JPH0697402A - 撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH0697402A JPH0697402A JP4269678A JP26967892A JPH0697402A JP H0697402 A JPH0697402 A JP H0697402A JP 4269678 A JP4269678 A JP 4269678A JP 26967892 A JP26967892 A JP 26967892A JP H0697402 A JPH0697402 A JP H0697402A
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- Japan
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- sensor
- film
- insulating film
- shape
- lift
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、センサ部に入射する入射光の集光
効率を高めて感度向上を図る。 【構成】 撮像素子1 のセンサ部12の側周側上部に、入
射光をセンサ部12に反射する複数の平面反射鏡21〜24を
設けるとともに、各センサ部12間の当該平面反射鏡21〜
24どうしを逆Ｖ字状に接続したものである。その製造方
法は、センサ部12を形成した基板11上に絶縁膜31を形成
し、さらにエッチバック膜（図示せず）を形成してから
センサ部12上のエッチバック膜を逆四角すい台状に除去
し、続いてエッチバック膜とともにセンサ部12上の絶縁
膜31を逆四角すい台状にエッチバックし、その後センサ
部12上にリフトオフ用のマスク（図示せず）を形成し、
さらに残した絶縁膜31側の全面に反射膜35を形成した
後、リフトオフ処理を行って、マスクとともにその表面
の反射膜35を除去してセンサ部12を露出する。
効率を高めて感度向上を図る。 【構成】 撮像素子1 のセンサ部12の側周側上部に、入
射光をセンサ部12に反射する複数の平面反射鏡21〜24を
設けるとともに、各センサ部12間の当該平面反射鏡21〜
24どうしを逆Ｖ字状に接続したものである。その製造方
法は、センサ部12を形成した基板11上に絶縁膜31を形成
し、さらにエッチバック膜（図示せず）を形成してから
センサ部12上のエッチバック膜を逆四角すい台状に除去
し、続いてエッチバック膜とともにセンサ部12上の絶縁
膜31を逆四角すい台状にエッチバックし、その後センサ
部12上にリフトオフ用のマスク（図示せず）を形成し、
さらに残した絶縁膜31側の全面に反射膜35を形成した
後、リフトオフ処理を行って、マスクとともにその表面
の反射膜35を除去してセンサ部12を露出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ等に用い
る撮像素子およびその製造方法に関する。
る撮像素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の固体撮像素子では、高感度のもの
が要求されている。高感度化の一つの方法として、図６
に示すような、いわゆるオンチップレンズ構造の固体撮
像素子４０が提案されている。この固体撮像素子４０に
は、半導体基板４１に形成した複数のセンサ部４２上
に、透光性の膜４３を介して集光レンズになるオンチッ
プレンズ４４が形成されている。なお図では電荷転送
部，チャネルストッパー領域等の図示は省略した。
が要求されている。高感度化の一つの方法として、図６
に示すような、いわゆるオンチップレンズ構造の固体撮
像素子４０が提案されている。この固体撮像素子４０に
は、半導体基板４１に形成した複数のセンサ部４２上
に、透光性の膜４３を介して集光レンズになるオンチッ
プレンズ４４が形成されている。なお図では電荷転送
部，チャネルストッパー領域等の図示は省略した。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記オ
ンチップレンズ構造の固体撮像素子では、図７のレイア
ウト図に示すように、固体撮像素子４０が形成される領
域の全面をオンチップレンズ４４によって覆うことがで
きない。すなわち、斜線で示す領域に入射した光はセン
サ部４２に入射することができない。このため、オンチ
ップレンズ４４による集光効率は最大でも７８．５％程
度であった。また図示はしないが、かまぼこ型のオンチ
ップレンズでは集光効率は最大でも３３％程度しか見込
めない。さらに、オンチップレンズ４４による入射光の
吸収率が２０％〜３０％程度あるため、センサ部４２に
到達する入射光はさらに減少する。このように、オンチ
ップレンズ構造の固体撮像素子４０では、センサ部４２
の集光効率を高めることができないので、固体撮像素子
４０の感度向上が図れない。
ンチップレンズ構造の固体撮像素子では、図７のレイア
ウト図に示すように、固体撮像素子４０が形成される領
域の全面をオンチップレンズ４４によって覆うことがで
きない。すなわち、斜線で示す領域に入射した光はセン
サ部４２に入射することができない。このため、オンチ
ップレンズ４４による集光効率は最大でも７８．５％程
度であった。また図示はしないが、かまぼこ型のオンチ
ップレンズでは集光効率は最大でも３３％程度しか見込
めない。さらに、オンチップレンズ４４による入射光の
吸収率が２０％〜３０％程度あるため、センサ部４２に
到達する入射光はさらに減少する。このように、オンチ
ップレンズ構造の固体撮像素子４０では、センサ部４２
の集光効率を高めることができないので、固体撮像素子
４０の感度向上が図れない。
【０００４】本発明は、入射光の集光効率に優れた撮像
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた撮像素子およびその製造方法であ
る。撮像素子としては、複数のセンサ部を縦横に配列し
た各センサ部の側周側上部に、入射光を当該センサ部に
反射する複数の平面反射鏡を設けるとともに、各センサ
部間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に接続したもの
である。
成するためになされた撮像素子およびその製造方法であ
る。撮像素子としては、複数のセンサ部を縦横に配列し
た各センサ部の側周側上部に、入射光を当該センサ部に
反射する複数の平面反射鏡を設けるとともに、各センサ
部間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に接続したもの
である。
【０００６】撮像素子の製造方法としては、第１の工程
で、撮像素子のセンサ部を形成した基板の上面に絶縁膜
を形成し、第２の工程で、絶縁膜の上面に、エッチバッ
ク膜を形成した後、センサ部の上方の当該エッチバック
膜を逆四角すい台形状に除去し、次いで第３の工程で、
エッチバックを行うことによって、エッチバック膜を除
去するとともにセンサ部上の絶縁膜を逆四角すい台状に
除去し、その後第４の工程で、センサ部上にリフトオフ
用のマスクを形成し、続いて残した絶縁膜側の全面に反
射膜を形成した後、リフトオフ処理を行って、当該リフ
トオフ用のマスクとともに、その表面に形成した反射膜
を除去してセンサ部を露出する方法である。
で、撮像素子のセンサ部を形成した基板の上面に絶縁膜
を形成し、第２の工程で、絶縁膜の上面に、エッチバッ
ク膜を形成した後、センサ部の上方の当該エッチバック
膜を逆四角すい台形状に除去し、次いで第３の工程で、
エッチバックを行うことによって、エッチバック膜を除
去するとともにセンサ部上の絶縁膜を逆四角すい台状に
除去し、その後第４の工程で、センサ部上にリフトオフ
用のマスクを形成し、続いて残した絶縁膜側の全面に反
射膜を形成した後、リフトオフ処理を行って、当該リフ
トオフ用のマスクとともに、その表面に形成した反射膜
を除去してセンサ部を露出する方法である。
【０００７】
【作用】上記撮像素子の構造では、複数のセンサ部を縦
横に配列した各センサ部の側周側上部に、入射光を当該
センサ部に反射する複数の平面反射鏡を設けるととも
に、各センサ部間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に
接続したので、入射光のほとんどがセンサ部に入射する
ようになる。上記撮像素子の製造方法では、既存の膜形
成技術とエッチバック技術とリフトオフ技術によって、
センサ部の側周側上部に、入射光をセンサ部に反射する
複数の平面反射鏡が形成される。したがって、特殊な形
成方法を必要としない。
横に配列した各センサ部の側周側上部に、入射光を当該
センサ部に反射する複数の平面反射鏡を設けるととも
に、各センサ部間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に
接続したので、入射光のほとんどがセンサ部に入射する
ようになる。上記撮像素子の製造方法では、既存の膜形
成技術とエッチバック技術とリフトオフ技術によって、
センサ部の側周側上部に、入射光をセンサ部に反射する
複数の平面反射鏡が形成される。したがって、特殊な形
成方法を必要としない。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図１の斜視断面図および図
２のレイアウト図により説明する。なおレイアウト図に
おいては、一つのセンサ部１２に着目して符号を付す。
各図に示すように、基板１１には複数のセンサ部１２が
形成されている。各センサ部１２の間には、絶縁膜１３
が形成されている。この絶縁膜１３の各センサ部１２側
は傾斜平面よりなり、各傾斜平面には反射膜１８が形成
されている。この反射膜１８の表面が平面反射鏡２１〜
２４になる。また各センサ部１２間の当該平面反射鏡２
２〜２４どうしは逆Ｖ字状に接続されている。上記の如
くに、撮像素子１が構成されている。なお図では電荷転
送部，チャネルストッパー領域，配線等の図示は省略し
た。
２のレイアウト図により説明する。なおレイアウト図に
おいては、一つのセンサ部１２に着目して符号を付す。
各図に示すように、基板１１には複数のセンサ部１２が
形成されている。各センサ部１２の間には、絶縁膜１３
が形成されている。この絶縁膜１３の各センサ部１２側
は傾斜平面よりなり、各傾斜平面には反射膜１８が形成
されている。この反射膜１８の表面が平面反射鏡２１〜
２４になる。また各センサ部１２間の当該平面反射鏡２
２〜２４どうしは逆Ｖ字状に接続されている。上記の如
くに、撮像素子１が構成されている。なお図では電荷転
送部，チャネルストッパー領域，配線等の図示は省略し
た。
【０００９】次に上記平面反射鏡２１〜２４の傾斜角θ
を、図３により説明する。図では代表して、平面反射鏡
２２を説明する。図に示すように、センサ部１２の上面
より平面反射鏡２２の頂部Ａまでの高さをｈとする。ま
たセンサ部１２間の距離をｌ2 とする。さらに頂部Ａよ
り基板１１表面に下ろした垂線Ｈと基板１１の表面との
交点をＢ、交点Ｂより平面反射鏡２２の反射面と基板１
１との交線に下ろした垂線と当該交線との交点をＣとす
る。そしてＢＣ＝ｌ2 ／２とする。またセンサ部１２の
幅をｌ1 とする。なお入射光５１はセンサ部１２に対し
て垂直に入射するものとする。上記ｌ1 ，ｌ2 を変えな
いで平面反射鏡２２に照射された入射光５１を全てセン
サ部１２に入射するには、ｈを調節すればよい。したが
って、反射鏡２２の傾斜角θは、ｈ≧ｌ2 ×〔｛ｌ1 ＋
（ｌ2 ／２）｝／｛ｌ1 −（ｌ2 ／２）｝〕1/2 の関係
を満足するように設定される。
を、図３により説明する。図では代表して、平面反射鏡
２２を説明する。図に示すように、センサ部１２の上面
より平面反射鏡２２の頂部Ａまでの高さをｈとする。ま
たセンサ部１２間の距離をｌ2 とする。さらに頂部Ａよ
り基板１１表面に下ろした垂線Ｈと基板１１の表面との
交点をＢ、交点Ｂより平面反射鏡２２の反射面と基板１
１との交線に下ろした垂線と当該交線との交点をＣとす
る。そしてＢＣ＝ｌ2 ／２とする。またセンサ部１２の
幅をｌ1 とする。なお入射光５１はセンサ部１２に対し
て垂直に入射するものとする。上記ｌ1 ，ｌ2 を変えな
いで平面反射鏡２２に照射された入射光５１を全てセン
サ部１２に入射するには、ｈを調節すればよい。したが
って、反射鏡２２の傾斜角θは、ｈ≧ｌ2 ×〔｛ｌ1 ＋
（ｌ2 ／２）｝／｛ｌ1 −（ｌ2 ／２）｝〕1/2 の関係
を満足するように設定される。
【００１０】上記撮像素子１では、センサ部１２の側周
側上部に、入射光５１をセンサ部１２に反射する複数の
平面反射鏡２１〜２４を設けるとともに、各センサ部１
２間の当該平面反射鏡２２〜２４どうしは逆Ｖ字状に接
続したので、入射光５１のほとんどがセンサ部１２に入
射される。
側上部に、入射光５１をセンサ部１２に反射する複数の
平面反射鏡２１〜２４を設けるとともに、各センサ部１
２間の当該平面反射鏡２２〜２４どうしは逆Ｖ字状に接
続したので、入射光５１のほとんどがセンサ部１２に入
射される。
【００１１】次に上記実施例の製造方法を、図４，図５
の製造工程図（その１），（その２）により説明する。
図４の（１）に示すように、第１の工程では、まず回転
塗布技術によって、センサ部１２を形成した基板１１の
上面に絶縁膜３１を形成する。この絶縁膜３１は、例え
ばクロル化メチルスチレンよりなる。
の製造工程図（その１），（その２）により説明する。
図４の（１）に示すように、第１の工程では、まず回転
塗布技術によって、センサ部１２を形成した基板１１の
上面に絶縁膜３１を形成する。この絶縁膜３１は、例え
ばクロル化メチルスチレンよりなる。
【００１２】次いで図４の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、通常の回転塗布技術によって、上記
絶縁膜３１の上面に、エッチバック膜３２を形成する。
このエッチバック膜３２は、上記絶縁膜３１とほぼ同等
のエッチング速度でエッチングされる材料として、例え
ば通常のフォトレジストの一種のキノンジアジド系ノボ
ラック樹脂よりなり、上記絶縁膜３１とほぼ同等の膜厚
に形成される。
う。この工程では、通常の回転塗布技術によって、上記
絶縁膜３１の上面に、エッチバック膜３２を形成する。
このエッチバック膜３２は、上記絶縁膜３１とほぼ同等
のエッチング速度でエッチングされる材料として、例え
ば通常のフォトレジストの一種のキノンジアジド系ノボ
ラック樹脂よりなり、上記絶縁膜３１とほぼ同等の膜厚
に形成される。
【００１３】その後、上記エッチバック膜を感光処理，
現像処理，ベーク処理を順に行って、上記センサ部１２
の上方の当該エッチバック膜３２の２点鎖線で示す部分
を逆四角すい台状に除去する。なおこのときの露光に
は、例えばＫｒＦエキシマレーザ光（波長が例えば２５
４ｎｍ）等の短波長紫外線を用いる。上記短波長紫外線
は、キノンジアジド系ノボラック樹脂によく吸収される
ので、エッチバック膜３２を所望の逆四角すい台状に除
去する露光光に適している。このようにして、各センサ
部１２間に断面が二等辺三角形状のエッチバック膜３２
が形成される。このエッチバック膜３２の断面形状は、
上記図３で説明した断面形状と同等の寸法に形成され
る。
現像処理，ベーク処理を順に行って、上記センサ部１２
の上方の当該エッチバック膜３２の２点鎖線で示す部分
を逆四角すい台状に除去する。なおこのときの露光に
は、例えばＫｒＦエキシマレーザ光（波長が例えば２５
４ｎｍ）等の短波長紫外線を用いる。上記短波長紫外線
は、キノンジアジド系ノボラック樹脂によく吸収される
ので、エッチバック膜３２を所望の逆四角すい台状に除
去する露光光に適している。このようにして、各センサ
部１２間に断面が二等辺三角形状のエッチバック膜３２
が形成される。このエッチバック膜３２の断面形状は、
上記図３で説明した断面形状と同等の寸法に形成され
る。
【００１４】次いで図４の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、エッチバックを行うことによって、
上記エッチバック膜３２の２点鎖線で示す部分を除去す
るとともに上記センサ部１２上の上記絶縁膜３１の１点
鎖線で示す部分を逆四角すい台状に除去する。したがっ
て、各センサ部１２の側周側上方の絶縁膜３１には、傾
斜した平面が形成される。この絶縁膜３１の断面形状
は、上記図３で説明した断面形状と同等の寸法に形成さ
れる。
う。この工程では、エッチバックを行うことによって、
上記エッチバック膜３２の２点鎖線で示す部分を除去す
るとともに上記センサ部１２上の上記絶縁膜３１の１点
鎖線で示す部分を逆四角すい台状に除去する。したがっ
て、各センサ部１２の側周側上方の絶縁膜３１には、傾
斜した平面が形成される。この絶縁膜３１の断面形状
は、上記図３で説明した断面形状と同等の寸法に形成さ
れる。
【００１５】続いて図５の（４）に示す第４の工程を行
う。この工程では、例えば回転塗布技術によって、上記
各センサ部１２側の上面に、例えばレジストよりなる絶
縁膜３３を成膜する。続いて上記絶縁膜３３の全面に紫
外光（例えば波長が４３６ｎｍの光）を照射する。その
後、現像処理とベーク処理とを行って、絶縁膜３３の２
点鎖線で示す部分を除去し、各センサ部１２上のみに当
該絶縁膜（３３）を残してリフトオフ用のマスク３４を
形成する。なお、上記露光は、各センサ部１２上のみに
絶縁膜３３が残るような条件にて行う。
う。この工程では、例えば回転塗布技術によって、上記
各センサ部１２側の上面に、例えばレジストよりなる絶
縁膜３３を成膜する。続いて上記絶縁膜３３の全面に紫
外光（例えば波長が４３６ｎｍの光）を照射する。その
後、現像処理とベーク処理とを行って、絶縁膜３３の２
点鎖線で示す部分を除去し、各センサ部１２上のみに当
該絶縁膜（３３）を残してリフトオフ用のマスク３４を
形成する。なお、上記露光は、各センサ部１２上のみに
絶縁膜３３が残るような条件にて行う。
【００１６】次いで図５の（５）に示すように、例えば
スパッタ法によって、マスク３４側の絶縁膜３１の全面
に反射膜３５を形成する。この反射膜３５は、例えば膜
厚が２００ｎｍ程度またはそれ以上の厚さのアルミニウ
ム膜で形成する。なおリフトオフ法によって除去し易い
クロム膜で形成することも可能であり、この場合には、
１００ｎｍ程度の膜厚に成膜すれば十分である。
スパッタ法によって、マスク３４側の絶縁膜３１の全面
に反射膜３５を形成する。この反射膜３５は、例えば膜
厚が２００ｎｍ程度またはそれ以上の厚さのアルミニウ
ム膜で形成する。なおリフトオフ法によって除去し易い
クロム膜で形成することも可能であり、この場合には、
１００ｎｍ程度の膜厚に成膜すれば十分である。
【００１７】その後、リフトオフ処理を行って、マスク
３４とともに、その表面に成膜された反射膜３５を除去
してセンサ部１２を露出する。そして図５の（６）に示
すように、各センサ部１２の側周側上部に設けた絶縁膜
３１の各傾斜平面に成膜した反射膜３５によって平面反
射鏡２１〜２４が形成される。なお図では平面反射鏡２
２，２４を示す。このようにして、撮像素子１は形成さ
れる。
３４とともに、その表面に成膜された反射膜３５を除去
してセンサ部１２を露出する。そして図５の（６）に示
すように、各センサ部１２の側周側上部に設けた絶縁膜
３１の各傾斜平面に成膜した反射膜３５によって平面反
射鏡２１〜２４が形成される。なお図では平面反射鏡２
２，２４を示す。このようにして、撮像素子１は形成さ
れる。
【００１８】上記撮像素子１の製造方法では、既存の膜
形成技術とエッチバック技術とリフトオフ技術によっ
て、各センサ部１２の側周側上部に、入射光５１を各セ
ンサ部１２に反射する複数の平面反射鏡２１〜２４が形
成される。したがって、特殊な形成方法を必要としな
い。
形成技術とエッチバック技術とリフトオフ技術によっ
て、各センサ部１２の側周側上部に、入射光５１を各セ
ンサ部１２に反射する複数の平面反射鏡２１〜２４が形
成される。したがって、特殊な形成方法を必要としな
い。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように請求項１の発明に
よれば、センサ部の側周側上部に、入射光をセンサ部に
反射する複数の平面反射鏡を設けるとともに、各センサ
部間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に接続したの
で、入射光のほとんどがセンサ部に入射される。この結
果、集光効率が飛躍的に高まるので、撮像素子の感度向
上が図れる。請求項２の発明では、既存の膜形成技術と
エッチバック技術とリフトオフ技術によって、センサ部
の側周側上部に入射光をセンサ部に反射する複数の平面
反射鏡を形成するので、特殊な製造方法を必要としな
い。
よれば、センサ部の側周側上部に、入射光をセンサ部に
反射する複数の平面反射鏡を設けるとともに、各センサ
部間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に接続したの
で、入射光のほとんどがセンサ部に入射される。この結
果、集光効率が飛躍的に高まるので、撮像素子の感度向
上が図れる。請求項２の発明では、既存の膜形成技術と
エッチバック技術とリフトオフ技術によって、センサ部
の側周側上部に入射光をセンサ部に反射する複数の平面
反射鏡を形成するので、特殊な製造方法を必要としな
い。
【図１】実施例の斜視断面図である。
【図２】実施例のレイアウト図である。
【図３】平面反射鏡の傾斜角の説明図である。
【図４】実施例の製造工程図（その１）である。
【図５】実施例の製造工程図（その２）である。
【図６】従来例の概略構成断面図である。
【図７】課題を説明するレイアウト図である。
１ 撮像素子 １１ 基板 １２ センサ部 ２１ 平面反射鏡 ２２ 平面反射鏡 ２３ 平面反射鏡 ２４ 平面反射鏡 ３１ 絶縁膜 ３２ エッチバック膜 ３４ リフトオフ用のマスク ３５ 反射膜 ５１ 入射光
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のセンサ部を縦横に配列してなる撮
像素子であって、 各センサ部の側周側上部に、入射光を当該センサ部に反
射する複数の平面反射鏡を設けるとともに、各センサ部
間の当該平面反射鏡どうしを逆Ｖ字状に接続したことを
特徴とする撮像素子。 - 【請求項２】 撮像素子のセンサ部を形成した基板の上
面に絶縁膜を形成する第１の工程と、 前記絶縁膜の上面に、エッチバック膜を形成した後、前
記センサ部の上方の当該エッチバック膜を逆四角すい台
状に除去する第２の工程と、 エッチバックを行うことによって、前記エッチバック膜
を除去するとともに前記センサ部上の前記絶縁膜を逆四
角すい台状に除去する第３の工程と、 前記センサ部上にリフトオフ用のマスクを形成し、続い
て前記残した絶縁膜側の全面に反射膜を形成した後、リ
フトオフ処理を行って、当該リフトオフ用のマスクとと
もに、その表面に形成した反射膜を除去してセンサ部を
露出する第４の工程とを行うことを特徴とする撮像素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269678A JPH0697402A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269678A JPH0697402A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697402A true JPH0697402A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17475673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4269678A Pending JPH0697402A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066732A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Dongbu Hitek Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2009188084A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4269678A patent/JPH0697402A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066732A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Dongbu Hitek Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2009188084A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
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