JP2816945B2 - p−n転移防止特性を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物 - Google Patents
p−n転移防止特性を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物Info
- Publication number
- JP2816945B2 JP2816945B2 JP6309991A JP30999194A JP2816945B2 JP 2816945 B2 JP2816945 B2 JP 2816945B2 JP 6309991 A JP6309991 A JP 6309991A JP 30999194 A JP30999194 A JP 30999194A JP 2816945 B2 JP2816945 B2 JP 2816945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric material
- material composition
- transition
- transition prevention
- based thermoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12049—Nonmetal component
- Y10T428/12056—Entirely inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱電材料として使用す
るBi2 Te3 系半導体材料に係るもので、詳しくは、
Bi2 Te3 を主成分とし少量のAg2 Sを添加して多
結晶焼結体を製造するときp−n転移防止し、高度な熱
電性能を有するようにした、p−n転移防止特性を有す
るBi2 Te3 系熱電材料組成物に関するものである。
るBi2 Te3 系半導体材料に係るもので、詳しくは、
Bi2 Te3 を主成分とし少量のAg2 Sを添加して多
結晶焼結体を製造するときp−n転移防止し、高度な熱
電性能を有するようにした、p−n転移防止特性を有す
るBi2 Te3 系熱電材料組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
Bi2 Te3 系半導体材料は、高性能を有する物質とし
て多結晶の形態で広く用いられている。しかし、このよ
うな多結晶体は、機械的強度が低いので割れる憂いがあ
り、大量生産に不適であるという不都合がある。それ
で、このような課題を補完して多結晶のBi2 Te3 系
半導体材料の焼結体を得、熱電材料に使用する方法が近
来広く研究されている。即ち、多結晶熱電材料の場合、
結晶中に、p−n転移が発生するので、熱起電力及び電
気伝導度が単結晶に比べ顕著に減少する。従って、Bi
2 Te3 系多結晶焼結体を有効な熱電材料に使用するた
めには、焼結するときにp−n転移を抑制する一方、単
結晶における性能を維持させなければならない。一般
に、Bi2 Te3 系半導体材料を焼結して多結晶材料に
製造する場合、p−n転移の発生する原因は、塑性変性
時発生する供与体(donor)であることが知られている
(参照:窯業学会誌、Vol.29, No.11. 855-862, 199
2)。そこで本発明者らは、Bi2 Te3 系半導体材料
を焼結するとき発生する課題を解決するため、研究を重
ねた結果、Bi2 Te3 系半導体材料に所定量のAg2
Sを添加し、該Ag2 Sにより焼結の進行中に細孔を形
成させ、p−n転移を抑制し、単結晶と同様な性能を有
する熱電材料用多結晶焼結体を得ようとするものであ
る。
Bi2 Te3 系半導体材料は、高性能を有する物質とし
て多結晶の形態で広く用いられている。しかし、このよ
うな多結晶体は、機械的強度が低いので割れる憂いがあ
り、大量生産に不適であるという不都合がある。それ
で、このような課題を補完して多結晶のBi2 Te3 系
半導体材料の焼結体を得、熱電材料に使用する方法が近
来広く研究されている。即ち、多結晶熱電材料の場合、
結晶中に、p−n転移が発生するので、熱起電力及び電
気伝導度が単結晶に比べ顕著に減少する。従って、Bi
2 Te3 系多結晶焼結体を有効な熱電材料に使用するた
めには、焼結するときにp−n転移を抑制する一方、単
結晶における性能を維持させなければならない。一般
に、Bi2 Te3 系半導体材料を焼結して多結晶材料に
製造する場合、p−n転移の発生する原因は、塑性変性
時発生する供与体(donor)であることが知られている
(参照:窯業学会誌、Vol.29, No.11. 855-862, 199
2)。そこで本発明者らは、Bi2 Te3 系半導体材料
を焼結するとき発生する課題を解決するため、研究を重
ねた結果、Bi2 Te3 系半導体材料に所定量のAg2
Sを添加し、該Ag2 Sにより焼結の進行中に細孔を形
成させ、p−n転移を抑制し、単結晶と同様な性能を有
する熱電材料用多結晶焼結体を得ようとするものであ
る。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、Bi2
Te3 系半導体材料にAg2 Sを少量添加し、焼結体の
p−n転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と同
様な性能を有したBi2 Te3 系熱電材料組成物を提供
しようとするものである。
Te3 系半導体材料にAg2 Sを少量添加し、焼結体の
p−n転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と同
様な性能を有したBi2 Te3 系熱電材料組成物を提供
しようとするものである。
【0004】本発明に係る熱電材料組成物においては、
Bi2 Te3 67%−Sb2 Te333%系半導体材料
を基本組成物とし、Ag2 Sを最大20mol%まで添
加させる。
Bi2 Te3 67%−Sb2 Te333%系半導体材料
を基本組成物とし、Ag2 Sを最大20mol%まで添
加させる。
【0005】そして、本発明に係るp−n電位防止特性
を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物の多結晶焼結体
の製造工程は次のようである。先ず、原料粉末として、
Bi,Te及びSbをBi2 Te3 67%−Sb2 Te
3 33%になるように計量し、石英管内部で均一に混合
した後、これらを冷却して粉砕し、Bi2 Te3 系原料
粉末を得る。次いで、該Bi2 Te3 系原料粉末にAg
2 Sを添加し、均一に混合した後、成形して焼結を行
い、多結晶焼結体を製造する。このように製造される本
発明に係るBi2 Te3 系熱電材料組成物は、優秀な電
気伝導度及び熱起電力を有する。本発明に係るp−n転
移防止特性を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物の製
造工程及び電気的特性は、以下説明する実施例により一
層明らかになるであろう。
を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物の多結晶焼結体
の製造工程は次のようである。先ず、原料粉末として、
Bi,Te及びSbをBi2 Te3 67%−Sb2 Te
3 33%になるように計量し、石英管内部で均一に混合
した後、これらを冷却して粉砕し、Bi2 Te3 系原料
粉末を得る。次いで、該Bi2 Te3 系原料粉末にAg
2 Sを添加し、均一に混合した後、成形して焼結を行
い、多結晶焼結体を製造する。このように製造される本
発明に係るBi2 Te3 系熱電材料組成物は、優秀な電
気伝導度及び熱起電力を有する。本発明に係るp−n転
移防止特性を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物の製
造工程及び電気的特性は、以下説明する実施例により一
層明らかになるであろう。
【0006】
【実施例】先ず、純度99.999%のBi,Tb,S
b原料金属をBi1.333 Sb0.667 Te3 組成に合わせ
て計量し、石英管に充填した後、成分の酸化を防止する
ため真空に封入し、溶融して均一に混合し、冷却して得
られたP型インゴットを粉砕した。次いで、粉砕された
粉末を篩にかけて粒径45〜75μmの粉末を得、それ
ら粉末にAg2 Sを添加して均一に混合した。その後、
それら混合粉末を所定形状に形成し、500℃で5時間
の間焼結を行って多結晶焼結体を製造した。
b原料金属をBi1.333 Sb0.667 Te3 組成に合わせ
て計量し、石英管に充填した後、成分の酸化を防止する
ため真空に封入し、溶融して均一に混合し、冷却して得
られたP型インゴットを粉砕した。次いで、粉砕された
粉末を篩にかけて粒径45〜75μmの粉末を得、それ
ら粉末にAg2 Sを添加して均一に混合した。その後、
それら混合粉末を所定形状に形成し、500℃で5時間
の間焼結を行って多結晶焼結体を製造した。
【0007】このようにして得られた熱電材料の性能試
験を行うため、焼結体試片の電気伝導度をd.c.4プ
ローブ(probe)方法により測定した。そして、熱起電力
は熱衝撃法(Rev. Sci. Instrum., 48(7), 775-777, 197
7)を使用して行い、熱伝導度はHarmanの方法(J. Appl.
Phys., 29, 1373-4, 1977) を使用して測定した。
験を行うため、焼結体試片の電気伝導度をd.c.4プ
ローブ(probe)方法により測定した。そして、熱起電力
は熱衝撃法(Rev. Sci. Instrum., 48(7), 775-777, 197
7)を使用して行い、熱伝導度はHarmanの方法(J. Appl.
Phys., 29, 1373-4, 1977) を使用して測定した。
【0008】Bi2 Te3 系基本組成物に添加したAg
2 Sの量は、1mol%から20mol%まで変化させ
たが、それらAg2 Sの添加された全ての組成でP型に
製造されたBi2 Te3 系半導体材料を焼結したとき、
n型への転移は発生しなかった。
2 Sの量は、1mol%から20mol%まで変化させ
たが、それらAg2 Sの添加された全ての組成でP型に
製造されたBi2 Te3 系半導体材料を焼結したとき、
n型への転移は発生しなかった。
【0009】また、図1は本発明に係る焼結体試片の熱
起電力値を示したグラフであって、図示されたように、
熱起電力の値は1mol%Ag2 Sを添加した場合を除
いてはほぼ同様な値を表わし、常温から温度が上昇する
に従い熱起電力値も漸次増大するが、約200℃付近で
急激に減少する傾向がある。そして、熱起電力の値は常
温で120〜160μV/Kの値を示し、約150℃付
近で最大値の160〜180μV/Kを示している。そ
して、図2は本発明に係る焼結体試片の電気伝導度測定
結果を示したグラフであって、図示したように、電気伝
導度はAg2 Sを3mol%添加した試片が最高の伝導
性を示し、1mol%Ag2 Sを添加した試片もほぼ同
様な値を示し、この場合の電気伝導体は常温で約100
0Ω-1cm-1である。Ag2 Sの添加量が多い程電気伝
導度は急激に減少し、20mol%Ag2 Sの場合、常
温で約300Ω-1cm-1である。かつ、電気伝導度は温
度が増加するに従い急激に減少し、250℃程度で最小
値を示している。さらに、Ag2 Sを添加して焼結した
熱電材料の常温の熱伝導度は1.3〜1.4×10-2w
/kcmであって、単結晶のとき得られる熱伝導度より
も大きな値である。また、本発明に係るBi2 Te3 系
熱電材料の熱電性能の最大値はAg2 Sが3mol%添
加された場合、1.8×10-3/kであって、単結晶の
場合得られる1.9×10-3/kの値とほぼ同様であ
る。
起電力値を示したグラフであって、図示されたように、
熱起電力の値は1mol%Ag2 Sを添加した場合を除
いてはほぼ同様な値を表わし、常温から温度が上昇する
に従い熱起電力値も漸次増大するが、約200℃付近で
急激に減少する傾向がある。そして、熱起電力の値は常
温で120〜160μV/Kの値を示し、約150℃付
近で最大値の160〜180μV/Kを示している。そ
して、図2は本発明に係る焼結体試片の電気伝導度測定
結果を示したグラフであって、図示したように、電気伝
導度はAg2 Sを3mol%添加した試片が最高の伝導
性を示し、1mol%Ag2 Sを添加した試片もほぼ同
様な値を示し、この場合の電気伝導体は常温で約100
0Ω-1cm-1である。Ag2 Sの添加量が多い程電気伝
導度は急激に減少し、20mol%Ag2 Sの場合、常
温で約300Ω-1cm-1である。かつ、電気伝導度は温
度が増加するに従い急激に減少し、250℃程度で最小
値を示している。さらに、Ag2 Sを添加して焼結した
熱電材料の常温の熱伝導度は1.3〜1.4×10-2w
/kcmであって、単結晶のとき得られる熱伝導度より
も大きな値である。また、本発明に係るBi2 Te3 系
熱電材料の熱電性能の最大値はAg2 Sが3mol%添
加された場合、1.8×10-3/kであって、単結晶の
場合得られる1.9×10-3/kの値とほぼ同様であ
る。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るp−
n転移防止特性を有するBi2 Te3系熱電材料組成物
においては、Bi2 Te3 系原料粉末に所定量のAg2
Sを添加して焼結を行うようになっているため、焼結体
のp−n転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と
同様な熱電性能を有した熱電材料が得られるという効果
がある。
n転移防止特性を有するBi2 Te3系熱電材料組成物
においては、Bi2 Te3 系原料粉末に所定量のAg2
Sを添加して焼結を行うようになっているため、焼結体
のp−n転移及び性能の低下を抑制し、単結晶の場合と
同様な熱電性能を有した熱電材料が得られるという効果
がある。
【図1】本発明に係るBi2 Te3 系半導体材料に添加
されるAg2 Sの添加量変化に伴う熱起電力値の変化状
態を示したグラフである。
されるAg2 Sの添加量変化に伴う熱起電力値の変化状
態を示したグラフである。
【図2】本発明に係るBi2 Te3 系半導体材料に添加
されるAg2 Sの添加量変化に伴う電気伝導度の変化を
示したグラフである。
されるAg2 Sの添加量変化に伴う電気伝導度の変化を
示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兪 炳 斗 大韓民国大田直轄市中区文化洞1−38番 地 (56)参考文献 特開 平3−165076(JP,A) 特公 昭41−617(JP,B1) 特公 昭40−18173(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 35/14 H01L 35/16 H01L 35/18 H01L 35/20 H01L 35/22
Claims (2)
- 【請求項1】 p−n転移防止特性を有するBi2 Te
3 系熱電材料組成物であって、 Bi2 Te3 系半導体材料を基本組成物とし、Ag2 S
を最大20mol%まで添加して焼結させた多結晶焼結
体であることを特徴とするp−n転移防止特性を有する
Bi2 Te3 系熱電材料組成物。 - 【請求項2】 前記Bi2 Te3 系半導体材料の基本組
成物が、Bi1.333Sb0.667 Te3 であることを特徴
とする請求項1記載のp−n転移防止特性を有するBi
2 Te3 系熱電材料組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930024863A KR960006241B1 (ko) | 1993-11-20 | 1993-11-20 | p-n 전이방지 특성을 갖는 Bi₂Te₃계 열전재료 조성물 |
KR24863/1993 | 1993-11-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07273374A JPH07273374A (ja) | 1995-10-20 |
JP2816945B2 true JP2816945B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=19368616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6309991A Expired - Fee Related JP2816945B2 (ja) | 1993-11-20 | 1994-11-18 | p−n転移防止特性を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5487952A (ja) |
JP (1) | JP2816945B2 (ja) |
KR (1) | KR960006241B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0827215A3 (en) * | 1996-08-27 | 2000-09-20 | Kubota Corporation | Thermoelectric modules and thermoelectric elements |
US6091014A (en) * | 1999-03-16 | 2000-07-18 | University Of Kentucky Research Foundation | Thermoelectric materials based on intercalated layered metallic systems |
US20050187643A1 (en) | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Pavilion Technologies, Inc. | Parametric universal nonlinear dynamics approximator and use |
US8020805B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-09-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High altitude airship configuration and power technology and method for operation of same |
WO2009113997A1 (en) * | 2007-12-04 | 2009-09-17 | National Institute Of Aerospace Associates | Fabrication of thermoelectric materials by hierarchical nanovoid generation |
WO2009085092A2 (en) | 2007-12-04 | 2009-07-09 | National Institute Of Aerospace Associates | Fabrication of metallic hollow nanoparticles |
US9660165B2 (en) | 2008-08-29 | 2017-05-23 | Lg Chem, Ltd. | Thermoelectric conversion material and producing method thereof, and thermoelectric conversion element using the same |
JP5414700B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-12 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規な熱電変換材料及びその製造方法、並びにそれを用いた熱電変換素子 |
KR20120124466A (ko) * | 2010-01-29 | 2012-11-13 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 높은 열전 성능을 가지는 나노복합체 및 방법 |
KR20130126035A (ko) * | 2012-05-10 | 2013-11-20 | 삼성전자주식회사 | 왜곡된 전자 상태 밀도를 갖는 열전소재, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치 |
KR102381761B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-03-31 | 주식회사 엘지화학 | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전 소자 |
CN112063872B (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-01 | 武汉理工大学 | 一种快速构建多尺度纳米复合改性材料的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4029520A (en) * | 1972-10-02 | 1977-06-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermoelectric generators that incorporate self-segmenting thermoelectric legs |
US3853550A (en) * | 1972-12-29 | 1974-12-10 | J Nikolaev | Method for fabricating bimetallic members of thermoelements by sintering powdered compacts in the presence of graphite |
US4489742A (en) * | 1983-07-21 | 1984-12-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thermoelectric device and method of making and using same |
US4491679A (en) * | 1983-07-21 | 1985-01-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thermoelectric materials and devices made therewith |
DD221604A1 (de) * | 1983-12-06 | 1985-04-24 | Adw Ddr | Thermoelektrischer detektor |
CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
US5108515A (en) * | 1988-11-15 | 1992-04-28 | Director-General, Agency Of Industrial Science And Technology | Thermoelectric material and process for production thereof |
JPH03165076A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電変換素子の製造方法 |
US5318743A (en) * | 1992-11-27 | 1994-06-07 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Processes for producing a thermoelectric material and a thermoelectric element |
-
1993
- 1993-11-20 KR KR1019930024863A patent/KR960006241B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-11-18 JP JP6309991A patent/JP2816945B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-18 US US08/342,356 patent/US5487952A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950014031A (ko) | 1995-06-15 |
KR960006241B1 (ko) | 1996-05-11 |
JPH07273374A (ja) | 1995-10-20 |
US5487952A (en) | 1996-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2816945B2 (ja) | p−n転移防止特性を有するBi2 Te3 系熱電材料組成物 | |
KR102170477B1 (ko) | 열전소자용 페이스트 조성물, 이를 이용한 열전소자의 제조방법, 및 열전소자 | |
JP3458587B2 (ja) | 熱電変換材料及びその製法 | |
KR101417968B1 (ko) | Na과 Ag가 도핑된 PbTe계 열전재료 및 그 제조방법 | |
US20030168094A1 (en) | Thermoelectric material and process for manufacturing the same | |
JP2000261047A (ja) | 熱電変換用半導体材料およびその製造方法 | |
US3953375A (en) | Non-linear voltage titanium oxide resistance element | |
JPH01106478A (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
KR101104386B1 (ko) | Zn₄Sb₃열전재료의 제조방법 | |
EP3575452B1 (en) | Chalcogen compound, method for preparing same, and thermoelectric element comprising the compound | |
KR101417965B1 (ko) | Ag와 Sb와 La이 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법 | |
JPH01246174A (ja) | 超電導セラミツクス複合材 | |
US3197410A (en) | Thermoelectric compositions of ta w-se | |
KR102670992B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 | |
JP2000261048A (ja) | 熱電変換用半導体材料およびその製造方法 | |
CN115196966B (zh) | 一种温阻特性恒定的碳化硅复相陶瓷及其制备方法 | |
KR101531011B1 (ko) | Na이 첨가된 Ag 도핑 PbTe계 열전재료 및 그 제조방법 | |
KR102241257B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 | |
KR101627104B1 (ko) | 열전재료 및 그 제조방법 | |
JP2006019355A (ja) | 鉛・テルル系熱電材料および熱電素子 | |
US3489532A (en) | Sintered silicon carbide varistors | |
KR102121436B1 (ko) | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 열전소자 | |
JP3038906B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
JP3242350B2 (ja) | 酸化物超電導体およびその製造方法 | |
JP2005129627A (ja) | 熱電変換素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |