JPH0727884B2 - 半導体ウエハの乾燥方法 - Google Patents

半導体ウエハの乾燥方法

Info

Publication number
JPH0727884B2
JPH0727884B2 JP61134750A JP13475086A JPH0727884B2 JP H0727884 B2 JPH0727884 B2 JP H0727884B2 JP 61134750 A JP61134750 A JP 61134750A JP 13475086 A JP13475086 A JP 13475086A JP H0727884 B2 JPH0727884 B2 JP H0727884B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
rotor
cradle
drying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61134750A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62291924A (ja
Inventor
義文 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP61134750A priority Critical patent/JPH0727884B2/ja
Priority to US07/058,934 priority patent/US4777732A/en
Priority to FR878707983A priority patent/FR2606498B1/fr
Priority to KR1019870005934A priority patent/KR960000951B1/ko
Publication of JPS62291924A publication Critical patent/JPS62291924A/ja
Publication of JPH0727884B2 publication Critical patent/JPH0727884B2/ja
Priority to US09/451,128 priority patent/USRE37627E1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハの乾燥方法に係り、特に、シリ
コンウエハの洗浄における乾燥工程において使用する、
遠心乾燥装置における半導体ウエハの乾燥方法に関する
ものである。
(従来の技術) 従来の半導体ウエハの乾燥方法を第2図乃至第4図を用
いて説明する。
第2図は従来の半導体ウエハ遠心乾燥装置の構成図であ
り、第2図(a)は半導体ウエハが収納されたキャリア
の斜視図、第2図(b)はその半導体ウエハ遠心乾燥装
置の一部破断斜視図である。第3図は従来の半導体ウエ
ハ遠心乾燥装置のロータ構成図であり、第3図(a)は
その上面図、第3図(b)はその部分側面図である。こ
の第3図(b)においては、クレードルの垂直回転移動
をも示している。第4図は従来の半導体ウエハ乾燥状態
の説明図である。
第2図において、1はシリコンウエハ(以下、ウエハと
いう)であり、このウエハ1はキャリア2に彫設される
カギ状のキャリア溝(キャリアの溝)3に収納される。
なお、このキャリア溝3はウエハの厚さの2乃至3倍の
寸法を有しており、ウエハのキャリアへのロード或いは
アンロードを容易にするものである。
4は円筒状の容器、5はその容器4の中に設けられるス
テンレス製のケース(以下、クレードルという)であ
り、これはウエハ1が装填されたキャリア2を固定する
ために設けられている。6はクレードル5を回転できる
ように、ロータ回転軸7と一体になっているロータであ
り、この回転軸7の下にはモータ8があり、このモータ
8の駆動により、ロータ6が回転し、遠心力によってウ
エハ上の水分が飛散するように構成されている。
第3図において、ロータ6は容器(第2図参照)4内に
収納され、ロータ6の上部は開口しており、容器4の蓋
に設けられたフィルタ(図示なし)を通して、クリーン
エアーをロータ6内に取り込み、遠心力と共に気流をガ
イドとなる壁6−1に向かわせ脱水する。5−1はクレ
ードル5をロータ6に固定するためのクレードル枢支軸
であり、このクレードル枢支軸5−1を回転中心とし
て、クレードル5は約90゜回転可能である。即ち、第3
図(b)の点線の位置Aがロータ静止時、つまり、キャ
リア2をクレードル5に装填する際のクレードルの位置
であり、第3図(b)の実線の位置Bがロータ回転時の
クレードル位置である。このクレードル位置Bはクレー
ドルストッパ9によって決定されるが、この位置は従来
ではウエハ面とロータ回転面とが平行を成す位置に設定
されていた。
なお、この種の従来技術として、例えば、特開昭59−36
930号公報、特開昭57−160130号公報、昭56−8823号公
報等が挙げられる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、以上述べた従来のウエハの遠心乾燥方法
では、第第3図及び第4図に示されるように、ウエハ面
と略平行に遠心力が加わるために、ウエハはキャリア溝
に安定的に固定されず、ロータ回転によって発生する
風、或いはクレードル振動により第4図の点線に示され
るように、ウエハが振動する。このため、ウエハとキャ
リア溝との接触部から塵埃が発生する。また、ウエハの
振動によって、ウエハの周辺気流11が不安定となり、気
流による水分除去効果が小さくなり、ウエハの乾燥にお
いて満足できるものではなかった。
本発明は、以上述べたウエハの振動を阻止して、塵埃発
生を低下させ、また、水分除去効果を向上し得る半導体
ウエハの乾燥方法を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解決するために、半導体ウエハ
の乾燥方法において、半導体ウエハ乾燥装置のロータ回
転時にロータ回転面と半導体ウエハ面とのなす角がロー
タの半径方向に対して2.5゜乃至30゜未満の範囲にある
ように半導体ウエハを半導体ウエハ乾燥装置に装着し、
半導体ウエハが収納されるキャリアの溝内での半導体ウ
エハの振動を阻止するとともに半導体ウエハに遠心力を
作用させて乾燥させるようにしたものである。
その半導体ウエハの傾きはウエハキャリアが収納される
クレドールを傾けることによっても実現することがで
き、また、出入口を上方にして、斜めに溝が切られた収
納棚を有するウエハキャリアを用いることによっても行
うことができる。
(作用) 本発明によれば、半導体ウエハの乾燥方法において、半
導体ウエハの乾燥装置のロータ回転時に、ロータ回転面
と半導体ウエハ面とがロータの半径方向に対して2.5゜
〜30゜未満の角度を成すように半導体ウエハを傾けてス
ピン乾燥させるので、ロータ回転時の遠心力によって半
導体ウエハがキャリアの溝に安定的に固定され、半導体
ウエハが収納されるキャリアの溝内での半導体ウエハの
振動が防止される。
従って、ウエハ周辺の気流は安定し、ウエハの水分除去
効果を高めることができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体ウエハの乾燥を
行うための乾燥装置の要部構成図である。
この図において、21はロータ回転時のクレードル位置決
めスペーサであり、このスペーサ21はキャリア2の底面
に固定されており、クレードルストッパ9に当接し、ロ
ータ回転軸7に垂直な面と半導体ウエハ面10とが角度
θ、例えば、11゜だけロータの半径方向に傾きを保ち、
半導体ウエハ(以下、単にウエハという)1が装填され
たキャリア2が保持される。これによってロータ回転時
にこの角度θを保ちつつ、ウエハが回転し脱水乾燥させ
る。なお、この図において、点線の位置Aがロータ静止
時、つまり、キャリア2をクレードル5に装填する際の
クレードルの位置を、実線の位置Bがロータ回転時のク
レードル位置をそれぞれ示している。
この実施例においては、このスペーサ21はキャリア2の
底面に固定しておき、クレードルストッパ9に当接する
ようにしているが、スペーサ21はロータ6側に固定する
ようにしてもよい。また、クレードルストッパ9の位置
を調整できるようにして角度θをバリアブルにしたり、
クレードル5の懸垂の仕方を変えたりすることにより、
種々の変形が可能である。
更に、キャリア溝の出入口が上向きになるように傾斜し
た収納棚を有するキャリア(図示なし)を用意し、この
キャリアをクレードルに装着するようにしてもよい。
要するに、ウエハがキャリアの溝内で振動を生じるのを
阻止(防止)すべき角度に、ロータ回転面に対してウエ
ハ面をロータの半径方向に傾斜させるようにすると良
い。
この角度θを設けたことにより、第5図に示されるよう
に、ウエハ面10に対して傾きを持った遠心力がウエハに
加えられ、ウエハがキャリア溝3に安定に固定されてウ
エハ1の振動が阻止される。その結果、ウエハ1とキャ
リア溝3との接触部からの塵埃発生が低下することにな
る。また、ウエハの振動が阻止されることにより、ウエ
ハ1の周辺部の気流11が安定し、その気流11によるウエ
ハ1の水分除去効果が高まる。
この角度θはロータ回転速度が1000回転/分で回転軸と
ウエハ重心との距離が190mmの場合は、ウエハに加わる
遠心力でウエハの振動を阻止するためには、2.5゜以上
が必要である。
また、30゜以上の傾きになると、気流がブロックされ、
ウエハの背面の乾燥状態も悪くなる(従来のウエハ乾燥
装置の寸法では30゜以上の傾きになると、クレードル5
が一部装置内壁に接触する)。
従って、角度θは2.5゜から30゜未満が適当である。
なお、実験によれば、ウエハ振動を阻止するために必要
な最小角度θminとロータの回転数は次の通りである。
このように、ウエハの遠心乾燥装置を構成した場合、例
えば、第1図に示すロータに125mmφのウエハを装填
し、1000回転/分にて70秒間回転する際に、クレードル
位置決めスペーサ21によって、ロータ回転面とウエハ面
10とが11゜を成すようにした本発明の実施例の場合と従
来方法の場合とを比較すると以下のようになる。
(a)塵埃効果 ここでは、ウエハ上欠陥検査機によって、0.3μmφ以
上の粒子数を評価した。その結果、 (1)従来の方法においては、 ロータの回転にてウエハ上に付着する粒子平均数=31.5
個/ウエハ(n=12)であり、 (2)本発明の方法においては、 ロータの回転にてウエハ上に付着する粒子平均数=24.3
個/ウエハ(n=12)であった。
なお、傾けるウエハは素子形成面を上向きにすると、こ
の素子形成面に当たる風量が減少するために、それだけ
塵埃の付着量を減少させることができる。
(b)水分除去効果 第6図及び第7図はロータを5回連続して回転し、その
内の水滴発生残り発生度数をヒストグラム表示したもの
である。
その結果、従来方法においては、第6図に示されるよう
に、乾燥に150秒要するのに対し、本発明の方法によれ
ば、第7図に示されるように、50秒で乾燥可能である。
従って、上記(a),(b)の理由により、半導体装置
の歩留まりの向上、生産性の向上を図ることができるも
のである。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果) 以上、詳細に示されるように、本発明によれば、半導体
ウエハの乾燥方法において、ウエハ乾燥装置のロータ回
転時にロータ回転面とウエハ面がなす角が2.5゜乃至30
゜未満の範囲にあるように、ロータの半径方向に対して
ウエハをウエハ乾燥装置に装着し、該ウエハに遠心力を
作用させて乾燥させるようにしたので、ロータ回転時の
遠心力によって、ウエハがキャリア溝に安定的に固定さ
れ、ウエハの振動が阻止されると共に、ウエハ周辺の気
流は安定し、ウエハの水分除去効果を高めることができ
る。
従って、半導体装置の歩留まり向上、生産性の向上に貢
献できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す半導体ウエハの乾燥を
行うための遠心乾燥装置の要部構成図、第2図は従来の
半導体ウエハ遠心乾燥装置の構成図、第3図は従来の半
導体ウエハ遠心乾燥装置のロータ構成図、第4図は従来
の半導体ウエハ乾燥状態の説明図、第5図は本発明の半
導体ウエハ乾燥状態の説明図、第6図は従来の半導体ウ
エハ乾燥方法による乾燥能力の説明図、第7図は本発明
の半導体ウエハ乾燥方法による乾燥能力の説明図であ
る。 1……ウエハ、2……キャリア、3……キャリア溝、4
……容器、5……クレードル、5−1……クレードル枢
支軸、6……ロータ、6−1……壁、7……ロータ回転
軸、θ……ロータ回転面とウエハ面とのなす角度、8…
…モータ、9……クレードルストッパ、10……半導体ウ
エハ面、11……気流、21……クレードル位置決めスペー
サ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハ乾燥装置のロータ回転時にロ
    ータ回転面と半導体ウエハ面とのなす角がロータの半径
    方向に対して2.5゜乃至30゜未満の範囲にあるように半
    導体ウエハを半導体ウエハ乾燥装置に装着し、半導体ウ
    エハが収納されるキャリアの溝内での半導体ウエハの振
    動を阻止するとともに半導体ウエハに遠心力を作用させ
    て乾燥させることを特徴とする半導体ウエハの乾燥方
    法。
JP61134750A 1986-06-12 1986-06-12 半導体ウエハの乾燥方法 Expired - Lifetime JPH0727884B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61134750A JPH0727884B2 (ja) 1986-06-12 1986-06-12 半導体ウエハの乾燥方法
US07/058,934 US4777732A (en) 1986-06-12 1987-06-05 Wafer centrifugal drying apparatus
FR878707983A FR2606498B1 (fr) 1986-06-12 1987-06-09 Procede et appareil de sechage de plaquettes par centrifugation
KR1019870005934A KR960000951B1 (ko) 1986-06-12 1987-06-11 웨이퍼의 원심건조방법 및 장치
US09/451,128 USRE37627E1 (en) 1986-06-12 1999-11-30 Wafer centrifugal drying apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61134750A JPH0727884B2 (ja) 1986-06-12 1986-06-12 半導体ウエハの乾燥方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62291924A JPS62291924A (ja) 1987-12-18
JPH0727884B2 true JPH0727884B2 (ja) 1995-03-29

Family

ID=15135697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61134750A Expired - Lifetime JPH0727884B2 (ja) 1986-06-12 1986-06-12 半導体ウエハの乾燥方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0727884B2 (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6117732U (ja) * 1984-07-07 1986-02-01 関西日本電気株式会社 遠心乾燥機

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62291924A (ja) 1987-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960000951B1 (ko) 웨이퍼의 원심건조방법 및 장치
KR900001231B1 (ko) 기판의 회전 건조 장치
US4637146A (en) Spin dryer
JP2709568B2 (ja) ダウンフロー型スピンドライヤ
JP2604561B2 (ja) ウェーハ乾燥装置
JPH0727884B2 (ja) 半導体ウエハの乾燥方法
JPH0727885B2 (ja) 半導体ウエハ遠心乾燥装置
JP2000337768A (ja) ワークの遠心乾燥装置
JPH0845894A (ja) ウェーハ乾燥装置
JPH07176512A (ja) スピンドライヤー装置
JP3191222B2 (ja) 回転乾燥装置
JP3184311B2 (ja) スピンチャック
KR100615083B1 (ko) 스핀 코터 및 이를 이용한 웨이퍼 에지 포토레지스트 제거방법
JPH04343224A (ja) スピンナクランパ
JP3141837B2 (ja) 回転式乾燥装置及び回転式乾燥方法
JPH06229672A (ja) 遠心乾燥機
JPH051074Y2 (ja)
JPS6253942B2 (ja)
JPH09260338A (ja) 回転塗布装置
JP2000111249A (ja) 公転式スピン乾燥機
JP2913607B2 (ja) 処理方法
JPH07226390A (ja) スピン乾燥装置
JPS6032325A (ja) 半導体ウエハの乾燥方法
JPS63310655A (ja) 遠心乾燥装置
JPS62154634A (ja) 基板遠心回転乾燥装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term