JPH07273374A - ｐ−ｎ転移防止特性を有するＢｉ２ Ｔｅ３ 系熱電材料組成物 - Google Patents
ｐ−ｎ転移防止特性を有するＢｉ２ Ｔｅ３ 系熱電材料組成物Info
- Publication number
- JPH07273374A JPH07273374A JP6309991A JP30999194A JPH07273374A JP H07273374 A JPH07273374 A JP H07273374A JP 6309991 A JP6309991 A JP 6309991A JP 30999194 A JP30999194 A JP 30999194A JP H07273374 A JPH07273374 A JP H07273374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric material
- mol
- added
- composition
- transition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12049—Nonmetal component
- Y10T428/12056—Entirely inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼結体のｐ−ｎ転移及び性能の低下を抑制
し、単結晶の場合と同様な性能を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系
熱電材料組成物を提供しようとするものである。 【構成】 Ｂｉ2 Ｔｅ3 系基本成分にＡｇ2 Ｓが最大２
０ｍｏｌ％まで添加され、焼結を行われたｐ−ｎ転移防
止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物が提供さ
れている。
し、単結晶の場合と同様な性能を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系
熱電材料組成物を提供しようとするものである。 【構成】 Ｂｉ2 Ｔｅ3 系基本成分にＡｇ2 Ｓが最大２
０ｍｏｌ％まで添加され、焼結を行われたｐ−ｎ転移防
止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物が提供さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱電材料として使用す
るＢｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料に係るもので、詳しくは、
Ｂｉ2 Ｔｅ3 を主成分とし少量のＡｇ2 Ｓを添加して多
結晶焼結体を製造するときｐ−ｎ転移防止し、高度な熱
電性能を有するようにした、ｐ−ｎ転移防止特性を有す
るＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物に関するものである。
るＢｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料に係るもので、詳しくは、
Ｂｉ2 Ｔｅ3 を主成分とし少量のＡｇ2 Ｓを添加して多
結晶焼結体を製造するときｐ−ｎ転移防止し、高度な熱
電性能を有するようにした、ｐ−ｎ転移防止特性を有す
るＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料は、高性能を有する物質とし
て多結晶の形態で広く用いられている。しかし、このよ
うな多結晶体は、機械的強度が低いので割れる憂いがあ
り、大量生産に不適であるという不都合がある。それ
で、このような課題を補完して多結晶のＢｉ2 Ｔｅ3 系
半導体材料の焼結体を得、熱電材料に使用する方法が近
来広く研究されている。即ち、多結晶熱電材料の場合、
結晶中に、ｐ−ｎ転移が発生するので、熱起電力及び電
気伝導度が単結晶に比べ顕著に減少する。従って、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 系多結晶焼結体を有効な熱電材料に使用するた
めには、焼結するときにｐ−ｎ転移を抑制する一方、単
結晶における性能を維持させなければならない。一般
に、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料を焼結して多結晶材料に
製造する場合、ｐ−ｎ転移の発生する原因は、塑性変性
時発生する供与体（donor)であることが知られている
（参照：窯業学会誌、Vol.29, No.11. 855-862, 199
2）。そこで本発明者らは、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料
を焼結するとき発生する課題を解決するため、研究を重
ねた結果、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料に所定量のＡｇ2
Ｓを添加し、該Ａｇ2 Ｓにより焼結の進行中に細孔を形
成させ、ｐ−ｎ転移を抑制し、単結晶と同様な性能を有
する熱電材料用多結晶焼結体を得ようとするものであ
る。
Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料は、高性能を有する物質とし
て多結晶の形態で広く用いられている。しかし、このよ
うな多結晶体は、機械的強度が低いので割れる憂いがあ
り、大量生産に不適であるという不都合がある。それ
で、このような課題を補完して多結晶のＢｉ2 Ｔｅ3 系
半導体材料の焼結体を得、熱電材料に使用する方法が近
来広く研究されている。即ち、多結晶熱電材料の場合、
結晶中に、ｐ−ｎ転移が発生するので、熱起電力及び電
気伝導度が単結晶に比べ顕著に減少する。従って、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 系多結晶焼結体を有効な熱電材料に使用するた
めには、焼結するときにｐ−ｎ転移を抑制する一方、単
結晶における性能を維持させなければならない。一般
に、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料を焼結して多結晶材料に
製造する場合、ｐ−ｎ転移の発生する原因は、塑性変性
時発生する供与体（donor)であることが知られている
（参照：窯業学会誌、Vol.29, No.11. 855-862, 199
2）。そこで本発明者らは、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料
を焼結するとき発生する課題を解決するため、研究を重
ねた結果、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料に所定量のＡｇ2
Ｓを添加し、該Ａｇ2 Ｓにより焼結の進行中に細孔を形
成させ、ｐ−ｎ転移を抑制し、単結晶と同様な性能を有
する熱電材料用多結晶焼結体を得ようとするものであ
る。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、Ｂｉ2
Ｔｅ3 系半導体材料にＡｇ2 Ｓを少量添加し、焼結体の
ｐ−ｎ転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と同
様な性能を有したＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物を提供
しようとするものである。
Ｔｅ3 系半導体材料にＡｇ2 Ｓを少量添加し、焼結体の
ｐ−ｎ転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と同
様な性能を有したＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物を提供
しようとするものである。
【０００４】本発明に係る熱電材料組成物においては、
Ｂｉ2 Ｔｅ3 ６７％−Ｓｂ2 Ｔｅ3３３％系半導体材料
を基本組成物とし、Ａｇ2 Ｓを最大２０ｍｏｌ％まで添
加させる。
Ｂｉ2 Ｔｅ3 ６７％−Ｓｂ2 Ｔｅ3３３％系半導体材料
を基本組成物とし、Ａｇ2 Ｓを最大２０ｍｏｌ％まで添
加させる。
【０００５】そして、本発明に係るｐ−ｎ電位防止特性
を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物の多結晶焼結体
の製造工程は次のようである。先ず、原料粉末として、
Ｂｉ，Ｔｅ及びＳｂをＢｉ2 Ｔｅ3 ６７％−Ｓｂ2 Ｔｅ
3 ３３％になるように計量し、石英管内部で均一に混合
した後、これらを冷却して粉砕し、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系原料
粉末を得る。次いで、該Ｂｉ2 Ｔｅ3 系原料粉末にＡｇ
2 Ｓを添加し、均一に混合した後、成形して焼結を行
い、多結晶焼結体を製造する。このように製造される本
発明に係るＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物は、優秀な電
気伝導度及び熱起電力を有する。本発明に係るｐ−ｎ転
移防止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物の製
造工程及び電気的特性は、以下説明する実施例により一
層明らかになるであろう。
を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物の多結晶焼結体
の製造工程は次のようである。先ず、原料粉末として、
Ｂｉ，Ｔｅ及びＳｂをＢｉ2 Ｔｅ3 ６７％−Ｓｂ2 Ｔｅ
3 ３３％になるように計量し、石英管内部で均一に混合
した後、これらを冷却して粉砕し、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系原料
粉末を得る。次いで、該Ｂｉ2 Ｔｅ3 系原料粉末にＡｇ
2 Ｓを添加し、均一に混合した後、成形して焼結を行
い、多結晶焼結体を製造する。このように製造される本
発明に係るＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物は、優秀な電
気伝導度及び熱起電力を有する。本発明に係るｐ−ｎ転
移防止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物の製
造工程及び電気的特性は、以下説明する実施例により一
層明らかになるであろう。
【０００６】
【実施例】先ず、純度９９．９９９％のＢｉ，Ｔｂ，Ｓ
ｂ原料金属をＢｉ1.333 Ｓｂ0.667 Ｔｅ3 組成に合わせ
て計量し、石英管に充填した後、成分の酸化を防止する
ため真空に封入し、溶融して均一に混合し、冷却して得
られたＰ型インゴットを粉砕した。次いで、粉砕された
粉末を篩にかけて粒径４５〜７５μｍの粉末を得、それ
ら粉末にＡｇ2 Ｓを添加して均一に混合した。その後、
それら混合粉末を所定形状に形成し、５００℃で５時間
の間焼結を行って多結晶焼結体を製造した。
ｂ原料金属をＢｉ1.333 Ｓｂ0.667 Ｔｅ3 組成に合わせ
て計量し、石英管に充填した後、成分の酸化を防止する
ため真空に封入し、溶融して均一に混合し、冷却して得
られたＰ型インゴットを粉砕した。次いで、粉砕された
粉末を篩にかけて粒径４５〜７５μｍの粉末を得、それ
ら粉末にＡｇ2 Ｓを添加して均一に混合した。その後、
それら混合粉末を所定形状に形成し、５００℃で５時間
の間焼結を行って多結晶焼結体を製造した。
【０００７】このようにして得られた熱電材料の性能試
験を行うため、焼結体試片の電気伝導度をｄ．ｃ．４プ
ローブ（probe)方法により測定した。そして、熱起電力
は熱衝撃法(Rev. Sci. Instrum., 48(7), 775-777, 197
7)を使用して行い、熱伝導度はHarmanの方法（J. Appl.
Phys., 29, 1373-4, 1977) を使用して測定した。
験を行うため、焼結体試片の電気伝導度をｄ．ｃ．４プ
ローブ（probe)方法により測定した。そして、熱起電力
は熱衝撃法(Rev. Sci. Instrum., 48(7), 775-777, 197
7)を使用して行い、熱伝導度はHarmanの方法（J. Appl.
Phys., 29, 1373-4, 1977) を使用して測定した。
【０００８】Ｂｉ2 Ｔｅ3 系基本組成物に添加したＡｇ
2 Ｓの量は、１ｍｏｌ％から２０ｍｏｌ％まで変化させ
たが、それらＡｇ2 Ｓの添加された全ての組成でＰ型に
製造されたＢｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料を焼結したとき、
ｎ型への転移は発生しなかった。
2 Ｓの量は、１ｍｏｌ％から２０ｍｏｌ％まで変化させ
たが、それらＡｇ2 Ｓの添加された全ての組成でＰ型に
製造されたＢｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料を焼結したとき、
ｎ型への転移は発生しなかった。
【０００９】また、図１は本発明に係る焼結体試片の熱
起電力値を示したグラフであって、図示されたように、
熱起電力の値は１ｍｏｌ％Ａｇ2 Ｓを添加した場合を除
いてはほぼ同様な値を表わし、常温から温度が上昇する
に従い熱起電力値も漸次増大するが、約２００℃付近で
急激に減少する傾向がある。そして、熱起電力の値は常
温で１２０〜１６０μＶ／Ｋの値を示し、約１５０℃付
近で最大値の１６０〜１８０μＶ／Ｋを示している。そ
して、図２は本発明に係る焼結体試片の電気伝導度測定
結果を示したグラフであって、図示したように、電気伝
導度はＡｇ2 Ｓを３ｍｏｌ％添加した試片が最高の伝導
性を示し、１ｍｏｌ％Ａｇ2 Ｓを添加した試片もほぼ同
様な値を示し、この場合の電気伝導体は常温で約１００
０Ω-1ｃｍ-1である。Ａｇ2 Ｓの添加量が多い程電気伝
導度は急激に減少し、２０ｍｏｌ％Ａｇ2 Ｓの場合、常
温で約３００Ω-1ｃｍ-1である。かつ、電気伝導度は温
度が増加するに従い急激に減少し、２５０℃程度で最小
値を示している。さらに、Ａｇ2 Ｓを添加して焼結した
熱電材料の常温の熱伝導度は１．３〜１．４×１０-2ｗ
／ｋｃｍであって、単結晶のとき得られる熱伝導度より
も大きな値である。また、本発明に係るＢｉ2 Ｔｅ3 系
熱電材料の熱電性能の最大値はＡｇ2 Ｓが３ｍｏｌ％添
加された場合、１．８×１０-3／ｋであって、単結晶の
場合得られる１．９×１０-3／ｋの値とほぼ同様であ
る。
起電力値を示したグラフであって、図示されたように、
熱起電力の値は１ｍｏｌ％Ａｇ2 Ｓを添加した場合を除
いてはほぼ同様な値を表わし、常温から温度が上昇する
に従い熱起電力値も漸次増大するが、約２００℃付近で
急激に減少する傾向がある。そして、熱起電力の値は常
温で１２０〜１６０μＶ／Ｋの値を示し、約１５０℃付
近で最大値の１６０〜１８０μＶ／Ｋを示している。そ
して、図２は本発明に係る焼結体試片の電気伝導度測定
結果を示したグラフであって、図示したように、電気伝
導度はＡｇ2 Ｓを３ｍｏｌ％添加した試片が最高の伝導
性を示し、１ｍｏｌ％Ａｇ2 Ｓを添加した試片もほぼ同
様な値を示し、この場合の電気伝導体は常温で約１００
０Ω-1ｃｍ-1である。Ａｇ2 Ｓの添加量が多い程電気伝
導度は急激に減少し、２０ｍｏｌ％Ａｇ2 Ｓの場合、常
温で約３００Ω-1ｃｍ-1である。かつ、電気伝導度は温
度が増加するに従い急激に減少し、２５０℃程度で最小
値を示している。さらに、Ａｇ2 Ｓを添加して焼結した
熱電材料の常温の熱伝導度は１．３〜１．４×１０-2ｗ
／ｋｃｍであって、単結晶のとき得られる熱伝導度より
も大きな値である。また、本発明に係るＢｉ2 Ｔｅ3 系
熱電材料の熱電性能の最大値はＡｇ2 Ｓが３ｍｏｌ％添
加された場合、１．８×１０-3／ｋであって、単結晶の
場合得られる１．９×１０-3／ｋの値とほぼ同様であ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るｐ−
ｎ転移防止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ3系熱電材料組成物
においては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系原料粉末に所定量のＡｇ2
Ｓを添加して焼結を行うようになっているため、焼結体
のｐ−ｎ転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と
同様な熱電性能を有した熱電材料が得られるという効果
がある。
ｎ転移防止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ3系熱電材料組成物
においては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系原料粉末に所定量のＡｇ2
Ｓを添加して焼結を行うようになっているため、焼結体
のｐ−ｎ転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と
同様な熱電性能を有した熱電材料が得られるという効果
がある。
【図１】本発明に係るＢｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料に添加
されるＡｇ2 Ｓの添加量変化に伴う熱起電力値の変化状
態を示したグラフである。
されるＡｇ2 Ｓの添加量変化に伴う熱起電力値の変化状
態を示したグラフである。
【図２】本発明に係るＢｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料に添加
されるＡｇ2 Ｓの添加量変化に伴う電気伝導度の変化を
示したグラフである。
されるＡｇ2 Ｓの添加量変化に伴う電気伝導度の変化を
示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兪 炳 斗 大韓民国大田直轄市中区文化洞１−38番地
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ−ｎ転移防止特性を有するＢｉ2 Ｔｅ
3 系熱電材料組成物であって、 Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料を基本組成物とし、Ａｇ2 Ｓ
を最大２０ｍｏｌ％まで添加して焼結させた多結晶焼結
体であることを特徴とするｐ−ｎ転移防止特性を有する
Ｂｉ2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物。 - 【請求項２】 前記Ｂｉ2 Ｔｅ3 系半導体材料の基本組
成物が、Ｂｉ1.333Ｓｂ0.667 Ｔｅ3 であることを特徴
とする請求項１記載のｐ−ｎ転移防止特性を有するＢｉ
2 Ｔｅ3 系熱電材料組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024863A KR960006241B1 (ko) | 1993-11-20 | 1993-11-20 | p-n 전이방지 특성을 갖는 Bi₂Te₃계 열전재료 조성물 |
| KR24863/1993 | 1993-11-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273374A true JPH07273374A (ja) | 1995-10-20 |
| JP2816945B2 JP2816945B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=19368616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6309991A Expired - Fee Related JP2816945B2 (ja) | 1993-11-20 | 1994-11-18 | ｐ−ｎ転移防止特性を有するＢｉ２ Ｔｅ３ 系熱電材料組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5487952A (ja) |
| JP (1) | JP2816945B2 (ja) |
| KR (1) | KR960006241B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523394A (ja) * | 2008-08-29 | 2011-08-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規な化合物半導体及びその製造方法、並びにそれを用いた熱電変換素子 |
| JP2013236088A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 歪み電子状態密度を有する熱電素材及びその製造方法、並びにこれを含む熱電モジュール及び熱電装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827215A3 (en) * | 1996-08-27 | 2000-09-20 | Kubota Corporation | Thermoelectric modules and thermoelectric elements |
| US6091014A (en) * | 1999-03-16 | 2000-07-18 | University Of Kentucky Research Foundation | Thermoelectric materials based on intercalated layered metallic systems |
| US20050187643A1 (en) | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Pavilion Technologies, Inc. | Parametric universal nonlinear dynamics approximator and use |
| US8020805B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-09-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High altitude airship configuration and power technology and method for operation of same |
| WO2009113997A1 (en) * | 2007-12-04 | 2009-09-17 | National Institute Of Aerospace Associates | Fabrication of thermoelectric materials by hierarchical nanovoid generation |
| WO2009085092A2 (en) | 2007-12-04 | 2009-07-09 | National Institute Of Aerospace Associates | Fabrication of metallic hollow nanoparticles |
| US9660165B2 (en) | 2008-08-29 | 2017-05-23 | Lg Chem, Ltd. | Thermoelectric conversion material and producing method thereof, and thermoelectric conversion element using the same |
| KR20120124466A (ko) * | 2010-01-29 | 2012-11-13 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 높은 열전 성능을 가지는 나노복합체 및 방법 |
| KR102381761B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-03-31 | 주식회사 엘지화학 | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전 소자 |
| CN112063872B (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-01 | 武汉理工大学 | 一种快速构建多尺度纳米复合改性材料的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165076A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電変換素子の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4029520A (en) * | 1972-10-02 | 1977-06-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermoelectric generators that incorporate self-segmenting thermoelectric legs |
| US3853550A (en) * | 1972-12-29 | 1974-12-10 | J Nikolaev | Method for fabricating bimetallic members of thermoelements by sintering powdered compacts in the presence of graphite |
| US4489742A (en) * | 1983-07-21 | 1984-12-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thermoelectric device and method of making and using same |
| US4491679A (en) * | 1983-07-21 | 1985-01-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thermoelectric materials and devices made therewith |
| DD221604A1 (de) * | 1983-12-06 | 1985-04-24 | Adw Ddr | Thermoelektrischer detektor |
| CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| US5108515A (en) * | 1988-11-15 | 1992-04-28 | Director-General, Agency Of Industrial Science And Technology | Thermoelectric material and process for production thereof |
| US5318743A (en) * | 1992-11-27 | 1994-06-07 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Processes for producing a thermoelectric material and a thermoelectric element |
-
1993
- 1993-11-20 KR KR1019930024863A patent/KR960006241B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-11-18 JP JP6309991A patent/JP2816945B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-18 US US08/342,356 patent/US5487952A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165076A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電変換素子の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523394A (ja) * | 2008-08-29 | 2011-08-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規な化合物半導体及びその製造方法、並びにそれを用いた熱電変換素子 |
| JP2013236088A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 歪み電子状態密度を有する熱電素材及びその製造方法、並びにこれを含む熱電モジュール及び熱電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950014031A (ko) | 1995-06-15 |
| KR960006241B1 (ko) | 1996-05-11 |
| US5487952A (en) | 1996-01-30 |
| JP2816945B2 (ja) | 1998-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2816945B2 (ja) | ｐ−ｎ転移防止特性を有するＢｉ２ Ｔｅ３ 系熱電材料組成物 | |
| JP7344531B2 (ja) | 熱電変換材料、及びその製造方法 | |
| JPH0211790B2 (ja) | ||
| KR101417968B1 (ko) | Ｎａ과 Ａｇ가 도핑된 ＰｂＴｅ계 열전재료 및 그 제조방법 | |
| JP2847123B2 (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
| JP2000261047A (ja) | 熱電変換用半導体材料およびその製造方法 | |
| JPH0974229A (ja) | 熱電変換材料及びその製法 | |
| JP2005019713A (ja) | Ｍ１−ｘＡｘ・Ｎｉ１−ｙＢｙ・Ｓｎｚ−１Ｃｚハーフホイスラー型の高温用熱電材料及び製造方法 | |
| KR101104386B1 (ko) | Ｚｎ₄Ｓｂ₃열전재료의 제조방법 | |
| KR102138937B1 (ko) | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 열전소자 | |
| JP3929880B2 (ja) | 熱電材料 | |
| JPH08186294A (ja) | 熱電材料 | |
| JP2018078219A (ja) | ｐ型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 | |
| US3197410A (en) | Thermoelectric compositions of ta w-se | |
| JP2003298122A (ja) | 熱電変換材料の製造方法 | |
| JP3605366B2 (ja) | 熱電素子の製造方法及びそれを用いて製造した熱電素子並びに熱電モジュール | |
| KR102670992B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 | |
| KR101531011B1 (ko) | Ｎａ이 첨가된 Ａｇ 도핑 ＰｂＴｅ계 열전재료 및 그 제조방법 | |
| CN115196966B (zh) | 一种温阻特性恒定的碳化硅复相陶瓷及其制备方法 | |
| JP2019527668A (ja) | カルコゲン化合物、その製造方法及びこれを含む熱電素子 | |
| KR101627104B1 (ko) | 열전재료 및 그 제조방법 | |
| JPH10308538A (ja) | 熱電素子及びその製造方法 | |
| JPH09289339A (ja) | 熱電変換材料及びその製法 | |
| KR102121436B1 (ko) | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 열전소자 | |
| US3480554A (en) | Single phase lead telluride |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |