JP4152352B2 - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記受光素子は、
前記基板の上方に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成され、前記反射防止膜を露出する状態に開口された絶縁膜とを有し、
前記マイクロミラーは、
前記基板上に形成された前記絶縁膜を一部除去して、前記絶縁膜および前記基板上に保護膜を形成することにより形成されるものであって、
前記受光素子に形成された前記開口部の前記絶縁膜上の端部、及び前記マイクロミラーの境界部に存在する前記絶縁膜上の端部にエッチングストップ膜が設けられ、
前記受光素子上の端部の前記エッチングストップ膜が、前記受光素子端に対する入射光の反射膜として構成されている。
同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置の製造方法であって、
前記基板の上方に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にエッチングストップ膜を形成する工程とを有し、
前記受光素子は、
前記エッチングストップ膜および前記絶縁膜の一部を前記反射防止膜を露出する状態に開口する工程により形成され、
前記マイクロミラーは、
前記エッチングストップ膜の一部および前記絶縁膜と前記反射防止膜の全部を除去する工程と、
その後、前記基板に保護膜を形成する工程により形成され、
前記エッチングストップ膜は、
前記受光素子に形成された前記開口部の前記絶縁膜上の端部、及び前記マイクロミラーの境界部に存在するとともに、
前記受光素子上の端部の前記エッチングストップ膜が、前記受光素子端に対する入射光の反射膜として構成されている。
2…トランジスタ
3…受光素子
4…容量素子
5…マイクロミラー
6…N型埋込層
7…P型埋込層
8…分離用絶縁膜
9…N型拡散層
10…P型拡散層
11…P型拡散層
12…N型拡散層
13…ポリシリコン電極
14…ポリシリコン電極
15…N型拡散層
16…反射防止膜
17…N型エピタキシャル成長層
18…第1絶縁膜
19…エッチングストップ膜(容量絶縁膜)
20…第1配線層
21…第2絶縁膜
22…第2配線層
23…第3絶縁膜
24…第3配線層
25…第1保護膜
26…第2保護膜
31…第1の開口部
32…第2の開口部
33…第3の開口部
34…第4の開口部
Claims (6)
- 同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置であって、
前記受光素子は、
前記基板の上方に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成され、前記反射防止膜を露出する状態に開口された絶縁膜とを有し、
前記マイクロミラーは、
前記基板上に形成された前記絶縁膜を一部除去して、前記絶縁膜および前記基板上に保護膜を形成することにより形成されるものであって、
前記受光素子に形成された前記開口部の前記絶縁膜上の端部、及び前記マイクロミラーの境界部に存在する前記絶縁膜上の端部にエッチングストップ膜が設けられ、
前記受光素子上の端部の前記エッチングストップ膜が、前記受光素子端に対する入射光の反射膜として構成されていることを特徴とする光半導体装置。 - 前記反射防止膜はシリコン窒化膜から構成され、前記絶縁膜はBPSG膜から構成されている請求項1に記載の光半導体装置。
- さらに、前記同一基板に容量素子を備え、
前記エッチングストップ膜は、前記容量素子の容量絶縁膜に兼用されている請求項1または請求項2に記載の光半導体装置。 - 同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置の製造方法であって、
前記基板の上方に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にエッチングストップ膜を形成する工程とを有し、
前記受光素子は、
前記エッチングストップ膜および前記絶縁膜の一部を前記反射防止膜を露出する状態に開口する工程により形成され、
前記マイクロミラーは、
前記エッチングストップ膜の一部および前記絶縁膜と前記反射防止膜の全部を除去する工程と、
その後、前記基板に保護膜を形成する工程により形成され、
前記エッチングストップ膜は、
前記受光素子に形成された前記開口部の前記絶縁膜上の端部、及び前記マイクロミラーの境界部に存在するとともに、
前記受光素子上の端部の前記エッチングストップ膜が、前記受光素子端に対する入射光の反射膜として構成されていることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記反射防止膜をシリコン窒化膜で形成し、前記絶縁膜をBPSG膜で形成する請求項4に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記エッチングストップ膜を容量絶縁膜に兼用する状態で、前記同一基板に容量素子を形成する請求項4または請求項5に記載の光半導体装置の製造方法。
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