JP2005277404A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CCDイメージセンサは、半導体基板10と、この半導体基板10の一主面に形成された複数の受光画素と、その複数の受光画素上方に配置され、互いに異なる波長の光を透過する複数のフィルタ24aが規則的に配列されたカラーフィルタ24を備えている。そして、上記受光画素の各々の境界に対応する位置には、前記カラーフィルタ24を透過した光を遮光するダミー配線50がクロック配線と電気的に分離されたかたちで形成されている。
【選択図】 図1
Description
じて光電変換される電荷を情報電荷として転送するための転送クロックが印加されるクロック配線とを備える固体撮像素子において、前記複数の受光画素上方に形成される絶縁層の前記受光画素の各々の境界に対応する位置に、前記クロック配線とは電気的に分離されたダミー配線が設けられてなることをその要旨とする。
以下、本発明にかかる固体撮像素子をフレームトランスファ型のCCDイメージセンサに具体化した第1の実施の形態について、図1〜図3を参照して説明する。なお、本実施の形態に係るCCDイメージセンサも基本的には先の図13〜図15に示したものと同様であるため、その同様の構成についての詳細な説明は省略する。
らカラーフィルタ24を平坦化する例えばアクリルからなる平坦化膜25が積層されている。
たちで形成する。さらに、そのカラーフィルタ24上に例えばアクリルからなる平坦化膜25及び図示しないマイクロレンズ等を配置する。これにより本実施の形態にかかるCCDイメージセンサが製造される。
次に、本発明にかかる固体撮像素子を上記第1の実施の形態と同じくフレームトランスファ型のCCDイメージセンサに具体化した第2の実施の形態について図5及び図6を参照して説明する。なお、上記第1の実施の形態と異なる点を中心に説明し、その他の同様な部分についての説明は省略する。
1の実施の形態と同様に周知の半導体プロセスにより製造されたものとして以下説明する。
次に、本発明にかかる固体撮像素子を上記第1の実施の形態と同じくフレームトランス
ファ型のCCDイメージセンサに具体化した第2の実施の形態について図8〜図10を参照して説明する。なお、上記第1及び第2の実施の形態と異なる点を中心に説明し、その他の同様な部分についての説明は省略する。
膜23を成膜する。そして、第2の層間絶縁膜23を例えばCMPによる平坦化処理を行った後、カラーフィルタ24を受光画素に対応して形成する。さらに、そのカラーフィルタ24上に例えばアクリルからなる平坦化膜25及び図示しないマイクロレンズ等を配置する。これにより、CCDイメージセンサが製造される。
て共通の実情となっているため、他にCMOSイメージセンサ等の固体撮像素子についても本発明を適用することは可能である。
Claims (8)
- 半導体基板の一主面に形成されて撮像される光像に対応した光電変換を行う複数の受光画素と、該受光画素の各々を通じて光電変換される電荷を情報電荷として転送するための転送クロックが印加されるクロック配線とを備える固体撮像素子において、
前記複数の受光画素上方に形成される絶縁層の前記受光画素の各々の境界に対応する位置に、前記クロック配線とは電気的に分離されたダミー配線が設けられてなる
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
互いに波長の異なる光を選択的に透過する複数のフィルタが前記複数の受光画素の各々に対応するかたちでそれら複数の受光画素及び前記クロック配線の上方に前記絶縁層を介して規則的に配列されたカラーフィルタを更に備えてなる
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記クロック配線と前記ダミー配線とが同一の配線層に形成されてなる
請求項1または2に記載の固体撮像素子。 - 請求項3に記載の固体撮像素子において、
前記クロック配線及び前記ダミー配線が形成された配線層と異なる層には、それらクロック配線及びダミー配線が形成された位置にそれぞれ対応して遮光性を有する壁がさらに形成されてなる
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 半導体基板の一主面に形成されて撮像される光像に対応した光電変換を行う複数の受光画素と、該受光画素の各々を通じて光電変換される電荷を情報電荷として転送するための転送クロックが印加されるクロック配線とを備える固体撮像素子を製造する方法であって、
配線材料膜を成膜する工程と、この成膜した配線材料膜の上面の前記受光画素の各々の境界に対応する位置に前記クロック配線に対応する第1のレジストパターンと該第1のレジストパターンから物理的に離間される第2のレジストパターンとを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに対応して残存する前記クロック配線及び前記第2のレジストパターンに対応して残存するダミー配線を一括形成する工程とを備える
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記固体撮像素子は、互いに波長の異なる光を選択的に透過する複数のフィルタが前記複数の受光画素の各々に対応するかたちでそれら複数の受光画素及び前記クロック配線の上方に絶縁層を介して規則的に配列されたカラーフィルタを備えるものである
請求項5に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 半導体基板の一主面に形成されて撮像される光像に対応した光電変換を行う複数の受光画素と、該受光画素の各々を通じて光電変換される電荷を情報電荷として転送するための転送クロックが印加されるクロック配線とを備える固体撮像素子を製造する方法であって、
前記受光画素の各々の境界に対応する位置に、適宜の層間絶縁膜を介して、前記情報電荷の転送のための接続孔、及び前記クロック配線に対応する第1の溝、及び該第1の溝から物理的に離間する第2の溝を形成する工程と、前記接続孔及び前記第1及び第2の溝が埋まる態様で配線材料膜を成膜する工程と、前記接続孔及び前記第1及び第2の溝に埋設された配線材料のみが残る態様で前記配線材料膜を除去する工程とを備える
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記固体撮像素子は、互いに波長の異なる光を選択的に透過する複数のフィルタが前記複
数の受光画素の各々に対応するかたちでそれら複数の受光画素及び前記クロック配線の上方に絶縁層を介して規則的に配列されたカラーフィルタを備えるものである
請求項7に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005048933A JP2005277404A (ja) | 2004-02-24 | 2005-02-24 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004048254 | 2004-02-24 | ||
JP2005048933A JP2005277404A (ja) | 2004-02-24 | 2005-02-24 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005277404A true JP2005277404A (ja) | 2005-10-06 |
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JP2005048933A Pending JP2005277404A (ja) | 2004-02-24 | 2005-02-24 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
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JP (1) | JP2005277404A (ja) |
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2005
- 2005-02-24 JP JP2005048933A patent/JP2005277404A/ja active Pending
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