JPH07240666A - 容量増倍回路 - Google Patents

容量増倍回路

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Publication number
JPH07240666A
JPH07240666A JP3110094A JP3110094A JPH07240666A JP H07240666 A JPH07240666 A JP H07240666A JP 3110094 A JP3110094 A JP 3110094A JP 3110094 A JP3110094 A JP 3110094A JP H07240666 A JPH07240666 A JP H07240666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
current
emitter
current source
capacitance
Prior art date
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Pending
Application number
JP3110094A
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English (en)
Inventor
Tetsuya Wakuta
哲也 和久田
Kazuo Kondo
和夫 近藤
Kazuaki Hori
和明 堀
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】容量の容量値を見かけ上トランジスタの電流増
幅率倍にし、従来外付けであった周辺部品をLSIに内
蔵できるようにし、LSIの外部端子及び周辺部品を削
減すること。 【構成】ベースに直流電圧が印加された第1のトランジ
スタ1と、該第1のトランジスタのエミッタにベースが
接続された第2のトランジスタ2と、該第1のトランジ
スタのエミッタに一端が接続された容量3と、該第2の
トランジスタのエミッタに接続された第1の電流源4
と、該第1のトランジスタのコレクタ電流と等しい電流
値の第2の電流源6と、該第2の電流源に接続された第
3のトランジスタ7を具備し、該第2のトランジスタの
コレクタと該第3のトランジスタのエミッタと該容量の
他端が互いに接続された容量増倍回路。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、容量を内蔵する集積回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、集積回路に集積可能な容量はチッ
プサイズの点から数10pFで、それ以上の容量は個別
部品による外付けとなり、LSIの外部端子が増加する
とか、周辺部品の増加によりプリント基板の小型化がで
きないという問題がある。それを解決するため、最近、
回路技術により、実際の容量値よりも見かけ上大きく見
せる技術も開発されてきているが以下に記す理由によ
り、せいぜい4〜5倍が限度である。一技術手段とし
て、ミラー効果を利用したものがあるが電圧上のダイナ
ミックレンジの制限があり、せいぜい4〜5倍が限度で
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点を解決し、見かけ上の容量を約100倍に
して内蔵する。
【0004】
【課題を解決するための手段】図1に示すように、ベー
スに直流電圧が印加された第1のトランジスタ1と、該
第1のトランジスタのエミッタにベースが接続された第
2のトランジスタ2と、該第1のトランジスタのエミッ
タに一端が接続された容量3と、該第2のトランジスタ
のエミッタに接続された第1の電流源4と、該第1のト
ランジスタのコレクタ電流と等しい電流値の第2の電流
源5と、該第2の電流源に接続された第3のトランジス
タ6を具備し、該第2のトランジスタのコレクタと該第
3のトランジスタのエミッタと該容量の他端が互いに接
続された容量増倍回路を用いる。
【0005】
【作用】端子8から微小電流iが流入すると、その電流
は容量3、第1のトランジスタ1を介して第2の電流源
6に流入する。そこで流入した電流と等しい電流が第3
のトランジスタ7のベース電流として引かれる。第3の
トランジスタ7の電流増幅率をhFEとすると第3のト
ランジスタ7のエミッタには微小電流iのhFE倍の電
流hFE・iが流れ、端子8からの電流を吸い込む。結
果として見ると、端子8から流入した電流iのうち1/
(1+hFE)が容量3を流れ、hFE/(1+hF
E)が第3のトランジスタ7を流れることになる。電流
が流れている時間をt、容量3の容量値をCとすると、
端子8の電圧変化Vはit/(1+hFE)Cと表さ
れ、端子8から見た容量値は(1+hFE)倍に見える
ことになる。
【0006】
【実施例】図1に本発明の実施例を示す。1は第1のト
ランジスタ、2は第2のトランジスタ、3は容量、4は
第1の電流源、5は定電圧源、6は第2の電流源、7は
第3のトランジスタ、8は端子である。動作は作用の項
で述べたとうりである。図2に他の実施例を示す。図1
と同一の符号の素子は同一の機能を有するものとする。
9,10,11はトランジスタで、図1の第2の電流源
を構成する。トランジスタ1のコレクタ電流はトランジ
スタ9のコレクタ電流としてトランジスタ9に流入し、
カレントミラー回路によりトランジスタ11のコレクタ
に等しい電流が流れる。以降の動作は[作用]の項で述
べたことと同一である。図3に他の実施例を示す。図2
と同一の符号の素子は同一の機能を有するものとする。
図2と異なる点は、NPNトランジスタをPNPトラン
ジスタに変えた点である。機能上の動作はまったく同一
である。図2の例は、端子8から電流が流入する場合に
有利であり、図3の場合は端子8から電流が流出する場
合に有利である。
【0007】
【発明の効果】本発明により、容量値を見かけ上トラン
ジスタの電流増幅率倍にすることができ、従来、集積回
路への内蔵の限界が約50pFだったのに対し、約50
00pFが実質上可能になる。これにより、LSIの外
部端子の削減や周辺部品の削減が可能になり、プリント
基板の小型化、ひいてはビデオムービーなどの小型化も
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例を示す図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
1,2,7…トランジスタ、3…容量、4,6…電流
源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベースに直流電圧が印加された第1のトラ
    ンジスタと、該第1のトランジスタのエミッタにベース
    が接続された第2のトランジスタと、該第1のトランジ
    スタのエミッタに一端が接続された容量と、該第2のト
    ランジスタのエミッタに接続された第1の電流源と、該
    第1のトランジスタのコレクタ電流と等しい電流値の第
    2の電流源と、該第2の電流源に接続された第3のトラ
    ンジスタを具備し、該第2のトランジスタのコレクタと
    該第3のトランジスタのエミッタと該容量の他端が互い
    に接続されたことを特徴とする容量増倍回路。
JP3110094A 1994-03-01 1994-03-01 容量増倍回路 Pending JPH07240666A (ja)

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JP3110094A JPH07240666A (ja) 1994-03-01 1994-03-01 容量増倍回路

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JP3110094A JPH07240666A (ja) 1994-03-01 1994-03-01 容量増倍回路

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JPH07240666A true JPH07240666A (ja) 1995-09-12

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ID=12321988

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JP3110094A Pending JPH07240666A (ja) 1994-03-01 1994-03-01 容量増倍回路

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JP (1) JPH07240666A (ja)

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