膜化は、保護膜３５形成前に実施す
る必要がある。
【００４９】また、第１の実施形態と同様に、受光部３
２および転送チャンネル部３１の形成は、シリコン酸化
膜３３の形成前に限定されるものではなく、例えば、受
光部３２の形成を転送電極３７の形成後に実施してもよ
い。
２および転送チャンネル部３１の形成は、シリコン酸化
膜３３の形成前に限定されるものではなく、例えば、受
光部３２の形成を転送電極３７の形成後に実施してもよ
い。
【００５０】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４
の実施形態に係る製造方法を示す工程図である。本実施
形態は、保護膜の形成前に、シリコン窒化膜上に更に追
加の絶縁膜を形成する点を除いては、第１の実施形態と
実質的に同様である。
の実施形態に係る製造方法を示す工程図である。本実施
形態は、保護膜の形成前に、シリコン窒化膜上に更に追
加の絶縁膜を形成する点を除いては、第１の実施形態と
実質的に同様である。
【００５１】まず、受光部４２および転送チャンネル部
４１が形成されたシリコン基板４０上に、シリコン酸化
膜４３およびシリコン窒化膜４４を形成する。ここまで
の工程は、第１の実施形態と同様にして実施することが
できる。
４１が形成されたシリコン基板４０上に、シリコン酸化
膜４３およびシリコン窒化膜４４を形成する。ここまで
の工程は、第１の実施形態と同様にして実施することが
できる。
【００５２】但し、本実施形態においては、この時点で
のシリコン窒化膜４４の膜厚は、反射防止目的に適合し
ている必要はない。例えば５〜８０ｎｍに調整される。
のシリコン窒化膜４４の膜厚は、反射防止目的に適合し
ている必要はない。例えば５〜８０ｎｍに調整される。
【００５３】更に、シリコン窒化膜４４上に追加の絶縁
膜４９を形成する。追加の絶縁膜４９は、受光部４２上
において、シリコン窒化膜４４と共に反射防止膜として
機能する膜であり、例えば、シリコン窒化膜を使用する
ことができる。
膜４９を形成する。追加の絶縁膜４９は、受光部４２上
において、シリコン窒化膜４４と共に反射防止膜として
機能する膜であり、例えば、シリコン窒化膜を使用する
ことができる。
【００５４】また、追加の絶縁膜４９としては、多層膜
を使用してもよい。この場合、追加の絶縁膜４９の層数
については、特に限定するものではないが、例えば２〜
６層である。
を使用してもよい。この場合、追加の絶縁膜４９の層数
については、特に限定するものではないが、例えば２〜
６層である。
【００５５】追加の絶縁膜４９の膜厚は、少なくとも受
光部４２上において、シリコン窒化膜４４との合計膜厚
が反射防止目的に適合した膜厚になるように調整する。
この合計膜厚は、シリコン窒化膜および追加の絶縁膜の
屈折率、入射光の波長などに応じて、適宜決定すること
ができる。具体的には、追加の絶縁膜４９の膜厚は、例
えば１〜１００ｎｍに調整される。
光部４２上において、シリコン窒化膜４４との合計膜厚
が反射防止目的に適合した膜厚になるように調整する。
この合計膜厚は、シリコン窒化膜および追加の絶縁膜の
屈折率、入射光の波長などに応じて、適宜決定すること
ができる。具体的には、追加の絶縁膜４９の膜厚は、例
えば１〜１００ｎｍに調整される。
【００５６】なお、追加の絶縁膜４９の成膜方法につい
ては、特に限定するものではなく、例えば、ＣＶＤ法を
採用することができる。
ては、特に限定するものではなく、例えば、ＣＶＤ法を
採用することができる。
【００５７】続いて、追加の絶縁膜４９上に、保護膜４
５を形成する（図４Ａ）。その後、必要に応じて、転送
チャンネル部４１上の保護膜４５を薄膜化または除去す
る。この工程は、第１の実施形態と同様にして実施する
ことができる。
５を形成する（図４Ａ）。その後、必要に応じて、転送
チャンネル部４１上の保護膜４５を薄膜化または除去す
る。この工程は、第１の実施形態と同様にして実施する
ことができる。
【００５８】更に、必要に応じて、転送チャンネル部４
１上の追加の絶縁膜４９を薄膜化または除去する（図４
Ｂ）。追加の絶縁膜４９の薄膜化または除去方法として
は、特に限定するものではないが、例えば、リン酸によ
るウェットエッチングを採用することができる。
１上の追加の絶縁膜４９を薄膜化または除去する（図４
Ｂ）。追加の絶縁膜４９の薄膜化または除去方法として
は、特に限定するものではないが、例えば、リン酸によ
るウェットエッチングを採用することができる。
【００５９】この場合、転送チャンネル部４１上におけ
る薄膜化後の追加の絶縁膜４９の膜厚は、特に限定する
ものではないが、例えば０〜５０ｎｍである。
る薄膜化後の追加の絶縁膜４９の膜厚は、特に限定する
ものではないが、例えば０〜５０ｎｍである。
【００６０】この工程を実施することにより、シリコン
窒化膜４４および追加の絶縁膜４９の合計膜厚を、転送
チャンネル部２１上においてはゲート絶縁膜として機能
するのに好適な膜厚とし、受光部２２上においては、反
射防止膜として機能するのに好適な膜厚とすることがで
きる。
窒化膜４４および追加の絶縁膜４９の合計膜厚を、転送
チャンネル部２１上においてはゲート絶縁膜として機能
するのに好適な膜厚とし、受光部２２上においては、反
射防止膜として機能するのに好適な膜厚とすることがで
きる。
【００６１】続いて、必要に応じて薄いシリコン酸化膜
４６を形成した後、ポリシリコン膜を形成し、これをパ
ターニングして、転送電極４７を形成する（図４Ｃ）。
更に、受光部４２上の保護膜４５を除去し、シリコン酸
化膜４８を形成した後（図４Ｄ）、シリコン窒化膜４４
および追加の絶縁膜４９のパターニングを実施し、反射
防止膜４４ａおよび４９ａを形成する（図４Ｅ）。これ
らの工程は、第１の実施形態と同様に実施することがで
きる。
４６を形成した後、ポリシリコン膜を形成し、これをパ
ターニングして、転送電極４７を形成する（図４Ｃ）。
更に、受光部４２上の保護膜４５を除去し、シリコン酸
化膜４８を形成した後（図４Ｄ）、シリコン窒化膜４４
および追加の絶縁膜４９のパターニングを実施し、反射
防止膜４４ａおよび４９ａを形成する（図４Ｅ）。これ
らの工程は、第１の実施形態と同様に実施することがで
きる。
【００６２】なお、上記説明においては、追加の絶縁膜
４９の薄膜化または除去を保護膜４５を形成した後に実
施しているが、これを保護膜４５を形成する前に実施す
ることも可能である。
４９の薄膜化または除去を保護膜４５を形成した後に実
施しているが、これを保護膜４５を形成する前に実施す
ることも可能である。
【００６３】また、上記説明においては、シリコン窒化
膜４４および追加の絶縁膜４９の合計膜厚に関して、ゲ
ート絶縁膜に好適な膜厚が、反射防止膜に好適な膜厚よ
りも小さい場合を例に挙げた。これとは反対に、ゲート
絶縁膜に好適な膜厚が、反射防止膜に好適な膜厚よりも
大きい場合は、図４Ａ工程において、シリコン窒化膜４
４と追加の絶縁膜４９との合計膜厚をゲート絶縁膜とし
て好適な膜厚に調整し、図４Ｂ工程において、転送チャ
ンネル部４１上ではなく、受光部４２上の追加の絶縁膜
４９を薄膜化または除去すればよい。但し、この場合、
追加の絶縁膜４９の薄膜化または除去は、保護膜４５形
成前に実施する必要がある。
膜４４および追加の絶縁膜４９の合計膜厚に関して、ゲ
ート絶縁膜に好適な膜厚が、反射防止膜に好適な膜厚よ
りも小さい場合を例に挙げた。これとは反対に、ゲート
絶縁膜に好適な膜厚が、反射防止膜に好適な膜厚よりも
大きい場合は、図４Ａ工程において、シリコン窒化膜４
４と追加の絶縁膜４９との合計膜厚をゲート絶縁膜とし
て好適な膜厚に調整し、図４Ｂ工程において、転送チャ
ンネル部４１上ではなく、受光部４２上の追加の絶縁膜
４９を薄膜化または除去すればよい。但し、この場合、
追加の絶縁膜４９の薄膜化または除去は、保護膜４５形
成前に実施する必要がある。
【００６４】また、追加の絶縁膜４９が多層である場合
は、追加の絶縁膜を形成した後（すなわち、追加の絶縁
膜を構成する全ての層を成膜した後）に薄膜化または除
去する方法の他に、追加の絶縁膜を一層成膜する度毎に
その層を薄膜化または除去する方法を採用することもで
きる。
は、追加の絶縁膜を形成した後（すなわち、追加の絶縁
膜を構成する全ての層を成膜した後）に薄膜化または除
去する方法の他に、追加の絶縁膜を一層成膜する度毎に
その層を薄膜化または除去する方法を採用することもで
きる。
【００６５】また、第１の実施形態と同様に、受光部４
２および転送チャンネル部４１の形成は、シリコン酸化
膜４３の形成前に限定されるものではなく、例えば、受
光部４２の形成を転送電極４７の形成後に実施してもよ
い。
２および転送チャンネル部４１の形成は、シリコン酸化
膜４３の形成前に限定されるものではなく、例えば、受
光部４２の形成を転送電極４７の形成後に実施してもよ
い。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜を構成するシリ
コン窒化膜と、反射防止膜を構成するシリコン窒化膜と
を同一工程で成膜するため、反射防止膜を備えた固体撮
像装置を効率良く製造することができる。尚且つ、転送
電極形成のエッチングにおいて、反射防止膜の膜厚が減
少することを回避できるため、高感度の固体撮像装置を
製造することができる。
装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜を構成するシリ
コン窒化膜と、反射防止膜を構成するシリコン窒化膜と
を同一工程で成膜するため、反射防止膜を備えた固体撮
像装置を効率良く製造することができる。尚且つ、転送
電極形成のエッチングにおいて、反射防止膜の膜厚が減
少することを回避できるため、高感度の固体撮像装置を
製造することができる。
【図１】 本発明の固体撮像装置の製造方法の一例を説
明するための工程図である。
明するための工程図である。
【図２】 本発明の固体撮像装置の製造方法の別の一例
を説明するための工程図である。
を説明するための工程図である。
【図３】 本発明の固体撮像装置の製造方法の更に別の
一例を説明するための工程図である。
一例を説明するための工程図である。
【図４】 本発明の固体撮像装置の製造方法の更に別の
一例を説明するための工程図である。
一例を説明するための工程図である。
【図５】 従来の固体撮像装置の製造方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
【図６】 従来の固体撮像装置の別の製造方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
１０、２０、３０、４０、５０、６０ シリコン基
板 １１、２１、３１、４１、５１、６１ 転送チャン
ネル部 １２、２２、３２、４２、５２、６２ 受光部 １３、２３、３３、４３、５３、６３ シリコン酸
化膜 １４、２４、３４、４４、５４、６４ シリコン窒
化膜 １５、２５、３５、４５ 保護膜 １６、２６、３６、４６ シリコン酸
化膜 １７、２７、３７、４７、５６、６６ 転送電極 １８、２８、３８、４８、５７、６７ シリコン酸
化膜 ４９ 追加の絶縁
膜 ５５、６５ シリコン酸
化膜 ６８ シリコン窒
化膜
板 １１、２１、３１、４１、５１、６１ 転送チャン
ネル部 １２、２２、３２、４２、５２、６２ 受光部 １３、２３、３３、４３、５３、６３ シリコン酸
化膜 １４、２４、３４、４４、５４、６４ シリコン窒
化膜 １５、２５、３５、４５ 保護膜 １６、２６、３６、４６ シリコン酸
化膜 １７、２７、３７、４７、５６、６６ 転送電極 １８、２８、３８、４８、５７、６７ シリコン酸
化膜 ４９ 追加の絶縁
膜 ５５、６５ シリコン酸
化膜 ６８ シリコン窒
化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗山 俊寛 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 千田 浩之 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 CA03 CA32 CB13 DA20 DA28 EA01 EA14 EA15 EA17 FA06 5C024 CX00 CX41 CY47 EX00 GY01
Claims (9)
- 【請求項１】 シリコン基板内に転送チャンネル部およ
び受光部を形成する工程と、前記シリコン基板上にシリ
コン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上
に、前記転送チャンネル部上方においては前記シリコン
酸化膜と共にゲート絶縁膜として機能し、前記受光部上
方においては反射防止膜として機能するシリコン窒化膜
を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に保護膜を形
成する工程と、前記シリコン窒化膜上方に、少なくとも
前記受光部上方においては前記保護膜を介して、ポリシ
リコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜をエッ
チングして、前記転送チャネル部上方に転送電極を形成
する工程とを含み、前記ポリシリコン膜のエッチング
が、前記受光部上方において、前記ポリシリコン膜が除
去され、且つ、前記保護膜が残存するように実施される
固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記保護膜の膜厚が、少なくとも前記受
光部上方において、５〜１００ｎｍの範囲である請求項
１に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ポリシリコン膜を形成する工程の前
に、少なくとも前記転送チャンネル部上方において、前
記保護膜を薄膜化または除去する請求項１または２に記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記転送チャネル部上方と、前記転送チ
ャンネル部と前記受光部との間の少なくとも一部上方と
において、前記保護膜を薄膜化または除去する請求項３
に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記シリコン窒化膜を形成する工程の前
に、前記転送チャンネル部上方と前記受光部上方とで、
前記シリコン酸化膜の膜厚を相違させる請求項１〜４の
いずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記ポリシリコン膜を形成する工程の前
に、前記転送チャンネル部上方と前記受光部上方とで、
前記シリコン窒化膜の膜厚を相違させる請求項１〜５の
いずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記シリコン窒化膜を形成する工程の後
であって、前記保護膜を形成する工程の前に、少なくと
も前記受光部上方において、前記シリコン窒化膜上に追
加の絶縁膜を形成する請求項１〜６のいずれかに記載の
固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記追加の絶縁膜が、シリコン窒化膜で
ある請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記ポリシリコン膜を形成する工程の前
に、前記転送チャンネル部上方と前記受光部上方とで、
前記追加の絶縁膜の膜厚を相違させる請求項７または８
に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211024A JP2002026305A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US09/903,411 US6498103B2 (en) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | Method for manufacturing solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211024A JP2002026305A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026305A true JP2002026305A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18707201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000211024A Pending JP2002026305A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6498103B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002026305A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229150A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| US7235835B2 (en) * | 2002-05-14 | 2007-06-26 | Sony Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic device |
| JP4437812B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2010-03-24 | 富士通テン株式会社 | 電子制御装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW218426B (ja) * | 1992-05-11 | 1994-01-01 | Samsung Electronics Co Ltd | |
| JP2621767B2 (ja) * | 1993-07-30 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| US5637891A (en) * | 1994-12-08 | 1997-06-10 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Charge coupled device having different insulators |
| US5545588A (en) * | 1995-05-05 | 1996-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of using disposable hard mask for gate critical dimension control |
| JP3204216B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2001-09-04 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-12 JP JP2000211024A patent/JP2002026305A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-11 US US09/903,411 patent/US6498103B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229150A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020072239A1 (en) | 2002-06-13 |
| US6498103B2 (en) | 2002-12-24 |
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