JPH07323501A - 多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法 - Google Patents
多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法Info
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- JPH07323501A JPH07323501A JP14384894A JP14384894A JPH07323501A JP H07323501 A JPH07323501 A JP H07323501A JP 14384894 A JP14384894 A JP 14384894A JP 14384894 A JP14384894 A JP 14384894A JP H07323501 A JPH07323501 A JP H07323501A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラスクロス等の基材に未焼結のＰＴＦＥ樹脂
を含浸保持させ、ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１５vol
％とすることで、ＰＴＦＥ樹脂がその溶融温度におい
て、ゲル化した状態での移動距離を可及的小とすること
ができて、プレス成型時の加熱加圧状態を短時間に押え
ることができ、低温低圧状態でのプレス条件で良好な寸
法精度の確保ができ、積層板や多層プリント回路基板に
適用した場合の配線回路のズレをなくす。 【構成】ガラスクロス等の基材２に未焼結のＰＴＦＥ樹
脂３を含浸保持させ、上記ＰＴＦＥ樹脂２の空隙率を３
〜１５vol ％としたことを特徴とする。
を含浸保持させ、ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１５vol
％とすることで、ＰＴＦＥ樹脂がその溶融温度におい
て、ゲル化した状態での移動距離を可及的小とすること
ができて、プレス成型時の加熱加圧状態を短時間に押え
ることができ、低温低圧状態でのプレス条件で良好な寸
法精度の確保ができ、積層板や多層プリント回路基板に
適用した場合の配線回路のズレをなくす。 【構成】ガラスクロス等の基材２に未焼結のＰＴＦＥ樹
脂３を含浸保持させ、上記ＰＴＦＥ樹脂２の空隙率を３
〜１５vol ％としたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば高周波プリン
ト配線基板として用いられる低誘電率積層板を構成する
ところの多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回
路基板およびその製造方法に関する。
ト配線基板として用いられる低誘電率積層板を構成する
ところの多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回
路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上述例のプリプレグとしては、例
えば特開昭６３−４７１２７号、特開平５−６９４４２
号および特開平２−２６１８３０号公報に記載のものが
あり、何れもガラスクロス等の基材にＰＴＦＥ樹脂を含
浸保持させた点を、その基本構成としている。
えば特開昭６３−４７１２７号、特開平５−６９４４２
号および特開平２−２６１８３０号公報に記載のものが
あり、何れもガラスクロス等の基材にＰＴＦＥ樹脂を含
浸保持させた点を、その基本構成としている。
【０００３】上述のＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチ
レン、四フッ化エチレン樹脂）は溶融した状態において
も、その粘性が極めて高く（例えば３８０℃で１０11ポ
アズ）、他のフッ素樹脂（例えばＰＦＡの粘性は３８０
℃で１０4 〜１０5 ポアズ）と比較しても、その溶融粘
度が大である。このため、高温高圧の条件下で長時間プ
レス成型を行なわないと上述のガラスクロス基材に対す
る充分な密着性が確保できない。
レン、四フッ化エチレン樹脂）は溶融した状態において
も、その粘性が極めて高く（例えば３８０℃で１０11ポ
アズ）、他のフッ素樹脂（例えばＰＦＡの粘性は３８０
℃で１０4 〜１０5 ポアズ）と比較しても、その溶融粘
度が大である。このため、高温高圧の条件下で長時間プ
レス成型を行なわないと上述のガラスクロス基材に対す
る充分な密着性が確保できない。
【０００４】一方、上述のプリプレグを備えた多層板の
二次成型時に、高温高圧の条件下で長時間プレス成型を
行なうと、予め形成されたＣｕ箔製の配線回路のズレ
や、完成された多層板の寸法変化、反りが発生して、高
周波を作用させる配線板（高周波プリント配線基板）と
しての使用が困難となる。因に、回路配線の加工上の寸
法許容誤差は周波数が１０ＧＨｚ（１０×１０9 Ｈｚ）
で５０μｍ以下である。
二次成型時に、高温高圧の条件下で長時間プレス成型を
行なうと、予め形成されたＣｕ箔製の配線回路のズレ
や、完成された多層板の寸法変化、反りが発生して、高
周波を作用させる配線板（高周波プリント配線基板）と
しての使用が困難となる。因に、回路配線の加工上の寸
法許容誤差は周波数が１０ＧＨｚ（１０×１０9 Ｈｚ）
で５０μｍ以下である。
【０００５】また、上述の配線回路のズレや配線板の寸
法変化を回避するために、低温低圧の条件下でプレス成
型を行なった場合には、ＰＴＦＥの粘性が他のフッ素樹
脂と比較して極めて高いので、ガラスクロス基材との充
分な密着性が得られず、しかもプリプレグに保持された
ＰＴＦＥ樹脂中に空隙が残存する場合もあり、これらの
現象はガラスクロス基材とＰＴＦＥ樹脂との隙間や樹脂
中の多孔質状態の部分にメッキ液や水分が侵入する要因
となり、ハンダ耐熱性の低下および絶縁抵抗の不均一を
招来し、かつ上述の隙間および多孔質状態は誘電率の不
均一化が発生する原因となり、高周波プリント配線基板
としては致命的な欠陥となる。
法変化を回避するために、低温低圧の条件下でプレス成
型を行なった場合には、ＰＴＦＥの粘性が他のフッ素樹
脂と比較して極めて高いので、ガラスクロス基材との充
分な密着性が得られず、しかもプリプレグに保持された
ＰＴＦＥ樹脂中に空隙が残存する場合もあり、これらの
現象はガラスクロス基材とＰＴＦＥ樹脂との隙間や樹脂
中の多孔質状態の部分にメッキ液や水分が侵入する要因
となり、ハンダ耐熱性の低下および絶縁抵抗の不均一を
招来し、かつ上述の隙間および多孔質状態は誘電率の不
均一化が発生する原因となり、高周波プリント配線基板
としては致命的な欠陥となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明の請求項１記
載の発明は、ガラスクロス等の基材に未焼結のＰＴＦＥ
樹脂を含浸保持させ、ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１５
vol ％とすることで、ＰＴＦＥ樹脂がその溶融温度にお
いて、ゲル化した状態での移動距離を可及的小とするこ
とができて、プレス成型時の加熱加圧状態を短時間に押
えることができ、低温低圧状態でのプレス条件で良好な
寸法精度の確保ができ、積層板や多層プリント回路基板
に適用した場合の配線回路のズレをなくすことができる
多層板用プリプレグの提供を目的とする。
載の発明は、ガラスクロス等の基材に未焼結のＰＴＦＥ
樹脂を含浸保持させ、ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１５
vol ％とすることで、ＰＴＦＥ樹脂がその溶融温度にお
いて、ゲル化した状態での移動距離を可及的小とするこ
とができて、プレス成型時の加熱加圧状態を短時間に押
えることができ、低温低圧状態でのプレス条件で良好な
寸法精度の確保ができ、積層板や多層プリント回路基板
に適用した場合の配線回路のズレをなくすことができる
多層板用プリプレグの提供を目的とする。
【０００７】この発明の請求項２記載の発明は、上記請
求項１記載の少なくとも１層の多層板用プリプレグの片
面もしくは両面に金属箔を配置することで、上述の未焼
結のＰＴＦＥ樹脂の効果により金属箔の良好な接着性を
確保することができる積層板の提供を目的とする。
求項１記載の少なくとも１層の多層板用プリプレグの片
面もしくは両面に金属箔を配置することで、上述の未焼
結のＰＴＦＥ樹脂の効果により金属箔の良好な接着性を
確保することができる積層板の提供を目的とする。
【０００８】この発明の請求項３記載の発明は、上記請
求項２記載の積層板すなわち金属箔直下に位置する樹脂
層がＰＴＦＥのみの上記積層板を内層板として用いて多
層プリント回路基板を構成することで、二次成型中の配
線回路のスイミング現象（移動）を防止し、寸法変化の
低減を図ることができる多層プリント回路基板の提供を
目的とする。
求項２記載の積層板すなわち金属箔直下に位置する樹脂
層がＰＴＦＥのみの上記積層板を内層板として用いて多
層プリント回路基板を構成することで、二次成型中の配
線回路のスイミング現象（移動）を防止し、寸法変化の
低減を図ることができる多層プリント回路基板の提供を
目的とする。
【０００９】この発明の請求項４記載の発明は、上記請
求項１記載のプリプレグの製造に際して、ガラスクロス
等の基板にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョンを含有し、こ
のＰＴＦＥ樹脂の融点（３２７℃）に対して低温条件下
で乾燥処理し、このような含浸および乾燥を繰返して６
０〜９６vol ％の樹脂保持量とすることで、積層板、多
層プリント回路基板に適用した場合に、厚さ精度が高
く、厚さ方向の線膨脹係数が小さく、かつハンダ耐熱性
に優れると共に、異物混入が少なく、さらにはマッドク
ラックが仮に生じても次の含浸時に該マッドクラックを
埋めることができ、クラックの影響をなくすことがで
き、必要樹脂量の確保により、低誘電率化を達成するこ
とができる多層板用プリプレグの製造方法の提供を目的
とする。
求項１記載のプリプレグの製造に際して、ガラスクロス
等の基板にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョンを含有し、こ
のＰＴＦＥ樹脂の融点（３２７℃）に対して低温条件下
で乾燥処理し、このような含浸および乾燥を繰返して６
０〜９６vol ％の樹脂保持量とすることで、積層板、多
層プリント回路基板に適用した場合に、厚さ精度が高
く、厚さ方向の線膨脹係数が小さく、かつハンダ耐熱性
に優れると共に、異物混入が少なく、さらにはマッドク
ラックが仮に生じても次の含浸時に該マッドクラックを
埋めることができ、クラックの影響をなくすことがで
き、必要樹脂量の確保により、低誘電率化を達成するこ
とができる多層板用プリプレグの製造方法の提供を目的
とする。
【００１０】この発明の請求項５記載の発明は、上記内
層板の上下に配置されるプリプレグの製造に際して、こ
のプリプレグをＰＴＦＥの第１層と、ＰＴＦＥの第２層
と、ＰＦＡの第３層との３層構造にし、ＰＴＦＥ第２層
は焼結することなく低温条件下で乾燥処理して、ＰＦＡ
第３層の保持を良好とし、かつＰＦＡ第３層はフィルム
介設構造ではなくディスパージョン含浸、乾燥、焼成に
より形成することで、積層板、多層プリント回路基板に
適用する場合に、高温高圧プレスを可能とし、積層プレ
ス時にＰＴＦＥ、ＰＦＡの融点より高温かつ高圧条件下
で加圧することにより、厚さ精度が高く、厚さのばらつ
きが小で、厚さ方向の線膨張係数が小さく、また金属箔
とプリプレグとの接着力が強く、ハンダ耐熱性および熱
衝撃の耐性が共に高く、さらには薬液の浸込みがなく、
低誘電率化を達成することができるプリプレグの製造方
法の提供を目的とする。
層板の上下に配置されるプリプレグの製造に際して、こ
のプリプレグをＰＴＦＥの第１層と、ＰＴＦＥの第２層
と、ＰＦＡの第３層との３層構造にし、ＰＴＦＥ第２層
は焼結することなく低温条件下で乾燥処理して、ＰＦＡ
第３層の保持を良好とし、かつＰＦＡ第３層はフィルム
介設構造ではなくディスパージョン含浸、乾燥、焼成に
より形成することで、積層板、多層プリント回路基板に
適用する場合に、高温高圧プレスを可能とし、積層プレ
ス時にＰＴＦＥ、ＰＦＡの融点より高温かつ高圧条件下
で加圧することにより、厚さ精度が高く、厚さのばらつ
きが小で、厚さ方向の線膨張係数が小さく、また金属箔
とプリプレグとの接着力が強く、ハンダ耐熱性および熱
衝撃の耐性が共に高く、さらには薬液の浸込みがなく、
低誘電率化を達成することができるプリプレグの製造方
法の提供を目的とする。
【００１１】この発明の請求項６記載の発明は、上記請
求項４記載の製造方法で製造されたプリプレグを内層板
とし、この内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等の
フッ素樹脂フィルムまたは上記請求項５の製造方法で製
造されたプリプレグを配置し、さらに最外層に金属箔を
配置した後に、ＰＴＦＥの融点より高温かつ高圧状態で
プレス成型することで基材との密着性が高く、かつ均一
な物性値を有し、さらに吸水率、寸法変化率、ハンダ耐
熱性の諸特性に優れた多層プリント回路基板の製造方法
の提供を目的とする。
求項４記載の製造方法で製造されたプリプレグを内層板
とし、この内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等の
フッ素樹脂フィルムまたは上記請求項５の製造方法で製
造されたプリプレグを配置し、さらに最外層に金属箔を
配置した後に、ＰＴＦＥの融点より高温かつ高圧状態で
プレス成型することで基材との密着性が高く、かつ均一
な物性値を有し、さらに吸水率、寸法変化率、ハンダ耐
熱性の諸特性に優れた多層プリント回路基板の製造方法
の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明は、ガラスクロス等の基材に未焼結のＰＴＦＥ樹
脂を含浸保持させ、上記ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１
５vol ％とした多層板用プリプレグであることを特徴と
する。
の発明は、ガラスクロス等の基材に未焼結のＰＴＦＥ樹
脂を含浸保持させ、上記ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１
５vol ％とした多層板用プリプレグであることを特徴と
する。
【００１３】この発明の請求項２記載の発明は、上記請
求項１記載の少なくとも１層の多層板用プリプレグの片
面もしくは両面に金属箔を配置した積層板であることを
特徴とする。
求項１記載の少なくとも１層の多層板用プリプレグの片
面もしくは両面に金属箔を配置した積層板であることを
特徴とする。
【００１４】この発明の請求項３記載の発明は、上記請
求項２記載の積層板を内層板とし、上記内層板の上下
に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等のフッ素樹脂フィルム、ま
たは、基材にＰＴＦＥ樹脂を含浸保持させその両外層に
ＰＦＡもしくはＦＥＰが含浸保持されたプリプレグを配
置し、最外層に金属箔が配置された多層プリント回路基
板であることを特徴とする。
求項２記載の積層板を内層板とし、上記内層板の上下
に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等のフッ素樹脂フィルム、ま
たは、基材にＰＴＦＥ樹脂を含浸保持させその両外層に
ＰＦＡもしくはＦＥＰが含浸保持されたプリプレグを配
置し、最外層に金属箔が配置された多層プリント回路基
板であることを特徴とする。
【００１５】この発明の請求項４記載の発明は、上記請
求項１記載の多層板用プリプレグの製造方法であって、
ガラスクロス等の基材にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョン
を含浸し、上記ＰＴＦＥ樹脂の融点に対して低温条件下
で乾燥処理し、上記含浸および乾燥を繰返して６０〜９
６vol ％の樹脂保持量とする多層板用プリプレグの製造
方法であることを特徴とする。
求項１記載の多層板用プリプレグの製造方法であって、
ガラスクロス等の基材にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョン
を含浸し、上記ＰＴＦＥ樹脂の融点に対して低温条件下
で乾燥処理し、上記含浸および乾燥を繰返して６０〜９
６vol ％の樹脂保持量とする多層板用プリプレグの製造
方法であることを特徴とする。
【００１６】この発明の請求項５記載の発明は、上記請
求項３記載のプリプレグの製造方法であって、基材にＰ
ＴＦＥディスパージョンを含浸して乾燥させた後、ＰＴ
ＦＥの融点より高温条件下で焼成し、上記含浸、乾燥お
よび焼成を繰返して必要樹脂保持量の第１層を形成する
第１工程と、上記第１層の表面にＰＴＦＥディスパージ
ョンを含浸した後、ＰＴＦＥの融点より低温条件下で乾
燥させ、上記含浸および乾燥を繰返して必要樹脂保持量
の第２層を形成する第２工程と、上記第２層の表面にＰ
ＦＡディスパージョンを含浸して乾燥させた後、該ＰＦ
Ａおよび上記ＰＴＦＥの融点より高温条件下で焼成し、
上記含浸、乾燥および焼成を繰返して必要樹脂保持量の
第３層を形成すると共に、プリプレグを形成する第３工
程とを備えたプリプレグの製造方法であることを特徴と
する。
求項３記載のプリプレグの製造方法であって、基材にＰ
ＴＦＥディスパージョンを含浸して乾燥させた後、ＰＴ
ＦＥの融点より高温条件下で焼成し、上記含浸、乾燥お
よび焼成を繰返して必要樹脂保持量の第１層を形成する
第１工程と、上記第１層の表面にＰＴＦＥディスパージ
ョンを含浸した後、ＰＴＦＥの融点より低温条件下で乾
燥させ、上記含浸および乾燥を繰返して必要樹脂保持量
の第２層を形成する第２工程と、上記第２層の表面にＰ
ＦＡディスパージョンを含浸して乾燥させた後、該ＰＦ
Ａおよび上記ＰＴＦＥの融点より高温条件下で焼成し、
上記含浸、乾燥および焼成を繰返して必要樹脂保持量の
第３層を形成すると共に、プリプレグを形成する第３工
程とを備えたプリプレグの製造方法であることを特徴と
する。
【００１７】この発明の請求項６記載の発明は、上記請
求項４記載の製造方法で製造されたプリプレグを内層板
とし、この内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等の
フッ素樹脂フィルムまたは上記請求項５の製造方法で製
造されたプリプレグを配置し、さらに最外層に金属箔を
配置した後に、ＰＴＦＥの融点より高温かつ高圧状態で
プレス成型することを特徴とする多層プリント回路基板
の製造方法であることを特徴とする。
求項４記載の製造方法で製造されたプリプレグを内層板
とし、この内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等の
フッ素樹脂フィルムまたは上記請求項５の製造方法で製
造されたプリプレグを配置し、さらに最外層に金属箔を
配置した後に、ＰＴＦＥの融点より高温かつ高圧状態で
プレス成型することを特徴とする多層プリント回路基板
の製造方法であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の作用及び効果】この発明の請求項１記載の発明
によれば、ガラスクロス等の基材に含浸保持させる未焼
結のＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１５vol ％としたの
で、ＰＴＦＥ樹脂がその溶融温度においてゲル化（約３
３０℃でゲル化）した状態での移動距離を可及的小とす
ることができ、このためプレス成型時の加熱加圧状態を
短時間に押えることができると共に、ＰＴＦＥが溶融す
る最低温度付近（つまり低温加熱状態）でも基材の隙間
や初期のＰＴＦＥ粒子間の隙間にＰＴＦＥゲルを侵入さ
せることができ、成型時に基材との隙間を埋めて、吸水
率の低下を図ることができる。因に基材に対して吸水が
発生すると、基材の空隙に沿ってメッキ液等の浸み込み
による回路の短絡や、空隙の気体がハンダ温度において
急激に膨張することにより基材内部の破壊が起こり断線
や電気特性の劣化を招来するが、本発明では、これらを
防止することができる。
によれば、ガラスクロス等の基材に含浸保持させる未焼
結のＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜１５vol ％としたの
で、ＰＴＦＥ樹脂がその溶融温度においてゲル化（約３
３０℃でゲル化）した状態での移動距離を可及的小とす
ることができ、このためプレス成型時の加熱加圧状態を
短時間に押えることができると共に、ＰＴＦＥが溶融す
る最低温度付近（つまり低温加熱状態）でも基材の隙間
や初期のＰＴＦＥ粒子間の隙間にＰＴＦＥゲルを侵入さ
せることができ、成型時に基材との隙間を埋めて、吸水
率の低下を図ることができる。因に基材に対して吸水が
発生すると、基材の空隙に沿ってメッキ液等の浸み込み
による回路の短絡や、空隙の気体がハンダ温度において
急激に膨張することにより基材内部の破壊が起こり断線
や電気特性の劣化を招来するが、本発明では、これらを
防止することができる。
【００１９】このように上述の空隙率の設定によりＰＴ
ＦＥ樹脂がその溶融温度においてゲル化した状態での移
動距離を可及的小とすることで、低温低圧状態でのプレ
ス成型においても従来品と同等の寸法精度が確保でき、
積層板や多層プリント回路基板に適用した場合の配線回
路のズレがなく、加えて、該多層板用プリプレグを用い
て多層プリント回路基板を構成する際、高温高圧状態で
プレス成型を行なうことにより、基材との密着性が高
く、かつ均一な物性値の多層プリント回路基板を得るこ
とができる効果がある。
ＦＥ樹脂がその溶融温度においてゲル化した状態での移
動距離を可及的小とすることで、低温低圧状態でのプレ
ス成型においても従来品と同等の寸法精度が確保でき、
積層板や多層プリント回路基板に適用した場合の配線回
路のズレがなく、加えて、該多層板用プリプレグを用い
て多層プリント回路基板を構成する際、高温高圧状態で
プレス成型を行なうことにより、基材との密着性が高
く、かつ均一な物性値の多層プリント回路基板を得るこ
とができる効果がある。
【００２０】因に上述の空隙率が１５vol ％を超える場
合には、ゲル化したＰＴＦＥの移動距離が大となり、基
板の製造時において空隙部分を完全になくすることが困
難となって、均一な物性値を有する基板の製造が不可能
となり、逆に上述の空隙率が３vol ％未満の場合にはＰ
ＴＦＥ粒子同志が過度に密着し、ＰＴＦＥディスパージ
ョンに配合される表面活性剤等の分散剤を、乾燥行程で
その深部においても充分に抜き取ることが困難となり、
この分散剤は３００℃を超えるプレス条件下において直
ちに炭化して、基板が炭素分を豊富に含有する状態とな
り、絶縁抵抗の低下を招来し、絶縁板として必要不可欠
な抵抗値の確保が不能となるのみならず、誘電率も上昇
し、高周波回路基板として適用不能となる。
合には、ゲル化したＰＴＦＥの移動距離が大となり、基
板の製造時において空隙部分を完全になくすることが困
難となって、均一な物性値を有する基板の製造が不可能
となり、逆に上述の空隙率が３vol ％未満の場合にはＰ
ＴＦＥ粒子同志が過度に密着し、ＰＴＦＥディスパージ
ョンに配合される表面活性剤等の分散剤を、乾燥行程で
その深部においても充分に抜き取ることが困難となり、
この分散剤は３００℃を超えるプレス条件下において直
ちに炭化して、基板が炭素分を豊富に含有する状態とな
り、絶縁抵抗の低下を招来し、絶縁板として必要不可欠
な抵抗値の確保が不能となるのみならず、誘電率も上昇
し、高周波回路基板として適用不能となる。
【００２１】この発明の請求項２記載の発明によれば、
上記請求項１記載の少なくとも１層の多層板用プリプレ
グの片面もしくは両面に金属箔を配置して積層板を構成
したので、上述の未焼結のＰＴＦＥ樹脂の効果により金
属箔の良好な接着性を確保することができる効果があ
る。
上記請求項１記載の少なくとも１層の多層板用プリプレ
グの片面もしくは両面に金属箔を配置して積層板を構成
したので、上述の未焼結のＰＴＦＥ樹脂の効果により金
属箔の良好な接着性を確保することができる効果があ
る。
【００２２】この発明の請求項３記載の発明によれば、
上記請求項２記載の積層板すなわち金属箔直下に位置す
る樹脂層がＰＴＦＥのみの上記積層板を内層板として用
いて多層プリント回路基板を構成するので、二次成型中
（プレス時）の配線回路のスイミング現象（移動）を防
止することができると共に、完成した多層プリント回路
基板の寸法変化の低減を図ることができる効果がある。
上記請求項２記載の積層板すなわち金属箔直下に位置す
る樹脂層がＰＴＦＥのみの上記積層板を内層板として用
いて多層プリント回路基板を構成するので、二次成型中
（プレス時）の配線回路のスイミング現象（移動）を防
止することができると共に、完成した多層プリント回路
基板の寸法変化の低減を図ることができる効果がある。
【００２３】この発明の請求項４記載の発明によれば、
上記請求項１記載のプリプレグの製造に際して、ガラス
クロス等の基材にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョンを含浸
し、このＰＴＦＥ樹脂の融点３２７℃に対して低温条件
下で乾燥処理し、上記含浸および乾燥を繰返して６０〜
９６vol ％の樹脂保持量とする方法であるから、このプ
リプレグを積層板、多層プリント回路基板に適用した場
合には、厚さ精度が高く、厚さ方向の線膨張係数が小さ
く、かつハンダ耐熱性に優れると共に、異物混入が少な
く、さらにはマッドクラックが仮りに生じても次の含浸
時に該マッドクラックを埋めることができ、クラックの
影響をなくすことができて、樹脂保持量が６０〜９６vo
l ％と多く、低誘電率化を達成することができる効果が
ある。また、プリプレグの造工程に焼結工程を有さない
ので、基材の波打ち状の変形もありえない。
上記請求項１記載のプリプレグの製造に際して、ガラス
クロス等の基材にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョンを含浸
し、このＰＴＦＥ樹脂の融点３２７℃に対して低温条件
下で乾燥処理し、上記含浸および乾燥を繰返して６０〜
９６vol ％の樹脂保持量とする方法であるから、このプ
リプレグを積層板、多層プリント回路基板に適用した場
合には、厚さ精度が高く、厚さ方向の線膨張係数が小さ
く、かつハンダ耐熱性に優れると共に、異物混入が少な
く、さらにはマッドクラックが仮りに生じても次の含浸
時に該マッドクラックを埋めることができ、クラックの
影響をなくすことができて、樹脂保持量が６０〜９６vo
l ％と多く、低誘電率化を達成することができる効果が
ある。また、プリプレグの造工程に焼結工程を有さない
ので、基材の波打ち状の変形もありえない。
【００２４】この発明の請求項５記載の発明によれば、
上述の内層板の上下に配置されるプリプレグの製造に際
して、上述のプリプレグをＰＴＦＥの第１層と、ＰＴＦ
Ｅの第２層と、ＰＦＡの第３層との３層構造にし、ＰＴ
ＦＥ第２層は焼結することなくＰＴＦＥの融点より低温
条件下で乾燥処理して、ＰＦＡ第３層の保持を良好と
し、かつＰＦＡ第３層はフィルム介設手段ではなくＰＦ
Ａディスパージョンの含浸、乾燥、焼成により形成する
ので、このプリプレグを積層板、多層プリント回路基板
に適用する場合に、積層時の高温高圧プレスが可能とな
る。
上述の内層板の上下に配置されるプリプレグの製造に際
して、上述のプリプレグをＰＴＦＥの第１層と、ＰＴＦ
Ｅの第２層と、ＰＦＡの第３層との３層構造にし、ＰＴ
ＦＥ第２層は焼結することなくＰＴＦＥの融点より低温
条件下で乾燥処理して、ＰＦＡ第３層の保持を良好と
し、かつＰＦＡ第３層はフィルム介設手段ではなくＰＦ
Ａディスパージョンの含浸、乾燥、焼成により形成する
ので、このプリプレグを積層板、多層プリント回路基板
に適用する場合に、積層時の高温高圧プレスが可能とな
る。
【００２５】また、積層プレス時にはＰＴＦＥおよびＰ
ＦＡの各融点より高温かつ高圧条件下で加圧すること
で、厚さ精度が高く、厚さのばらつきが小で、厚さ方向
の線膨張係数が小さく、また金属箔とプリプレグとの接
着力が強く、ハンダ耐熱性および熱衝撃の耐性が共に高
く、さらには薬液の浸込みがなく、低誘電率化を達成す
ることができる効果がある。
ＦＡの各融点より高温かつ高圧条件下で加圧すること
で、厚さ精度が高く、厚さのばらつきが小で、厚さ方向
の線膨張係数が小さく、また金属箔とプリプレグとの接
着力が強く、ハンダ耐熱性および熱衝撃の耐性が共に高
く、さらには薬液の浸込みがなく、低誘電率化を達成す
ることができる効果がある。
【００２６】さらに上述のように高温高圧プレスにより
積層板、多層プリント回路基板を製造すると、層間のボ
イド（小孔）がなく、層間の接合が充分で、プリプレグ
それ自体の樹脂むらも生じないうえ、ハンダ接着時等の
金属箔の膨れ、層間クラック、層間剥離を防止すること
ができる効果がある。
積層板、多層プリント回路基板を製造すると、層間のボ
イド（小孔）がなく、層間の接合が充分で、プリプレグ
それ自体の樹脂むらも生じないうえ、ハンダ接着時等の
金属箔の膨れ、層間クラック、層間剥離を防止すること
ができる効果がある。
【００２７】この発明の請求項６記載の発明によれば、
上記請求項４記載の製造方法で製造されたプリプレグを
内層板とし、この内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥ
Ｐ等のフッ素樹脂フィルムまたは上記請求項５の製造方
法で製造されたプリプレグを配置し、さらに最外層に金
属箔を配置した後に、ＰＴＦＥの融点より高温かつ高圧
状態でプレス成型して多層プリント回路基板を製造する
ので、完成した多層プリント回路基板においてガラスク
ロス基材とＰＴＦＥ樹脂との密着性が高く、かつ均一な
物性値を有し、さらに吸水率、寸法変化率、ハンダ耐熱
性の諸特性に優れた多層プリント回路基板を得ることが
できる効果がある。
上記請求項４記載の製造方法で製造されたプリプレグを
内層板とし、この内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥ
Ｐ等のフッ素樹脂フィルムまたは上記請求項５の製造方
法で製造されたプリプレグを配置し、さらに最外層に金
属箔を配置した後に、ＰＴＦＥの融点より高温かつ高圧
状態でプレス成型して多層プリント回路基板を製造する
ので、完成した多層プリント回路基板においてガラスク
ロス基材とＰＴＦＥ樹脂との密着性が高く、かつ均一な
物性値を有し、さらに吸水率、寸法変化率、ハンダ耐熱
性の諸特性に優れた多層プリント回路基板を得ることが
できる効果がある。
【００２８】
【実施例】この発明の実施例を以下図面に基づいて詳述
する。 （第１実施例）図１乃至図４は本発明の多層板用プリプ
レグおよび積層板とその製造方法を示し、図１に示すよ
うに、平均粒径０．２〜０．５μｍのＰＴＦＥ粒子１…
を用いて、濃度６０％のＰＴＦＥ樹脂ディスパージョン
を構成し、図１、図２に示す目付４８g/ m2 のガラスク
ロス基材２に上述のＰＴＦＥ樹脂ディスパーションを含
浸し、このＰＴＦＥ樹脂３の融点３２７℃に対して低温
の３０５℃の条件下で乾燥処理して、未焼結樹脂を上述
のガラスクロス基材２に保持させる。
する。 （第１実施例）図１乃至図４は本発明の多層板用プリプ
レグおよび積層板とその製造方法を示し、図１に示すよ
うに、平均粒径０．２〜０．５μｍのＰＴＦＥ粒子１…
を用いて、濃度６０％のＰＴＦＥ樹脂ディスパージョン
を構成し、図１、図２に示す目付４８g/ m2 のガラスク
ロス基材２に上述のＰＴＦＥ樹脂ディスパーションを含
浸し、このＰＴＦＥ樹脂３の融点３２７℃に対して低温
の３０５℃の条件下で乾燥処理して、未焼結樹脂を上述
のガラスクロス基材２に保持させる。
【００２９】このような含浸および低温条件下での乾燥
処理を繰返して樹脂保持量が６０〜９６vol ％の範囲
内、例えば７６vol ％のプリプレグ４（以下、説明の便
宜上、このプリプレグ４を第１ブリブレグと称す）を形
成した。このようにして形成された第１プリプレグ４の
樹脂層の空隙率は３〜１５vol ％であった。
処理を繰返して樹脂保持量が６０〜９６vol ％の範囲
内、例えば７６vol ％のプリプレグ４（以下、説明の便
宜上、このプリプレグ４を第１ブリブレグと称す）を形
成した。このようにして形成された第１プリプレグ４の
樹脂層の空隙率は３〜１５vol ％であった。
【００３０】次に図３に示すように上述のプリプレグ４
を複数層、例えば４層重ね合わせ、図４に示す如くこの
上下外層に金属箔としての厚さ約３５μｍの電解Ｃｕ箔
５，５を配置したものに対して、上記ＰＴＦＥ樹脂２の
融点３２７℃より高温の３８０℃の条件下で、かつ、面
圧５０kgf/cm2 、加圧時間約６０分の積層成形条件下で
積層成形して、積層板６を構成した。
を複数層、例えば４層重ね合わせ、図４に示す如くこの
上下外層に金属箔としての厚さ約３５μｍの電解Ｃｕ箔
５，５を配置したものに対して、上記ＰＴＦＥ樹脂２の
融点３２７℃より高温の３８０℃の条件下で、かつ、面
圧５０kgf/cm2 、加圧時間約６０分の積層成形条件下で
積層成形して、積層板６を構成した。
【００３１】この第１実施例の第１プリプレグ４（図２
参照）および積層板６に対して諸特性を比較する目的
で、平均粒径が０．１〜０．５μｍのＰＴＦＥ粒子を用
い、他の全ての条件を第１実施例と同一に設定した比較
例１の積層板５０（図５参照）と、平均粒径が０．３〜
０．７μｍのＰＴＦＥ粒子を用い、他の全ての条件を第
１実施例と同一に設定した比較例２の積層板６０（図６
参照）とを製造し、プリプレグの空隙率、積層板の誘電
率、ＰＣＴ（プレッシャクッカテスト）後の吸水率（wt
％）ＰＣＴ後のハンダ耐熱性を測定比較した結果を次の
［表１］に示す。
参照）および積層板６に対して諸特性を比較する目的
で、平均粒径が０．１〜０．５μｍのＰＴＦＥ粒子を用
い、他の全ての条件を第１実施例と同一に設定した比較
例１の積層板５０（図５参照）と、平均粒径が０．３〜
０．７μｍのＰＴＦＥ粒子を用い、他の全ての条件を第
１実施例と同一に設定した比較例２の積層板６０（図６
参照）とを製造し、プリプレグの空隙率、積層板の誘電
率、ＰＣＴ（プレッシャクッカテスト）後の吸水率（wt
％）ＰＣＴ後のハンダ耐熱性を測定比較した結果を次の
［表１］に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】ここでＰＣＴ（プレッシャクッカテスト）
後の吸水率は１２１℃、１．８気圧の水中に３０分間浸
した後の吸水率測定結果であり、ＰＣＴ後のハンダ耐熱
性は２６０℃の溶融ハンダ槽に６０秒間浸漬し、引上げ
後に表面を観察しながら白点を目視で数え、白点が０個
のものを優とし、白点が１〜５個のものを良とし、白点
が６〜１０個のものを可とし、白点が１１個以上または
膨れがあるものを不可とした。
後の吸水率は１２１℃、１．８気圧の水中に３０分間浸
した後の吸水率測定結果であり、ＰＣＴ後のハンダ耐熱
性は２６０℃の溶融ハンダ槽に６０秒間浸漬し、引上げ
後に表面を観察しながら白点を目視で数え、白点が０個
のものを優とし、白点が１〜５個のものを良とし、白点
が６〜１０個のものを可とし、白点が１１個以上または
膨れがあるものを不可とした。
【００３４】上述の［表１］から明らかなように上記第
１実施例のものは各比較例１，２比較して、吸水率およ
びハンダ耐熱性の何れにおいても良好な結果を得ること
ができた。特に比較例１のものではＰＴＦＥの平均粒径
が０．１〜０．５μｍ過度微少であるため、塊が発生
し、良好な分散が得られず空隙率が１５〜３０vol ％と
所定範囲外になった。
１実施例のものは各比較例１，２比較して、吸水率およ
びハンダ耐熱性の何れにおいても良好な結果を得ること
ができた。特に比較例１のものではＰＴＦＥの平均粒径
が０．１〜０．５μｍ過度微少であるため、塊が発生
し、良好な分散が得られず空隙率が１５〜３０vol ％と
所定範囲外になった。
【００３５】（第２実施例）図７は本発明の多層プリン
ト回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で得
られた積層板６を内層板とし、この内層板６の上下に厚
さ２５μｍのＰＦＡフィルム７，７を配置し、さらに上
述のＰＦＡフィルム７，７上下には外層板８，８を配置
し、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２７℃より高温の３５０℃
の条件下で、かつ面圧１５kgf/cm2 で１０分間加熱加圧
して、多層プリント回路基板を製造した。ここで、上述
の外層板８は図４に示す積層板６から図７に示す内層板
側の電解Ｃｕ箔５をエッチング手段により除去したもの
である。
ト回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で得
られた積層板６を内層板とし、この内層板６の上下に厚
さ２５μｍのＰＦＡフィルム７，７を配置し、さらに上
述のＰＦＡフィルム７，７上下には外層板８，８を配置
し、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２７℃より高温の３５０℃
の条件下で、かつ面圧１５kgf/cm2 で１０分間加熱加圧
して、多層プリント回路基板を製造した。ここで、上述
の外層板８は図４に示す積層板６から図７に示す内層板
側の電解Ｃｕ箔５をエッチング手段により除去したもの
である。
【００３６】（第３実施例）図８は本発明の多層プリン
ト回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で得
られた積層板６を内層板とし、この内層板６の上下両側
に後述する第２プリプレグ９をそれぞれ３枚づつ重ね、
上下の最外層に厚さ１８μｍの電解Ｃｕ箔１０，１０を
配置して積層し、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２７℃より高
温の３５０℃の条件下で、かつ面圧１５kgf/cm2 で１０
分間加熱加圧して、多層プリント回路基板を製造した。
ここで、上述の第２プリプレグ９の構成および製造方法
は次の通りである。
ト回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で得
られた積層板６を内層板とし、この内層板６の上下両側
に後述する第２プリプレグ９をそれぞれ３枚づつ重ね、
上下の最外層に厚さ１８μｍの電解Ｃｕ箔１０，１０を
配置して積層し、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２７℃より高
温の３５０℃の条件下で、かつ面圧１５kgf/cm2 で１０
分間加熱加圧して、多層プリント回路基板を製造した。
ここで、上述の第２プリプレグ９の構成および製造方法
は次の通りである。
【００３７】すなわち、図９に示す第１工程Ｓ１で、目
付４８g/m 2 のガラス布基材１１（図１０参照）にＰＴ
ＦＥディスパージョンを含浸して乾燥させた後に、ＰＴ
ＦＥの融点３２７℃より高温の３８０℃で焼成（焼結）
し、必要樹脂保持量としての樹脂含有率７０vol ％にな
るまで上述の含浸、乾燥および焼結を繰返してＰＴＦＥ
第１層１２を形成する。
付４８g/m 2 のガラス布基材１１（図１０参照）にＰＴ
ＦＥディスパージョンを含浸して乾燥させた後に、ＰＴ
ＦＥの融点３２７℃より高温の３８０℃で焼成（焼結）
し、必要樹脂保持量としての樹脂含有率７０vol ％にな
るまで上述の含浸、乾燥および焼結を繰返してＰＴＦＥ
第１層１２を形成する。
【００３８】次に図９に示す第２工程Ｓ２で、上述のＰ
ＴＦＥ第１層１２の上下両表面にＰＴＦＥディスパージ
ョンを含浸した後に、ＰＴＦＥの融点３２７℃より低温
の３０５℃で乾燥させ、必要樹脂保持量としての樹脂含
有率７６vol ％になるまで上述の含浸および乾燥を繰返
してＰＴＦＥ第２層１３を形成する。
ＴＦＥ第１層１２の上下両表面にＰＴＦＥディスパージ
ョンを含浸した後に、ＰＴＦＥの融点３２７℃より低温
の３０５℃で乾燥させ、必要樹脂保持量としての樹脂含
有率７６vol ％になるまで上述の含浸および乾燥を繰返
してＰＴＦＥ第２層１３を形成する。
【００３９】次に図９に示す第３工程Ｓ３で、上述のＰ
ＴＦＥ第２層１３，１３の上下両表面にＰＦＡディスパ
ージョンを含浸して乾燥させた後、このＰＦＡの融点３
１０℃および上述のＰＴＦＥの融点３２７℃より高温の
３８０℃で焼成（焼結）し、必要樹脂保持量としての樹
脂含有率８０vol ％になるまで上述の含浸、乾燥および
焼結を繰返してＰＦＡ第３層１４を形成して、上述の第
２プリプレグ９を形成したものである。なお、図１０以
外の他図においては図示の便宜上、ＰＴＦＥ第２層１
３，１３の図示を省略している。この第２プリプレグ９
は接着のためのフィルム等を必要としないため、ハンド
リングが容易で、絶縁層の誘電率の変動がなく、加えて
接着層がコーティング層で形成されていて、樹脂に方向
性がないため、二次成型による寸法変化が小となる。
ＴＦＥ第２層１３，１３の上下両表面にＰＦＡディスパ
ージョンを含浸して乾燥させた後、このＰＦＡの融点３
１０℃および上述のＰＴＦＥの融点３２７℃より高温の
３８０℃で焼成（焼結）し、必要樹脂保持量としての樹
脂含有率８０vol ％になるまで上述の含浸、乾燥および
焼結を繰返してＰＦＡ第３層１４を形成して、上述の第
２プリプレグ９を形成したものである。なお、図１０以
外の他図においては図示の便宜上、ＰＴＦＥ第２層１
３，１３の図示を省略している。この第２プリプレグ９
は接着のためのフィルム等を必要としないため、ハンド
リングが容易で、絶縁層の誘電率の変動がなく、加えて
接着層がコーティング層で形成されていて、樹脂に方向
性がないため、二次成型による寸法変化が小となる。
【００４０】（第４実施例）図１１は本発明の多層プリ
ント回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で
得られた積層板６を内層板とし、この内層板６の上下に
上述の第２プリプレグ９を各１枚配置し、これら第２プ
リプレグ９，９の上下には図７と同一構成の外層板８，
８を配置し、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２７℃より高温の
３５０℃の条件下で、かつ面圧１５kgf/cm2 で１０分間
加熱加圧して、多層プリント回路基板を製造した。
ント回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で
得られた積層板６を内層板とし、この内層板６の上下に
上述の第２プリプレグ９を各１枚配置し、これら第２プ
リプレグ９，９の上下には図７と同一構成の外層板８，
８を配置し、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２７℃より高温の
３５０℃の条件下で、かつ面圧１５kgf/cm2 で１０分間
加熱加圧して、多層プリント回路基板を製造した。
【００４１】（第５実施例）図１２は本発明の多層プリ
ント回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で
得られた積層板６を内層板として用いる。一方、内側に
１枚の第２プリプレグ９を、外側に２枚の第１プリプレ
グ４，４を、最外層に厚さ１８μｍの電解Ｃｕ箔１５を
それぞれ配置して、３８０℃、１５kgf/cm2 で６０分間
加熱加圧した後に、第２プリプレグ９側の電解Ｃｕ箔１
５のみをエッチング手段で除去した外層板１６を形成す
る。
ント回路基板およびその製造方法を示し、第１実施例で
得られた積層板６を内層板として用いる。一方、内側に
１枚の第２プリプレグ９を、外側に２枚の第１プリプレ
グ４，４を、最外層に厚さ１８μｍの電解Ｃｕ箔１５を
それぞれ配置して、３８０℃、１５kgf/cm2 で６０分間
加熱加圧した後に、第２プリプレグ９側の電解Ｃｕ箔１
５のみをエッチング手段で除去した外層板１６を形成す
る。
【００４２】そして、上述の内層板６に対して第２プリ
プレグ９側が対向するように、この内層板６の上下に外
層板１６，１６を配置して、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２
７℃より高温の３５０℃の条件下で、かつ面圧１５kgf/
cm2 で１０分間加熱加圧して、多層プリント回路基板を
製造した。
プレグ９側が対向するように、この内層板６の上下に外
層板１６，１６を配置して、ＰＴＦＥ樹脂２の融点３２
７℃より高温の３５０℃の条件下で、かつ面圧１５kgf/
cm2 で１０分間加熱加圧して、多層プリント回路基板を
製造した。
【００４３】（比較例３）図１３は本発明の第２，第
３，第４および第５実施例に対して諸特性を比較するた
めに製造された比較例を示し、第１実施例で得られた積
層板６を内層板として用いる。一方、基材６１にＰＴＦ
Ｅ樹脂６２を含浸させ、このＰＴＦＥ樹脂６２の融点３
２７℃よりも高温で加熱加圧した焼成プリプレグ６３を
設ける。
３，第４および第５実施例に対して諸特性を比較するた
めに製造された比較例を示し、第１実施例で得られた積
層板６を内層板として用いる。一方、基材６１にＰＴＦ
Ｅ樹脂６２を含浸させ、このＰＴＦＥ樹脂６２の融点３
２７℃よりも高温で加熱加圧した焼成プリプレグ６３を
設ける。
【００４４】そして、上述の積層板６の上下に厚さ２５
μｍのＰＦＡフィルム７、焼成プリプレグ６３、ＰＦＡ
フィルム７、焼成プリプレグ６３、ＰＦＡフィルム７厚
さ１８μｍの電解Ｃｕ箔６４をこの順に配置し、ＰＴＦ
Ｅ樹脂の融点３２７℃より高温の３５０℃の条件下で、
かつ面圧１５kgf/cm2 で１０分間加熱加圧して、比較例
としての多層プリント回路基板を製造した。
μｍのＰＦＡフィルム７、焼成プリプレグ６３、ＰＦＡ
フィルム７、焼成プリプレグ６３、ＰＦＡフィルム７厚
さ１８μｍの電解Ｃｕ箔６４をこの順に配置し、ＰＴＦ
Ｅ樹脂の融点３２７℃より高温の３５０℃の条件下で、
かつ面圧１５kgf/cm2 で１０分間加熱加圧して、比較例
としての多層プリント回路基板を製造した。
【００４５】（比較例４）図１４は本発明の第２，第
３，第４および第５実施例に対して諸特性を比較するた
めに製造された比較例を示し、第１実施例で得られた１
枚の第１プリプレグ４の両側にそれぞれ上述の第２プリ
プレグ９，９を配置し、最外層に厚さ３５μｍの電解Ｃ
ｕ箔７１，７１を配置し、ＰＴＦＥ樹脂の融点３２７℃
より高温の３８０℃の条件下で、かつ面圧５０kgf/cm2
で６０分間加圧成形して積層板を構成し、この積層板を
内層板７２とする。また第１プリプレグ４の内層板７２
側の電解Ｃｕ箔をエッチング手段で除去し、外層のみに
電解Ｃｕ箔７３を有する積層板を構成し、この積層板を
外層板７４とする。
３，第４および第５実施例に対して諸特性を比較するた
めに製造された比較例を示し、第１実施例で得られた１
枚の第１プリプレグ４の両側にそれぞれ上述の第２プリ
プレグ９，９を配置し、最外層に厚さ３５μｍの電解Ｃ
ｕ箔７１，７１を配置し、ＰＴＦＥ樹脂の融点３２７℃
より高温の３８０℃の条件下で、かつ面圧５０kgf/cm2
で６０分間加圧成形して積層板を構成し、この積層板を
内層板７２とする。また第１プリプレグ４の内層板７２
側の電解Ｃｕ箔をエッチング手段で除去し、外層のみに
電解Ｃｕ箔７３を有する積層板を構成し、この積層板を
外層板７４とする。
【００４６】そして上述の内層板７２の上下に各１枚の
第２プリプレグ９を介して外層板７４を配置しＰＴＦＥ
樹脂の融点３２７℃より高温の３５０℃の条件下で、か
つ面圧１５kgf/cm2 で１０分間加熱加圧して、比較例と
しての多層プリント回路基板を製造した。
第２プリプレグ９を介して外層板７４を配置しＰＴＦＥ
樹脂の融点３２７℃より高温の３５０℃の条件下で、か
つ面圧１５kgf/cm2 で１０分間加熱加圧して、比較例と
しての多層プリント回路基板を製造した。
【００４７】上述の第２，第３、第４および第５実施例
と比較例３，４との多層プリント回路基板に対して吸水
率（wt％）、寸法変化率（％）、ハンダ耐熱性をそれぞ
れ測定比較した結果を、次の［表２］に示す。
と比較例３，４との多層プリント回路基板に対して吸水
率（wt％）、寸法変化率（％）、ハンダ耐熱性をそれぞ
れ測定比較した結果を、次の［表２］に示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】ここで、上述の吸水率、ハンダ耐熱性の測
定条件は前述と同様であり、寸法変化率については、内
層に書かれたマーク間の距離の変化率を測定したもので
ある。すなわち、タテ３４０×ヨコ３４０mmの板の四隅
間の距離を３次元測定器によって測定した結果を示す。
定条件は前述と同様であり、寸法変化率については、内
層に書かれたマーク間の距離の変化率を測定したもので
ある。すなわち、タテ３４０×ヨコ３４０mmの板の四隅
間の距離を３次元測定器によって測定した結果を示す。
【００５０】上述の［表２］から明らかなように第２，
第３、第４および第５実施例のものは比較例３，４と比
較して、吸水率、寸法変化率、ハンダ耐熱性の総合的な
諸特性が優れていることが明白である。特に比較例３の
ものではハンダ耐熱性が不可であり、比較例４のもので
は寸法変化率が大となった。また比較例４のものは内層
板７２の電解Ｃｕ箔７１の直下にＰＦＡの層を有するた
め、ＰＦＡの融点３１０℃以上の３５０℃でプレスされ
る時、電解Ｃｕ箔７１にて形成された回路パターンがず
れ、スイミング現象が生じた。
第３、第４および第５実施例のものは比較例３，４と比
較して、吸水率、寸法変化率、ハンダ耐熱性の総合的な
諸特性が優れていることが明白である。特に比較例３の
ものではハンダ耐熱性が不可であり、比較例４のもので
は寸法変化率が大となった。また比較例４のものは内層
板７２の電解Ｃｕ箔７１の直下にＰＦＡの層を有するた
め、ＰＦＡの融点３１０℃以上の３５０℃でプレスされ
る時、電解Ｃｕ箔７１にて形成された回路パターンがず
れ、スイミング現象が生じた。
【００５１】以上要するに、この発明の請求項１記載の
発明によれば、ガラスクロス等の基材２に含浸保持させ
る未焼結のＰＴＦＥ樹脂３の空隙率を３〜１５vol ％と
したので、ＰＴＦＥ樹脂３がその溶融温度においてゲル
化した状態での移動距離を可及的小とすることができ、
このためプレス成型時の加熱加圧状態を短時間に押える
ことができると共に、ＰＴＦＥが溶融する最低温度付近
（つまり低温加熱状態）でも基材２の隙間や初期のＰＴ
ＦＥ粒子１間の隙間にＰＴＦＥゲルを侵入させることが
できる。
発明によれば、ガラスクロス等の基材２に含浸保持させ
る未焼結のＰＴＦＥ樹脂３の空隙率を３〜１５vol ％と
したので、ＰＴＦＥ樹脂３がその溶融温度においてゲル
化した状態での移動距離を可及的小とすることができ、
このためプレス成型時の加熱加圧状態を短時間に押える
ことができると共に、ＰＴＦＥが溶融する最低温度付近
（つまり低温加熱状態）でも基材２の隙間や初期のＰＴ
ＦＥ粒子１間の隙間にＰＴＦＥゲルを侵入させることが
できる。
【００５２】このように上述の空隙率の設定によりＰＴ
ＦＥ樹脂２がその溶融温度においてゲル化した状態での
移動距離を可及的小とすることで、低温低圧状態でのプ
レス成型においても従来品と同等の寸法精度が確保で
き、積層板や多層プリント回路基板に適用した場合の配
線回路のズレがなく、加えて、該多層板用プリプレグ４
を用いて多層プリント回路基板を構成する際、高温高圧
状態でプレス成型を行なうことにより、基材２との密着
性が高く、かつ均一な物性値の多層プリント回路基板を
得ることができる効果がある。
ＦＥ樹脂２がその溶融温度においてゲル化した状態での
移動距離を可及的小とすることで、低温低圧状態でのプ
レス成型においても従来品と同等の寸法精度が確保で
き、積層板や多層プリント回路基板に適用した場合の配
線回路のズレがなく、加えて、該多層板用プリプレグ４
を用いて多層プリント回路基板を構成する際、高温高圧
状態でプレス成型を行なうことにより、基材２との密着
性が高く、かつ均一な物性値の多層プリント回路基板を
得ることができる効果がある。
【００５３】因に上述の空隙率が１５vol ％を超える場
合には、ゲル化したＰＴＦＥの移動距離が大となり、基
板の製造時において空隙部分を完全になくすることが困
難となって、均一な物性値を有する基板の製造が不可能
となり、逆に上述の空隙率が３vol ％未満の場合にはＰ
ＴＦＥ粒子同志が過度に密着し、ＰＴＦＥディスパージ
ョンに配合される表面活性剤等の分散剤を、乾燥行程で
その深部においても充分に抜き取ることが困難となり、
この分散剤は３００℃を超えるプレス条件下において直
ちに炭化して、基板が炭素分を豊富に含有する状態とな
り、絶縁抵抗の低下を招来し、絶縁板として必要不可欠
な抵抗値の確保が不能となるのみならず、誘電率も上昇
し、高周波回路基板として適用不能となる。
合には、ゲル化したＰＴＦＥの移動距離が大となり、基
板の製造時において空隙部分を完全になくすることが困
難となって、均一な物性値を有する基板の製造が不可能
となり、逆に上述の空隙率が３vol ％未満の場合にはＰ
ＴＦＥ粒子同志が過度に密着し、ＰＴＦＥディスパージ
ョンに配合される表面活性剤等の分散剤を、乾燥行程で
その深部においても充分に抜き取ることが困難となり、
この分散剤は３００℃を超えるプレス条件下において直
ちに炭化して、基板が炭素分を豊富に含有する状態とな
り、絶縁抵抗の低下を招来し、絶縁板として必要不可欠
な抵抗値の確保が不能となるのみならず、誘電率も上昇
し、高周波回路基板として適用不能となる。
【００５４】この発明の請求項２記載の発明によれば、
上記請求項１記載の少なくとも１層の第１プリプレグ４
（上記各実施例ではそれぞれ３層構造）の片面もしくは
両面に金属箔（電解Ｃｕ箔５参照）を配置して積層板６
を構成したので、上述の未焼結のＰＴＦＥ樹脂の効果に
より金属箔の良好な接着性を確保することができる効果
がある。
上記請求項１記載の少なくとも１層の第１プリプレグ４
（上記各実施例ではそれぞれ３層構造）の片面もしくは
両面に金属箔（電解Ｃｕ箔５参照）を配置して積層板６
を構成したので、上述の未焼結のＰＴＦＥ樹脂の効果に
より金属箔の良好な接着性を確保することができる効果
がある。
【００５５】この発明の請求項３記載の発明によれば、
上記請求項２記載の積層板６すなわち金属箔直下に位置
する樹脂層がＰＴＦＥのみの上記積層板を内層板として
用いて多層プリント回路基板を構成するので、二次成型
中（プレス時）の配線回路のスイミング現象（移動）を
防止することができると共に、上述の［表２］からも明
らかなように、完成した多層プリント回路基板の寸法変
化の低減を図ることができる効果がある。
上記請求項２記載の積層板６すなわち金属箔直下に位置
する樹脂層がＰＴＦＥのみの上記積層板を内層板として
用いて多層プリント回路基板を構成するので、二次成型
中（プレス時）の配線回路のスイミング現象（移動）を
防止することができると共に、上述の［表２］からも明
らかなように、完成した多層プリント回路基板の寸法変
化の低減を図ることができる効果がある。
【００５６】この発明の請求項４記載の発明によれば、
上記請求項１記載の第１プリプレグ４の製造に際して、
ガラスクロス等の基材２にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョ
ンを含浸し、このＰＴＦＥ樹脂３の融点３２７℃に対し
て低温条件下で乾燥処理し、上記含浸および乾燥を繰返
して６０〜９６vol ％の樹脂保持量とする方法であるか
ら、この第１プリプレグ４を積層板、多層プリント回路
基板に適用した場合には、厚さ精度が高く、厚さ方向の
線膨張係数が小さく、かつハンダ耐熱性に優れると共
に、異物混入が少なく、さらにはマッドクラックが仮り
に生じても次の含浸時に該マッドクラックを埋めること
ができ、クラックの影響をなくすことができて、樹脂保
持量が６０〜９６vol ％と多く、低誘電率化を達成する
ことができる効果がある。また、第１プリプレグ４の製
造工程に焼結工程を有さないので、基材２の波打ち状の
変形もありえない。
上記請求項１記載の第１プリプレグ４の製造に際して、
ガラスクロス等の基材２にＰＴＦＥ樹脂ディスパージョ
ンを含浸し、このＰＴＦＥ樹脂３の融点３２７℃に対し
て低温条件下で乾燥処理し、上記含浸および乾燥を繰返
して６０〜９６vol ％の樹脂保持量とする方法であるか
ら、この第１プリプレグ４を積層板、多層プリント回路
基板に適用した場合には、厚さ精度が高く、厚さ方向の
線膨張係数が小さく、かつハンダ耐熱性に優れると共
に、異物混入が少なく、さらにはマッドクラックが仮り
に生じても次の含浸時に該マッドクラックを埋めること
ができ、クラックの影響をなくすことができて、樹脂保
持量が６０〜９６vol ％と多く、低誘電率化を達成する
ことができる効果がある。また、第１プリプレグ４の製
造工程に焼結工程を有さないので、基材２の波打ち状の
変形もありえない。
【００５７】この発明の請求項５記載の発明によれば、
上述の内層板６の上下に配置される第２プリプレグ９の
製造に際して、この第２プリプレグ９をＰＴＦＥの第１
層１２と、ＰＴＦＥの第２層１３と、ＰＦＡの第３層１
４との３層構造にし、ＰＴＦＥ第２層１３は焼結するこ
となくＰＴＦＥの融点より低温条件下で乾燥処理して、
ＰＦＡ第３層１４の保持を良好とし、かつＰＦＡ第３層
１４はフィルム介設手段ではなくＰＦＡディスパージョ
ンの含浸、乾燥、焼成により形成するので、この第２プ
リプレグ９を積層板、多層プリント回路基板に適用する
場合に、積層時の高温高圧プレスが可能となる。
上述の内層板６の上下に配置される第２プリプレグ９の
製造に際して、この第２プリプレグ９をＰＴＦＥの第１
層１２と、ＰＴＦＥの第２層１３と、ＰＦＡの第３層１
４との３層構造にし、ＰＴＦＥ第２層１３は焼結するこ
となくＰＴＦＥの融点より低温条件下で乾燥処理して、
ＰＦＡ第３層１４の保持を良好とし、かつＰＦＡ第３層
１４はフィルム介設手段ではなくＰＦＡディスパージョ
ンの含浸、乾燥、焼成により形成するので、この第２プ
リプレグ９を積層板、多層プリント回路基板に適用する
場合に、積層時の高温高圧プレスが可能となる。
【００５８】また、積層プレス時にはＰＴＦＥおよびＰ
ＦＡの各融点より高温かつ高圧条件下で加圧すること
で、厚さ精度が高く、厚さのばらつきが小で、厚さ方向
の線膨張係数が小さく、また金属箔（電解Ｃｕ箔参照）
と第２プリプレグ９との接着力が強く、ハンダ耐熱性お
よび熱衝撃の耐性が共に高く、さらには薬液の浸込みが
なく、低誘電率化を達成することができる効果がある。
ＦＡの各融点より高温かつ高圧条件下で加圧すること
で、厚さ精度が高く、厚さのばらつきが小で、厚さ方向
の線膨張係数が小さく、また金属箔（電解Ｃｕ箔参照）
と第２プリプレグ９との接着力が強く、ハンダ耐熱性お
よび熱衝撃の耐性が共に高く、さらには薬液の浸込みが
なく、低誘電率化を達成することができる効果がある。
【００５９】さらに上述のように高温高圧プレスにより
積層板、多層プリント回路基板を製造すると、層間のボ
イド（小孔）がなく、層間の接合が充分で、第２プリプ
レグ９それ自体の樹脂むらも生じないうえ、ハンダ接着
時等の金属箔の膨れ、層間クラック、層間剥離を防止す
ることができる効果がある。
積層板、多層プリント回路基板を製造すると、層間のボ
イド（小孔）がなく、層間の接合が充分で、第２プリプ
レグ９それ自体の樹脂むらも生じないうえ、ハンダ接着
時等の金属箔の膨れ、層間クラック、層間剥離を防止す
ることができる効果がある。
【００６０】この発明の請求項６記載の発明によれば、
上記請求項４記載の製造方法で製造された第１プリプレ
グ４を内層板６とし、この内層板６の上下に、ＰＦＡも
しくはＦＥＰ等のフッ素樹脂フィルム７または上記請求
項５の製造方法で製造された第２プリプレグ９を配置
し、さらに最外層に金属箔を配置した後に、ＰＴＦＥの
融点より高温かつ高圧状態でプレス成型して多層プリン
ト回路基板を製造するので、完成した多層プリント回路
基板においてガラスクロス基材とＰＴＦＥ樹脂との密着
性が高く、かつ均一な物性値を有し、さらに吸水率、寸
法変化率、ハンダ耐熱性の諸特性に優れた多層プリント
回路基板を得ることができる効果がある。
上記請求項４記載の製造方法で製造された第１プリプレ
グ４を内層板６とし、この内層板６の上下に、ＰＦＡも
しくはＦＥＰ等のフッ素樹脂フィルム７または上記請求
項５の製造方法で製造された第２プリプレグ９を配置
し、さらに最外層に金属箔を配置した後に、ＰＴＦＥの
融点より高温かつ高圧状態でプレス成型して多層プリン
ト回路基板を製造するので、完成した多層プリント回路
基板においてガラスクロス基材とＰＴＦＥ樹脂との密着
性が高く、かつ均一な物性値を有し、さらに吸水率、寸
法変化率、ハンダ耐熱性の諸特性に優れた多層プリント
回路基板を得ることができる効果がある。
【図１】ガラスクロス基材とＰＴＦＥ粒子の関係を示す
説明図。
説明図。
【図２】本発明の多層板用プリプレグの単層構造を示す
断面図。
断面図。
【図３】本発明の多層板用プリプレグの３層構造を示す
断面図。
断面図。
【図４】本発明の積層板を示す断面図。
【図５】比較例１の積層板を示す断面図。
【図６】比較例２の積層板を示す断面図。
【図７】本発明の多層プリント回路基板を示す分解断面
図。
図。
【図８】本発明の多層プリント回路基板の他の実施例を
示す分解断面図。
示す分解断面図。
【図９】第２プリプレグの製造方法を示す工程図。
【図１０】第２プリプレグの断面図。
【図１１】本発明の多層プリント回路基板のさらに他の
実施例を示す分解断面図。
実施例を示す分解断面図。
【図１２】本発明の多層プリント回路基板のさらに他の
実施例を示す分解断面図。
実施例を示す分解断面図。
【図１３】比較例３の多層プリント回路基板を示す分解
断面図。
断面図。
【図１４】比較例４の多層プリント回路基板を示す分解
断面図。
断面図。
【符号の説明】 ２…ガラスクロス基材 ３…ＰＴＦＥ
樹脂 ４…第１プリプレグ ５…電解Ｃｕ
箔 ６…積層板（内層板） ７…ＰＦＡフ
ィルム ９…第２プリプレグ １０，１５…
電解Ｃｕ箔 １１…基材 １２…ＰＴＦ
Ｅ第１層 １３…ＰＴＦＥ第２層 １４…ＰＴＦ
Ｅ第３層
樹脂 ４…第１プリプレグ ５…電解Ｃｕ
箔 ６…積層板（内層板） ７…ＰＦＡフ
ィルム ９…第２プリプレグ １０，１５…
電解Ｃｕ箔 １１…基材 １２…ＰＴＦ
Ｅ第１層 １３…ＰＴＦＥ第２層 １４…ＰＴＦ
Ｅ第３層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ 6921−4Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】ガラスクロス等の基材に未焼結のＰＴＦＥ
樹脂を含浸保持させ、上記ＰＴＦＥ樹脂の空隙率を３〜
１５vol ％とした多層板用プリプレグ。 - 【請求項２】上記請求項１記載の少なくとも１層の多層
板用プリプレグの片面もしくは両面に金属箔を配置した
積層板。 - 【請求項３】上記請求項２記載の積層板を内層板とし、
上記内層板の上下に、ＰＦＡもしくはＦＥＰ等のフッ素
樹脂フィルム、または、基材にＰＴＦＥ樹脂を含浸保持
させその両外層にＰＦＡもしくはＦＥＰが含浸保持され
たプリプレグを配置し、最外層に金属箔が配置された多
層プリント回路基板。 - 【請求項４】上記請求項１記載の多層板用プリプレグの
製造方法であって、ガラスクロス等の基材にＰＴＦＥ樹
脂ディスパージョンを含浸し、上記ＰＴＦＥ樹脂の融点
に対して低温条件下で乾燥処理し、上記含浸および乾燥
を繰返して６０〜９６vol ％の樹脂保持量とする多層板
用プリプレグの製造方法。 - 【請求項５】上記請求項３記載のプリプレグの製造方法
であって、基材にＰＴＦＥディスパージョンを含浸して
乾燥させた後、ＰＴＦＥの融点より高温条件下で焼成
し、上記含浸、乾燥および焼成を繰返して必要樹脂保持
量の第１層を形成する第１工程と、上記第１層の表面に
ＰＴＦＥディスパージョンを含浸した後、ＰＴＦＥの融
点より低温条件下で乾燥させ、上記含浸および乾燥を繰
返して必要樹脂保持量の第２層を形成する第２工程と、
上記第２層の表面にＰＦＡディスパージョンを含浸して
乾燥させた後、該ＰＦＡおよび上記ＰＴＦＥの融点より
高温条件下で焼成し、上記含浸、乾燥および焼成を繰返
して必要樹脂保持量の第３層を形成すると共に、プリプ
レグを形成する第３工程とを備えたプリプレグの製造方
法。 - 【請求項６】上記請求項４記載の製造方法で製造された
プリプレグを内層板とし、この内層板の上下に、ＰＦＡ
もしくはＦＥＰ等のフッ素樹脂フィルムまたは上記請求
項５の製造方法で製造されたプリプレグを配置し、さら
に最外層に金属箔を配置した後に、ＰＴＦＥの融点より
高温かつ高圧状態でプレス成型することを特徴とする多
層プリント回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143848A JP2614190B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143848A JP2614190B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07323501A true JPH07323501A (ja) | 1995-12-12 |
| JP2614190B2 JP2614190B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=15348370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6143848A Expired - Fee Related JP2614190B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614190B2 (ja) |
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- 1994-06-01 JP JP6143848A patent/JP2614190B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2614190B2 (ja) | 1997-05-28 |
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