JP2008066732A - Cmosイメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/1013—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation devices sensitive to two or more wavelengths, e.g. multi-spectrum radiation detection devices
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Abstract
【課題】光の反射概念を用いた新しい構造のCMOSイメージセンサを通して製造工程を単純化するとともに、光の受光面積を最大限に確保する。
【解決手段】フォトダイオード及びMOSトランジスタを含むCMOSイメージセンサの製造方法として、半導体基板100をエッチングし、一側面が傾斜して形成された傾斜面、及び他側面が前記半導体基板に対して垂直な受光面を含む傾斜溝部と、前記傾斜溝部の前記受光面の一側に定義される素子形成部とを形成する段階と、前記傾斜溝部の前記傾斜面に選択的に反射膜260を形成する段階と、前記素子形成部内の半導体基板100の内部に、半導体基板100の表面に対して垂直な複数のフォトダイオード320、340、360を互いに離隔して形成する段階と、前記素子形成部の半導体基板100の表面に少なくとも一つのMOSトランジスタを形成する段階とを含んでCMOSイメージセンサの製造方法を構成する。
【選択図】図2D
【解決手段】フォトダイオード及びMOSトランジスタを含むCMOSイメージセンサの製造方法として、半導体基板100をエッチングし、一側面が傾斜して形成された傾斜面、及び他側面が前記半導体基板に対して垂直な受光面を含む傾斜溝部と、前記傾斜溝部の前記受光面の一側に定義される素子形成部とを形成する段階と、前記傾斜溝部の前記傾斜面に選択的に反射膜260を形成する段階と、前記素子形成部内の半導体基板100の内部に、半導体基板100の表面に対して垂直な複数のフォトダイオード320、340、360を互いに離隔して形成する段階と、前記素子形成部の半導体基板100の表面に少なくとも一つのMOSトランジスタを形成する段階とを含んでCMOSイメージセンサの製造方法を構成する。
【選択図】図2D
Description
本発明は、半導体素子の製造方法に関するもので、より詳細には、CMOSイメージセンサ及びその製造方法に関するものである。
一般的に、イメージセンサは、光学映像を電気信号に変換させる半導体素子として、電荷結合素子(Charge Coupled Device:CCD)と、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサとに大きく分類される。ここで、CMOSイメージセンサは、周辺回路である制御回路及び信号処理回路を同時に集積できるCMOS技術を用いて画素数だけのMOSトランジスタを作り、これを通して出力を検出するスイッチング方式を採用する。
CMOSイメージセンサは、フォトダイオード及び複数のMOSトランジスタで構成される。図1は、一般的なCMOSイメージセンサの断面図である。図1に示すように、半導体基板、例えばシリコン基板10には、イオン注入工程及びシリコンエピタキシャル成長法を繰り返して行うことで、赤色光、緑色光及び青色光を受光するフォトダイオード22,24,26がそれぞれ形成される。より詳細には、基板10内に赤色フォトダイオード22のためのイオン注入層を形成した後、その上に第1シリコンエピタキシャル層12を形成する。その後、第1エピタキシャル層12内に再びイオン注入工程を通して緑色フォトダイオード24を形成するとともに、第1エピタキシャル層12の一部領域に赤色フォトダイオード22とのコンタクトのためのプラグ42を形成する。次に、再びシリコンエピタキシャル成長工程を行って第2シリコンエピタキシャル層14を形成した後、第2シリコンエピタキシャル層14内に青色フォトダイオード26を形成するとともに、緑色フォトダイオード24とのコンタクトのためのプラグ46及び赤色フォトダイオード22とのコンタクトのためのプラグ44を形成する。そして、第2シリコンエピタキシャル層14上には、フォトダイオード22、24、26によって集まった光電荷を運送する複数のMOSトランジスタを形成する。複数のMOSトランジスタは、一般的なMOSトランジスタと類似した形態で、ゲート30、ゲート絶縁膜32及びスペーサー34を含む。
上述した構造のCMOSイメージセンサでは、赤色フォトダイオード22及び緑色フォトダイオード24の面積が青色フォトダイオード26の面積より大きいが、信号伝達のための各トランジスタが最上部に配置されるので、結果的には、青色フォトダイオード26が占める面積のみが実質的な受光面積になる。したがって、形成されたフォトダイオードの面積よりも、実質的に用いられる受光面積が小さい。また、赤色フォトダイオード22または緑色フォトダイオード24の信号処理のために形成された各プラグ42、44、46は、一般的にイオン注入工程を通して形成されるが、外部から光が照射される場合、これらプラグによって信号の雑音が発生しうる。さらに、赤色、緑色及び青色フォトダイオードが互いに干渉し合うことを防止するためには、これら各フォトダイオードをそれぞれ独立的に形成すべきであるので、それぞれのエピタキシャル層に各フォトダイオードを隔離するための別途のイオン注入層を形成する必要がある。
本発明は、光の反射概念を用いた新しい構造のCMOSイメージセンサを通して製造工程を単純化するとともに、光の受光面積を最大限に確保することを目的とする。
上記のような目的を達成するための本発明に係るCMOSイメージセンサの製造方法は、フォトダイオード及びMOSトランジスタを含むCMOSイメージセンサの製造方法として、半導体基板をエッチングし、一側面が傾斜して形成された傾斜面、及び他側面が前記半導体基板に垂直な受光面を含む傾斜溝部と、前記傾斜溝部の前記受光面の一側に定義される素子形成部とを形成する段階と、前記傾斜溝部の前記傾斜面に選択的に反射膜を形成する段階と、前記素子形成部内の前記基板内部で互いに隔離し、前記基板表面に垂直な複数のフォトダイオードを形成する段階と、前記素子形成部の前記基板表面に少なくとも一つのMOSトランジスタを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
本発明によると、反射概念を用いた新しい構造のCMOSイメージセンサを提供することができる。特に、本発明に係るCMOSイメージセンサは、入射光を90°で反射させてフォトダイオードに入射させる方式であるので、フォトダイオード上に光を遮断する障害物を形成しても構わない。したがって、積層構造の素子を形成するのに一層有利であり、光の受光面積を一層拡張することができる。また、各フォトダイオードとMOSトランジスタが最短距離で接続されるので、複雑なイオン注入工程を通してプラグを形成する必要がない。したがって、多段階のプラグによる信号の雑音を防止できるので、結果として素子の性能が向上するという効果がある。
以下、本発明に係るCMOSイメージセンサ及びその製造方法の好適な実施例を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
まず、図2A乃至図2Dを参照すると、本発明に係るフォトダイオード及びMOSトランジスタを含むCMOSイメージセンサでは、例えば、シリコン半導体基板100に、一側面が傾斜して形成された傾斜面220、及び他側面が半導体基板100に対して垂直な受光面240を含む傾斜溝部Aと、傾斜溝部Aの受光面240の一側に定義される素子形成部Bとが形成される。そして、傾斜溝部Aの傾斜面220には、選択的に反射膜260が形成される。また、素子形成部Bの内部には、基板表面に対して垂直な複数のフォトダイオード320、340、360が互いに離隔して形成される。併せて、素子形成部Bの基板表面には、ゲート電極400、ゲート絶縁膜440及びスペーサー420を含む少なくとも一つのMOSトランジスタが形成される。
ここで、反射膜260は、可視光線を反射する金属膜で形成されることが好ましい。また、複数のフォトダイオードは、青色フォトダイオード320、緑色フォトダイオード340及び赤色フォトダイオード360を含み、受光面240から順に形成される。通常、青色光の浸透深さが小さく、赤色光の浸透深さが大きいので、青色フォトダイオード320が受光面240に最も近接して形成され、赤色フォトダイオード360が受光面240から最も遠い位置に形成されることが好ましい。併せて、反射膜260によって反射された光が受光面240に垂直に入射されるように、傾斜面220は、基板表面に対して45°の傾斜度を有することが好ましい。
次に、上述した構造のCMOSイメージセンサを製造する方法を、図2A乃至図2Dに基づいて説明する。
まず、シリコン半導体基板100を準備した後、図2Aに示すように、基板の一部をエッチングし、一側面が傾斜した傾斜溝部Aを形成する。この傾斜溝部Aによって、フォトダイオード及びMOSトランジスタを形成する領域である素子形成部Bが定義される。特に、傾斜溝部Aを形成するとき、その一側面は45°で傾斜した傾斜面220になり、その他側面は、基板表面に対して垂直な受光面240になる。
次に、可視光線に対する反射度の優れた金属膜を基板全面に蒸着する。その結果、図2Bに示すように、傾斜面220には、選択的に反射膜260が形成される。傾斜面220に反射膜260を選択的に形成するためには、まず、基板全面に金属膜を蒸着した後、基板表面を研磨(例えば、化学的機械的研磨)し、基板表面に蒸着された金属膜を除去すればよい。他の方法としては、素子形成部B上に写真工程を通して感光膜パターンを形成し、その上に金属膜を蒸着した後、感光膜を除去することで、傾斜溝部Aの傾斜面220のみに金属膜を形成することができる。
その後、図2Cに示すように、素子形成部B内にイオン注入工程を繰り返して行い、複数のフォトダイオード320,340,360を形成する。このイオン注入工程は、フォトダイオード形成のための従来の方法によって進行される。このとき、イオン注入エネルギーを調節することで、各フォトダイオードのためのイオン注入層は、基板表面に対して垂直に、すなわち、受光面240に対して平行に形成される。特に、複数のフォトダイオード320,340,360は、素子形成部B内で互いに隔離して形成され、受光面240から青色フォトダイオード320、緑色フォトダイオード340及び赤色フォトダイオード360の順に形成される。
最後に、図2Dに示すように、一般的なトランジスタ形成工程を通して、素子形成部Bの上面にゲート電極400、ゲート絶縁膜440及びスペーサー420を含むMOSトランジスタを形成する。ここで、各フォトダイオード320,340,360から発生した信号を伝達できるように、各フォトダイオードとMOSトランジスタとを電気的に連結するための所定のプラグ(図示せず)が形成される。その結果、基板に対して垂直に入射された光が反射膜260によって90°で反射され、反射された光は、受光面240に垂直に入射されて各フォトダイオードに集光されることで、電気的信号に変換される。
本発明によると、反射概念を用いた新しい構造のCMOSイメージセンサを提供することができる。特に、本発明に係るCMOSイメージセンサは、入射光を90°で反射させてフォトダイオードに入射させる方式であるので、フォトダイオード上に光を遮断する障害物を形成しても構わない。したがって、積層構造の素子を形成するのに一層有利であり、光の受光面積を一層拡張することができる。また、各フォトダイオードとMOSトランジスタが最短距離で接続されるので、複雑なイオン注入工程を通してプラグを形成する必要がない。したがって、多段階のプラグによる信号の雑音を防止できるので、結果として素子の性能が向上する。
100 シリコン半導体基板
220 傾斜面
240 受光面
220 傾斜面
240 受光面
Claims (10)
- フォトダイオード及びMOSトランジスタを含むCMOSイメージセンサの製造方法として、
半導体基板をエッチングし、一側面が傾斜して形成された傾斜面、及び他側面が前記半導体基板に対して垂直な受光面を含む傾斜溝部と、前記傾斜溝部の前記受光面の一側に定義される素子形成部とを形成する段階と、
前記傾斜溝部の前記傾斜面に選択的に反射膜を形成する段階と、
前記素子形成部内の前記半導体基板の内部に、前記半導体基板の表面に対して垂直な複数のフォトダイオードを互いに離隔して形成する段階と、
前記素子形成部の前記基板表面に少なくとも一つのMOSトランジスタを形成する段階と、を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記反射膜は、可視光線を反射する金属膜で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記複数のフォトダイオードは、青色フォトダイオード、緑色フォトダイオード及び赤色フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記受光面から順に青色フォトダイオード、緑色フォトダイオード及び赤色フォトダイオードが形成されることを特徴とする請求項3に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記傾斜溝部の前記傾斜面は、前記基板表面に対して45°の傾斜度で形成されることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- フォトダイオード及びMOSトランジスタを含むCMOSイメージセンサとして、
一側面が傾斜して形成された傾斜面、及び他側面が半導体基板に対して垂直な受光面を含む傾斜溝部と、前記傾斜溝部の前記受光面の一側に定義される素子形成部とを含む半導体基板と、
前記傾斜溝部の前記傾斜面に選択的に形成された反射膜と、
前記素子形成部内の前記基板内部で互いに離隔しており、前記基板表面に対して垂直な複数のフォトダイオードと、
前記素子形成部の前記基板表面に形成された少なくとも一つのMOSトランジスタと、を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記反射膜は、可視光線を反射する金属膜で形成されたことを特徴とする請求項6に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記複数のフォトダイオードは、青色フォトダイオード、緑色フォトダイオード及び赤色フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項6に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記受光面から順に青色フォトダイオード、緑色フォトダイオード及び赤色フォトダイオードが形成されたことを特徴とする請求項8に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記傾斜溝部の前記傾斜面は、前記基板表面に対して45°の傾斜度を有することを特徴とする請求項6に記載のCMOSイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060086635A KR100778870B1 (ko) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | 반사 방식의 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008066732A true JP2008066732A (ja) | 2008-03-21 |
Family
ID=39080633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007230531A Pending JP2008066732A (ja) | 2006-09-08 | 2007-09-05 | Cmosイメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7675098B2 (ja) |
JP (1) | JP2008066732A (ja) |
KR (1) | KR100778870B1 (ja) |
CN (1) | CN100521153C (ja) |
DE (1) | DE102007042359B4 (ja) |
TW (1) | TWI349365B (ja) |
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DE102007042359B4 (de) | 2013-06-06 |
DE102007042359A1 (de) | 2008-04-17 |
TWI349365B (en) | 2011-09-21 |
KR100778870B1 (ko) | 2007-11-22 |
CN100521153C (zh) | 2009-07-29 |
CN101140904A (zh) | 2008-03-12 |
TW200814310A (en) | 2008-03-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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