JPH07326764A - 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタおよび液晶表示装置Info
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- JPH07326764A JPH07326764A JP12139294A JP12139294A JPH07326764A JP H07326764 A JPH07326764 A JP H07326764A JP 12139294 A JP12139294 A JP 12139294A JP 12139294 A JP12139294 A JP 12139294A JP H07326764 A JPH07326764 A JP H07326764A
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Abstract
スタを提供し、さらにこのエッジ電導の影響を抑制でき
る薄膜トランジスタを用いて高性能の液晶表示装置を提
供する。 【構成】 半導体薄膜12は、Xe−Clエキシマレーザー
光照射により多結晶化した多結晶シリコン薄膜によって
形成され、ゲート電極14と重なり合った部分がチャンネ
ル部12bとして構成されている。ゲート電極14に切欠き1
4bを形成することにより、チャンネル部12bは、パター
ンエッジ12a近傍でのチャンネル長Leが、それより内側
の部分でのチャンネル長Lより長くなっている。
Description
に作製される薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジス
タを用いた液晶表示装置に関するものである。
られている従来の多結晶シリコン薄膜トランジスタの一
例を図面に基づいて説明する。図8は液晶表示装置に用
いる従来の薄膜トランジスタの構造を示す平面図、図9
は図8に示すA−A切断線における薄膜トランジスタの
断面図である。1はガラス等によって形成された基板、
2は多結晶シリコン薄膜によって形成された半導体薄
膜、3はゲート絶縁膜、4はゲート電極、5は層間絶縁
膜、6はソースドレイン電極、7はパッシベイション膜
である。ゲート電極4と半導体薄膜2とは、ゲート絶縁
膜3を介して基板1上に積層され、ゲート電極4は、そ
の一部が半導体薄膜2上に重なるように配置されてい
る。そして、半導体薄膜2は、ゲート電極4と重なり合
った部分がチャンネル部2bとして構成される。
用いた液晶表示装置に関しては、例えば、「フラットパ
ネルディスプレイ′90〜′94」(1989〜1993年毎年刊
行、日経BP社刊)、あるいはSID84DIGEST(19
84)p.312〜315(形状に関しては特にFig.8とFig.9)に
示されている。
うな薄膜トランジスタでは、ゲート電極4と重なるチャ
ンネル部2bにおいて半導体薄膜2のパターンエッジ2a
及びパターンエッジ2a近傍を電流経路とするエッジ電
導が発生する。このエッジ電導は、薄膜トランジスタ本
体部の特性と並列に存在する寄生特性として取り扱え、
エッジ電導が薄膜トランジスタ本体部と異なる特性(例
えば、閾値電圧Vtがデプレッション側にシフトした寄
生トランジスタ特性)を示す場合、あるいは薄膜トラン
ジスタに比べて電圧ストレスに対して特性変動を起こし
易くなっている場合に、エッジ電導が薄膜トランジスタ
のOFF電流の増大や信頼性試験時の特性劣化の原因にな
ったりする。とりわけこの寄生特性は、レーザーアニー
ルや固相成長で作成したポリシリコン薄膜を使った薄膜
トランジスタなどでゲート絶縁膜を熱酸化以外の方法で
作成した場合に課題となることが多い。さらに、この薄
膜トランジスタを使った液晶表示装置ではOFF電流の増
大が画像特性に大きな影響を与え問題となる。
薄膜トランジスタを提供し、さらにこのエッジ電導の影
響を抑制できる薄膜トランジスタを用いて高性能の液晶
表示装置を提供することを目的としている。
め、本発明の薄膜トランジスタは、基板上において一部
が半導体薄膜と重なるように積層配置されたゲート電極
を有し、前記ゲート電極のゲート長を、前記半導体薄膜
のパターンエッジと重なる部分で長くし、かつ前記パタ
ーンエッジと重なる部分より内側で短くしたことを特徴
とする。
上において一部が半導体薄膜と重なるように積層配置さ
れたゲート電極を有し、前記ゲート電極が、前記半導体
薄膜のパターンエッジより内側の部分に開口部を有した
ことを特徴とする。
上においてゲート電極と一部が重なるように積層配置さ
れた半導体薄膜を有し、前記半導体薄膜における前記ゲ
ート電極と重なるチャンネル部のパターンエッジ長をゲ
ート電極のゲート長より長くしたことを特徴とする。
いずれかの薄膜トランジスタを有したことを特徴とす
る。
導体薄膜のチャンネル部において半導体薄膜のパターン
エッジ及び半導体薄膜のパターンエッジ近傍を電流経路
とするエッジ電導が抑制される。
ッジ電導の影響が抑制された薄膜トランジスタを用いる
ことによりOFF電流と特性変動とが小さくなり、表示性
能が改善される。
する。図1は本発明の第1実施例の薄膜トランジスタの
構造を示す平面図、図2は図1に示すB−B切断線にお
ける薄膜トランジスタの断面図である。尚、図1及び図
2において図8及び図9に基づいて説明した部材に対応
する部材については同一符号を付して説明を省略する。
12は半導体薄膜であり、半導体薄膜12は、Xe−Clエキ
シマレーザー光照射により多結晶化した多結晶シリコン
薄膜によって形成されている。14は基板1上において一
部が半導体薄膜12と重なり合うゲート電極である。そし
て、半導体薄膜12は、ゲート電極14と重なり合った部分
がチャンネル部12bとして構成される。
った部分で切欠き14bが形成されていることにより、半
導体薄膜12のパターンエッジ12aより内側の部分でゲー
ト長Lが短く、かつ半導体薄膜12のパターンエッジ12a
と重なる部分でゲート長Leが長くなっている。このこ
とにより、チャンネル部12bにおいては、パターンエッ
ジ12a近傍におけるチャンネル長がLeとなり、それより
内側の部分におけるチャンネル長がLとなる。
るパターンエッジ12a近傍のチャンネル長Leを、それよ
り内側のチャンネル長Lより長くしたことにより、従来
の薄膜トランジスタに比べ半導体薄膜12におけるパター
ンエッジ12a及びパターンエッジ12a近傍を電流経路とす
るエッジ電導が抑制され、電圧印加ストレスに対しての
特性変動も小さくなる。このことは、チャンネル部12b
においてエッジ電導に寄与する部分のチャンネル長Le
がパターンエッジ12aより内側の部分チャンネル長Lよ
り長くなることで、半導体薄膜12においてパターンエッ
ジ12a及びパターンエッジ12a近傍を流れる電流が小さく
なるためと考えられる。
の例を示す薄膜トランジスタの平面図である。ゲート電
極14は、ゲート長方向において半導体薄膜12のパターン
エッジ12aに沿って突出部14dが形成されていることによ
り、半導体薄膜12のパターンエッジ12aより内側の部分
でゲート長Lが短く、かつ半導体薄膜12のパターンエッ
ジ12aと重なる部分でゲート長Leが長くなっている。こ
のことにより、チャンネル部12bにおいては、パターン
エッジ12a近傍におけるチャンネル長がLeとなり、それ
より内側の部分におけるチャンネル長がLとなる。
るパターンエッジ12a近傍のチャンネル長Leを、それよ
り内側のチャンネル長Lより長くしたことにより、図1
及び図2に示す薄膜トランジスタと同様に、半導体薄膜
12におけるパターンエッジ12a及びパターンエッジ12a近
傍を電流経路とするエッジ電導が抑制され、電圧印加ス
トレスに対しての特性変動も小さくなる。
スタの構造を示す平面図、図5は図4に示すC−C切断
線における薄膜トランジスタの断面図である。尚、図4
及び図5において図8及び図9に基づいて説明した部材
に対応する部材については同一符号を付して説明を省略
する。12は半導体薄膜であり、半導体薄膜12は、Xe−
Clエキシマレーザー光照射により多結晶化した多結晶
シリコン薄膜によって形成されている。24は基板1上に
おいて一部が半導体薄膜12と重なり合うように積層配置
されたゲート電極である。
った部分がチャンネル部12bとして構成され、ゲート電
極24は、半導体薄膜12のパターンエッジ12aより内側の
部分に所定の開口面積を有する開口部24bが形成されて
いる。このことにより、半導体薄膜12における前記開口
部24bに対向する低抵抗部12cがソースドレイン領域のド
ーピング時と同様にドーピングされ低抵抗化され、さら
にゲート電極24において、半導体薄膜12のパターンエッ
ジ12aと重なる部分でのゲート長Leが、パターンエッジ
12aより内側の部分でのゲート長の和(La+Lb)より長
くなる。このことにより、チャンネル部12bにおいて
は、パターンエッジ12a近傍におけるチャンネル長がLe
となり、それより内側の部分におけるチャンネル長が
(La+Lb)となる。
従来の薄膜トランジスタに比べエッジ電導が抑制され、
電圧印加ストレスに対しての特性変動も小さくなる。こ
のことは、前述したように半導体薄膜12に低抵抗部12c
が形成され、かつチャンネル部12bにおいてエッジ電導
に寄与する部分のチャンネル長Leを、それより内側の
チャンネル長(La+Lb)より長くしたことにより、半導
体薄膜12のパターンエッジ12a及びパターンエッジ12a近
傍を流れる電流が小さくなったためと考えられる。
スタの構造を示す平面図、図7は図6に示すD−D切断
線における薄膜トランジスタの断面図である。尚、図6
及び図7において図8及び図9に基づいて説明した部材
に対応する部材については同一符号を付して説明を省略
する。22は半導体薄膜であり、半導体薄膜22は、Xe−
Clエキシマレーザー光照射により多結晶化した多結晶
シリコン薄膜によって形成されている。半導体薄膜22
は、ゲート電極4と重なるチャンネル部22cの両側端に
突出部22aが形成されている。このことにより、チャン
ネル部22cにおいては、チャンネル長がLとなり、パタ
ーンエッジ22bの長さがチャンネル長Lより長くなる。
2bの長さをチャンネル長Lより長くすることにより、従
来の薄膜トランジスタに比べエッジ電導が抑制され、電
圧印加ストレスに対しての特性変動も小さくなる。ここ
で、突出部22aの形状は、チャンネル長Lに対してパタ
ーンエッジ22bを長くするものならば、どのような形状
にすることも可能である。
ずれかの薄膜トランジスタを用いて液晶表示装置の電極
に駆動電圧を印加することにより、OFF電流が抑制され
るため画像特性を向上できる。
ンジスタによれば、半導体薄膜におけるパターンエッジ
及びパターンエッジ近傍を電流経路とするエッジ電導が
抑制され、電圧印加ストレスに対しての特性変動が小さ
くなり、かつエッジ電導に起因するOFF電流が小さくな
る。
F電流とが小さい本発明の薄膜トランジスタを用いた本
発明の液晶表示装置によれば、画像特性及び信頼性を向
上できる。
を示す平面図である。
スタの断面図である。
す薄膜トランジスタの平面図である。
を示す平面図である。
スタの断面図である。
を示す平面図である。
スタの断面図である。
の構造を示す平面図である。
スタの断面図である。
ン)、 2a,12a,22b…パターンエッジ、 2b,12b,
22c…チャンネル部、 3…ゲート絶縁膜、 4,14,2
4…ゲート電極、 5…層間絶縁膜、 6…ソースドレ
イン電極、 7…パッシベイション膜、 12c…低抵抗
部、 14b…切欠き、 14d…突出部、 24b…開口部。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上において一部が半導体薄膜と重な
るように積層配置されたゲート電極を有し、前記ゲート
電極のゲート長を、前記半導体薄膜のパターンエッジと
重なる部分で長くし、かつ前記パターンエッジと重なる
部分より内側で短くしたことを特徴とする薄膜トランジ
スタ。 - 【請求項2】 前記ゲート電極の前記パターンエッジと
重なる部分を、パターンエッジに沿って突出する形状に
パターン化したことを特徴とする請求項1記載の薄膜ト
ランジスタ。 - 【請求項3】 基板上において一部が半導体薄膜と重な
るように積層配置されたゲート電極を有し、前記ゲート
電極が、前記半導体薄膜のパターンエッジより内側の部
分に開口部を有したことを特徴とする薄膜トランジス
タ。 - 【請求項4】 基板上においてゲート電極と一部が重な
るように積層配置された半導体薄膜を有し、前記半導体
薄膜における前記ゲート電極と重なるチャンネル部のパ
ターンエッジ長をゲート電極のゲート長より長くしたこ
とを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 【請求項5】 複数の前記半導体薄膜がそれぞれ分離し
てパターニングされた前記基板を有したことを特徴とす
る請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の薄膜トラ
ンジスタ。 - 【請求項6】 前記半導体薄膜を多結晶シリコン薄膜に
よって形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項5
のいずれか1項記載の薄膜トランジスタ。 - 【請求項7】 前記多結晶シリコン薄膜をレーザー照射
による結晶化工程により形成したことを特徴とする請求
項6記載の薄膜トランジスタ。 - 【請求項8】 請求項1乃至請求項7のいずれか1項記
載の薄膜トランジスタを有したことを特徴とする液晶表
示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12139294A JP3403807B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07326764A true JPH07326764A (ja) | 1995-12-12 |
JP3403807B2 JP3403807B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=14810065
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP12139294A Expired - Fee Related JP3403807B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置 |
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JP (1) | JP3403807B2 (ja) |
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-
1994
- 1994-06-02 JP JP12139294A patent/JP3403807B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US10121803B2 (en) | 2012-05-07 | 2018-11-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconductor device having auxiliary patterns |
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