JPH11274449A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11274449A JPH11274449A JP10345295A JP34529598A JPH11274449A JP H11274449 A JPH11274449 A JP H11274449A JP 10345295 A JP10345295 A JP 10345295A JP 34529598 A JP34529598 A JP 34529598A JP H11274449 A JPH11274449 A JP H11274449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- forming
- film
- contact
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 48
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 43
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
- H01L27/14818—Optical shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】遮光膜と配線層の形成工程を単純化させて生産
性を高め得る固体撮像素子の製造方法を提供する。 【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、画素領域及び
コンタクト形成領域の第１〜第３伝達ゲート３２、３
３、３４上、及びパッド領域の基板上に絶縁膜３５を形
成する工程と、絶縁膜３５上に平坦保護膜３６を形成す
る工程と、コンタクト形成領域の絶縁膜３５び平坦保護
膜３６の所定領域にコンタクトホール５０を形成する工
程と、画素領域、コンタクト形成領域、パッド形成領域
の上に金属層を形成する工程と、画素領域における伝達
ゲートの中央部上方の金属層の一部を除外した金属層を
所定の深さに食刻する工程と、画素領域における受光画
素形成領域上に形成された金属層を除去して遮光膜３７
ｂを形成する工程と、画素領域、コンタクト形成領域、
及びパッド形成領域にパッシベーション膜４０を形成す
る工程とを備える。
性を高め得る固体撮像素子の製造方法を提供する。 【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、画素領域及び
コンタクト形成領域の第１〜第３伝達ゲート３２、３
３、３４上、及びパッド領域の基板上に絶縁膜３５を形
成する工程と、絶縁膜３５上に平坦保護膜３６を形成す
る工程と、コンタクト形成領域の絶縁膜３５び平坦保護
膜３６の所定領域にコンタクトホール５０を形成する工
程と、画素領域、コンタクト形成領域、パッド形成領域
の上に金属層を形成する工程と、画素領域における伝達
ゲートの中央部上方の金属層の一部を除外した金属層を
所定の深さに食刻する工程と、画素領域における受光画
素形成領域上に形成された金属層を除去して遮光膜３７
ｂを形成する工程と、画素領域、コンタクト形成領域、
及びパッド形成領域にパッシベーション膜４０を形成す
る工程とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子に関
し、特に製造工程を単純化させ且つ素子のモポロジー(m
orphology)特性を向上させるに適した固体撮像素子及び
その製造方法に関する。
し、特に製造工程を単純化させ且つ素子のモポロジー(m
orphology)特性を向上させるに適した固体撮像素子及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】受光画素としてのフォトダイオードＰＤ
(Photo-Diode)とフォトダイオードＰＤとの間に配置さ
れた金属配線を有する固体撮像素子及びその製造方法を
図面を参照して以下に説明する。
(Photo-Diode)とフォトダイオードＰＤとの間に配置さ
れた金属配線を有する固体撮像素子及びその製造方法を
図面を参照して以下に説明する。
【０００３】図１は従来の固体撮像素子の構造断面図で
あり、図２〜図６は従来の固体撮像素子の製造方法を示
す工程断面図である。図１〜図６は図面の左側から順に
画素領域、フェリー(ferry)領域におけるコンタクト形
成領域、パッド形成領域を示している。
あり、図２〜図６は従来の固体撮像素子の製造方法を示
す工程断面図である。図１〜図６は図面の左側から順に
画素領域、フェリー(ferry)領域におけるコンタクト形
成領域、パッド形成領域を示している。
【０００４】かかる従来の固体撮像素子は、図１に示す
ように、画素領域のフォトダイオードＰＤ間に、そして
フェリー領域のコンタクト形成領域に第１、第２、第３
伝達ゲート１２、１３、１４が設けられている。第１、
第２、第３伝達ゲート１２、１３、１４上にはそれらを
覆う高温低圧絶縁膜１５が蒸着により形成されている。
そして、フォトダイオードＰＤを除外した遮光領域に遮
光膜としての４０００Å程度の第２アルミニウム層２１
が形成されており、画素領域の全面にパッシベーション
膜２３が形成されている。
ように、画素領域のフォトダイオードＰＤ間に、そして
フェリー領域のコンタクト形成領域に第１、第２、第３
伝達ゲート１２、１３、１４が設けられている。第１、
第２、第３伝達ゲート１２、１３、１４上にはそれらを
覆う高温低圧絶縁膜１５が蒸着により形成されている。
そして、フォトダイオードＰＤを除外した遮光領域に遮
光膜としての４０００Å程度の第２アルミニウム層２１
が形成されており、画素領域の全面にパッシベーション
膜２３が形成されている。
【０００５】そして、コンタクト形成領域には、第１、
第２、第３伝達ゲート１２、１３、１４の所定領域が露
呈されるようにコンタクトホール１０が形成されてい
る。そして、コンタクトホール１０及び平坦保護膜１６
の上に第１アルミニウム層１７が形成されており、第１
アルミニウム層１７上にＰＳｉＯからなる絶縁膜１９が
形成されている。そして、絶縁膜１９上にパッシベーシ
ョン膜２３が形成されている。
第２、第３伝達ゲート１２、１３、１４の所定領域が露
呈されるようにコンタクトホール１０が形成されてい
る。そして、コンタクトホール１０及び平坦保護膜１６
の上に第１アルミニウム層１７が形成されており、第１
アルミニウム層１７上にＰＳｉＯからなる絶縁膜１９が
形成されている。そして、絶縁膜１９上にパッシベーシ
ョン膜２３が形成されている。
【０００６】更に、パッド形成領域の基板１１上には高
温低圧絶縁膜１５、平坦保護膜１６、第１アルミニウム
層１７が順次に積層されている。第１アルミニウム層１
７上には第１アルミニウム層１７の所定部分が露呈され
るように絶縁膜１９、パッシベーション膜２３の一部が
パッドオープンされている。
温低圧絶縁膜１５、平坦保護膜１６、第１アルミニウム
層１７が順次に積層されている。第１アルミニウム層１
７上には第１アルミニウム層１７の所定部分が露呈され
るように絶縁膜１９、パッシベーション膜２３の一部が
パッドオープンされている。
【０００７】上記構成を有する従来の固体撮像素子の製
造方法は、図２に示すように、フォトダイオードＰＤ間
及びフェリー領域に第１、第２、第３伝達ゲート１２、
１３、１４を積層し、第１、第２、第３伝達ゲート１
２、１３、１４をそれぞれ覆うように基板１１上に高温
低圧絶縁膜(High temperature Low pressure Dielectri
c;HLD)１５を形成した後、固体撮像素子の基板１１に窒
化膜を蒸着により形成する。この後、フェリー領域に形
成された窒化膜を除去する。そして、高温低圧絶縁膜１
５上に平坦保護膜１６を蒸着により形成し、全面に感光
膜を塗布した後、コンタクト形成領域の感光膜を露光及
び現像工程で選択的にパターニングする。この後、パタ
ーニングされた感光膜をマスクとして用いてコンタクト
形成領域の平坦保護膜１６及び高温低圧絶縁膜１５の一
部を除去して、第１、第２、第３伝達ゲート１２、１
３、１４の所定領域が露呈されるようにコンタクトホー
ル１０を形成する。次に、全面に第１アルミニウム層１
７をスパッタリングにより形成し、基板１１の全面に感
光膜１８を塗布する。この後、画素領域のみ除去される
ように露光及び現像工程で感光膜１８を選択的にパター
ニングする。
造方法は、図２に示すように、フォトダイオードＰＤ間
及びフェリー領域に第１、第２、第３伝達ゲート１２、
１３、１４を積層し、第１、第２、第３伝達ゲート１
２、１３、１４をそれぞれ覆うように基板１１上に高温
低圧絶縁膜(High temperature Low pressure Dielectri
c;HLD)１５を形成した後、固体撮像素子の基板１１に窒
化膜を蒸着により形成する。この後、フェリー領域に形
成された窒化膜を除去する。そして、高温低圧絶縁膜１
５上に平坦保護膜１６を蒸着により形成し、全面に感光
膜を塗布した後、コンタクト形成領域の感光膜を露光及
び現像工程で選択的にパターニングする。この後、パタ
ーニングされた感光膜をマスクとして用いてコンタクト
形成領域の平坦保護膜１６及び高温低圧絶縁膜１５の一
部を除去して、第１、第２、第３伝達ゲート１２、１
３、１４の所定領域が露呈されるようにコンタクトホー
ル１０を形成する。次に、全面に第１アルミニウム層１
７をスパッタリングにより形成し、基板１１の全面に感
光膜１８を塗布する。この後、画素領域のみ除去される
ように露光及び現像工程で感光膜１８を選択的にパター
ニングする。
【０００８】次に、図３に示すように、パターニングさ
れた感光膜１８をマスクとして用いて画素領域の第１ア
ルミニウム層１７を除去する。この後、画素領域の平坦
保護膜１６上に、そしてコンタクト形成領域及びパッド
形成領域の第１アルミニウム層１７上にＰＳｉＯからな
る絶縁膜１９を蒸着により形成する。
れた感光膜１８をマスクとして用いて画素領域の第１ア
ルミニウム層１７を除去する。この後、画素領域の平坦
保護膜１６上に、そしてコンタクト形成領域及びパッド
形成領域の第１アルミニウム層１７上にＰＳｉＯからな
る絶縁膜１９を蒸着により形成する。
【０００９】次に、図４に示すように、全面に感光膜２
０を塗布した後、画素領域の感光膜２０のみが除去され
るように露光及び現像工程により感光膜２０の一部を選
択的にパターニングする。この後、選択的にパターニン
グされた感光膜２０をマスクとして用いて、画素領域に
おける絶縁膜１９と平坦保護膜１６を除去する。
０を塗布した後、画素領域の感光膜２０のみが除去され
るように露光及び現像工程により感光膜２０の一部を選
択的にパターニングする。この後、選択的にパターニン
グされた感光膜２０をマスクとして用いて、画素領域に
おける絶縁膜１９と平坦保護膜１６を除去する。
【００１０】次に、図５に示すように、感光膜２０を除
去した後、基板１１の全面に第２アルミニウム層２１を
スパッタリングで形成する。そして、第２アルミニウム
層２１上に感光膜２２を塗布した後、画素領域のフォト
ダイオードＰＤ上部の感光膜及びフェリー領域の感光膜
２２が除去されるように露光及び現像工程で感光膜２２
の一部を選択的にパターニングする。
去した後、基板１１の全面に第２アルミニウム層２１を
スパッタリングで形成する。そして、第２アルミニウム
層２１上に感光膜２２を塗布した後、画素領域のフォト
ダイオードＰＤ上部の感光膜及びフェリー領域の感光膜
２２が除去されるように露光及び現像工程で感光膜２２
の一部を選択的にパターニングする。
【００１１】図６に示すように、パターニングされた感
光膜２２をマスクとして用いて、画素領域のフォトダイ
オードＰＤ上部の第２アルミニウム層２１及びフェリー
領域の第２アルミニウム層２１を異方性食刻した後、感
光膜２２を除去する。続いて、基板１１の全面にＰＳｉ
Ｎからなるパッシベーション膜２３を蒸着により形成し
た後、パッド形成領域のパッシベーション膜２３、絶縁
膜１９を異方性食刻することにより、第１アルミニウム
層１７の一部が露呈されるようにパッドオープンする。
光膜２２をマスクとして用いて、画素領域のフォトダイ
オードＰＤ上部の第２アルミニウム層２１及びフェリー
領域の第２アルミニウム層２１を異方性食刻した後、感
光膜２２を除去する。続いて、基板１１の全面にＰＳｉ
Ｎからなるパッシベーション膜２３を蒸着により形成し
た後、パッド形成領域のパッシベーション膜２３、絶縁
膜１９を異方性食刻することにより、第１アルミニウム
層１７の一部が露呈されるようにパッドオープンする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の固
体撮像素子の製造方法は以下のような問題点があった。
画素領域の遮光膜としての第１アルミニウム層２１と、
フェリー領域のコンタクト形成領域及びパッド形成領域
の第１アルミニウム層１７とを２回蒸着して形成するた
め、全体的な工程数が多くなる。このため、生産性が落
ちる。
体撮像素子の製造方法は以下のような問題点があった。
画素領域の遮光膜としての第１アルミニウム層２１と、
フェリー領域のコンタクト形成領域及びパッド形成領域
の第１アルミニウム層１７とを２回蒸着して形成するた
め、全体的な工程数が多くなる。このため、生産性が落
ちる。
【００１３】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、遮光膜と
配線層の形成工程を単純化させて生産性を高め得る固体
撮像素子の製造方法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、遮光膜と
配線層の形成工程を単純化させて生産性を高め得る固体
撮像素子の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の固体撮像素子の発明は、基板上に設けられた画素領域
及びコンタクト形成領域の積層形成された複数個の伝達
ゲートと、前記画素領域及び前記コンタクト領域に形成
された伝達ゲート上及び基板上に設けられたパッド形成
領域に形成された絶縁膜と、前記コンタクト形成領域及
び前記パッド形成領域の絶縁膜上に形成された平坦保護
膜と、前記コンタクト形成領域及び前記パッド領域の平
坦保護膜上に形成された配線層と、画素領域の前記伝達
ゲートを覆い、かつ前記伝達ゲートの中央部上方におい
て前記配線層と同じ厚さを有する遮光膜と、前記画素領
域の遮光膜、コンタクト形成領域及びパッド形成領域の
前記配線層上に形成されたパッシベーション膜とを備え
ることを要旨とする。
の固体撮像素子の発明は、基板上に設けられた画素領域
及びコンタクト形成領域の積層形成された複数個の伝達
ゲートと、前記画素領域及び前記コンタクト領域に形成
された伝達ゲート上及び基板上に設けられたパッド形成
領域に形成された絶縁膜と、前記コンタクト形成領域及
び前記パッド形成領域の絶縁膜上に形成された平坦保護
膜と、前記コンタクト形成領域及び前記パッド領域の平
坦保護膜上に形成された配線層と、画素領域の前記伝達
ゲートを覆い、かつ前記伝達ゲートの中央部上方におい
て前記配線層と同じ厚さを有する遮光膜と、前記画素領
域の遮光膜、コンタクト形成領域及びパッド形成領域の
前記配線層上に形成されたパッシベーション膜とを備え
ることを要旨とする。
【００１５】前記固体撮像素子において、前記記遮光膜
は、画素領域における積層された伝達ゲートの中央部上
方において１００００Å程度の厚さを有することが好ま
しい。
は、画素領域における積層された伝達ゲートの中央部上
方において１００００Å程度の厚さを有することが好ま
しい。
【００１６】又、固体撮像素子の製造方法の発明は、画
素領域及びコンタクト形成領域に複数個の伝達ゲートを
積層形成する工程と、前記画素領域及びコンタクト形成
領域の伝達ゲート上、及びパッド領域の基板上に絶縁膜
を形成する工程と、前記コンタクト形成領域及びパッド
形成領域の前記絶縁膜上に平坦保護膜を形成する工程
と、前記コンタクト形成領域の絶縁膜及び平坦保護膜の
所定領域にコンタクトホールを形成する工程と、前記画
素領域、コンタクト形成領域、パッド形成領域の上に金
属層を形成する工程と、コンタクト形成領域及びパッド
形成領域に形成された金属層は配線層として機能し、前
記画素領域における前記伝達ゲートの中央部上方の金属
層の一部を除外した金属層を所定の深さに食刻する工程
と、前記画素領域における受光画素形成領域上に形成さ
れた前記金属層を除去して遮光膜を形成する工程と、画
素領域、コンタクト形成領域、及びパッド形成領域にパ
ッシベーション膜を形成する工程とを備えることを要旨
とする。
素領域及びコンタクト形成領域に複数個の伝達ゲートを
積層形成する工程と、前記画素領域及びコンタクト形成
領域の伝達ゲート上、及びパッド領域の基板上に絶縁膜
を形成する工程と、前記コンタクト形成領域及びパッド
形成領域の前記絶縁膜上に平坦保護膜を形成する工程
と、前記コンタクト形成領域の絶縁膜及び平坦保護膜の
所定領域にコンタクトホールを形成する工程と、前記画
素領域、コンタクト形成領域、パッド形成領域の上に金
属層を形成する工程と、コンタクト形成領域及びパッド
形成領域に形成された金属層は配線層として機能し、前
記画素領域における前記伝達ゲートの中央部上方の金属
層の一部を除外した金属層を所定の深さに食刻する工程
と、前記画素領域における受光画素形成領域上に形成さ
れた前記金属層を除去して遮光膜を形成する工程と、画
素領域、コンタクト形成領域、及びパッド形成領域にパ
ッシベーション膜を形成する工程とを備えることを要旨
とする。
【００１７】前記製造方法において、前記金属層は、ス
パッタリングにより１００００Å程度の厚さに形成され
ることが好ましい。前記製造方法において、前記画素領
域の前記伝達ゲートの中央部上方に形成された前記遮光
膜は、前記コンタクト形成領域及びパッド形成領域の金
属層と同じ厚さに形成されることが好ましい。
パッタリングにより１００００Å程度の厚さに形成され
ることが好ましい。前記製造方法において、前記画素領
域の前記伝達ゲートの中央部上方に形成された前記遮光
膜は、前記コンタクト形成領域及びパッド形成領域の金
属層と同じ厚さに形成されることが好ましい。
【００１８】前記製造方法において、前記画素領域の前
記伝達ゲートの中央部上方の一部の遮光膜を除いた残り
の遮光膜は４０００Å程度の厚さに形成されることが好
ましい。
記伝達ゲートの中央部上方の一部の遮光膜を除いた残り
の遮光膜は４０００Å程度の厚さに形成されることが好
ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の固
体撮像素子及びその製造方法を説明する。図７は本発明
の一実施の形態の固体撮像素子の構造断面図であり、図
８〜図１０は図７の固体撮像素子の製造方法を示す工程
断面図である。
体撮像素子及びその製造方法を説明する。図７は本発明
の一実施の形態の固体撮像素子の構造断面図であり、図
８〜図１０は図７の固体撮像素子の製造方法を示す工程
断面図である。
【００２０】固体撮像素子では、画素領域におけるフォ
トダイオードＰＤを除く遮光領域に形成される遮光膜３
７ｂと、フェリー領域におけるコンタクト形成領域及び
パッド形成領域に形成される配線層３７ａとを同時に形
成することを特徴とする。
トダイオードＰＤを除く遮光領域に形成される遮光膜３
７ｂと、フェリー領域におけるコンタクト形成領域及び
パッド形成領域に形成される配線層３７ａとを同時に形
成することを特徴とする。
【００２１】図７〜図１０は図面の左側から順に画素領
域、フェリー領域のコンタクト形成領域、パッド形成領
域を示している。図７に示すように、画素領域のフォト
ダイオードＰＤ間に、そしてフェリー領域のコンタクト
形成領域に第１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３
４が形成されている。そして、第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４を覆うように高温低圧絶縁膜３５
が蒸着により形成されている。そして、画素領域中にお
けるフォトダイオードＰＤを除外した遮光領域に遮光膜
３７ｂが形成されている。遮光膜３７ｂは、第１、第
２、第３伝達ゲート３２、３３、３４の中央部領域の上
方には約１００００Å程度の厚さに形成されており、そ
れ以外の領域には４０００Å程度の厚さに形成されてい
る。そして、画素領域の全面にパッシベーション膜４０
が形成されている。
域、フェリー領域のコンタクト形成領域、パッド形成領
域を示している。図７に示すように、画素領域のフォト
ダイオードＰＤ間に、そしてフェリー領域のコンタクト
形成領域に第１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３
４が形成されている。そして、第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４を覆うように高温低圧絶縁膜３５
が蒸着により形成されている。そして、画素領域中にお
けるフォトダイオードＰＤを除外した遮光領域に遮光膜
３７ｂが形成されている。遮光膜３７ｂは、第１、第
２、第３伝達ゲート３２、３３、３４の中央部領域の上
方には約１００００Å程度の厚さに形成されており、そ
れ以外の領域には４０００Å程度の厚さに形成されてい
る。そして、画素領域の全面にパッシベーション膜４０
が形成されている。
【００２２】更に、フェリー領域中のコンタクト形成領
域には高温低圧絶縁膜３５と平坦保護膜３６が順次積層
されている。高温低圧絶縁膜３５の一部領域には、第
１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３４の所定部分
が露出されるようにコンタクトホール５０が形成されて
いる。そして、平坦保護膜３６上には配線層３７ａが形
成され、その配線層３７ａがコンタクトホール５０を介
して第１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３４とコ
ンタクトされている。この際、配線層３７ａはアルミニ
ウムから形成されており、１００００Å程度の厚さを有
する。
域には高温低圧絶縁膜３５と平坦保護膜３６が順次積層
されている。高温低圧絶縁膜３５の一部領域には、第
１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３４の所定部分
が露出されるようにコンタクトホール５０が形成されて
いる。そして、平坦保護膜３６上には配線層３７ａが形
成され、その配線層３７ａがコンタクトホール５０を介
して第１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３４とコ
ンタクトされている。この際、配線層３７ａはアルミニ
ウムから形成されており、１００００Å程度の厚さを有
する。
【００２３】そして、パッド形成領域において基板３１
上には高温低圧絶縁膜３５、平坦保護膜３６、配線層３
７ａが順次に積層されている。そして、コンタクト形成
領域及びパッド形成領域の配線層３７ａ上にＰＳｉＮか
らなるパッシベーション膜４０が蒸着により形成されて
いる。この際、パッド形成領域のパッシベーション膜４
０の一部は配線層３７ａの所定領域が露呈されるように
パッドオープンされている。
上には高温低圧絶縁膜３５、平坦保護膜３６、配線層３
７ａが順次に積層されている。そして、コンタクト形成
領域及びパッド形成領域の配線層３７ａ上にＰＳｉＮか
らなるパッシベーション膜４０が蒸着により形成されて
いる。この際、パッド形成領域のパッシベーション膜４
０の一部は配線層３７ａの所定領域が露呈されるように
パッドオープンされている。
【００２４】上記構成を有する固体撮像素子の製造方法
は、図８に示すように、フォトダイオードＰＤ間及びフ
ェリー領域に第１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、
３４を積層形成し、第１、第２、第３伝達ゲート３２、
３３、３４を覆うように基板３１上に高温低圧絶縁膜(H
igh temperature Low pressure Dielectric:HLD)３５を
形成する。そして、高温低圧絶縁膜３５上に窒化膜を蒸
着により形成する。この後、フェリー領域に形成された
窒化膜を除去する。そして、高温低圧絶縁膜３５上に平
坦保護膜３６を蒸着により形成し、全面に感光膜を塗布
した後、コンタクト形成領域及び画素領域の感光膜のみ
除去されるように感光膜を露光及び現像工程で選択的に
パターニングする。この後、パターニングされた感光膜
をマスクとして用いて、画素領域における平坦保護膜３
６のみを除去し、第１、第２、第３伝達ゲート３２、３
３、３４の所定領域が露呈されるようにコンタクト形成
領域における平坦保護膜３６及び絶縁膜３５を異方性食
刻する。この後、基板３１の全面に、１００００Å程度
の厚さを有するようにアルミニウム層３７をスパッタリ
ングで形成する。次いで、アルミニウム層３７上に感光
膜３８を塗布した後、画素領域における遮光領域の第
１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３４上の所定領
域にのみ感光膜３８が残るようにその感光膜３８を露光
及び現像工程で選択的にパターニングする。この後、パ
ターニングされた感光膜３８をマスクとして用いて、露
呈されたアルミニウム層３７を４０００Å程度の厚さを
有するように１次異方性食刻する。これにより、フェリ
ー領域のコンタクト形成領域に第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４上方のアルミニウム層３７のみが
１００００Åの厚さを有することになる。この後、感光
膜３８を除去する。
は、図８に示すように、フォトダイオードＰＤ間及びフ
ェリー領域に第１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、
３４を積層形成し、第１、第２、第３伝達ゲート３２、
３３、３４を覆うように基板３１上に高温低圧絶縁膜(H
igh temperature Low pressure Dielectric:HLD)３５を
形成する。そして、高温低圧絶縁膜３５上に窒化膜を蒸
着により形成する。この後、フェリー領域に形成された
窒化膜を除去する。そして、高温低圧絶縁膜３５上に平
坦保護膜３６を蒸着により形成し、全面に感光膜を塗布
した後、コンタクト形成領域及び画素領域の感光膜のみ
除去されるように感光膜を露光及び現像工程で選択的に
パターニングする。この後、パターニングされた感光膜
をマスクとして用いて、画素領域における平坦保護膜３
６のみを除去し、第１、第２、第３伝達ゲート３２、３
３、３４の所定領域が露呈されるようにコンタクト形成
領域における平坦保護膜３６及び絶縁膜３５を異方性食
刻する。この後、基板３１の全面に、１００００Å程度
の厚さを有するようにアルミニウム層３７をスパッタリ
ングで形成する。次いで、アルミニウム層３７上に感光
膜３８を塗布した後、画素領域における遮光領域の第
１、第２、第３伝達ゲート３２、３３、３４上の所定領
域にのみ感光膜３８が残るようにその感光膜３８を露光
及び現像工程で選択的にパターニングする。この後、パ
ターニングされた感光膜３８をマスクとして用いて、露
呈されたアルミニウム層３７を４０００Å程度の厚さを
有するように１次異方性食刻する。これにより、フェリ
ー領域のコンタクト形成領域に第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４上方のアルミニウム層３７のみが
１００００Åの厚さを有することになる。この後、感光
膜３８を除去する。
【００２５】図９に示すように、基板３１の全面に感光
膜３９を塗布した後、露光及び現像工程で画素領域のフ
ォトダイオードＰＤ領域の感光膜３９のみが除去される
ように選択的にパターニングする。
膜３９を塗布した後、露光及び現像工程で画素領域のフ
ォトダイオードＰＤ領域の感光膜３９のみが除去される
ように選択的にパターニングする。
【００２６】図１０に示すように、パターニングされた
感光膜３９をマスクとして用いてフォトダイオードＰＤ
上方のアルミニウム層３７が除去されるように２次異方
性食刻する。この際、食刻後に遮光領域に残っているア
ルミニウム層３７は、垂直電荷伝送領域ＶＣＣＤと水平
電荷伝送領域ＨＣＣＤを覆って入光されないようにする
遮光膜３７ｂを構成する。この後、感光膜３９を除去
し、基板３１の全面にＰＳｉＮからなるパッシベーショ
ン膜４０を蒸着により形成する。この後、フェリー領域
中のパッド形成領域のパッシベーション膜４０を異方性
食刻して、配線層３７ａが露呈されるようにパッドオー
プンする。
感光膜３９をマスクとして用いてフォトダイオードＰＤ
上方のアルミニウム層３７が除去されるように２次異方
性食刻する。この際、食刻後に遮光領域に残っているア
ルミニウム層３７は、垂直電荷伝送領域ＶＣＣＤと水平
電荷伝送領域ＨＣＣＤを覆って入光されないようにする
遮光膜３７ｂを構成する。この後、感光膜３９を除去
し、基板３１の全面にＰＳｉＮからなるパッシベーショ
ン膜４０を蒸着により形成する。この後、フェリー領域
中のパッド形成領域のパッシベーション膜４０を異方性
食刻して、配線層３７ａが露呈されるようにパッドオー
プンする。
【００２７】上記したように、１回のみ蒸着によりアル
ミニウム層３７を厚く形成し、第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４の中央部上方の一部のアルミニウ
ム層３７を除くアルミニウム層３７を所定の深さに食刻
し、フォト工程で感光膜３９をパターニングしてアルミ
ニウム層３７の一部を除去することにより、配線層３７
ａと遮光膜３７ｂを同時に形成することができる。従っ
て、製造工程が簡略化されて生産性を向上させることが
できる。
ミニウム層３７を厚く形成し、第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４の中央部上方の一部のアルミニウ
ム層３７を除くアルミニウム層３７を所定の深さに食刻
し、フォト工程で感光膜３９をパターニングしてアルミ
ニウム層３７の一部を除去することにより、配線層３７
ａと遮光膜３７ｂを同時に形成することができる。従っ
て、製造工程が簡略化されて生産性を向上させることが
できる。
【００２８】更に、画素領域の第１、第２、第３伝達ゲ
ート３２、３３、３４の中央部上方の一部の遮光膜３７
ｂが厚く形成されているので、遮光性能を向上させるこ
とができ。
ート３２、３３、３４の中央部上方の一部の遮光膜３７
ｂが厚く形成されているので、遮光性能を向上させるこ
とができ。
【００２９】更に、アルミニウム層３７ａとパッシベー
ション膜２３との間に絶縁膜を形成する工程が必要ない
ので、製造工程が更に簡略化されて生産性を向上させる
ことができる。
ション膜２３との間に絶縁膜を形成する工程が必要ない
ので、製造工程が更に簡略化されて生産性を向上させる
ことができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子及びその製造方法は以下のような効果がある。
素子及びその製造方法は以下のような効果がある。
【００３１】請求項１、２、４、５、６に記載の発明に
よれば、画素領域における複数個の伝達ゲートの中央部
上方に遮光膜を厚く形成して、遮光性能を向上させるこ
とができ、かつ固体撮像素子のモポロジーを改善するこ
とができる。
よれば、画素領域における複数個の伝達ゲートの中央部
上方に遮光膜を厚く形成して、遮光性能を向上させるこ
とができ、かつ固体撮像素子のモポロジーを改善するこ
とができる。
【００３２】請求項３の発明は、１回の工程で形成され
た金属層を用いて画素領域の遮光膜とコンタクト形成領
域及びパッド形成領域の配線層とを形成するため、製造
工程が簡略化されて生産性を向上させることができる。
た金属層を用いて画素領域の遮光膜とコンタクト形成領
域及びパッド形成領域の配線層とを形成するため、製造
工程が簡略化されて生産性を向上させることができる。
【図１】従来例の固体撮像素子の構造断面図。
【図２】従来例の固体撮像素子の製造方法を示す工程断
面図。
面図。
【図３】従来例の固体撮像素子の製造方法を示す工程断
面図。
面図。
【図４】従来例の固体撮像素子の製造方法を示す工程断
面図。
面図。
【図５】従来例の固体撮像素子の製造方法を示す工程断
面図。
面図。
【図６】従来例の固体撮像素子の製造方法を示す工程断
面図。
面図。
【図７】本発明の一実施の形態の固体撮像素子の構造断
面図。
面図。
【図８】本発明の一実施の形態の固体撮像素子の製造方
法を示す工程断面図
法を示す工程断面図
【図９】本発明の一実施の形態の固体撮像素子の製造方
法を示す工程断面図
法を示す工程断面図
【図１０】本発明の一実施の形態の固体撮像素子の製造
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
３１…基板 ３２…第１伝達ゲート ３３…第２伝達ゲート ３４…第３伝達ゲート ３５…高温低圧絶縁膜 ３６…平坦保護膜 ３７…アルミニウム層（金属層） ３７ａ…配線層 ３７ｂ…遮光膜 ３８、３９…感光膜 ４０…パッシベーション膜
フロントページの続き (72)発明者 イ ソ キュ 大韓民国 チュンチョンブック−ド チョ ンズ−シ フンドック−グ カギョン−ド ン 1190 ヒョンソック アパートメント 104−904
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に設けられた画素領域及びコンタ
クト形成領域に積層形成された複数個の伝達ゲートと、 前記画素領域及び前記コンタクト領域に形成された伝達
ゲート上及び基板上に設けられたパッド形成領域に形成
された絶縁膜と、 前記コンタクト形成領域及び前記パッド形成領域の絶縁
膜上に形成された平坦保護膜と、 前記コンタクト形成領域及び前記パッド領域の平坦保護
膜上に形成された配線層と、 画素領域の前記伝達ゲートを覆い、かつ前記伝達ゲート
の中央部上方において前記配線層と同じ厚さを有する遮
光膜と、 前記画素領域の遮光膜、コンタクト形成領域及びパッド
形成領域の前記配線層上に形成されたパッシベーション
膜とを備えることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記遮光膜は、画素領域における積層さ
れた伝達ゲートの中央部上方において１００００Å程度
の厚さを有することを特徴とする請求項１記載の固体撮
像素子。 - 【請求項３】 画素領域及びコンタクト形成領域に複数
個の伝達ゲートを積層形成する工程と、 前記画素領域及びコンタクト形成領域の伝達ゲート上、
及びパッド領域の基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記コンタクト形成領域及びパッド形成領域の前記絶縁
膜上に平坦保護膜を形成する工程と、 前記コンタクト形成領域の絶縁膜及び平坦保護膜の所定
領域にコンタクトホールを形成する工程と、 前記画素領域、コンタクト形成領域、パッド形成領域の
上に金属層を形成する工程と、コンタクト形成領域及び
パッド形成領域に形成された金属層は配線層として機能
し、 前記画素領域における前記伝達ゲートの中央部上方の金
属層の一部を除外した金属層を所定の深さに食刻する工
程と、 前記画素領域における受光画素形成領域上に形成された
前記金属層を除去して遮光膜を形成する工程と、 画素領域、コンタクト形成領域、及びパッド形成領域に
パッシベーション膜を形成する工程とを備えることを特
徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属層は、スパッタリングにより１
００００Å程度の厚さに形成されることを特徴とする請
求項３記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記画素領域の前記伝達ゲートの中央部
上方に形成された前記遮光膜は、前記コンタクト形成領
域及びパッド形成領域の金属層と同じ厚さに形成される
ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像素子の製造方
法。 - 【請求項６】 前記画素領域の前記伝達ゲートの中央部
上方の一部の遮光膜を除いた残りの遮光膜は４０００Å
程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項３記載
の固体撮像素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980004629A KR100263473B1 (ko) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 고체촬상소자 및 그의 제조방법 |
| KR4629/1998 | 1998-02-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274449A true JPH11274449A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=19533143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10345295A Pending JPH11274449A (ja) | 1998-02-16 | 1998-12-04 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6300157B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11274449A (ja) |
| KR (1) | KR100263473B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4419264B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-02-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR100652070B1 (ko) * | 2000-08-29 | 2006-11-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨씨디(ｃｃｄ)의 제조 방법 |
| KR100884203B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2009-02-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광차단층을 구비한 이미지센서 |
| JP2006059995A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅型固体撮像装置 |
| KR100672995B1 (ko) * | 2005-02-02 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 형성된 이미지 센서 |
| US8492214B2 (en) | 2011-03-18 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2108781B1 (ja) * | 1970-10-05 | 1974-10-31 | Radiotechnique Compelec | |
| US5243215A (en) * | 1990-05-31 | 1993-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor photodiode device with reduced junction area |
| US5403384A (en) | 1993-10-14 | 1995-04-04 | Fmc Corporation | Apparatus and method for avoidance of turbomachinery pressure surge |
| KR0136933B1 (ko) * | 1994-05-21 | 1998-04-24 | 문정환 | 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법 |
| US5618384A (en) | 1995-12-27 | 1997-04-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte, Ltd. | Method for forming residue free patterned conductor layers upon high step height integrated circuit substrates using reflow of photoresist |
| US6166372A (en) * | 1997-05-27 | 2000-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Polarization detection device and method for producing the same |
| JP3927696B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
-
1998
- 1998-02-16 KR KR1019980004629A patent/KR100263473B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-13 US US09/170,101 patent/US6300157B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-04 JP JP10345295A patent/JPH11274449A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-13 US US09/879,061 patent/US6627929B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010028073A1 (en) | 2001-10-11 |
| US6300157B1 (en) | 2001-10-09 |
| US6627929B2 (en) | 2003-09-30 |
| KR100263473B1 (ko) | 2000-08-01 |
| KR19990070019A (ko) | 1999-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100976014B1 (ko) | 고체 촬상 소자, 고체 촬상 장치 및 이들의 제조 방법 | |
| US7791158B2 (en) | CMOS image sensor including an interlayer insulating layer and method of manufacturing the same | |
| KR102578569B1 (ko) | 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP2006191023A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 | |
| KR100769131B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR102581170B1 (ko) | 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100585137B1 (ko) | 높은 집광 효율을 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 소자 및 그제조방법 | |
| KR20200084719A (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| JPH11274449A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2005005540A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR20010061308A (ko) | 박막 이미지센서의 제조 방법 | |
| KR100329782B1 (ko) | 광감도 개선을 위한 이미지센서 제조방법 | |
| KR100410594B1 (ko) | 씨모스 이미지센서의 제조방법 | |
| KR100449951B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100790211B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100731135B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20010059316A (ko) | 광감도 개선을 위한 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JPH11238866A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4378108B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP4449298B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 | |
| WO2011155182A1 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2004356269A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| KR100838952B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| JP2002190587A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2531435B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050524 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050824 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050829 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051118 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060419 |