KR100624466B1 - 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척 - Google Patents

반도체 웨이퍼 고정용 진공 척 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼 고정용 진공 척이 개시된다. 개시된 진공 척은 웨이퍼를 그 상면에 적재하는 것으로, 상기 웨이퍼의 크기에 따라 동심원 형태로 크기가 순차적으로 증가하도록 마련되는 복수의 스테이지(stage); 및 상기 스테이지들의 중심 하부에 설치되어 상기 스테이지들을 지지하는 동시에 회전시키는 샤프트(shaft);를 구비한다.

Description

반도체 웨이퍼 고정용 진공 척{Vacuum chuck for fixing semiconductor wafer}
도 1 및 도 2는 종래 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척을 도시한 도면들이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 제1 웨이퍼가 사용되는 경우에 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 작동과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6a 및 도 6b는 제2 웨이퍼가 사용되는 경우에 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 작동과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 제4 웨이퍼가 사용되는 경우에 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 작동과정을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
112... 제1 스테이지 114... 제2 스테이지
116... 제3 스테이지 118... 제4 스테이지
150... 샤프트 W2... 제1 웨이퍼
W4... 제2 웨이퍼 W8... 제4 웨이퍼
본 발명은 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척에 관한 것으로, 상세하게는 다양한 사이즈의 웨이퍼들이 하나의 진공 척에 적용될 수 있는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척에 관한 것이다.
스핀 코터(spin coater), 스핀 드라이어(spin dryer) 등과 같은 반도체 장치에는 회전을 통하여 웨이퍼 상에 포토레지스트(photoresist) 용액 또는 증류수를 도포하거나 웨이퍼를 건조시키는 작업을 위하여 상면에 적재된 웨이퍼를 진공에 의하여 흡착하여 회전시키는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척(vacuum chuck)이 마련되어 있다.
반도체 제조 공정에 따라 다양한 사이즈의 웨이퍼가 진공 척에 적재될 수 있는데, 이 경우 종래에는 각각의 웨이퍼 사이즈별로 장비를 따로 배치하여 사용하거나 공정에 사용되는 웨이퍼 사이즈에 맞는 크기의 진공 척으로 교체하여 사용하였다. 그러나, 이러한 방식은 공정시간, 비용, 작업 공간 등에 있어서 문제점을 발생시키게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 도 1에 도시된 바와 같이 커다란 사이즈의 진공 척(10)의 상면에 이보다 작은 사이즈의 웨이퍼(W)가 적재되어 회전하는 경우에는, 상기 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 용액 또는 증류수를 소정 두께로 도포하 거나 상기 웨이퍼(W)를 건조하는 공정이 완료된 후에는 상기 진공 척(10)의 상면 중 상기 웨이퍼(W)가 놓여졌던 부분을 제외한 부분은 오염되는 문제가 발생된다. 그리고, 이러한 오염 문제로 인하여 상기 진공 척(10)은 장시간 사용될 수 없게 되는 단점이 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이 작은 사이즈의 진공 척(20)의 상면에 이보다 큰 사이즈의 웨이퍼(W)가 적재되어 회전하는 경우에는, 웨이퍼(W)의 균일하게 회전시키거나 웨이퍼(W) 상에 용액을 균일한 두께로 도포시킬 수 없으며, 공정 중에 웨이퍼(W)가 진공 척(20)을 이탈하여 깨질 염려도 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 다양한 사이즈의 웨이퍼들을 하나의 진공 척에 적용할 수 있는 개선된 구조의 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척은,
웨이퍼를 그 상면에 적재하는 것으로, 상기 웨이퍼의 크기에 따라 동심원 형태로 크기가 순차적으로 증가하도록 마련되는 복수의 스테이지(stage); 및
상기 스테이지들의 중심 하부에 설치되어 상기 스테이지들을 지지하는 동시에 회전시키는 샤프트(shaft);를 구비한다.
상기 스테이지들은 중심부에 위치하는 원형 스테이지 및 상기 원형 스테이지 의 외곽에 배치되는 적어도 하나의 환형 스테이지를 포함한다.
여기서, 상기 환형 스테이지들은 상기 샤프트를 따라 각각 독립적으로 승강가능하도록 설치되는 것이 바람직하다.
반도체 제조공정시 소정 크기의 웨이퍼가 상기 스테이지들 상에 적재되면, 상기 웨이퍼보다 큰 크기의 상기 환형 스테이지들은 소정 높이만큼 상승한 후 회전하는 것이 바람직하다.
상기 스테이지들 사이에는 소정 간격의 갭(gap)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 스테이지들에는 각각 상기 웨이퍼를 진공 흡착시키기 위한 진공 홀 및 상기 진공 홀에 연결되는 진공라인이 형성되어 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척을 개략적으로 도시한 사시도이다. 그리고, 도 4는 도 3에 도시된 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척은 상면에 웨이퍼가 적재되는 복수의 스테이지(112,114,116,118)와, 상기 스테이지들(112,114,116,118)의 중심 하부에 설치되는 샤프트(150)를 구비한다.
상기 스테이지들(112,114,116,118)은 적재되는 웨이퍼의 크기가 증가함에 따라 동심원 형태로 그 크기가 순차적으로 증가하도록 마련된다. 구체적으로는, 상기 스테이지들(112,114,116,118)은 중심부에 위치하는 원형의 제1 스테이지(112)와 상 기 제1 스테이지(112)의 외곽에 배치되는 환형의 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)로 구성된다. 그리고, 상기 스테이지들(112,114,116,118) 사이에는 갭들(gaps)이 소정 간격으로 형성되어 있다. 여기서, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118)는 적재되는 웨이퍼의 크기에 대응되는 크기를 가진다. 따라서, 예를 들면 상기 제1 스테이지(112)의 상면에는 가장 작은 크기의 웨이퍼, 예를 들어 2인치 웨이퍼가 적재될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 스테이지(112,114)의 상면에는 예를 들어 4인치 웨이퍼가 적재될 수 있다. 그리고, 상기 제1, 제2 및 제3 스테이지(112,114,116)의 상면에는 예를 들어 6인치 웨이퍼가 적재될 수 있으며, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118)의 상면에는 예를들어 8인치의 웨이퍼가 적재될 수 있다.
상기 샤프트(150)는 스테이지들(112,114,116,118)의 중심 하부에 설치되어 상기 스테이지들(112,114,116,118)을 지지하는 동시에 반도체 제조공정시 상기 스테이지들(112,114,116,118)을 함께 회전시키는 역할을 한다. 여기서, 원형의 상기 제1 스테이지(112)는 상기 샤프트(150)의 상부에 고정되어 있으며, 환형의 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)는 상기 샤프트(150)를 따라 소정 높이만큼 승강가능하게 설치되어 있다. 이때, 상기 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)에는 각각 구동수단이 마련되어 있어 샤프트(150)를 따라 독립적으로 승강하도록 되어 있다.
한편, 도면에는 도시되어 있지 않으나, 상기 스테이지들(112,114,116,118) 각각에는 웨이퍼를 진공에 의하여 그 상면에 흡착시키기 위한 적어도 하나의 진공 홀(vacuum hole)과 상기 진공 홀과 연결되는 적어도 하나의 진공 라인(vacuum line)이 형성되어 있으며, 상기 스테이지들 내의 진공라인들은 샤프트 내의 진공라인과 연결된다.
이하에서는, 상기와 같은 구성을 가지는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 동작에 대해서 설명하기로 한다. 여기서는 반도체 제조공정에 일반적으로 많이 사용되는 2인치, 4인치, 6인치 및 8인치의 웨이퍼을 적재하여 공정을 수행하는 진공 척을 예로 들어 설명한다.
도 5a 및 도 5b는 2인치의 제1 웨이퍼(W2)를 사용하는 경우 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 동작을 설명하는 도면들이다. 먼저, 도 5a를 참조하면, 먼저, 상기 제1 웨이퍼(W2)를 원형의 제1 스테이지(112)의 상면에 적재하여 흡착시킨다. 그리고, 상기 제1 스테이지(112)는 그 위치를 고정시키는 반면에 상기 제1 스테이지(112)의 외곽에 배치된 환형의 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)는 샤프트(150)를 따라 제1 스테이지(112)보다 소정 높이 만큼 상승시킨다. 다음으로, 도 5b를 참조하면, 상기 샤프트(150)를 회전시킴으로써 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118) 모두를 회전시킨다. 이에 따라, 상기 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)보다 낮은 위치에 있는 제1 스테이지(112)의 상면에 적재된 제1 웨이퍼(W2)도 회전하게 되며, 이렇게 회전하는 제1 웨이퍼(W2) 상에 스핀 코팅(spin coating)에 의하여 포토레지스트 용액 또는 증류수를 도포하거나 스핀 드라잉(spin drying)에 의하여 상기 제1 웨이퍼(W2)를 건조시키게 된다. 이 과정에서, 상기 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)는 상기 제1 스테이지(112)보다 높은 위치에 있으므로, 상기 제2, 제3 및 제4 스테이지(114,116,118)의 상면은 상기 제1 웨이퍼(W2) 상에 도포되는 포토레지스트 용액 또는 증류수로부터 오염되는 것을 방지할 수 있게 된다. 그리고, 상기 제1 웨이퍼(W2) 상에 도포되고 남은 포토레지스트 용액 또는 증류수는 상기 제1 스테이지(112)와 제2 스테이지(114) 사이에 형성된 갭에 의하여 제2 스테이지(112)의 내벽을 따라 아래로 모이게 된다.
다음으로, 도 6a 및 도 6b는 4인치의 제2 웨이퍼(W4)를 사용하는 경우 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 동작을 설명하는 도면들이다. 먼저, 도 6a를 참조하면, 먼저, 상기 제1 웨이퍼(W4)를 제1 및 제2 스테이지(112,114)의 상면에 적재하여 흡착시킨다. 그리고, 상기 제1 및 제2 스테이지(112,114)는 그 위치를 고정시키는 반면에 상기 제2 스테이지(114)의 외곽에 배치된 제3 및 제4 스테이지(116,118)는 샤프트(150)를 따라 제1 및 제2 스테이지(112,114)보다 소정 높이 만큼 상승시킨다. 다음으로, 도 6b를 참조하면, 상기 샤프트(150)를 회전시킴으로써 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118) 모두를 회전시킨다. 이에 따라, 상기 제3 및 제4 스테이지(116,118)보다 낮은 위치에 있는 제1 및 제2 스테이지(112,114)의 상면에 적재된 제2 웨이퍼(W4)도 회전하게 되며, 이렇게 회전하는 제2 웨이퍼(W4) 상에 스핀 코팅이나 스핀 드라잉 작업을 수행하게 된다. 이 과정에서, 상기 제3 및 제4 스테이지(116,118)는 상기 제1 및 제2 스테이지(112,114)보다 높은 위치에 있으므로, 상기 제3 및 제4 스테이지(116,118)의 상면은 상기 제2 웨이퍼(W4) 상에 도포되는 용액 으로부터 오염되는 것을 방지할 수 있게 된다. 그리고, 상기 제2 웨이퍼(W4) 상에 도포되고 남은 용액은 상기 제2 스테이지(114)와 제3 스테이지(116) 사이에 형성된 갭에 의하여 제3 스테이지(114)의 내벽을 따라 아래로 모이게 된다. 한편, 6인치의 제3 웨이퍼가 사용되는 경우에 진공 척의 동작과정은 전술한 경우와 유사하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
마지막으로, 도 7은 8인치의 제4 웨이퍼(W8)를 사용하는 경우 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척의 동작을 설명하는 도면들이다.
도 7을 참조하면, 상기 제4 웨이퍼는 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118)의 상면에 적재되어 흡착된다. 그리고, 이 상태에서 상기 샤프트(150)를 회전시킴으로써 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118) 모두를 회전시킨다. 이에 따라, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스테이지(112,114,116,118)의 상면에 적재된 제4 웨이퍼(W4)도 회전하게 되며, 이렇게 회전하는 제4 웨이퍼(W4) 상에 스핀 코팅 또는 스핀 드라잉 작업을 수행하게 된다. 한편, 상기 제4 웨이퍼(W4) 상에 도포되고 남은 용액은 상기 제4 스테이지(118)의 외부에 마련된 하우징(미도시)의 외벽을 따라 아래로 모이게 된다.
한편, 이상의 실시예에서는 반도체 제조공정에서 일반적으로 많이 사용되는 2인치, 4인치, 6인치 및 8인치의 웨이퍼에 대응되는 크기를 가진 4개의 스테이지가 마련되는 경우가 설명되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 크기의 웨이퍼들이 사용될 수 있으며, 이에 따라 스테이지들도 웨이퍼의 크기에 따라 다양한 개수로 마련될 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공척에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 하나의 진공 척에 다양한 크기의 웨이퍼를 사용할 수 있으므로, 별도의 장비나 진공 척을 교체할 필요가 없게 되고, 이에 따라 공정 시간, 비용 및 작업 공간을 줄일 수 있다.
둘째, 웨이퍼가 적재되는 표면이 웨이퍼 상에 도포되는 용액으로부터 오염되지 않으므로 별도의 클리닝 공정이 필요하지 않게 되고, 이에 따라 장시간 공정이 가능하게 된다.
셋째, 웨이퍼의 균일한 회전속도를 얻을 수 있고, 웨이퍼 상에 도포되는 용액의 두께 균일도를 향상시킬 수 있으며, 웨이퍼가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
넷째, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척은 스핀 코터, 스핀 드라이어, 기타 웨이퍼를 진공에 의하여 고정하여 회전시키는 모든 반도체 제조 공정장비에 사용할 수 있다.

Claims (6)

  1. 반도체 제조공정시 적재된 웨이퍼를 흡착하여 회전시키는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척에 있어서,
    상기 웨이퍼를 그 상면에 적재하는 것으로, 상기 웨이퍼의 크기에 따라 동심원 형태로 크기가 순차적으로 증가하도록 마련되는 복수의 스테이지(stage); 및
    상기 스테이지들의 중심 하부에 설치되어 상기 스테이지들을 지지하는 동시에 회전시키는 샤프트(shaft);를 구비하고,
    상기 스테이지들은 중심부에 위치하는 원형 스테이지 및 상기 원형 스테이지의 외곽에 배치되는 적어도 하나의 환형 스테이지를 포함하고,
    상기 환형 스테이지들은 상기 샤프트를 따라 각각 독립적으로 승강가능하도록 설치되어 반도체 제조공정시 소정 크기의 웨이퍼가 상기 스테이지들 상에 적재되면 상기 웨이퍼보다 큰 크기의 상기 환형 스테이지들은 소정 높이만큼 상승한 후 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지들 사이에는 소정 간격의 갭(gap)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지들에는 각각 상기 웨이퍼를 진공 흡착시키기 위한 진공 홀 및 상기 진공 홀에 연결되는 진공라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 고정용 진공 척.
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KR20220010933A (ko) * 2020-07-20 2022-01-27 주식회사 에스에프에이 패턴복제 인쇄장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077068A (ja) * 1993-06-18 1995-01-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd ウエハ載置台とチャックハンドの構造
KR20040090533A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 웨이퍼 도포 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077068A (ja) * 1993-06-18 1995-01-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd ウエハ載置台とチャックハンドの構造
KR20040090533A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 웨이퍼 도포 장치

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
07007068
1020040090533

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101116845B1 (ko) 2009-11-26 2012-03-06 (주)미래컴퍼니 기판 검사용 테이블
KR20220010933A (ko) * 2020-07-20 2022-01-27 주식회사 에스에프에이 패턴복제 인쇄장치
KR102424392B1 (ko) * 2020-07-20 2022-07-22 주식회사 에스에프에이 패턴복제 인쇄장치

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