JPH07326668A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07326668A JPH07326668A JP11845094A JP11845094A JPH07326668A JP H07326668 A JPH07326668 A JP H07326668A JP 11845094 A JP11845094 A JP 11845094A JP 11845094 A JP11845094 A JP 11845094A JP H07326668 A JPH07326668 A JP H07326668A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- contact hole
- forming
- insulating film
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多層の層間絶縁膜にコンタクト孔を形成するに
あたって、金属配線の段切れを防止する。 【構成】SiO2膜１３とBPSG膜１４とを交互に積層して形
成した多層の層間絶縁膜１５にコンタクト孔１５を形成
し、そのコンタクト孔１５の側壁を被覆するように、エ
ッチングレートの比較的小さい膜、例えばSiO2膜１８を
形成し、その後、自然酸化膜［SiO2膜］１９をフッ酸溶
液を用いてエッチング・除去する。そして、スパッタ法
により金属配線を形成する。
あたって、金属配線の段切れを防止する。 【構成】SiO2膜１３とBPSG膜１４とを交互に積層して形
成した多層の層間絶縁膜１５にコンタクト孔１５を形成
し、そのコンタクト孔１５の側壁を被覆するように、エ
ッチングレートの比較的小さい膜、例えばSiO2膜１８を
形成し、その後、自然酸化膜［SiO2膜］１９をフッ酸溶
液を用いてエッチング・除去する。そして、スパッタ法
により金属配線を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、さらに詳しく言えば、多層の層間絶縁膜に形成
したコンタクト孔における金属配線の断線を防止した半
導体装置の製造方法に関する。
に関し、さらに詳しく言えば、多層の層間絶縁膜に形成
したコンタクト孔における金属配線の断線を防止した半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法を図７〜図
１１を参照しながら説明する。まず、図７に示すよう
に、ｐ型の半導体基板１の表面にｎ+層からなるコンタ
クト領域２を形成し、その後ＬＰＣＶＤ法によりSiO2膜
３とBPSG膜４とを交互に積層することにより、平坦化さ
れた多層の層間絶縁膜５に形成する。
１１を参照しながら説明する。まず、図７に示すよう
に、ｐ型の半導体基板１の表面にｎ+層からなるコンタ
クト領域２を形成し、その後ＬＰＣＶＤ法によりSiO2膜
３とBPSG膜４とを交互に積層することにより、平坦化さ
れた多層の層間絶縁膜５に形成する。
【０００３】次に、図８に示すように、コンタクト領域
上に開口を有するレジスト膜６を形成し、前記層間絶縁
膜５にコンタクト孔７を形成する。ここでは、後に形成
する金属配線のステップカバレージを良くするために、
最上部のBPSG膜４については等方性エッチングを採用し
ている。次いで、図９に示すように、レジスト膜６を除
去する。その際、ウエハは空気中にさらされるために、
コンタクト孔７の底部の基板１上には自然酸化膜［SiO2
膜］８が形成れてしまう。そこで、図１０に示すよう
に、フッ酸溶液によりその自然酸化膜［SiO2膜］８を除
去し、その後、図１１に示すようにＡｌ等をスパッタ
し、金属配線９を形成していた。
上に開口を有するレジスト膜６を形成し、前記層間絶縁
膜５にコンタクト孔７を形成する。ここでは、後に形成
する金属配線のステップカバレージを良くするために、
最上部のBPSG膜４については等方性エッチングを採用し
ている。次いで、図９に示すように、レジスト膜６を除
去する。その際、ウエハは空気中にさらされるために、
コンタクト孔７の底部の基板１上には自然酸化膜［SiO2
膜］８が形成れてしまう。そこで、図１０に示すよう
に、フッ酸溶液によりその自然酸化膜［SiO2膜］８を除
去し、その後、図１１に示すようにＡｌ等をスパッタ
し、金属配線９を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法では、図１０に示すように、フッ
酸溶液によりその自然酸化膜［SiO2膜］８を除去する
と、コンタクト孔７の側壁も同時にエッチングされる
が、SiO2膜３とBPSG膜４とのエッチングレートが異なる
ために、そのエッチングの結果、コンタクト孔７の側壁
に段差が生じてしまう。このため、その後Ａｌ等をスパ
ッタし、金属配線９を形成すると、図１１に示すよう
に、金属配線９の段切れが生じるという欠点を有してい
た。
半導体装置の製造方法では、図１０に示すように、フッ
酸溶液によりその自然酸化膜［SiO2膜］８を除去する
と、コンタクト孔７の側壁も同時にエッチングされる
が、SiO2膜３とBPSG膜４とのエッチングレートが異なる
ために、そのエッチングの結果、コンタクト孔７の側壁
に段差が生じてしまう。このため、その後Ａｌ等をスパ
ッタし、金属配線９を形成すると、図１１に示すよう
に、金属配線９の段切れが生じるという欠点を有してい
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、コンタクト孔を形成した後に、そのコ
ンタクト孔の側壁に比較的エッチングレートの小さい絶
縁膜を形成し、その後コンタクト孔の底部に形成される
自然酸化膜をエッチング・除去するようにした。
解決するために、コンタクト孔を形成した後に、そのコ
ンタクト孔の側壁に比較的エッチングレートの小さい絶
縁膜を形成し、その後コンタクト孔の底部に形成される
自然酸化膜をエッチング・除去するようにした。
【０００６】
【作用】上記の手段によれば、そのコンタクト孔の側壁
に比較的エッチングレートの小さい絶縁膜を形成した後
に、自然酸化膜をエッチング除去しているので、従来の
ように、コンタクト孔の側壁に段差が生じず、金属配線
の段切れを防止することができる。
に比較的エッチングレートの小さい絶縁膜を形成した後
に、自然酸化膜をエッチング除去しているので、従来の
ように、コンタクト孔の側壁に段差が生じず、金属配線
の段切れを防止することができる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法を図１〜図６を参照しながら説明する。まず、図１に
示すように、ｐ型の半導体基板１１の表面にｎ+層から
なるコンタクト領域１２を形成し、その後ＬＰＣＶＤ法
により、１０００Å程度のSiO2膜１３と３０００Å程度
のBPSG膜１４とを交互に積層することにより、平坦化さ
れた多層の層間絶縁膜１５に形成する。
法を図１〜図６を参照しながら説明する。まず、図１に
示すように、ｐ型の半導体基板１１の表面にｎ+層から
なるコンタクト領域１２を形成し、その後ＬＰＣＶＤ法
により、１０００Å程度のSiO2膜１３と３０００Å程度
のBPSG膜１４とを交互に積層することにより、平坦化さ
れた多層の層間絶縁膜１５に形成する。
【０００８】次に、図２に示すように、コンタクト領域
上に開口を有するレジスト膜１６を形成し、前記層間絶
縁膜１５にコンタクト孔１７を形成する。ここでは、後
に形成する金属配線のステップカバレージを良くするた
めに、最上部のBPSG膜１４については等方性エッチング
を行い、その後異方性エッチングすることによりコンタ
クト孔１７を形成している。その等方性エッチングの条
件は、例えばCF4ガスを使用し、異方性エッチングの条
件は、CF4＋H2ガスまたはCHF3ガスを使用している。
上に開口を有するレジスト膜１６を形成し、前記層間絶
縁膜１５にコンタクト孔１７を形成する。ここでは、後
に形成する金属配線のステップカバレージを良くするた
めに、最上部のBPSG膜１４については等方性エッチング
を行い、その後異方性エッチングすることによりコンタ
クト孔１７を形成している。その等方性エッチングの条
件は、例えばCF4ガスを使用し、異方性エッチングの条
件は、CF4＋H2ガスまたはCHF3ガスを使用している。
【０００９】次いで、図３に示すように、レジスト膜１
６を除去した後に、ＬＰＣＶＤ法により、BPSG膜１４に
比してエッチングレートの小さい絶縁膜、例えばSiO2膜
１８を、２００Å程度の膜厚にコンタクト孔１７を覆う
ように形成する。そして、図４に示すように、CF4＋H2
ガスまたはCHF3ガスを使用した異方性エッチングによ
り、そのSiO2膜１８をエッチングすることにより、コン
タクト孔１７の側壁を覆うようにSiO2膜１８を残すとと
もに前記コンタクト孔の底部の基板１１を露出する。そ
の後、スパッタ工程までにウエハは空気中にさらされる
ために、コンタクト孔１７の底部の基板１１上には自然
酸化膜［SiO2膜］１９が形成れるので、例えば４００：
１の Buffered HFより成るフッ酸溶液により、その自然
酸化膜［SiO2膜］１９をエッチング・除去する。
６を除去した後に、ＬＰＣＶＤ法により、BPSG膜１４に
比してエッチングレートの小さい絶縁膜、例えばSiO2膜
１８を、２００Å程度の膜厚にコンタクト孔１７を覆う
ように形成する。そして、図４に示すように、CF4＋H2
ガスまたはCHF3ガスを使用した異方性エッチングによ
り、そのSiO2膜１８をエッチングすることにより、コン
タクト孔１７の側壁を覆うようにSiO2膜１８を残すとと
もに前記コンタクト孔の底部の基板１１を露出する。そ
の後、スパッタ工程までにウエハは空気中にさらされる
ために、コンタクト孔１７の底部の基板１１上には自然
酸化膜［SiO2膜］１９が形成れるので、例えば４００：
１の Buffered HFより成るフッ酸溶液により、その自然
酸化膜［SiO2膜］１９をエッチング・除去する。
【００１０】その後、図６に示すように常法の如く、バ
リアメタルとしてTiN膜を７００Å程度スパッタし、さ
らにＡｌ膜を１μｍ程度スパッタすることにより、金属
配線２０を形成する。このように、上記の実施例によれ
ば、コンタクト孔１７の側壁をSiO2膜１８で被覆した後
に、自然酸化膜［SiO2膜］１９をエッチング除去してい
るので、エッチングレートの大きいBPSG膜１４がエッチ
ングされることが抑止される。したがって、従来のよう
にコンタクト孔１７の側壁に段差が生じないので、図２
０に示すように、金属配線２０に段切れが生じるのを防
止できる。なお、上記実施例では、エッチングレートの
小さい膜として、SiO2膜１８を採用しているが、これに
限定されることなく、ポリＳｉ膜やアモルファスＳｉ膜
などを使用してもよい。
リアメタルとしてTiN膜を７００Å程度スパッタし、さ
らにＡｌ膜を１μｍ程度スパッタすることにより、金属
配線２０を形成する。このように、上記の実施例によれ
ば、コンタクト孔１７の側壁をSiO2膜１８で被覆した後
に、自然酸化膜［SiO2膜］１９をエッチング除去してい
るので、エッチングレートの大きいBPSG膜１４がエッチ
ングされることが抑止される。したがって、従来のよう
にコンタクト孔１７の側壁に段差が生じないので、図２
０に示すように、金属配線２０に段切れが生じるのを防
止できる。なお、上記実施例では、エッチングレートの
小さい膜として、SiO2膜１８を採用しているが、これに
限定されることなく、ポリＳｉ膜やアモルファスＳｉ膜
などを使用してもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平坦化のために多層膜とした、層間絶縁膜にコンタクト
孔を形成するにあたって、そのコンタクト孔の側壁に比
較的エッチングレートの小さい絶縁膜を形成した後に、
自然酸化膜をエッチング除去しているので、従来のよう
に、コンタクト孔の側壁に段差が生じることがなく、金
属配線の段切れを防止することが可能となる。
平坦化のために多層膜とした、層間絶縁膜にコンタクト
孔を形成するにあたって、そのコンタクト孔の側壁に比
較的エッチングレートの小さい絶縁膜を形成した後に、
自然酸化膜をエッチング除去しているので、従来のよう
に、コンタクト孔の側壁に段差が生じることがなく、金
属配線の段切れを防止することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す第１の断面図である。
を示す第１の断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す第２の断面図である。
を示す第２の断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す第３の断面図である。
を示す第３の断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す第４の断面図である。
を示す第４の断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す第５の断面図である。
を示す第５の断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す第６の断面図である。
を示す第６の断面図である。
【図７】従来例に係る半導体装置の製造方法を示す第１
の断面図である。
の断面図である。
【図８】従来例に係る半導体装置の製造方法を示す第２
の断面図である。
の断面図である。
【図９】従来例に係る半導体装置の製造方法を示す第３
の断面図である。
の断面図である。
【図１０】従来例に係る半導体装置の製造方法を示す第
４の断面図である。
４の断面図である。
【図１１】従来例に係る半導体装置の製造方法を示す第
５の断面図である。
５の断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上に材質の異なる二種類以上の絶縁
膜を交互に積層して成る多層の層間絶縁膜を形成する工
程と、 前記基体のコンタクト領域上の前記層間絶縁膜にコンタ
クト孔を形成する工程と、 前記コンタクト孔を覆うように比較的エッチングレート
の小さい絶縁膜を形成する工程と、 異方性エッチングにより前記コンタクト孔の側壁を覆う
ように前記絶縁膜を残すとともに前記コンタクト孔の底
部の基体を露出させる工程と、 前記露出した基体上に成長した自然酸化膜をエッチング
除去する工程と、 前記基体とコンタクトする金属配線を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法 。 - 【請求項２】 半導体基板上にSiO2膜とBPSG膜を交互に
積層して成る多層の層間絶縁膜を形成する工程と、 前記半導体基板のコンタクト領域上の前記層間絶縁膜に
コンタクト孔を形成する工程と、 前記コンタクト孔を覆うようにSiO2膜を形成する工程
と、 異方性エッチングにより前記コンタクト孔の側壁を覆う
ようにSiO2膜を残すとともに前記コンタクト孔の底部の
半導体基板を露出させる工程と、 前記露出した半導体基板上に成長したSiO2膜からなる自
然酸化膜をフッ酸溶液によりエッチング・除去する工程
と、 前記基体とコンタクトする金属配線を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11845094A JPH07326668A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11845094A JPH07326668A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326668A true JPH07326668A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14736951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11845094A Pending JPH07326668A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326668A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735608B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 비어 콘택 형성방법 |
| JP2009054948A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| WO2021250782A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP11845094A patent/JPH07326668A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735608B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 비어 콘택 형성방법 |
| JP2009054948A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| WO2021250782A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
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