JPH08186294A - 熱電材料 - Google Patents
熱電材料Info
- Publication number
- JPH08186294A JPH08186294A JP6328747A JP32874794A JPH08186294A JP H08186294 A JPH08186294 A JP H08186294A JP 6328747 A JP6328747 A JP 6328747A JP 32874794 A JP32874794 A JP 32874794A JP H08186294 A JPH08186294 A JP H08186294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric
- temperature
- power factor
- materials
- thermoelectric material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、広い動作温度範囲にわたって優れ
た熱電性能を示し、かつ低コストの熱電材料を提供す
る。 【構成】 ＣｏＳｂ3 化合物の構成元素であるＣｏの一
部を、Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕから選ばれた一種類以上の元素
で置換した、Ｘが０．００１〜０．２であるＣｏ1-x Ｍ
x Ｓｂ3 化合物材料であって、広い温度領域にわたって
熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電材料である。
た熱電性能を示し、かつ低コストの熱電材料を提供す
る。 【構成】 ＣｏＳｂ3 化合物の構成元素であるＣｏの一
部を、Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕから選ばれた一種類以上の元素
で置換した、Ｘが０．００１〜０．２であるＣｏ1-x Ｍ
x Ｓｂ3 化合物材料であって、広い温度領域にわたって
熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電材料である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゼーベック効果および
ペルチェ効果による熱電気直接変換のための熱電材料に
関する。
ペルチェ効果による熱電気直接変換のための熱電材料に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ゼーベック効果およびペルチェ効果によ
る熱電気直接変換の目的で、現在利用されている主要な
熱電材料はＢｉ2 Ｔｅ3 を母体とした三元系化合物であ
る。一般には、ｐ−型材料にはＢｉ2 Ｔｅ3 とＳｂ2 Ｔ
ｅ3 との化合物を、またｎ−型材料にはＢｉ2 Ｔｅ3 と
Ｂｉ2 Ｓｅ3 との化合物が用いられている。これらの材
料の熱電変換系での性能指数（Ｚ＝Ｓ2 σ／κ ここで
Ｓは熱電能Ｖ／Ｋ、σは電気伝導度Ω-1cm-1、κは熱伝
導率Ｗ／cm・Ｋ）の大きさは、ｐ−型、ｎ−型とも室温
（３００Ｋ）で２．３×１０-3Ｋ-1である。この値は、
既存の熱電材料の中では最も高く、既に、熱電冷却およ
び熱電発電用材料として実用に供されている。
る熱電気直接変換の目的で、現在利用されている主要な
熱電材料はＢｉ2 Ｔｅ3 を母体とした三元系化合物であ
る。一般には、ｐ−型材料にはＢｉ2 Ｔｅ3 とＳｂ2 Ｔ
ｅ3 との化合物を、またｎ−型材料にはＢｉ2 Ｔｅ3 と
Ｂｉ2 Ｓｅ3 との化合物が用いられている。これらの材
料の熱電変換系での性能指数（Ｚ＝Ｓ2 σ／κ ここで
Ｓは熱電能Ｖ／Ｋ、σは電気伝導度Ω-1cm-1、κは熱伝
導率Ｗ／cm・Ｋ）の大きさは、ｐ−型、ｎ−型とも室温
（３００Ｋ）で２．３×１０-3Ｋ-1である。この値は、
既存の熱電材料の中では最も高く、既に、熱電冷却およ
び熱電発電用材料として実用に供されている。
【０００３】熱電変換に使用する材料の基本的必要条件
としては、（１）材料の性能指数Ｚが広い動作温度領域
にわたって大きい値をもつこと、（２）原料が資源的に
豊富であり、材料の製造が容易で安価であること等があ
げられる。上記Ｂｉ2 Ｔｅ3系材料は性能指数Ｚの温度
変化が大きく、室温以外の温度領域ではＺの値は小さ
い。また、原料になるＴｅの地球上での埋蔵量が少なく
資源的に供給上の問題がある。
としては、（１）材料の性能指数Ｚが広い動作温度領域
にわたって大きい値をもつこと、（２）原料が資源的に
豊富であり、材料の製造が容易で安価であること等があ
げられる。上記Ｂｉ2 Ｔｅ3系材料は性能指数Ｚの温度
変化が大きく、室温以外の温度領域ではＺの値は小さ
い。また、原料になるＴｅの地球上での埋蔵量が少なく
資源的に供給上の問題がある。
【０００４】一方、スキュッテルダイト型結晶構造をも
つＣｏＳｂ3 化合物の熱電特性データがL.D.Dudkinによ
って［SovietPhys. Solid State ; Vol.1, 126-133, 19
59］で報告されているが、熱電材料として実用的に満足
できる性能ではない。
つＣｏＳｂ3 化合物の熱電特性データがL.D.Dudkinによ
って［SovietPhys. Solid State ; Vol.1, 126-133, 19
59］で報告されているが、熱電材料として実用的に満足
できる性能ではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱電材料に
おける従来の材料のもつ問題点、すなわち熱電性能が大
きな温度変化をもつことと原料資源の供給上の問題点を
解決し、広い動作温度範囲にわたって優れた熱電性能を
示し、かつ原料資源が豊富で低コストの熱電材料を提供
することを目的とするものである。
おける従来の材料のもつ問題点、すなわち熱電性能が大
きな温度変化をもつことと原料資源の供給上の問題点を
解決し、広い動作温度範囲にわたって優れた熱電性能を
示し、かつ原料資源が豊富で低コストの熱電材料を提供
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、広い温度領域
にわたって熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電材料で
あって、スキュッテルダイト型結晶構造をもつＣｏＳｂ
3 化合物の構成元素であるＣｏの一部を、Ｐｄ，Ｒｈ，
Ｒｕから選ばれた一種類以上の元素で置換したＣｏ1-x
Ｍx Ｓｂ3 （ＭはＰｄ，Ｒｈ，Ｒｕから選ばれた一種類
以上の元素を示す）化合物であって、Ｘが０．００１〜
０．２であることことを特徴とする熱電材料であること
を構成要件とする。
にわたって熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電材料で
あって、スキュッテルダイト型結晶構造をもつＣｏＳｂ
3 化合物の構成元素であるＣｏの一部を、Ｐｄ，Ｒｈ，
Ｒｕから選ばれた一種類以上の元素で置換したＣｏ1-x
Ｍx Ｓｂ3 （ＭはＰｄ，Ｒｈ，Ｒｕから選ばれた一種類
以上の元素を示す）化合物であって、Ｘが０．００１〜
０．２であることことを特徴とする熱電材料であること
を構成要件とする。
【０００７】本発明は、ＣｏＳｂ3 化合物の構成元素で
あるＣｏの一部をＣｏより周期の大きい金属元素である
Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕに置換することにより、熱電材料とし
ての性能が飛躍的に向上する現象を見いだしたことに基
づくものであり、以下にその詳細を述べる。
あるＣｏの一部をＣｏより周期の大きい金属元素である
Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕに置換することにより、熱電材料とし
ての性能が飛躍的に向上する現象を見いだしたことに基
づくものであり、以下にその詳細を述べる。
【０００８】本発明材料の作製は次の手順で行った。原
料としてＳｂ（９９．９９％）とＣｏ（９９．９％）
を、また置換不純物として９９．９９％のＰｄ，Ｒｈ，
Ｒｕを化学式Ｃｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 （ＭはＰｄ，Ｒｈ，Ｒ
ｕの一種または二種以上）の組成比となるように秤りと
り、これを不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中のアーク溶解法
により溶解し、インゴットを作製した。このインゴット
をスタンプミルで粉砕した後、さらにボールミルにより
平均粒径２００μｍ以下に微粉砕した。この微粉体を一
軸加圧成形し、さらに静水圧中でラバープレスした後、
加圧したＡｒガス雰囲気中で温度８７３Ｋにおいて５０
ｈ（時間）焼結した。材料密度を上げ緻密化する場合に
は、さらにＨＩＰにより圧力６０００kgf/cm2 、温度８
７３Ｋで４ｈ焼結する。
料としてＳｂ（９９．９９％）とＣｏ（９９．９％）
を、また置換不純物として９９．９９％のＰｄ，Ｒｈ，
Ｒｕを化学式Ｃｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 （ＭはＰｄ，Ｒｈ，Ｒ
ｕの一種または二種以上）の組成比となるように秤りと
り、これを不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中のアーク溶解法
により溶解し、インゴットを作製した。このインゴット
をスタンプミルで粉砕した後、さらにボールミルにより
平均粒径２００μｍ以下に微粉砕した。この微粉体を一
軸加圧成形し、さらに静水圧中でラバープレスした後、
加圧したＡｒガス雰囲気中で温度８７３Ｋにおいて５０
ｈ（時間）焼結した。材料密度を上げ緻密化する場合に
は、さらにＨＩＰにより圧力６０００kgf/cm2 、温度８
７３Ｋで４ｈ焼結する。
【０００９】このようにして作製した本発明材料の特性
を以下に述べる。図１はＣｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 の温度３０
０ＫにおけるＭ（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ）の置換量Ｘと熱電
材料の性能の指標であるパワー因子（Ｓ2 σ）との関係
を示す、本発明の根拠となる図である。図１に示すよう
に、ＣｏＳｂ3 中のＣｏをＰｄ，ＲｈまたはＲｕで置換
すると基本材料ＣｏＳｂ3 の状態では実用的に不十分で
あった熱電材料としての特性値が飛躍的に向上し、十分
実用的に満足のゆく性能となることが判明した。図１の
データはＨＩＰ処理を行っていない焼結体試料のもので
あり、後述するようにＨＩＰ処理により焼結体密度を上
げると性能はさらに向上する。図１によるとＭの置換効
果は極めて著しく、Ｘが０．００１以上で十分効果があ
ることがわかる。ＣｏはＰｄ，Ｒｈ，Ｒｕと全率固溶す
るので、Ｃｏに対するＭの置換上限値は高いことが容易
に推定されるが、Ｍの置換効果は図１からわかるように
Ｘが０．２以上になると頭打ち傾向となるので、Ｘの上
限値は０．２が望ましい。
を以下に述べる。図１はＣｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 の温度３０
０ＫにおけるＭ（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ）の置換量Ｘと熱電
材料の性能の指標であるパワー因子（Ｓ2 σ）との関係
を示す、本発明の根拠となる図である。図１に示すよう
に、ＣｏＳｂ3 中のＣｏをＰｄ，ＲｈまたはＲｕで置換
すると基本材料ＣｏＳｂ3 の状態では実用的に不十分で
あった熱電材料としての特性値が飛躍的に向上し、十分
実用的に満足のゆく性能となることが判明した。図１の
データはＨＩＰ処理を行っていない焼結体試料のもので
あり、後述するようにＨＩＰ処理により焼結体密度を上
げると性能はさらに向上する。図１によるとＭの置換効
果は極めて著しく、Ｘが０．００１以上で十分効果があ
ることがわかる。ＣｏはＰｄ，Ｒｈ，Ｒｕと全率固溶す
るので、Ｃｏに対するＭの置換上限値は高いことが容易
に推定されるが、Ｍの置換効果は図１からわかるように
Ｘが０．２以上になると頭打ち傾向となるので、Ｘの上
限値は０．２が望ましい。
【００１０】なお図１では置換元素ＭとしてＰｄ，Ｒ
ｈ，Ｒｕはそれぞれ単独に用いられているが、これらの
元素はいずれも第VIII族第５周期の元素であり、類似性
が強いので、ＭとしてＰｄ，Ｒｈ，Ｒｕの複数からなる
混合物あるいは合金を用いても図１と同様の効果が得ら
れることが容易に予想される。例えば実施例３に示すよ
うに、ほぼ予想された効果が得られている。
ｈ，Ｒｕはそれぞれ単独に用いられているが、これらの
元素はいずれも第VIII族第５周期の元素であり、類似性
が強いので、ＭとしてＰｄ，Ｒｈ，Ｒｕの複数からなる
混合物あるいは合金を用いても図１と同様の効果が得ら
れることが容易に予想される。例えば実施例３に示すよ
うに、ほぼ予想された効果が得られている。
【００１１】本発明材料の温度３００Ｋにおける試料密
度／理論密度（相対密度）とパワー因子の関係を図２に
示す。試料はＣｏをＰｄで置換したＣｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓ
ｂ3である。相対密度５０〜７０％のデータはＨＩＰ処
理前の焼結体のものであり、約１００％のデータはＨＩ
Ｐ処理焼結体のものである。図２によると、相対密度が
大きくなるとパワー因子は向上する。ただし、相対密度
が６０％以下になると急激にパワー因子は減少するの
で、望ましい相対密度は６０％以上であることがわか
る。なお焼結体の密度を上げる方法としてはＨＩＰに限
らずホットプレス等の方法がある。
度／理論密度（相対密度）とパワー因子の関係を図２に
示す。試料はＣｏをＰｄで置換したＣｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓ
ｂ3である。相対密度５０〜７０％のデータはＨＩＰ処
理前の焼結体のものであり、約１００％のデータはＨＩ
Ｐ処理焼結体のものである。図２によると、相対密度が
大きくなるとパワー因子は向上する。ただし、相対密度
が６０％以下になると急激にパワー因子は減少するの
で、望ましい相対密度は６０％以上であることがわか
る。なお焼結体の密度を上げる方法としてはＨＩＰに限
らずホットプレス等の方法がある。
【００１２】熱電変換に使用する材料に要求される最大
の課題は、広い動作温度領域にわたって優れた性能を示
すことである。図３に本発明材料におけるパワー因子の
温度依存性を、ＨＩＰ処理前材料とＨＩＰ処理材料につ
いて示す。試料はＣｏをＰｄで置換したＣｏ0.97Ｐｄ
0.03Ｓｂ3 である。両材料とも３００Ｋから８００Ｋに
わたる広い温度範囲で高いパワー因子を示し、本発明材
料が優れた熱電材料であることがわかる。なおＨＩＰ処
理前材料はＨＩＰ処理材料に比べて相対密度が低いた
め、当然のことながらパワー因子は低い。
の課題は、広い動作温度領域にわたって優れた性能を示
すことである。図３に本発明材料におけるパワー因子の
温度依存性を、ＨＩＰ処理前材料とＨＩＰ処理材料につ
いて示す。試料はＣｏをＰｄで置換したＣｏ0.97Ｐｄ
0.03Ｓｂ3 である。両材料とも３００Ｋから８００Ｋに
わたる広い温度範囲で高いパワー因子を示し、本発明材
料が優れた熱電材料であることがわかる。なおＨＩＰ処
理前材料はＨＩＰ処理材料に比べて相対密度が低いた
め、当然のことながらパワー因子は低い。
【００１３】
【実施例】本発明は、前記した作製法以外の方法でも同
等の熱電特性をもつ材料作製が可能である。その実施例
を実施例１と実施例２に示す。またＣｏの置換元素Ｍと
してＰｄとＲｈの混合物を用いた実施例を実施例３に示
す。
等の熱電特性をもつ材料作製が可能である。その実施例
を実施例１と実施例２に示す。またＣｏの置換元素Ｍと
してＰｄとＲｈの混合物を用いた実施例を実施例３に示
す。
【００１４】［実施例１］Ｃｏ（純度９９．９％）とＳ
ｂ（純度９９．９９％）およびＰｄ（純度９９．９９
％）の各粉体を化学式Ｃｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓｂ3 の組成比
となるよう秤りとり、ボールミルにて十分混合した後、
一軸プレスにて加圧成形し、さらに静水圧中でラバープ
レスした後、加圧したＡｒガス雰囲気中で温度７７３Ｋ
において５０ｈ焼結した。これをスタンプミルにより粉
砕し、さらにボールミルにて微粉砕した。この粉体を、
焼結温度を８７３Ｋとした以外は上記と同じ条件で再度
成形、焼結を行った。得られた材料の３００Ｋにおける
パワー因子は１．０×１０-5Ｗ／cmＫ2 と図３のＨＩＰ
処理前材料の結果よりやや低い値となったものの、十分
実用的な値となった。
ｂ（純度９９．９９％）およびＰｄ（純度９９．９９
％）の各粉体を化学式Ｃｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓｂ3 の組成比
となるよう秤りとり、ボールミルにて十分混合した後、
一軸プレスにて加圧成形し、さらに静水圧中でラバープ
レスした後、加圧したＡｒガス雰囲気中で温度７７３Ｋ
において５０ｈ焼結した。これをスタンプミルにより粉
砕し、さらにボールミルにて微粉砕した。この粉体を、
焼結温度を８７３Ｋとした以外は上記と同じ条件で再度
成形、焼結を行った。得られた材料の３００Ｋにおける
パワー因子は１．０×１０-5Ｗ／cmＫ2 と図３のＨＩＰ
処理前材料の結果よりやや低い値となったものの、十分
実用的な値となった。
【００１５】［実施例２］それぞれ粒状のＣｏ（純度９
９．９％）とＳｂ（純度９９．９９％）およびＰｄ（純
度９９．９９％）を化学式Ｃｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓｂ3 の組
成比となるように秤りとり、１０-4Ｐａ以下に真空排気
した石英アンプル中でブリッジマン法にて溶解凝固して
結晶を作製した後、これを適当サイズに切断して試料を
作製した。この材料の３００Ｋにおけるパワー因子は
２．０×１０-5Ｗ／cmＫ2 であり、図３のＨＩＰ処理材
料の結果と同等の値が得られた。
９．９％）とＳｂ（純度９９．９９％）およびＰｄ（純
度９９．９９％）を化学式Ｃｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓｂ3 の組
成比となるように秤りとり、１０-4Ｐａ以下に真空排気
した石英アンプル中でブリッジマン法にて溶解凝固して
結晶を作製した後、これを適当サイズに切断して試料を
作製した。この材料の３００Ｋにおけるパワー因子は
２．０×１０-5Ｗ／cmＫ2 であり、図３のＨＩＰ処理材
料の結果と同等の値が得られた。
【００１６】［実施例３］それぞれ粒状のＣｏ（純度９
９．９％）、Ｓｂ（純度９９．９９％）、Ｐｄ（純度９
９．９９％）およびＲｈ（純度９９．９９％）を、化学
式Ｃｏ0.97Ｐｄ0. 015 Ｒｈ0.015 Ｓｂ3 の組成比となる
ように秤りとり、これを不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中の
アーク溶解法により溶解し、インゴットを作製した。こ
のインゴットをスタンプミルで粉砕した後、さらにボー
ルミルにより平均粒径２００μｍ以下に微粉砕した。こ
の微粉体を一軸加圧成形し、さらに静水圧中でラバープ
レスした後、加圧したＡｒガス雰囲気中で温度８７３Ｋ
において５０ｈ焼結した。この材料の３００Ｋにおける
パワー因子は１．１×１０-5Ｗ／cmＫ2 であり、図１の
Ｒｈの結果に近い値が得られた。
９．９％）、Ｓｂ（純度９９．９９％）、Ｐｄ（純度９
９．９９％）およびＲｈ（純度９９．９９％）を、化学
式Ｃｏ0.97Ｐｄ0. 015 Ｒｈ0.015 Ｓｂ3 の組成比となる
ように秤りとり、これを不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中の
アーク溶解法により溶解し、インゴットを作製した。こ
のインゴットをスタンプミルで粉砕した後、さらにボー
ルミルにより平均粒径２００μｍ以下に微粉砕した。こ
の微粉体を一軸加圧成形し、さらに静水圧中でラバープ
レスした後、加圧したＡｒガス雰囲気中で温度８７３Ｋ
において５０ｈ焼結した。この材料の３００Ｋにおける
パワー因子は１．１×１０-5Ｗ／cmＫ2 であり、図１の
Ｒｈの結果に近い値が得られた。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明した通り本発明の熱電材料
は、従来の熱発電材料および熱電冷却材料の持つ問題点
を解決し、効率のよいしかも安価な熱発電材料および熱
電冷却材料を得ることができ、熱電材料の利用を促進す
ることにより、排エネルギーの回収およびエネルギー利
用の高度化等に寄与する効果がある。
は、従来の熱発電材料および熱電冷却材料の持つ問題点
を解決し、効率のよいしかも安価な熱発電材料および熱
電冷却材料を得ることができ、熱電材料の利用を促進す
ることにより、排エネルギーの回収およびエネルギー利
用の高度化等に寄与する効果がある。
【図１】Ｃｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 の温度３００ＫにおけるＭ
（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ）の置換量Ｘとパワー因子（Ｓ
2 σ）との関係を示す図である。
（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ）の置換量Ｘとパワー因子（Ｓ
2 σ）との関係を示す図である。
【図２】Ｃｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓｂ3 の温度３００Ｋにおけ
る試料密度／理論密度（相対密度）とパワー因子の関係
を示す図である。
る試料密度／理論密度（相対密度）とパワー因子の関係
を示す図である。
【図３】Ｃｏ0.97Ｐｄ0.03Ｓｂ3 におけるパワー因子の
温度依存性を、ＨＩＰ処理前材料とＨＩＰ処理材料につ
いて示す図である。
温度依存性を、ＨＩＰ処理前材料とＨＩＰ処理材料につ
いて示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 スキュッテルダイト型結晶構造をもつＣ
ｏＳｂ3 化合物の構成元素であるＣｏの一部を、Ｐｄ，
Ｒｈ，Ｒｕから選ばれた一種類以上の元素Ｍで置換した
Ｃｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 （ただし、Ｘ：０．００１〜０．
２）化合物なることことを特徴とする熱電材料。 - 【請求項２】 置換型化合物Ｃｏ1-x Ｍx Ｓｂ3 におい
て、その密度が理論密度の６０％以上でるあることを特
徴とする請求項１記載の熱電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6328747A JPH08186294A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 熱電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6328747A JPH08186294A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 熱電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186294A true JPH08186294A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18213726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6328747A Pending JPH08186294A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 熱電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186294A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874406A2 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
| EP0948061A2 (en) * | 1998-03-16 | 1999-10-06 | Ngk Insulators, Ltd. | P-type thermoelectric converting substance and method of manufacturing the same |
| US6207886B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Skutterudite thermoelectric material thermoelectric couple and method of producing the same |
| WO2006129459A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 熱電変換材料とこれを用いた熱電変換素子ならびにこの素子を備える電子機器および冷却装置 |
| JP2008147304A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 熱電変換素子 |
| US7763793B2 (en) | 2006-01-17 | 2010-07-27 | Panasonic Corporation | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element using the same, and electronic device and cooling device including the thermoelectric conversion element |
| JP2018157002A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 古河機械金属株式会社 | 熱電変換材料 |
| US11785851B2 (en) | 2019-02-01 | 2023-10-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric composite, and thermoelectric element and device including the same |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP6328747A patent/JPH08186294A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874406A3 (en) * | 1997-04-23 | 2000-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
| US5929351A (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Co-Sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
| CN1084527C (zh) * | 1997-04-23 | 2002-05-08 | 松下电器产业株式会社 | Co-Sb系热电材料 |
| EP0874406A2 (en) * | 1997-04-23 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A co-sb based thermoelectric material and a method of producing the same |
| EP0948061A3 (en) * | 1998-03-16 | 1999-12-29 | Ngk Insulators, Ltd. | P-type thermoelectric converting substance and method of manufacturing the same |
| EP0948061A2 (en) * | 1998-03-16 | 1999-10-06 | Ngk Insulators, Ltd. | P-type thermoelectric converting substance and method of manufacturing the same |
| US6207886B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Skutterudite thermoelectric material thermoelectric couple and method of producing the same |
| WO2006129459A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 熱電変換材料とこれを用いた熱電変換素子ならびにこの素子を備える電子機器および冷却装置 |
| US7417186B2 (en) | 2005-05-30 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element using the same, and electronic apparatus and cooling device comprising the element |
| US7763793B2 (en) | 2006-01-17 | 2010-07-27 | Panasonic Corporation | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element using the same, and electronic device and cooling device including the thermoelectric conversion element |
| JP2008147304A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 熱電変換素子 |
| JP2018157002A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 古河機械金属株式会社 | 熱電変換材料 |
| US11785851B2 (en) | 2019-02-01 | 2023-10-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric composite, and thermoelectric element and device including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1084527C (zh) | Co-Sb系热电材料 | |
| US6440768B1 (en) | Thermoelectric semiconductor material and method of manufacturing the same | |
| US5318743A (en) | Processes for producing a thermoelectric material and a thermoelectric element | |
| US20040187905A1 (en) | Thermoelectric materials with enhanced seebeck coefficient | |
| CN102714269A (zh) | 纳米复合热电转换材料及其制造方法 | |
| WO2018212297A1 (ja) | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 | |
| US20020062853A1 (en) | Method of manufacturing a thermoelectric element and a thermoelectric module | |
| EP0797259B1 (en) | A thermoelectric conversion material and a process for producing the same | |
| JP2008192652A (ja) | 複合化した熱電変換材料 | |
| JPH08186294A (ja) | 熱電材料 | |
| JP2000106460A (ja) | 熱電半導体材料および熱電半導体材料の製造方法 | |
| JP2000261047A (ja) | 熱電変換用半導体材料およびその製造方法 | |
| JPH0974229A (ja) | 熱電変換材料及びその製法 | |
| JP3580778B2 (ja) | 熱電変換素子及びその製造方法 | |
| JP7448259B2 (ja) | 熱電材料、その製造方法、および、熱電発電素子 | |
| JP3541549B2 (ja) | 高温用熱電材料およびその製造方法 | |
| JPH06144825A (ja) | 熱発電素子の製造方法 | |
| JP2000261044A (ja) | 熱電変換材料とその製造方法 | |
| EP0115950A2 (en) | New powder pressed N-type thermoelectric materials and method of making same | |
| JP2003243733A (ja) | ｐ型熱電変換材料の製造方法 | |
| JP2000261048A (ja) | 熱電変換用半導体材料およびその製造方法 | |
| JP2004014804A (ja) | 熱電材料および熱電素子 | |
| KR102134306B1 (ko) | P형 복합체형 열전소재 및 이의 제조방법 | |
| JPH0341780A (ja) | 熱電材料の製造法 | |
| JPH11150307A (ja) | Ｃｏ−Ｓｂ系熱電材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |