JPH07307424A - トランジスタリードフレーム - Google Patents
トランジスタリードフレームInfo
- Publication number
- JPH07307424A JPH07307424A JP9633194A JP9633194A JPH07307424A JP H07307424 A JPH07307424 A JP H07307424A JP 9633194 A JP9633194 A JP 9633194A JP 9633194 A JP9633194 A JP 9633194A JP H07307424 A JPH07307424 A JP H07307424A
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- Japan
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- lead frame
- transistor
- punching
- bonding
- semiconductor chip
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】万一、ヒゲバリが発生しても、その長さを短く
抑制することができ、品質の安定したトランジスタリー
ドフレームを安定供給でき、経済的、納期的な欠点を解
消する。 【構成】Ｎｉメッキを施した銅素材から打抜き加工によ
りトランジスタリードフレームを形成する。トランジス
タリードフレームは、平行に並んだ３本のリード１１、
１２、１３と、そのうちの両側のリード１１、１３の先
端にリード幅よりも幅広に設けられたボンディング部１
４、１５と、中央のリード１２の先端に両側のボンディ
ング部１４、１５と対向するように幅広に設けられ半導
体チップ組付部１６とを備える。この半導体チップ組付
部１６の切口面１８と対向するボンディング部１４、１
５の切口面１９に凹凸部２１を設ける。プレス打抜き加
工時、凹凸部２１によりヒゲバリは分断され短くなる。
抑制することができ、品質の安定したトランジスタリー
ドフレームを安定供給でき、経済的、納期的な欠点を解
消する。 【構成】Ｎｉメッキを施した銅素材から打抜き加工によ
りトランジスタリードフレームを形成する。トランジス
タリードフレームは、平行に並んだ３本のリード１１、
１２、１３と、そのうちの両側のリード１１、１３の先
端にリード幅よりも幅広に設けられたボンディング部１
４、１５と、中央のリード１２の先端に両側のボンディ
ング部１４、１５と対向するように幅広に設けられ半導
体チップ組付部１６とを備える。この半導体チップ組付
部１６の切口面１８と対向するボンディング部１４、１
５の切口面１９に凹凸部２１を設ける。プレス打抜き加
工時、凹凸部２１によりヒゲバリは分断され短くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、打抜き加工により形成
したトランジスタリードフレームに係り、特に打抜き時
に発生するヒゲバリを抑制したものに関する。
したトランジスタリードフレームに係り、特に打抜き時
に発生するヒゲバリを抑制したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、トランジスタリードフレームは
打抜加工用金型を用いて形成するが、打抜き時にヒゲバ
リが発生することが多い。これを図２を用いて詳しく説
明しよう。打抜き加工は、ダイ３に載せた打抜き材Ｍを
ストリッパプレート２で抑え、パンチ１により打抜く
（ａ）、（ｂ）。打ち抜かれるトランジスタリードフレ
ームの素材５は、通常、銅系のものが使われ、表面に耐
食性、変色防止のためにＮｉメッキ６が施される。この
Ｎｉメッキ６の施されたフレーム材Ｍに打抜加工を行う
と、たてバリ（打抜きバリ）７が発生する（ｃ）。この
たてバリ７は次の段階でストリッパプレート２とダイプ
レート３で挟まれ、横方向のバリ８となる（ｄ）。この
ときＮｉメッキ６も横方向へたたかれるが、Ｎｉは銅と
比べて硬いので、銅のように伸びずに横方向へ方向転換
するだけである。したがって、さらに次の段階へ送られ
ていくうち、どんどんたたかれて素材（銅）５とのくっ
つきが弱くなり、Ｎｉメッキは遂には剥離する。これが
ヒゲ状のバリ、すなわちヒゲバリ１０となる。なお、Ｉ
Ｃリードフレームは主にプレス打抜き後メッキをするた
め、ヒゲバリはほとんど発生しない。
打抜加工用金型を用いて形成するが、打抜き時にヒゲバ
リが発生することが多い。これを図２を用いて詳しく説
明しよう。打抜き加工は、ダイ３に載せた打抜き材Ｍを
ストリッパプレート２で抑え、パンチ１により打抜く
（ａ）、（ｂ）。打ち抜かれるトランジスタリードフレ
ームの素材５は、通常、銅系のものが使われ、表面に耐
食性、変色防止のためにＮｉメッキ６が施される。この
Ｎｉメッキ６の施されたフレーム材Ｍに打抜加工を行う
と、たてバリ（打抜きバリ）７が発生する（ｃ）。この
たてバリ７は次の段階でストリッパプレート２とダイプ
レート３で挟まれ、横方向のバリ８となる（ｄ）。この
ときＮｉメッキ６も横方向へたたかれるが、Ｎｉは銅と
比べて硬いので、銅のように伸びずに横方向へ方向転換
するだけである。したがって、さらに次の段階へ送られ
ていくうち、どんどんたたかれて素材（銅）５とのくっ
つきが弱くなり、Ｎｉメッキは遂には剥離する。これが
ヒゲ状のバリ、すなわちヒゲバリ１０となる。なお、Ｉ
Ｃリードフレームは主にプレス打抜き後メッキをするた
め、ヒゲバリはほとんど発生しない。
【０００３】トランジスタリードフレームの打抜き加工
にあっては、図３に示すように、特にリード１１の先端
のボンディング部１４の切口面にヒゲバリ２０が発生し
やすく、ヒゲバリ２０はその直線部に沿って発生し、最
大で直線部と同じ長さになる。
にあっては、図３に示すように、特にリード１１の先端
のボンディング部１４の切口面にヒゲバリ２０が発生し
やすく、ヒゲバリ２０はその直線部に沿って発生し、最
大で直線部と同じ長さになる。
【０００４】ヒゲバリが発生すると、隣接するリード等
と接触して短絡事故を起こすためヒゲバリの発生をなく
す必要がある。それには、図４に示すように打抜き時の
パンチ１とダイ３とのクリアランス値ｄが重要となる。
クリアランス値ｄの設定は、実験を度重ねたり、材料の
選択等によって決定する。しかし、その決定に時間、費
用がかかり過ぎるため非常に不経済であり、打抜き加工
用金型の１機当たりの単価も高くなってしまう。
と接触して短絡事故を起こすためヒゲバリの発生をなく
す必要がある。それには、図４に示すように打抜き時の
パンチ１とダイ３とのクリアランス値ｄが重要となる。
クリアランス値ｄの設定は、実験を度重ねたり、材料の
選択等によって決定する。しかし、その決定に時間、費
用がかかり過ぎるため非常に不経済であり、打抜き加工
用金型の１機当たりの単価も高くなってしまう。
【０００５】また、実験等により最良のクリアランス値
を設定しても、量産現場での指定ショット数の打抜き加
工後のパンチ、ダイの表面研磨により、ダイのクリアラ
ンス値は微小ながらも変化するため、再びヒゲバリが発
生してしまうことが多い。
を設定しても、量産現場での指定ショット数の打抜き加
工後のパンチ、ダイの表面研磨により、ダイのクリアラ
ンス値は微小ながらも変化するため、再びヒゲバリが発
生してしまうことが多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】クリアランス値の設定
にもかかわらず、ヒゲバリが数品種にわたり発生する
と、パンチ、ダイの追加工費用、再製作費用や、ヒゲバ
リ発生のために不良となってしまったトランジスタリー
ドフレームの材料費用、加工費用が無駄な費用となり損
害額となる。また、追加工、再製作にかかる時間が納期
遅延につながり顧客への安定供給の妨げとなる。
にもかかわらず、ヒゲバリが数品種にわたり発生する
と、パンチ、ダイの追加工費用、再製作費用や、ヒゲバ
リ発生のために不良となってしまったトランジスタリー
ドフレームの材料費用、加工費用が無駄な費用となり損
害額となる。また、追加工、再製作にかかる時間が納期
遅延につながり顧客への安定供給の妨げとなる。
【０００７】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、万一ヒゲバリが発生しても、その長さを短く
抑制することができ、品質の安定したリードフレームを
経済的かつ安定して供給することが可能なトランジスタ
リードフレームを提供することにある。
を解消し、万一ヒゲバリが発生しても、その長さを短く
抑制することができ、品質の安定したリードフレームを
経済的かつ安定して供給することが可能なトランジスタ
リードフレームを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、打抜き加工に
より形成したトランジスタリードフレームにおいて、ヒ
ゲバリの発生する箇所、または発生の可能性の高い箇所
の切口面に凹凸部を設けたものである。
より形成したトランジスタリードフレームにおいて、ヒ
ゲバリの発生する箇所、または発生の可能性の高い箇所
の切口面に凹凸部を設けたものである。
【０００９】より詳しくは、打抜き加工により形成し
て、平行に並んだ複数本のリードと、そのうちの一部の
リードの先端にリード幅よりも幅広に設けられたボンデ
ィング部と、残りのリードの先端に上記両側のボンディ
ング部と対向するように幅広に設けられ半導体チップ組
付部とを備えたトランジスタリードフレームにおいて、
上記半導体チップ組付部の切口面と対向するボンディン
グ部の切口面に凹凸部を設けたものである。
て、平行に並んだ複数本のリードと、そのうちの一部の
リードの先端にリード幅よりも幅広に設けられたボンデ
ィング部と、残りのリードの先端に上記両側のボンディ
ング部と対向するように幅広に設けられ半導体チップ組
付部とを備えたトランジスタリードフレームにおいて、
上記半導体チップ組付部の切口面と対向するボンディン
グ部の切口面に凹凸部を設けたものである。
【００１０】
【作用】ヒゲバリの発生を抑えるためにクリアランス値
の最適設計を行うが、それでもリードフレームの生産を
重ねるとヒゲバリは発生する。しかし、発生したヒゲバ
リの長さが顧客要求値以下であれば品質的に問題はなく
出荷でき、損害は最小限に抑えられる。ヒゲバリの長さ
を上記値以下に抑えるには、ヒゲバリ発生箇所の直線距
離を短くすればよい。本発明はこのような知見に基づい
てなされたものである。
の最適設計を行うが、それでもリードフレームの生産を
重ねるとヒゲバリは発生する。しかし、発生したヒゲバ
リの長さが顧客要求値以下であれば品質的に問題はなく
出荷でき、損害は最小限に抑えられる。ヒゲバリの長さ
を上記値以下に抑えるには、ヒゲバリ発生箇所の直線距
離を短くすればよい。本発明はこのような知見に基づい
てなされたものである。
【００１１】トランジスタリードフレームのヒゲバリの
発生する箇所、または発生の可能性の高い箇所の切口面
に凹凸部を設けて直線距離を短くしたので、プレス成形
時、万一、ヒゲバリが発生してもヒゲバリは凹凸部によ
り分断されるため、凸部以上の長さのヒゲバリの発生が
抑制できる。
発生する箇所、または発生の可能性の高い箇所の切口面
に凹凸部を設けて直線距離を短くしたので、プレス成形
時、万一、ヒゲバリが発生してもヒゲバリは凹凸部によ
り分断されるため、凸部以上の長さのヒゲバリの発生が
抑制できる。
【００１２】したがって、ヒゲバリが発生してもパン
チ、ダイの追加工、再製作を要せず、ヒゲバリの発生し
たトランジスタリードフレームを無駄にすることがなく
なる。また、追加工、再製作を要しないので納期が早ま
り顧客への安定供給が可能となる。
チ、ダイの追加工、再製作を要せず、ヒゲバリの発生し
たトランジスタリードフレームを無駄にすることがなく
なる。また、追加工、再製作を要しないので納期が早ま
り顧客への安定供給が可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
実施例によるトランジスタリードフレームの平面図を示
し、（ａ）は全体図、（ｂ）は要部拡大図、（ｃ）はヒ
ゲバリ発生箇所の拡大図、（ｄ）はこれをさらに拡大し
た図である。
実施例によるトランジスタリードフレームの平面図を示
し、（ａ）は全体図、（ｂ）は要部拡大図、（ｃ）はヒ
ゲバリ発生箇所の拡大図、（ｄ）はこれをさらに拡大し
た図である。
【００１４】トランジスタリードフレームは、通常、平
行に並んだ３本のリード１１、１２、１３をもつ。その
うちの両側のリード１１、１３の先端にリード幅よりも
やや幅広なボンディング部１４、１５が設けられる。中
央のリード１２の先端には、リード幅よりもさらに幅の
広い半導体チップ組付部１６が設けられ、リード１１、
１３のボンディング部１４、１５と対向する程度の幅を
もつ。半導体チップ組付部１６には取付孔１７が設けら
れる。
行に並んだ３本のリード１１、１２、１３をもつ。その
うちの両側のリード１１、１３の先端にリード幅よりも
やや幅広なボンディング部１４、１５が設けられる。中
央のリード１２の先端には、リード幅よりもさらに幅の
広い半導体チップ組付部１６が設けられ、リード１１、
１３のボンディング部１４、１５と対向する程度の幅を
もつ。半導体チップ組付部１６には取付孔１７が設けら
れる。
【００１５】このようなリード形状をしたトランジスタ
リードフレームは、通常、金型を用いたプレス打抜き加
工により形成される。金型には、特に、トランジスタリ
ードフレームのヒゲバリの発生する箇所、または発生の
可能性の高い箇所に凹凸形状を付ける。経験則によれ
ば、リード先端のボンディング部１４、１４の切口面１
９に当たる直線箇所がそれに該当する。
リードフレームは、通常、金型を用いたプレス打抜き加
工により形成される。金型には、特に、トランジスタリ
ードフレームのヒゲバリの発生する箇所、または発生の
可能性の高い箇所に凹凸形状を付ける。経験則によれ
ば、リード先端のボンディング部１４、１４の切口面１
９に当たる直線箇所がそれに該当する。
【００１６】この凹凸形状を付けた金型を使って打抜き
加工をすると、半導体チップ組付部１６の基端の切口面
１８と対向するボンディング部の切口面１９に凹凸部２
１が設けられる。このように切口面１９に凹凸部２１を
設けると、この部分の直線距離が短くなるので、プレス
成形時、万一ヒゲバリが発生してもヒゲバリ２０は凹凸
部２１により分断されるため、凸部以上の長さのヒゲバ
リの発生が有効に抑制できる。
加工をすると、半導体チップ組付部１６の基端の切口面
１８と対向するボンディング部の切口面１９に凹凸部２
１が設けられる。このように切口面１９に凹凸部２１を
設けると、この部分の直線距離が短くなるので、プレス
成形時、万一ヒゲバリが発生してもヒゲバリ２０は凹凸
部２１により分断されるため、凸部以上の長さのヒゲバ
リの発生が有効に抑制できる。
【００１７】具体的には、リードフレーム材として、表
面にＮｉメッキを施した銅材を用いた。この銅材から、
約１３mm×１０mmの半導体チップ組付部、リード長約
５．２mm、ボンディング部約１．２mm×３．２mmのトラ
ンジスタリードフレームを打抜いた。ボンディング部の
切口面に形成した凹凸のピッチｐは０．５mm、凹凸の段
差ｄは０．１mmである。その結果、ヒゲバリの長さは最
長でも０．３５mmであった。
面にＮｉメッキを施した銅材を用いた。この銅材から、
約１３mm×１０mmの半導体チップ組付部、リード長約
５．２mm、ボンディング部約１．２mm×３．２mmのトラ
ンジスタリードフレームを打抜いた。ボンディング部の
切口面に形成した凹凸のピッチｐは０．５mm、凹凸の段
差ｄは０．１mmである。その結果、ヒゲバリの長さは最
長でも０．３５mmであった。
【００１８】このようにヒゲバリの発生が予想される箇
所、あるいはヒゲバリが発生した箇所の直線部を凹凸形
状にしてやることにより、万一、生産中ヒゲバリが発生
してもヒゲバリの長さをを顧客要求値より小さくするこ
とができるので、要求値以上のヒゲバリの発生は抑制さ
れ、顧客へ安定供給ができるようになる。
所、あるいはヒゲバリが発生した箇所の直線部を凹凸形
状にしてやることにより、万一、生産中ヒゲバリが発生
してもヒゲバリの長さをを顧客要求値より小さくするこ
とができるので、要求値以上のヒゲバリの発生は抑制さ
れ、顧客へ安定供給ができるようになる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、トランジスタリードフ
レームの所定箇所に凹凸部を設けるようにしたので、プ
レス成形時、万一ヒゲバリが発生しても、その長さを短
く抑制できる。したがって、品質の安定したトランジス
タリードフレームを経済的かつ安定して供給することが
できる。
レームの所定箇所に凹凸部を設けるようにしたので、プ
レス成形時、万一ヒゲバリが発生しても、その長さを短
く抑制できる。したがって、品質の安定したトランジス
タリードフレームを経済的かつ安定して供給することが
できる。
【図１】本発明のトランジスタリードフレームの実施例
を説明するための平面図であり、（ａ）は全体図、
（ｂ）は要部拡大図、（ｃ）はその部分拡大図、（ｄ）
はそのＡ部拡大図である。
を説明するための平面図であり、（ａ）は全体図、
（ｂ）は要部拡大図、（ｃ）はその部分拡大図、（ｄ）
はそのＡ部拡大図である。
【図２】ヒゲバリの発生メカニズムの説明図であり、
（ａ）は打抜き加工前、（ｂ）は打抜き加工中、（ｃ）
は打抜き加工後、（ｄ）はたてバリ潰し、（Ｅ）はヒゲ
バリ発生の図である。
（ａ）は打抜き加工前、（ｂ）は打抜き加工中、（ｃ）
は打抜き加工後、（ｄ）はたてバリ潰し、（Ｅ）はヒゲ
バリ発生の図である。
【図３】従来のトランジスタリードフレームに発生した
ヒゲバリの説明図であり、（ａ）は要部拡大図、（ｂ）
はその部分拡大図である。
ヒゲバリの説明図であり、（ａ）は要部拡大図、（ｂ）
はその部分拡大図である。
【図４】一般的なトランジスタリードフレームを製作す
る金型の断面図である。
る金型の断面図である。
１１ リード １２ リード １３ リード １４ ボンディング部 １５ ボンディング部 １６ 半導体チップ組付部 １７ 取付孔 １８ 半導体チップ組付部の切口面 １９ ボンディング部の切口面 ２０ ヒゲバリ ２１ 凹凸部
Claims (2)
- 【請求項１】打抜き加工により形成したトランジスタリ
ードフレームにおいて、ヒゲバリの発生する箇所、また
は発生の可能性の高い箇所の切口面に凹凸部を設けたこ
とを特徴とするトランジスタリードフレーム。 - 【請求項２】打抜き加工により形成して、平行に並んだ
複数本のリードと、そのうちの一部のリードの先端にリ
ード幅よりも幅広に設けられたボンディング部と、残り
のリードの先端に上記両側のボンディング部と対向する
ように幅広に設けられ半導体チップ組付部とを備えたト
ランジスタリードフレームにおいて、上記半導体チップ
組付部の切口面と対向するボンディング部の切口面に凹
凸部を設けたことを特徴とするトランジスタリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9633194A JPH07307424A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | トランジスタリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9633194A JPH07307424A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | トランジスタリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307424A true JPH07307424A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14162038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9633194A Pending JPH07307424A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | トランジスタリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307424A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1207554A1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-05-22 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
| WO2018180255A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US12009287B2 (en) | 2017-03-28 | 2024-06-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with packaging material and metal member protruding from the packaging material |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP9633194A patent/JPH07307424A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1207554A1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-05-22 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
| US6538306B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-03-25 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part |
| EP1207554A4 (en) * | 1999-07-02 | 2008-07-02 | Rohm Co Ltd | ELECTRONIC COMPONENT |
| WO2018180255A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN110520987A (zh) * | 2017-03-28 | 2019-11-29 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 |
| JPWO2018180255A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2020-02-06 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN110520987B (zh) * | 2017-03-28 | 2023-10-27 | 罗姆股份有限公司 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 |
| US12009287B2 (en) | 2017-03-28 | 2024-06-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with packaging material and metal member protruding from the packaging material |
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