JPH09260338A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
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- JPH09260338A JPH09260338A JP9047196A JP9047196A JPH09260338A JP H09260338 A JPH09260338 A JP H09260338A JP 9047196 A JP9047196 A JP 9047196A JP 9047196 A JP9047196 A JP 9047196A JP H09260338 A JPH09260338 A JP H09260338A
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- Japan
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- wafer
- spinner
- cup
- substrate
- processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハを回転させて処理液及び純水により処
理した後のウエハの回転による乾燥時に、ウエハから飛
散したミストが乾燥したウエハ上に再付着することを防
止する。 【解決手段】 内側カップ２内でチャック３ａ上のウエ
ハ６を低速回転させながらウエハ６上に処理液を広げ、
ウエハ６を中速回転にして純水により処理液を除去す
る。このとき排気ダクト４のダンパー４ａは閉じられて
いて、ウエハ６から飛散した処理液や純水は整流板２ａ
により内側カップ２の下方へ流されてドレン７に流され
る。次にウエハ６を高速回転させると、チャック軸３ｂ
に設けたフィン３ｅが揚力を発生し、チャック３ａ即ち
ウエハ６が外側カップ１の位置に上昇し、この状態でウ
エハ６を乾燥させる。外側カップ１内は排気ダクト４に
より排気されていて、ウエハ６から飛散する純水のミス
トは外側カップ１内で下方へ排気され、途中の整流板１
ａに付着してドレン７に流される。
理した後のウエハの回転による乾燥時に、ウエハから飛
散したミストが乾燥したウエハ上に再付着することを防
止する。 【解決手段】 内側カップ２内でチャック３ａ上のウエ
ハ６を低速回転させながらウエハ６上に処理液を広げ、
ウエハ６を中速回転にして純水により処理液を除去す
る。このとき排気ダクト４のダンパー４ａは閉じられて
いて、ウエハ６から飛散した処理液や純水は整流板２ａ
により内側カップ２の下方へ流されてドレン７に流され
る。次にウエハ６を高速回転させると、チャック軸３ｂ
に設けたフィン３ｅが揚力を発生し、チャック３ａ即ち
ウエハ６が外側カップ１の位置に上昇し、この状態でウ
エハ６を乾燥させる。外側カップ１内は排気ダクト４に
より排気されていて、ウエハ６から飛散する純水のミス
トは外側カップ１内で下方へ排気され、途中の整流板１
ａに付着してドレン７に流される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の回転
により基板上に液体を塗布してから乾燥させる回転塗布
装置に関し、例えば半導体ウエハにおけるアルミニウム
配線パターンを加工するドライエッチング後の防蝕処理
装置等に最適なものである。
により基板上に液体を塗布してから乾燥させる回転塗布
装置に関し、例えば半導体ウエハにおけるアルミニウム
配線パターンを加工するドライエッチング後の防蝕処理
装置等に最適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の防蝕処理装置は、処理カップ内に
配置したスピンナー上面にウエハを保持させ、この状態
でウエハ中心にノズルより適量の処理液を滴下すると共
に、スピンナーによりウエハを低速回転させ、回転によ
り生じる遠心力によって処理液をウエハ表面に均一に広
げて処理する。
配置したスピンナー上面にウエハを保持させ、この状態
でウエハ中心にノズルより適量の処理液を滴下すると共
に、スピンナーによりウエハを低速回転させ、回転によ
り生じる遠心力によって処理液をウエハ表面に均一に広
げて処理する。
【０００３】次に、回転するウエハ上に純水を滴下して
前記処理液を除去し、前記純水の滴下を停止してスピン
ナーによりウエハを高速回転させ、ウエハを乾燥させ
る。このとき、ウエハから飛散した処理液や純水等のミ
ストが排気ダクト内へ混入することを防ぐために、前記
処理カップ内は排気していない。
前記処理液を除去し、前記純水の滴下を停止してスピン
ナーによりウエハを高速回転させ、ウエハを乾燥させ
る。このとき、ウエハから飛散した処理液や純水等のミ
ストが排気ダクト内へ混入することを防ぐために、前記
処理カップ内は排気していない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は、ウエハ処理時
に処理カップ内の排気を行っていないため、ウエハ回転
による処理カップ内の大気の乱流によって、ウエハから
飛散した処理液や純水等のミストが乾燥したウエハ上に
再付着するという問題があった。
に処理カップ内の排気を行っていないため、ウエハ回転
による処理カップ内の大気の乱流によって、ウエハから
飛散した処理液や純水等のミストが乾燥したウエハ上に
再付着するという問題があった。
【０００５】そこで本発明は、上記事情に基づいてなさ
れたものであり、基板処理時に基板から飛散したミスト
が基板上に再付着することのない回転塗布装置を提供す
ることを目的とする。
れたものであり、基板処理時に基板から飛散したミスト
が基板上に再付着することのない回転塗布装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、処理カップ内に設けたスピンナー上に半
導体基板を載置し、この基板上に液体を滴下して前記ス
ピンナーにより基板を回転させ、この回転に伴う遠心力
で液体を基板上に広げて処理し、連続して前記スピンナ
ーにより基板を回転させて遠心力で基板表面を乾燥させ
る回転塗布装置であって、前記処理カップ内で液体処理
時と乾燥時とにおける前記スピンナーの鉛直方向の位置
を変えるスピンナー位置変更手段と、乾燥時の前記スピ
ンナーの位置に対応して前記処理カップ内の一部を排気
可能にする排気手段と、を備えることを特徴とする。ま
た、前記の回転塗布装置において、前記スピンナー位置
変更手段が、モータに対してスピンナー軸を回転力伝達
可能かつ昇降自在に連結する連結部と、前記スピンナー
軸に設けられた揚力発生フィンとを有し、前記フィンを
所定回転数以上で回転させた際の揚力によって前記スピ
ンナーを上昇させることを特徴とする。また、前記の回
転塗布装置において、前記処理カップが、前記液体処理
時に前記基板が位置する内側カップと、この内側カップ
の外方を囲み前記乾燥時に前記基板が位置する外側カッ
プとによって構成され、前記排気手段が、前記外側カッ
プ内の排気を常時行うと共に、前記内側カップ内の排気
を前記液体処理時に遮断するように構成されていること
を特徴とする。
に、本発明は、処理カップ内に設けたスピンナー上に半
導体基板を載置し、この基板上に液体を滴下して前記ス
ピンナーにより基板を回転させ、この回転に伴う遠心力
で液体を基板上に広げて処理し、連続して前記スピンナ
ーにより基板を回転させて遠心力で基板表面を乾燥させ
る回転塗布装置であって、前記処理カップ内で液体処理
時と乾燥時とにおける前記スピンナーの鉛直方向の位置
を変えるスピンナー位置変更手段と、乾燥時の前記スピ
ンナーの位置に対応して前記処理カップ内の一部を排気
可能にする排気手段と、を備えることを特徴とする。ま
た、前記の回転塗布装置において、前記スピンナー位置
変更手段が、モータに対してスピンナー軸を回転力伝達
可能かつ昇降自在に連結する連結部と、前記スピンナー
軸に設けられた揚力発生フィンとを有し、前記フィンを
所定回転数以上で回転させた際の揚力によって前記スピ
ンナーを上昇させることを特徴とする。また、前記の回
転塗布装置において、前記処理カップが、前記液体処理
時に前記基板が位置する内側カップと、この内側カップ
の外方を囲み前記乾燥時に前記基板が位置する外側カッ
プとによって構成され、前記排気手段が、前記外側カッ
プ内の排気を常時行うと共に、前記内側カップ内の排気
を前記液体処理時に遮断するように構成されていること
を特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明においては、スピンナーにより半導体基
板を回転させて液体を基板上に広げる液体処理時、例え
ば基板上に処理液を広げてから純水により処理液を除去
する時に対して、基板を回転させて基板表面を乾燥させ
る乾燥時には、スピンナー位置変更手段によって処理カ
ップ内でのスピンナーの鉛直方向の位置が変えられ、こ
の位置に対応して排気手段によって処理カップ内の一部
が排気される。これにより、基板から飛散した処理液や
純水等のミストが乾燥した基板表面に再付着することな
く、基板の良好な処理が可能となる。
板を回転させて液体を基板上に広げる液体処理時、例え
ば基板上に処理液を広げてから純水により処理液を除去
する時に対して、基板を回転させて基板表面を乾燥させ
る乾燥時には、スピンナー位置変更手段によって処理カ
ップ内でのスピンナーの鉛直方向の位置が変えられ、こ
の位置に対応して排気手段によって処理カップ内の一部
が排気される。これにより、基板から飛散した処理液や
純水等のミストが乾燥した基板表面に再付着することな
く、基板の良好な処理が可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による回転塗布装置
を半導体ウエハの防蝕処理装置に適用した実施の形態に
ついて図１を参照して説明する。図１は装置の概略断面
図である。
を半導体ウエハの防蝕処理装置に適用した実施の形態に
ついて図１を参照して説明する。図１は装置の概略断面
図である。
【０００９】図１に示すように、この装置は、半導体基
板であるウエハ６を内部に収容可能な内側カップ２と、
この内側カップ２の外方を囲む外側カップ１と、ウエハ
６を保持して回転させる回転機構３と、ウエハ６の表面
中心上に処理液や純水を滴下するノズル５と、内側カッ
プ２内と外側カップ１内とを排気する排気ダクト４とを
備えて構成されている。
板であるウエハ６を内部に収容可能な内側カップ２と、
この内側カップ２の外方を囲む外側カップ１と、ウエハ
６を保持して回転させる回転機構３と、ウエハ６の表面
中心上に処理液や純水を滴下するノズル５と、内側カッ
プ２内と外側カップ１内とを排気する排気ダクト４とを
備えて構成されている。
【００１０】内側カップ２は、その内周に整流板２ａが
設けられていると共に、上方に開口部２ｂを有してい
る。ウエハ６から飛散した処理液や純水は、整流板２ａ
によって内側カップ２の下方に流され、ドレン７より廃
液される。
設けられていると共に、上方に開口部２ｂを有してい
る。ウエハ６から飛散した処理液や純水は、整流板２ａ
によって内側カップ２の下方に流され、ドレン７より廃
液される。
【００１１】外側カップ１は、その内周と内側カップ２
の外周とに整流板１ａが設けられていると共に、上方に
開口部１ｂを有している。ウエハ６から飛散した純水の
ミストは、排気ダクト４によって排気され、その途中、
整流板１ａに付着してドレン７に流される。
の外周とに整流板１ａが設けられていると共に、上方に
開口部１ｂを有している。ウエハ６から飛散した純水の
ミストは、排気ダクト４によって排気され、その途中、
整流板１ａに付着してドレン７に流される。
【００１２】排気ダクト４は、外側カップ１内を常時排
気しているが、処理液及び純水での処理中はダンパー４
ａが閉じられ、内側カップ２内の排気は行われない。
気しているが、処理液及び純水での処理中はダンパー４
ａが閉じられ、内側カップ２内の排気は行われない。
【００１３】回転機構３は、ウエハ６を例えば真空吸着
により保持するスピンナーであるチャック３ａと、その
チャック軸３ｂと、回転駆動用のモータ３ｃと、チャッ
ク軸３ｂ及びモータ３ｃを連結する連結器３ｄとからな
る。連結器３ｄは、モータ３ｃの回転力をチャック軸３
ｂに伝達可能にすると共に、チャック軸３ｂを鉛直方向
に所定の距離で自在にスライドするように支持してい
る。チャック軸３ｂにはフィン３ｅが設けられ、このフ
ィン３ｅは、所定の回転数以上になると空気を下側に送
ることにより、上方向への揚力を発生するように構成さ
れている。
により保持するスピンナーであるチャック３ａと、その
チャック軸３ｂと、回転駆動用のモータ３ｃと、チャッ
ク軸３ｂ及びモータ３ｃを連結する連結器３ｄとからな
る。連結器３ｄは、モータ３ｃの回転力をチャック軸３
ｂに伝達可能にすると共に、チャック軸３ｂを鉛直方向
に所定の距離で自在にスライドするように支持してい
る。チャック軸３ｂにはフィン３ｅが設けられ、このフ
ィン３ｅは、所定の回転数以上になると空気を下側に送
ることにより、上方向への揚力を発生するように構成さ
れている。
【００１４】次に、上記のように構成された装置におけ
る動作について説明する。まず、処理開始前、回転機構
３のチャック３ａは自重により下降しており、内側カッ
プ２の最上位の整流板２ａより下側の位置Ｂにある。こ
のチャック３ａ上にウエハ６を例えば真空吸着にて保持
させ、ノズル５より所定量の処理液を滴下しながら、回
転機構３を低速、例えば１０〜５０ｒｐｍにて回転さ
せ、遠心力により処理液をウエハ６表面上に広げ、所定
の時間処理する。
る動作について説明する。まず、処理開始前、回転機構
３のチャック３ａは自重により下降しており、内側カッ
プ２の最上位の整流板２ａより下側の位置Ｂにある。こ
のチャック３ａ上にウエハ６を例えば真空吸着にて保持
させ、ノズル５より所定量の処理液を滴下しながら、回
転機構３を低速、例えば１０〜５０ｒｐｍにて回転さ
せ、遠心力により処理液をウエハ６表面上に広げ、所定
の時間処理する。
【００１５】次に、回転を停止し、ノズル５から純水を
滴下しながら、回転機構３を中速、例えば１００〜１０
００ｒｐｍにて回転させて、ウエハ６表面の処理液を純
水によって所定時間洗浄する。遠心力によりウエハ６か
ら飛散した処理液や純水は、整流板２ａにより内側カッ
プ２の下方に流される。このとき、排気ダクト４内への
処理液や純水の混入を防ぐために、排気ダクト４のダン
パー４ａは閉じられている。
滴下しながら、回転機構３を中速、例えば１００〜１０
００ｒｐｍにて回転させて、ウエハ６表面の処理液を純
水によって所定時間洗浄する。遠心力によりウエハ６か
ら飛散した処理液や純水は、整流板２ａにより内側カッ
プ２の下方に流される。このとき、排気ダクト４内への
処理液や純水の混入を防ぐために、排気ダクト４のダン
パー４ａは閉じられている。
【００１６】次に、ノズル５からの純水滴下を停止し、
回転機構３を高速回転、例えば２０００ｒｐｍにしてウ
エハ６の乾燥を行う。このとき、フィン３ｅは１０００
ｒｐｍ以上にて上方向への揚力が大きくなり、フィン３
ｅとチャック軸３ｂとチャック３ａとが一体的に上昇、
即ちウエハ６の高さが位置Ｂから位置Ａへと自動的に移
動される。さらに、回転機構３の回転数を上げ、例えば
４０００ｒｐｍにて所定の時間ウエハ６を回転させ、乾
燥させる。
回転機構３を高速回転、例えば２０００ｒｐｍにしてウ
エハ６の乾燥を行う。このとき、フィン３ｅは１０００
ｒｐｍ以上にて上方向への揚力が大きくなり、フィン３
ｅとチャック軸３ｂとチャック３ａとが一体的に上昇、
即ちウエハ６の高さが位置Ｂから位置Ａへと自動的に移
動される。さらに、回転機構３の回転数を上げ、例えば
４０００ｒｐｍにて所定の時間ウエハ６を回転させ、乾
燥させる。
【００１７】この位置Ａにおいて、外側カップ１内は排
気ダクト４により排気されているために、ウエハ６から
飛散する純水のミストは、外側カップ１内で下方へ排気
され、途中に設けた整流板１ａに付着してドレン７に流
される。
気ダクト４により排気されているために、ウエハ６から
飛散する純水のミストは、外側カップ１内で下方へ排気
され、途中に設けた整流板１ａに付着してドレン７に流
される。
【００１８】次に、ウエハ６の乾燥が完了すると、回転
機構３の回転を停止させることにより、フィン３ｅによ
る揚力発生がなくなり、チャック３ａ即ちウエハ６の高
さも位置Ａから位置Ｂへ移動復帰される。
機構３の回転を停止させることにより、フィン３ｅによ
る揚力発生がなくなり、チャック３ａ即ちウエハ６の高
さも位置Ａから位置Ｂへ移動復帰される。
【００１９】以上により、ウエハ６の処理液及び純水に
よる処理から乾燥までの一連の動作が完了する。このよ
うに、ウエハ６上に処理液を広げてから純水により処理
液を除去する液体処理時に対して、ウエハ６表面を乾燥
させる乾燥時には、チャック３ａの上昇によってウエハ
６の位置が内側カップ２内から外側カップ１内に変更さ
れ、この位置に対応して外側カップ１内が排気されるの
で、ウエハ６から飛散した純水のミストが乾燥したウエ
ハ６表面に再付着することを防ぐことができる。
よる処理から乾燥までの一連の動作が完了する。このよ
うに、ウエハ６上に処理液を広げてから純水により処理
液を除去する液体処理時に対して、ウエハ６表面を乾燥
させる乾燥時には、チャック３ａの上昇によってウエハ
６の位置が内側カップ２内から外側カップ１内に変更さ
れ、この位置に対応して外側カップ１内が排気されるの
で、ウエハ６から飛散した純水のミストが乾燥したウエ
ハ６表面に再付着することを防ぐことができる。
【００２０】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、実施形態では、チャックの昇
降動作を行う回転機構において、チャック軸に設けたフ
ィンの回転による揚力を用いたが、チャックの昇降動作
は例えばバネ付勢やピストン駆動等の機械的な構成でも
可能である。
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、実施形態では、チャックの昇
降動作を行う回転機構において、チャック軸に設けたフ
ィンの回転による揚力を用いたが、チャックの昇降動作
は例えばバネ付勢やピストン駆動等の機械的な構成でも
可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板を回転させて処理液や純水等により処理する
液体処理時と、引き続き基板を回転させて基板表面を乾
燥させる乾燥時とで、処理カップ内での基板の位置を変
更し、その乾燥時には対応する処理カップ内を排気可能
にすることによって、基板から飛散した処理液や純水等
のミストが基板上に再付着することを未然に防止するこ
とができ、基板の処理を極めて良好に行うことができ
る。
半導体基板を回転させて処理液や純水等により処理する
液体処理時と、引き続き基板を回転させて基板表面を乾
燥させる乾燥時とで、処理カップ内での基板の位置を変
更し、その乾燥時には対応する処理カップ内を排気可能
にすることによって、基板から飛散した処理液や純水等
のミストが基板上に再付着することを未然に防止するこ
とができ、基板の処理を極めて良好に行うことができ
る。
【図１】本発明による回転塗布装置を半導体ウエハの防
蝕処理装置に適用した実施の形態における装置の概略断
面図である。
蝕処理装置に適用した実施の形態における装置の概略断
面図である。
１ 外側カップ １ａ 整流板 １ｂ 開口部 ２ 内側カップ ２ａ 整流板 ２ａ 開口部 ３ 回転機構 ３ａ チャック ３ｂ チャック軸 ３ｃ モータ ３ｄ 連結器 ３ｅ フィン ４ 排気ダクト ４ａ ダンパー ５ ノズル ６ ウエハ ７ ドレン Ａ 乾燥時のウエハ位置 Ｂ 液体処理時のウエハ位置
Claims (3)
- 【請求項１】 処理カップ内に設けたスピンナー上に半
導体基板を載置し、この基板上に液体を滴下して前記ス
ピンナーにより基板を回転させ、この回転に伴う遠心力
で液体を基板上に広げて処理し、連続して前記スピンナ
ーにより基板を回転させて遠心力で基板表面を乾燥させ
る回転塗布装置であって、 前記処理カップ内で液体処理時と乾燥時とにおける前記
スピンナーの鉛直方向の位置を変えるスピンナー位置変
更手段と、乾燥時の前記スピンナーの位置に対応して前
記処理カップ内の一部を排気可能にする排気手段と、を
備えることを特徴とする回転塗布装置。 - 【請求項２】 前記スピンナー位置変更手段が、モータ
に対してスピンナー軸を回転力伝達可能かつ昇降自在に
連結する連結部と、前記スピンナー軸に設けられた揚力
発生フィンとを有し、前記フィンを所定回転数以上で回
転させた際の揚力によって前記スピンナーを上昇させる
ことを特徴とする請求項１記載の回転塗布装置。 - 【請求項３】 前記処理カップが、前記液体処理時に前
記基板が位置する内側カップと、この内側カップの外方
を囲み前記乾燥時に前記基板が位置する外側カップとに
よって構成され、前記排気手段が、前記外側カップ内の
排気を常時行うと共に、前記内側カップ内の排気を前記
液体処理時に遮断するように構成されていることを特徴
とする請求項１または２記載の回転塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9047196A JPH09260338A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9047196A JPH09260338A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260338A true JPH09260338A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13999516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9047196A Pending JPH09260338A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260338A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261073A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-09-13 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
| JP2007044686A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板のスピン処理装置 |
| JP2007525591A (ja) * | 2003-04-18 | 2007-09-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 複数の化学物質メッキシステム |
| US20110162803A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-07-07 | Applied Materials, Inc. | Chamber with uniform flow and plasma distribution |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP9047196A patent/JPH09260338A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261073A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-09-13 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
| JP2007525591A (ja) * | 2003-04-18 | 2007-09-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 複数の化学物質メッキシステム |
| JP2007044686A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板のスピン処理装置 |
| US20110162803A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-07-07 | Applied Materials, Inc. | Chamber with uniform flow and plasma distribution |
| US8840725B2 (en) * | 2009-11-11 | 2014-09-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber with uniform flow and plasma distribution |
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