JPH07258236A

JPH07258236A - α−シアノスチルベン化合物及びそれを含有する電子写真感光体

Info

Publication number: JPH07258236A
Application number: JP5042794A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Teramura; 薫寺村; Masayuki Shiyoji; 正幸所司; Akio Kojima; 明夫小島
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1994-03-22
Filing date: 1994-03-22
Publication date: 1995-10-09

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】アクセプター性化合物として電子写真感光体
に用いられる新規化合物を提供する。【構成】下記式（Ｉ）で表わされるα−シアノスチル
ベン化合物、及びこれを感光層に含む電子写真感光体。（式中、Ｒ_１は水素原子、置換又は無置換アルキル基、
アルコキシ基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル
基、置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のスル
ホニル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又
は無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基を表わし、またＲ_１は環を形成しても良い。Ｘ
は０又はＳ原子を表わす。Ｒ_２は置換又は無置換のフェ
ニル基、置換又は無置換の多環芳香族基、あるいは置換
又は無置換の複素環基を表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規なα−シアノスチル
ベン化合物に関するものであり、本発明の化合物は新規
なアクセプター性化合物として複写機、プリンター等の
電子写真感光体に用いられる。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真感光体の感光層として、
セレン、セレン−テルル合金、酸化亜鉛などの無機光導
電性物質が広く用いられてきたが、近年、有機光導電性
物質を用いた電子写真感光体に関する研究が進み、その
一部は実用化されている。ここで実用化に至った感光体
のほとんどは、電荷発生層と電荷輸送層に機能を分離し
た感光層からなる積層型電子写真感光体であり、これに
より無機光導電性物質からなる感光体と比較して劣って
いた感度及び感光体寿命の点で改善され、低コストで安
全性や多様性など有機光導電性物質の長所を生かした電
子写真感光体の設計が活発に行われるようになった。こ
の種の積層型電子写真感光体は、一般には導電性支持体
上に顔料、染料などの電荷発生物質からなる電荷発生
層、ヒドラゾン、ピラゾリンなど電荷輸送物質からなる
電荷輸送層を順に形成したもので、電子供与性である電
荷輸送物質の性質上、正孔移動型となり、感光体表面に
負帯電したとき感度を有する。ところが負帯電では帯電
時に用いるコロナ放電が正帯電に比べて不安定であり、
正帯電時の１０倍程度のオゾン、窒素酸化物などを発生
し、感光体表面に吸着などの物理的劣化や化学的劣化を
引き起こしやすく、さらに環境を悪くするという問題が
ある。さらに他の問題は負帯電用感光体の現像には正極
性のトナーが必要となるが正極性のトナーは強磁性体キ
ャリア粒子に対する摩擦帯電系列から見て製造が困難で
あり、二成分高抵抗磁気ブラシ現像方式においては、負
帯電トナー／現像剤の方が安定であり、選択と使用条件
の自由度も大きく、この点でも正帯電型感光体に適用範
囲は広く有利である。

【０００３】そこで有機光導電性物質を用いる感光体を
正帯電で使用することが提案されている。例えば電荷発
生層上に電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、前
記電荷輸送層に電子輸送能の大きい、例えば２，４，７
−トリニトロ−９−フルオレノン等が使用されている
が、その物質は発癌性があることが指摘されており、労
働衛生上極めて不適当である等の問題がある。また、電
子輸送化合物としては、特開昭６０−６９６５７にはフ
ルオレニデンメタン化合物が特開昭６１−２３３７５０
にはアントラキノジメタン及びアントロン誘導体が使用
されているが、これらはともに繰返し特性に問題があ
り、特開平５−２５１３６にはナフタレンジカルボン酸
イミド化合物が、特開平５−２５１７４にはナフタレン
テトラカルボン酸ジイミド化合物が使用されているが、
これらはともに感度が不十分であり、また、バインダ樹
脂との相溶性が悪い等、改善すべき問題点がある。さら
に正帯電感光体として、米国特許３，６１５，４１４号
には、チアピリリウム塩（電荷発生物質）をポリカーボ
ネート（バインダ樹脂）と共晶錯体を形成するように含
有させたものが示されている。しかしこの公知の感光体
ではメモリ現象が大きく、ゴーストも発生し易いという
欠点がある。

【０００４】そこで光照射時、正孔及び電子を発生する
電荷発生物質を含有する電荷発生層を上層（表面層）と
し、正孔輸送能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層
を下層とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電
用として使用可能と考えられる。しかしながら、前記正
帯電用感光体は電荷発生物質を含む層が表面層として形
成されるため、光照射時特に紫外線等の単波長光照射、
コロナ放電、湿度、機械的摩擦等の外部作用に脆弱な電
荷発生物質が前記表面層近傍に存在することになり、感
光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣化
し、画質が低下するようになる。従来の電荷輸送層を表
面層とする負帯電用感光体においては、前記各種の外部
作用の影響は極めて少なく、むしろ前記電荷輸送層が下
層の電荷発生層を保護する作用を有している。そこで例
えば絶縁性かつ透明な樹脂からなる薄い保護層を設け、
前記電荷発生物質を含む層を外部作用から保護すること
が考えられるが、光照射時発生する電荷がその保護層で
ブロッキングされて光照射効果が失われてくるし、また
表面層となる保護層の膜厚が大きい場合には感度低下を
招くことになる。このように正帯電用感光体を得るため
の試みが種々行われているが、いずれも光感度、メモリ
現象または労働衛生等の点で改善すべき多くの問題点が
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は導電性
支持体とその上に形成された感光層を必須の構成要素と
し、高感度で耐久性のよい電子写真感光体を提供するこ
とである。特にバインダ樹脂との相溶性のよい高性能な
アクセプター性化合物を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく鋭意研究を重ねてきた結果、特定の一群の
化合物を合成するにいたり、本発明を完成するに至っ
た。すなわち、本願の第一の発明は、一般式（Ｉ）で表
わされるα−シアノスチルベン化合物である。

【０００７】

【化３】

【０００８】又、本願の第二の発明は、導電性支持体と
その上に形成された感光層を必須の構成要素とし、該感
光層中に上記一般式（Ｉ）で表わされるα−シアノスチ
ルベン化合物を含む電子写真感光体である。ここで、式
中、Ｒ₁は水素原子、置換又は無置換アルキル基、アル
コキシ基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル基、
置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のスルホニ
ル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又は無
置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基を表わし、またＲ₁は環を形成しても良い。Ｘは０
又はＳ原子を表わす。Ｒ₂は置換又は無置換のフェニル
基、置換又は無置換の多環芳香族基、あるいは置換又は
無置換の複素環基を表わす。これら置換基Ｒ₁及びＲ₂に
ついて、例示を挙げて説明する。

【０００９】本発明の前記一般式（Ｉ）中、Ｒ₁は水素
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、あるいはｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ヘキシル
基、オクチル基等のアルキル基、トリフルオロメチル
基、クロロメチル基、ブロモエチル基、フルオロプロピ
ル基等の置換アルキル基、メトキシメチル基、エトキシ
メチル基等のアルコキシアルキル基、メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基な
どのアルコキシカルボニル基、２−メトキシエトキシカ
ルボニル、２−エトキシエトキシカルボニル等のアルコ
キシ置換アルコキシカルボニル基、メトキシ基、エトキ
シ基等のアルコキシ基、メチルカルボニル基、エチルカ
ルボニル基、ヘキシルカルボニル基、トリルカルボニル
基等の置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のス
ルホニル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、Ｎ，
Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルカル
バモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジト
リルカルバモイル基等の置換又は無置換のカルバモイル
基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基を表わし、またＲ₁は環を形成
しても良い。これらの中で水素原子、メチル基、ニトロ
基、ｔ−ブチル基、ブトキシカルボニル基、塩素原子が
好ましい。

【００１０】又、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ₂はフェニー
ル基の他、多環芳香族基としては、ナフチル基、アント
ラセニル基、フェナンスレニル基、あるいはピレニル基
を、複素環基としては、ピリジル基、フラニル基、チオ
フェニル基、ベンゾフラン基、ベンゾチオフェニル基あ
るいはキノリル基などを挙げることができる。Ｒ₂にお
けるフェニール基、多環芳香族基、あるいは複素環基の
置換基としては、メトキシ基、あるいはエトキシ基など
のアルコキシ基、メチル基、プロピル基、ブチル基、あ
るいはｔ−ブチル基などのアルキル基、フッ素原子、塩
素原子、あるいは臭素原子などのハロゲン原子、トリフ
ルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、あるいはブトキ
シカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、シアノ
基、ニトロ基などを挙げることができる。本発明の一般
式（Ｉ）のα−シアノスチルベン化合物の具体例を、表
１に示すが、これらに限定されるものではない。

【００１１】

【表１】

【００１２】

【表２】

【００１３】

【表３】

【００１４】

【表４】

【００１５】

【表５】

【００１６】

【表６】

【００１７】

【表７】

【００１８】

【表８】

【００１９】

【表９】

【００２０】

【表１０】

【００２１】

【表１１】

【００２２】

【表１２】

【００２３】

【表１３】

【００２４】

【表１４】

【００２５】

【表１５】

【００２６】

【表１６】

【００２７】

【表１７】

【００２８】

【表１８】

【００２９】

【表１９】

【００３０】

【表２０】

【００３１】

【表２１】

【００３２】

【表２２】

【００３３】

【表２３】

【００３４】次に本発明の一般式（Ｉ）で示されるα−
シアノスチルベン化合物の代表的な製造法を説明する。
これら一般式Ｉの化合物は一般に下記アセトニトリル誘
導体（II）と下記アルデヒド類（III）とを塩基性触媒
の存在下で反応することによって得ることができる。

【００３５】

【化４】

【００３６】上記の反応に使用される触媒としては、例
えばピリジン、ピペリジン或いはトリエチルアミン等の
有機塩基、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム或いは酢酸ア
ンモニウム等の酢酸塩、苛性ソーダ、苛性カリウム、炭
酸ナトリウム或いは炭酸カリウム等の無機塩基などを挙
げることができる。反応は通常無溶媒か、メタノール、
エタノール、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン
或いはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒中で
行うことができる。反応温度は室温〜１５０℃、好まし
くは室温〜１００℃で行われる。なお、上記のアセトニ
トリル誘導体（II）は、例えばＣｈｅｍ．ＺＶｅＳｔｉ
３０（２）１８６〜１９４（１９７６）に示されるよう
に、対応するアミノ化合物と酸塩素化合物より下記（I
V）式の様にして合成される。

【００３７】

【化５】

【００３８】次に本発明の感光体の構成を図面によって
説明する。感光体としては例えば図１に示すように支持
体１（導電性支持体又はシート上に導電層を設けたも
の）上に電荷発生物質と必要に応じてバインダ樹脂を含
有する層（電荷発生層）２を下層とし、電荷輸送物質と
必要に応じてバインダ樹脂を含有する層（電荷輸送層）
３を上層とする積層構成の感光体層４を設けたもの、図
２に示すように図１の感光体層４の上に保護層５を設け
たもの、及び図３に示すように支持体上に電荷発生物質
と電荷輸送物質と必要に応じてバインダ樹脂を含有する
単層構成の感光体層６を設けたもの、等が挙げられるが
図３の単層構成の感光体層６の上層に保護層が設けられ
てもよく、また支持体と感光体層の間に中間層が設けら
れてもよい。本発明に使用する電荷発生物質としては、
可視光を吸収してフリー電荷を発生するものであれば、
無機物質及び有機物質のいずれをも用いることができ
る。例えば無定形セレン、三方晶系セレン、セレン−砒
素合金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、セレン
化カドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、酸化
鉛、硫化鉛、アモルファスシリコン等の無機物質、或い
はビスアゾ系色素、ポリアゾ系色素、トリアリールメタ
ン系色素、チアジン系色素、オキサジン系色素、キサン
テン系色素、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリ
ウム系色素、キナクリドン系色素、インジゴ系色素、ペ
リレン系色素、多環キノン系色素、ビスベンズイミダゾ
ール系色素、インダンスロン系色素、スクアリリウム系
色素、アントラキノン系色素、及びフタロシアニン系色
素等の有機物質が挙げられる。

【００３９】また、本発明で使用することができる電荷
輸送物質としては、キノン系化合物、キノン系化合物の
ビニリデンジニトリル化合物、フルオレノン系化合物、
フルオレノン系化合物のビニリデンジニトリル化合物、
カルボン酸エステル基を有するπ電子系化合物、シアノ
基を有するπ電子系化合物、ニトロ基を有するπ電子系
化合物等の電子輸送物質、分子中にトリフェニルアミン
部位を有する化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化
合物、トリフェニルメタン化合物、ヒドラゾン化合物、
オキサジアゾール化合物、オキサゾール化合物、カルバ
ゾール基を含む化合物、スチリル化合物、ブタジエン化
合物、ポリシラン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ピレン−ホルマリン縮合物等の正孔輸送物質が挙げ
られる。本発明によるα−シアノスチルベン化合物は上
記のように電子感光体に用いられる他に酸化防止剤のよ
うな添加剤としても使用可能である。

【００４０】本発明において感光体層に使用可能なバイ
ンダ樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、ピリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の
付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びに
これらの樹脂の繰返し単位のうち２つ以上を含む共重合
体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の
絶縁性樹脂のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の
高分子有機半導体が挙げられる。次に前記感光体層を支
持する導電性支持体としては、アルミニウム、ニッケル
などの金属板、金属ドラムまたは金属箔、アルミニウ
ム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸着したプラスチッ
クフィルム或いは導電性物質を塗布した紙、プラスチッ
クなどのフィルムまたはドラムを使用することができ
る。

【００４１】本発明に係る感光体を電荷発生層と電荷輸
送層の積層構成で形成する場合、すなわち前述の図１及
び図２の場合、本発明の電荷輸送物質は、適当な溶媒に
単独もしくは適当なバインダ樹脂とともに溶解もしくは
分散せしめたものを塗布して乾燥させる方法により設け
る。電荷輸送層に用いられる溶媒としては、例えばＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノ
クロルベンゼン、１，２−ジクロルエタン、ジクロルメ
タン、１，１，１−トリクロルエタン、１，１，２−ト
リクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル等
を挙げることができる。この電荷輸送層中、電荷輸送物
質がバインダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂１
００重量部に対して電荷輸送物質が２０〜２００重量部
とされる。この時の電荷輸送層の膜厚は、好ましくは５
〜５０μｍ、特に好ましくは５〜３０μｍである。

【００４２】電荷発生層は電荷発生物質を導電性支持体
上に真空蒸着するか、或いは適当な溶媒に単独もしくは
適当なバインダ樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたも
のを塗布、乾燥して電荷輸送層と同様に形成することが
できる。上記電荷発生物質を分散せしめて電荷発生層を
形成する場合、その電荷発生物質は２μｍ以下、好まし
くは１μｍ以下の平均粒径の粉粒体とされるのが好まし
い。すなわち、粒径があまり大きいと層中への分散が悪
くなると共に、粒子が表面に一部突出して表面の平滑性
が悪くなり、場合によっては粒子の突出部分で放電が生
じたり或いはそこにトナー粒子が付着してトナーフィル
ミング現象が生じやすい。ただし、上記の粒径があまり
に小さいと却って凝集しやすく、層の抵抗が上昇した
り、結晶欠陥が増えて感度及び繰返し特性が低下した
り、或いは微細化する上で限界があるから、平均粒径の
下限を０．０１μｍとするのが好ましい。

【００４３】電荷発生層は次の如き方法によって設ける
ことができる。すなわち、電荷発生物質はボールミル、
ホモミキサー等によって分散媒中で微細粒子とし、バイ
ンダ樹脂を加えて混合分散して得られる分散液を塗布す
る方法である。この方法において超音波の作用下に粒子
を分散させると、均一分散が可能である。また電荷発生
層中、電荷発生物質がバインダ樹脂に含有される割合
は、バインダ樹脂１００重量部に対して２０〜２００重
量部とされる。以上の様にして形成される電荷発生層の
膜厚は、好ましくは０．１〜１０μｍ、特に好ましくは
０．５〜５μｍである。次に本発明の感光体を単層構成
で形成する場合、すなわち図３の場合、電荷発生物質及
び電荷輸送物質がバインダ樹脂に含有される割合は、バ
インダ樹脂１００重量部に対して電荷発生物質は２０〜
２００重量部、電荷輸送物質は２０〜２００重量部とさ
れる。この単層構成の感光体の膜厚は７〜５０μｍ、さ
らに好ましくは１０〜３０μｍである。

【００４４】また、前記中間層は接着層またはバリヤ層
等として機能するもので、上記のバインダ樹脂のほか
に、例えばポリビニルアルコール、エチルセルロース、
カルボキシメチルセルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体、カゼイン、Ｎ−アルコキシメチルナイロン等の
樹脂をそのまま、または酸化スズあるいはインジウムな
どを分散させたもの、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、或
いは酸化ケイ素などの蒸着膜等が用いられる。中間層の
膜厚は１μｍ以下が望ましい。また、前記保護層に用い
られる材料としては、前述の樹脂をそのまま使用する
か、または酸化スズや酸化インジウムなどの低抵抗物質
を分散させたものが適当である。また、有機プラズマ重
合膜も使用でき、その有機プラズマ重合膜は必要に応じ
て適宜酸素、窒素、ハロゲン、周期率表の第III族、第
Ｖ族原子を含んでもよい。

【００４５】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これ
により本発明の実施の態様が限定されるものではない。
なお、本発明のα−シアノスチルベン化合物の実施例は
「合成例」とし、電子写真感光体の「実施例」とは区別
した。合成例１（化合物Ｎo.３）市販ベンゾチアゾール−２−イルアセトニトリル４．２
ｇ、市販の４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド
３．５ｇ及びピペリジン０．４ｍｌをエタノール１５０
ｍｌ中で還流下、６時間撹拌反応を行う。反応後、室温
まで放冷し、反応混合物を水中に注ぎトルエン３００ｍ
ｌを加えてよく撹拌し、分離したトルエン層を中性にな
るまで水洗した。トルエン層は無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、トルエンを留去し、次いで残渣に対し、ト
ルエンを展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー処理を行い、得られた粗製の目的物をエタノール
から再結晶して純粋な目的物２ｇを得た。又、このもの
の赤外線吸収スペクトル図を図４に示す。

【００４６】合成例２〜４（化合物Ｎo.１，２，１１）合成例１と同じ方法で純粋な目的物（化合物Ｎo.１，
２、及び１１）を得た。以上のようにして得られた化合
物の融点及び元素分析の結果を表２に示す。

【００４７】

【表２４】

【００４８】実施例１下記化学式（Ａ）で表わされるビスアゾ色素５部、ブチ
ラール樹脂（デンカブチラール樹脂＃３０００−２：電
気化学工業製）２．５部及びテトラヒドロフラン９２．
５部をボールミルにて１２時間分散させ、次にテトラヒ
ドロフランを２重量％の分散液濃度になるように加え、
再分散させて塗布液を調整した。調整した分散液をアル
ミニウムを蒸着した１００μｍ厚のポリエステルフィル
ム上にドクターブレードにて流延塗布し、乾燥後の膜厚
が１．０μｍの電荷発生層を形成した。

【００４９】

【化６】

【００５０】このようにして得られた電荷発生層上に、
合成例１の化合物（化合物Ｎo.３）６部、及びポリカー
ボネート樹脂（Ｋ−１３００：帝人化成製）１０部、メ
チルフェニル−シリコン（ＫＦ５０１００ＣＰＳ：信
越化学製）０．００２部、テトラヒドロフラン９４部か
らなる処方の塗布液を調整し、ドクターブレードにて流
延塗布し、乾燥後の膜厚が２０．０μｍの電荷輸送層を
形成し、アルミニウム電極／電荷発生層／電荷輸送層で
構成される積層型電子写真感光体（感光体Ｎo.１）を作
製した。

【００５１】実施例２前記化学式（Ａ）で表わされるビスアゾ色素５部の代わ
りに、下記化学式（Ｂ）で表わされるトリスアゾ色素６
部を用いること以外は実施例１と同様の方法で電荷発生
層を作製した。

【００５２】

【化７】

【００５３】このようにして得られた電荷発生層上に、
合成例１の化合物（化合物Ｎo.３）６部、ポリカーボネ
ート樹脂（Ｋ−１３００：帝人化成製）１０部、メチル
フェニル−シリコン（ＫＦ５０１００ＣＰＳ：信越化
学製）０．００２部、テトラヒドロフラン９４部からな
る塗布液を調製し、実施例１と同様の方法で、乾燥後の
膜厚が２０．０μｍの電荷輸送層を形成し、アルミニウ
ム電極／電荷発生層／電荷輸送層で構成される積層型電
子写真感光体（感光体Ｎo.２）を作製した。

【００５４】実施例３前記化学式（Ａ）で表わされるビスアゾ色素５部の代わ
りに、下記化学式（Ｃ）で表わされるビスアゾ色素６部
を用いること以外は実施例１と同様の方法で電荷発生層
を作製した。

【００５５】

【化８】

【００５６】このようにして得られた電荷発生層上に、
合成例１の化合物（化合物Ｎo.３）６部、ポリカーボネ
ート樹脂（Ｋ−１３００：帝人化成製）１０部、メチル
フェニル−シリコン（ＫＦ５０１００ＣＰＳ：信越化
学製）０．００２部、テトラヒドロフラン９４部からな
る塗布液を調製し、実施例１と同様の方法で、乾燥後の
膜厚が２０．０μｍの電荷輸送層を形成し、アルミニウ
ム電極／電荷発生層／電荷輸送層で構成される積層型電
子写真感光体（感光体Ｎo.３）を作製した。

【００５７】実施例４前記化学式（Ａ）で表わされるビスアゾ色素５部の代わ
りに、Ｘ型無金属フタロシアニン６部を用いること以外
は実施例１と同様の方法で電荷発生層を作製した。この
ようにして得られた電荷発生層上に、合成例１の化合物
（化合物Ｎo.３）６部、ポリカーボネート樹脂（Ｋ−１
３００：帝人化成製）１０部、メチルフェニル−シリコ
ン（ＫＦ５０１００ＣＰＳ：信越化学製）０．００２
部、テトラヒドロフラン９４部からなる塗布液を調製
し、実施例１と同様の方法で、乾燥後の膜厚が２０．０
μｍの電荷輸送層を形成し、アルミニウム電極／電荷発
生層／電荷輸送層で構成される積層型電子写真感光体
（感光体Ｎo.４）を作製した。

【００５８】実施例５Ｘ型無金属フタロシアニン１ｇ、ポリカーボネート−Ｚ
（ＰＣ−Ｚ）の１０ｗｔ％ＴＨＦ溶液１０ｇ、ＴＨＦ９
ｇをボールミルポット中にいれ１晩ミリングした。更に
ＰＣ−Ｚの１０ｗｔ％ＴＨＦ溶液２０ｇを加えた後１晩
ミリングした（これを１０％分散液とする）。この１０
％分散液２４ｇ、ＰＣ−Ｚの１０ｗｔ％ＴＨＦ溶液１３
２ｇ、下記の正孔移動物質を９ｇ、ＴＨＦを２６．６
ｇ、シリコン樹脂〔信越化学工業（株）製ＫＦ５０〕の
１ｗｔ％ＴＨＦ溶液３ｇを、フラスコに入れて撹拌し、
分散液を調整した。この分散液５．４ｇ、例示化合物
（化合物Ｎo.３）０．１５ｇをサンプル瓶に入れて撹拌
し、感光層塗布液を調整した。この液をアルミニウム基
板上に塗布し、乾燥して２０μｍの単層型感光体を作製
した（感光体Ｎo.５）。

【００５９】

【化９】

【００６０】実施例６Ｘ型無金属フタロシアニンの代わりに前記化学式（Ａ）
のビスアゾ色素を用いること以外は実施例５と同様にし
て単層型感光体（感光体Ｎo.６）を作製した。比較例１ α−シアノスチルベン化合物を用いないこと以外は実施
例５と同様にして感光体Ｎo.７を作製した。

【００６１】比較例２ α−シアノスチルベン化合物を用いないこと以外は実施
例６と同様にして感光体Ｎo.８を作製した。以上のよう
にして得られた感光体について、静電複写紙測定装置
（川口電機製ＳＰ−４２８）を使用して、＋６ＫＶの放
電電位で２０秒間帯電した（表面電位Ｖ_s）後、２０秒
間暗所に放置し、そのときの表面電位Ｖ_oを測定し、次
いで白色タングステンランプを用いて表面の照度が２０
ルックスになるようにして３０秒間光照射し、そのとき
Ｖ_oが１／２になるのに要した露光量Ｅ_1/2（ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ）、及び３０秒露光後の表面電位Ｖ₃₀を測定した。
結果を表３に示す。表３より明らかなように、本発明の
α−シアノスチルベン化合物を含む電子写真感光体は高
い暗減衰率および高い感度を示す。

【００６２】

【表２５】

【００６３】

【発明の効果】本発明に係るα−シアノスチルベン化合
物は、新規な化合物であり、比較的簡単で効率の良い方
法により製造することができ、バインダ樹脂中で優れた
溶解性または分散性を有する。また、α−シアノスチル
ベン化合物は電荷輸送性アクセプター性化合物として優
れた性質を有し、このα−シアノスチルベン化合物を含
有する電子写真感光体を作成した場合、高い暗減衰率お
よび高い感度を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる感光体の断面図。

【図２】本発明に係わる他の感光体の断面図。

【図３】本発明に係わる他の感光体の断面図。

【図４】合成例１の化合物（化合物Ｎo.３）のＩＲスペ
クトル。

【符号の説明】

１支持体２電荷発生層３電荷輸送層４感光体層（積層構成）５保護層６感光体層（単層構成）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０７Ｄ 417/06 ２１３２１５３０７Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１８Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされるα−シア
ノスチルベン化合物。一般式（Ｉ）：【化１】（式中、Ｒ₁は水素原子、置換又は無置換アルキル基、
アルコキシ基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル
基、置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のスル
ホニル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又
は無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基を表わし、またＲ₁は環を形成しても良い。Ｘ
は０又はＳ原子を表わす。Ｒ₂は置換又は無置換のフェ
ニル基、置換又は無置換の多環芳香族基、あるいは置換
又は無置換の複素環基を表わす。）
【請求項２】導電性支持体とその上に形成された感光
層を必須の構成要素とし、該感光層中に一般式（Ｉ）で
表わされるα−シアノスチルベン化合物を含む電子写真
感光体。一般式（Ｉ）：【化２】（式中、Ｒ₁は水素原子、置換又は無置換アルキル基、
アルコキシ基、置換又は無置換のアルコキシカルボニル
基、置換又は無置換のアシル基、置換又は無置換のスル
ホニル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又
は無置換のカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基を表わし、またＲ₁は環を形成しても良い。Ｘ
は０又はＳ原子を表わす。Ｒ₂は置換又は無置換のフェ
ニル基、置換又は無置換の多環芳香族基、あるいは置換
又は無置換の複素環基を表わす。）
【請求項３】感光層が電荷発生層と電荷輸送層の２層
からなり、少なくとも電荷輸送層は前記一般式（Ｉ）で
表わされるα−シアノスチルベン化合物を含有する請求
項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】感光層が電荷発生物質及び電荷輸送物質
を含む単層型電子写真感光体において、該感光層は、前
記一般式（Ｉ）で表わされるα−シアノスチルベン化合
物の少なくとも一種を含有する請求項２に記載の電子写
真感光体。