JP3150002B2 - 出力回路 - Google Patents

出力回路

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JP3150002B2
JP3150002B2 JP01601893A JP1601893A JP3150002B2 JP 3150002 B2 JP3150002 B2 JP 3150002B2 JP 01601893 A JP01601893 A JP 01601893A JP 1601893 A JP1601893 A JP 1601893A JP 3150002 B2 JP3150002 B2 JP 3150002B2
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尚也 石原
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日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は出力回路に関し、特に低
電源電圧動作の高周波回路における出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のこの種の出力回路を示す回
路である。図3において、抵抗R2の一端は電源端子5
2に接続され、他端はトランジスタTr1のコレクタ及
びTr2のベースに接続されている。前記トランジスタ
Tr2のコレクタは電源端子52に、またそのエミッタ
は抵抗R4に接続されている。さらに抵抗R4の他端は
出力端子42,トランジスタTr3のコレクタ,抵抗R
1の一端にそれぞれ接続されている。抵抗R1の他端
は、容量C1の一端及びトランジスタTr1のベースに
接続されている。また、トランジスタTr1のエミッタ
は、トランジスタTr3のベース及び抵抗R3の一端に
接続されている。トランジスタTr3のエミッタは抵抗
R5の一端に接続され、かつその他端は抵抗R3の他端
と共に接地端子51に共通接続されている。また容量C
1の一端は、入力端子41に接続されている。
【0003】このように構成された従来の出力回路は、
入力端子41を介して入力する入力信号Vinが容量C
1により直流成分がカットされたのち、トランジスタT
r1のベースに入力され、電圧増幅されて、入力信号V
inと逆相の信号Vin′がトランジスタTr2のベー
スに入力され電流増幅されて、Vinと逆相の信号Vo
ut′が、トランジスタTr2のエミッタから出力され
る。また、前記トランジスタTr1のベースに入力され
た入力信号Vinは、トランジスタTr3のベースに同
相で入力され、電力増幅されて、入力信号と逆相の信号
Vout″がトランジスタTr3のコレクタから出力さ
れる。この出力信号Vout″は、前述した出力信号V
out′と合成され、出力端子42を介して、出力信号
Voutとして出力される。つまり、出力信号Vout
は次の(1)式で表される。
【0004】 Vout=Vout′+Vout″ …(1) また、抵抗R4により出力インピーダンス一定となる。
また抵抗R3及びR5により増幅率変動、回路電流変動
を低減し、さらに抵抗R1を介してトランジスタTr1
のベースバイアスを与えている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の出力回
路は、動作状態でのトランジスタTr1及びトランジス
タTr3のベース・エミッタ間電圧を各々VBETr
1,VBETr3とし、抵抗R5の両端の電位差をVR
5とする。また、電源電圧をVCCとすれば、出力信号
の振幅Voutは後述の(2)式で決定される。
【0006】 Vout=1/2{VCC−(VBETr1+VBETr3+VR5)} …(2) このため、電源電圧VCCが2.7V程度と低い場合に
は、出力振幅が約0.3Vpしかとれないという欠点が
ある。
【0007】また、回路構成上トランジスタTr1,T
r2及びTr3のベースバイアスとして、自己固定バイ
アス方式をとっているため、電源電圧VCCを与えた状
態で、消費電力を抑制させようと、トランジスTr1の
ベースを接地させたとしても、抵抗R2,トランジスタ
Tr2,抵抗R4及び抵抗R1の経路で、回路電流が流
れ続けるため、消費電力抑制の効果が小さいという欠点
があり、この欠点は前記の欠点とは別に存在する。
【0008】本発明は、かかる問題に鑑みてなされたも
のであって、例えば電源電圧VCCが2.7V程度でも
出力振幅Voutが約0.7Vpとれ、また電源電圧V
CCを与えた状態で消費電力抑制を行なった場合でも、
回路電流を0にすることができる出力回路を提供するこ
とを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の出力回路は
レクタが第1の抵抗素子を介して第1の電源端子に接続
され、エミッタが第2の抵抗素子を介して第2の電源に
接続され、ベースが容量素子を介して入力端子に接続さ
れるとともに外部端子から第3の抵抗素子を介してバイ
アス電圧が与えられ、かつ前記入力端子に信号が未入力
のとき前記バイアス電圧を下げることにより回路電流が
遮断される第1のトランジスタと、コレクタが第1の電
源に接続され、ベースが前記第1のトランジスタのコレ
クタに接続される第2のトランジスタと、エミッタが第
4の抵抗素子を介して第2の電源に接続され、ベースが
前記第1のトランジスタのベースに接続され、かつ前記
入力端子に信号が未入力のとき前記第1のトランジスタ
とともに回路電流が遮断される第3のトランジスタとを
有し、前記第2のトランジスタのエミッタおよび前記第
3のトランジスタのコレクタが直接接続されかつ出力端
子にも接続され、前記低電圧動作時でも前記出力端子に
おける出力電圧振幅範囲を前記第3のトランジスタのベ
ースエミッタ間電圧の略1/2拡張する構成を備える
とを特徴とする。
【0010】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して説明する。図
1は本発明の一実施例の出力回路を示す回路図である。
図1において、本実施例は、第1の容量C1と、第1,
第2,第3のトランジスタTr1,Tr2,Tr3と、
第1,第2,第3,第4の抵抗R1〜R5と、それぞれ
第1,第2の入力端子41,43と、第1の電源端子5
2と、第1の接地端子51と、第1の出力端子42とを
備えている。
【0011】本実施例の回路が、図3に示す従来の回路
と相違する点は、シリコンバイポーラトランジスタTr
1及びTr3のベースが、抵抗R1の一端に共通接続さ
れ、その抵抗R1の他端は入力端子43に接続され、ま
た図3の抵抗R4がなくなり、トランジスタTr2のエ
ミッタ及びトランジスタTr3のコレクタが出力端子4
2に共通接続されている点である。尚、図1において、
図3と同一物には同一符号を付して詳しい説明を省略す
る。
【0012】次に前述のように構成された本実施例の回
路動作について説明する。入力端子41を介して入力さ
れる入力信号Vinが、容量C1により直流成分がカッ
トされたのち、トランジスタTr1のベースに入力さ
れ、電圧増幅され、入力信号と逆相の信号Vin′がト
ランジスタTr2のベースに入力され、トランジスタT
r2で電流増幅され、入力信号と逆相の信号Vout′
がそのエミッタから出力される。また、トランジスタT
r3のベースに入力された信号Vinは電力増幅され
て、入力信号と逆相の信号Vout″となって、そのコ
レクタから出力される。この出力信号Vout″は、前
述の信号Vin′と合成され、出力端子42を介して、
出力信号Voutとして出力される。本実施例の場合、
トランジスタTr1のベース・エミッタ間電圧をVBE
Tr1とし、抵抗R3の両端の電位差をVR3とする
と、出力信号の振幅Voutは、次の(3)式により決
定される。
【0013】 Vout=1/2{VCC−(VBETr1+VR3)} …(3) この(3)式を、従来例の(2)式と比較すれば、トラ
ンジスタTr3のベース・エミッタ間電圧VBETr3
の1/2段分約0.4V出力振幅を大きくとることが可
能であり、つまり、電源電圧VCCが2.7V程度でも
本実施例では、出力振幅Voutを約0.4V大きくと
ることが可能となる。また、入力端子43を介して入力
される基準電圧をトランジスタTr1及びTr3のカッ
トオフ電圧である約0.8V以下である約0.8V以下
に下げることで、電源電圧VCCを与えた状態でも、ト
ランジスタTr1及びTr3がオフするため、回路電流
が遮断され、消費電力を抑制することが可能である。
【0014】また、前述のバイアス方式により電源電圧
VCCを与えた状態でも入力信号が未入力の時等の消費
電力を抑制したい場合、第2の入力端子に入力される基
準電圧を下げることにより、回路電流を完全に遮断し、
消費電力を抑えることが可能となる。
【0015】図2は本発明の他の実施例の出力回路を示
す回路図である。図2において、本実施例は、トランジ
スタをすべてpnp型で構成しており、これにともない
回路構成も変更している。本実施例の動作・機能は、前
記一実施例と同様であるので、省略する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の出力回路
は、第1のトランジスタのコレクタに、負荷抵抗と第2
のトランジスタのベースを接続し、また、第1のトラン
ジスタのベースは、第3のトランジスタのベースと共通
で、容量を介して第1の入力端子を接続し、また抵抗を
介して第2の入力端子を接続し、第2のトランジスタの
エミッタと第3のトランジスタのコレクタは共通で、出
力端子を接続する構成にしたので、電源電圧を有効に使
うことができ、電源電圧が低い場合でも、出力振幅が大
きくなり、また電源電圧を加えた状態で消費電力を抑制
するために第2の入力端子を接地させた場合、完全に回
路電流をしゃ断することができるため、消費電力を理論
的にゼロに抑えることができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の出力回路を示す回路図であ
る。
【図2】本発明の他の実施例の出力回路を示す回路であ
る。
【図3】従来の出力回路を示す回路図である。
【符号の説明】
C1 容量 Tr1,Tr2,Tr3 トランジスタ R1,R2,R3,R4,R5 抵抗 41,43 入力端子 42 出力端子 51 電源端子 52 接地端子

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コレクタが第1の抵抗素子を介して第1
    の電源端子に接続され、エミッタが第2の抵抗素子を介
    して第2の電源に接続され、ベースが容量素子を介して
    入力端子に接続されるとともに外部端子から第3の抵抗
    素子を介してバイアス電圧が与えられ、かつ前記入力端
    子に信号が未入力のとき前記バイアス電圧を下げること
    により回路電流が遮断される第1のトランジスタと、コ
    レクタが第1の電源に接続され、ベースが前記第1のト
    ランジスタのコレクタに接続される第2のトランジスタ
    と、エミッタが第4の抵抗素子を介して第2の電源に接
    続され、ベースが前記第1のトランジスタのベースに接
    続され、かつ前記入力端子に信号が未入力のとき前記第
    1のトランジスタとともに回路電流が遮断される第3の
    トランジスタとを有し、前記第2のトランジスタのエミ
    ッタおよび前記第3のトランジスタのコレクタが直接接
    続されかつ出力端子にも接続され、前記低電圧動作時で
    も前記出力端子における出力電圧振幅範囲を前記第3の
    トランジスタのベースエミッタ間電圧の略1/2拡張す
    る構成を備えることを特徴とする出力回路。
  2. 【請求項2】 第1,第2,第3のトランジスタが、n
    pn型である請求項1に記載の出力回路。
  3. 【請求項3】 第1,第2,第3のトランジスタが、p
    np型である請求項1に記載の出力回路。
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