JPH07211626A - 電子ビーム一括描画用アパーチャおよび電子ビーム一括描画用アパーチャ使用方法 - Google Patents
電子ビーム一括描画用アパーチャおよび電子ビーム一括描画用アパーチャ使用方法Info
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- JPH07211626A JPH07211626A JP6018995A JP1899594A JPH07211626A JP H07211626 A JPH07211626 A JP H07211626A JP 6018995 A JP6018995 A JP 6018995A JP 1899594 A JP1899594 A JP 1899594A JP H07211626 A JPH07211626 A JP H07211626A
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のパターンを同時に形成し、リソグラフ
ィ工程のスループットを向上させる。 【構成】 電子ビーム一括描画用アパーチャ１１の中央
に複数の窓部を穿設し、それぞれの窓部に吊り線１２に
より孤立パターンを設ける。吊り線１２の線幅は、電子
ビームで一括描画を行っても、解像されない程度に細い
ものである。これにより、中抜き等のパターンを描画す
ることができ、リソグラフィ工程のスループットを向上
させることが可能となる。また、使用するレジストの型
（ポジ、ネガ）に合わせて、電子ビーム一括描画用アパ
ーチャを作成することができる。
ィ工程のスループットを向上させる。 【構成】 電子ビーム一括描画用アパーチャ１１の中央
に複数の窓部を穿設し、それぞれの窓部に吊り線１２に
より孤立パターンを設ける。吊り線１２の線幅は、電子
ビームで一括描画を行っても、解像されない程度に細い
ものである。これにより、中抜き等のパターンを描画す
ることができ、リソグラフィ工程のスループットを向上
させることが可能となる。また、使用するレジストの型
（ポジ、ネガ）に合わせて、電子ビーム一括描画用アパ
ーチャを作成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置に
使用される電子ビーム一括描画用アパーチャおよび電子
ビーム一括描画用アパーチャ使用方法に関する。
使用される電子ビーム一括描画用アパーチャおよび電子
ビーム一括描画用アパーチャ使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＬＳＩパターンの微細化、高集積
化に伴い微細加工の可能な電子ビームリソグラフィ技術
が使用されるようになってきた。この種の電子ビーム描
画装置は、図７にあるように電子銃７３から第１アパー
チャ７４に矩形の開口部を形成し、この開口部よりも若
干広範囲に照射された電子ビーム７５をこの開口部を通
して矩形に成形している。さらに第２アパーチャ７１の
一部にも矩形の開口部を形成し、第１アパーチャ７４と
第２アパーチャ７１との重なり具合を調整することによ
り、矩形ビームの大きさを任意に決定する。そして、こ
の矩形ビームを、縮小レンズ、偏光レンズ、対物レンズ
７８等を通して、目的の基板７７上の所定の位置に所定
の大きさで描画を行っていた。７６は偏向器である。
化に伴い微細加工の可能な電子ビームリソグラフィ技術
が使用されるようになってきた。この種の電子ビーム描
画装置は、図７にあるように電子銃７３から第１アパー
チャ７４に矩形の開口部を形成し、この開口部よりも若
干広範囲に照射された電子ビーム７５をこの開口部を通
して矩形に成形している。さらに第２アパーチャ７１の
一部にも矩形の開口部を形成し、第１アパーチャ７４と
第２アパーチャ７１との重なり具合を調整することによ
り、矩形ビームの大きさを任意に決定する。そして、こ
の矩形ビームを、縮小レンズ、偏光レンズ、対物レンズ
７８等を通して、目的の基板７７上の所定の位置に所定
の大きさで描画を行っていた。７６は偏向器である。
【０００３】しかし、このような電子ビーム描画装置に
あっては、矩形ビームの大きさが非常に小さいため、所
望のレジストパターン７２を描画する場合には、ほぼパ
ターン通りに描画を行わなければならない。このため、
描画に長時間を要し、スループットは非常に低いもので
あった。
あっては、矩形ビームの大きさが非常に小さいため、所
望のレジストパターン７２を描画する場合には、ほぼパ
ターン通りに描画を行わなければならない。このため、
描画に長時間を要し、スループットは非常に低いもので
あった。
【０００４】そこで、電子ビーム描画装置におけるスル
ープットを向上させるべく、たとえば、特開昭５４−２
９９８１号公報に記載された電子ビーム一括描画装置が
案出された。この電子ビーム一括描画装置にあっては、
あらかじめ所望のパターンを上記第２アパーチャ７１上
に形成しておき、このパターン部分に電子ビームを通す
ことにより、一回の電子ビーム照射でアパーチャ上のパ
ターン１ブロックを目的の基板上に描画している。この
ようにして繰り返し描画を行うことによりＬＳＩパター
ンを形成し、描画時間の大幅短縮、スループットの飛躍
的向上を図っている。
ープットを向上させるべく、たとえば、特開昭５４−２
９９８１号公報に記載された電子ビーム一括描画装置が
案出された。この電子ビーム一括描画装置にあっては、
あらかじめ所望のパターンを上記第２アパーチャ７１上
に形成しておき、このパターン部分に電子ビームを通す
ことにより、一回の電子ビーム照射でアパーチャ上のパ
ターン１ブロックを目的の基板上に描画している。この
ようにして繰り返し描画を行うことによりＬＳＩパター
ンを形成し、描画時間の大幅短縮、スループットの飛躍
的向上を図っている。
【０００５】このような電子ビーム一括描画装置におい
て、効率の良いパターン形成を行うのに最も関与してい
るのは第２アパーチャ（電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ）７１である。電子ビーム一括描画装置で多種多様な
パターンに対応する上で、図６に示されるような孤立パ
ターンをアパーチャ上に形成しなければならないが、何
らかの工夫をしなければ、枠残しパターン６３，枠抜き
パターン６４，残しコの字パターン６５，残しホールパ
ターン６６等用の第２アパーチャを作製するのは難し
い。そこで、「特開平１−１９９３８４号公報の電子ビ
ーム描画方法及び描画用アパーチャ」のように図８のア
パーチャを用い、２回の描画を組み合せて図３，図４の
ような所望のパターンを形成する方法等が案出されてい
る。ところが、このものにあっては、複数回の描画を組
み合わせなければならないことから、スループットの向
上には限界があった。
て、効率の良いパターン形成を行うのに最も関与してい
るのは第２アパーチャ（電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ）７１である。電子ビーム一括描画装置で多種多様な
パターンに対応する上で、図６に示されるような孤立パ
ターンをアパーチャ上に形成しなければならないが、何
らかの工夫をしなければ、枠残しパターン６３，枠抜き
パターン６４，残しコの字パターン６５，残しホールパ
ターン６６等用の第２アパーチャを作製するのは難し
い。そこで、「特開平１−１９９３８４号公報の電子ビ
ーム描画方法及び描画用アパーチャ」のように図８のア
パーチャを用い、２回の描画を組み合せて図３，図４の
ような所望のパターンを形成する方法等が案出されてい
る。ところが、このものにあっては、複数回の描画を組
み合わせなければならないことから、スループットの向
上には限界があった。
【０００６】さらに、スループットを向上させたものと
して、例えば「ジーメンス フォルシュリンクスウント
エントビクルンクス ベルリヒト ７（１９７８）２
８．１」や「特開昭６１−１８３９２６号公報の荷電ビ
ーム照射装置」に述べられているように、解像限界以下
の細かい網目で孤立パターンを支持するようにしたアパ
ーチャが案出されている。しかしながら、解像度以下の
網目を第２アパーチャに均一に加工するのは困難であ
り、特に編目の面積が大きいような場合には殆ど実現不
可能である。そこで、かかる問題を回避すべく、特開平
３−６１０１６号公報のアパーチャが案出された。この
アパーチャは、図９に示すように、単一の孤立パターン
９１を解像限界以下の線幅の吊り線９２により支持した
ものである。
して、例えば「ジーメンス フォルシュリンクスウント
エントビクルンクス ベルリヒト ７（１９７８）２
８．１」や「特開昭６１−１８３９２６号公報の荷電ビ
ーム照射装置」に述べられているように、解像限界以下
の細かい網目で孤立パターンを支持するようにしたアパ
ーチャが案出されている。しかしながら、解像度以下の
網目を第２アパーチャに均一に加工するのは困難であ
り、特に編目の面積が大きいような場合には殆ど実現不
可能である。そこで、かかる問題を回避すべく、特開平
３−６１０１６号公報のアパーチャが案出された。この
アパーチャは、図９に示すように、単一の孤立パターン
９１を解像限界以下の線幅の吊り線９２により支持した
ものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示した従来の電子ビーム一括描画用アパーチャは、単一
のパターンが形成されているのみであるため、複数の異
なるパターンを別個に描画しなければならず、リソグラ
フィ工程のスループットが低下していた。また、レジス
トには、ポジ型あるいはネガ型の２種類があるが、従来
の電子ビーム一括描画用アパーチャはいずれか一方の型
のレジストのみに対応するものであった。このため、レ
ジストの型によっては従来の電子ビーム一括描画用アパ
ーチャを使用することが困難となっていた。
示した従来の電子ビーム一括描画用アパーチャは、単一
のパターンが形成されているのみであるため、複数の異
なるパターンを別個に描画しなければならず、リソグラ
フィ工程のスループットが低下していた。また、レジス
トには、ポジ型あるいはネガ型の２種類があるが、従来
の電子ビーム一括描画用アパーチャはいずれか一方の型
のレジストのみに対応するものであった。このため、レ
ジストの型によっては従来の電子ビーム一括描画用アパ
ーチャを使用することが困難となっていた。
【０００８】そこで、本発明は、解像されることのない
吊り線を用いて複数の孤立パターンを形成することによ
り描画を効率良く行うとともに、レジストの型に適した
電子ビーム一括描画用アパーチャを使い分けることによ
り、リソグラフィ工程のスループットを向上させること
を目的としている。
吊り線を用いて複数の孤立パターンを形成することによ
り描画を効率良く行うとともに、レジストの型に適した
電子ビーム一括描画用アパーチャを使い分けることによ
り、リソグラフィ工程のスループットを向上させること
を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
板状体に穿設された窓部に、孤立パターンが吊り線によ
り支持され、この板状体に電子ビームを照射することに
より電子ビームを成形する電子ビーム一括描画用アパー
チャにおいて、上記孤立パターンが複数配設されたこと
を特徴とする電子ビーム一括描画用アパーチャである。
板状体に穿設された窓部に、孤立パターンが吊り線によ
り支持され、この板状体に電子ビームを照射することに
より電子ビームを成形する電子ビーム一括描画用アパー
チャにおいて、上記孤立パターンが複数配設されたこと
を特徴とする電子ビーム一括描画用アパーチャである。
【００１０】請求項２記載の発明は、上記吊り線の線幅
は、電子ビームの限界解像度以下であることを特徴とし
た請求項１記載の電子ビーム一括描画用アパーチャであ
る。
は、電子ビームの限界解像度以下であることを特徴とし
た請求項１記載の電子ビーム一括描画用アパーチャであ
る。
【００１１】請求項３記載の発明は、隣接し合う上記吊
り線の間隔は、電子ビームの限界解像度以上であること
を特徴とした請求項１または請求項２記載の電子ビーム
一括描画用アパーチャである。
り線の間隔は、電子ビームの限界解像度以上であること
を特徴とした請求項１または請求項２記載の電子ビーム
一括描画用アパーチャである。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１〜請求項
３のいずれかに記載の電子ビーム一括描画用アパーチャ
を用いて、複数のパターンを同時に描画することを特徴
とした電子ビーム一括描画用アパーチャ使用方法であ
る。
３のいずれかに記載の電子ビーム一括描画用アパーチャ
を用いて、複数のパターンを同時に描画することを特徴
とした電子ビーム一括描画用アパーチャ使用方法であ
る。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１〜請求項
３のいずれかに記載の電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ、あるいは、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
電子ビーム一括描画用アパーチャにおける孤立パターン
の部分を窓部に置き換えた反転型の電子ビーム一括描画
用アパーチャ、の２つのうちのいずれか一方を、パター
ンを描画しようとするレジストに合わせて選択的に使用
することを特徴とした電子ビーム一括描画用アパーチャ
使用方法である。
３のいずれかに記載の電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ、あるいは、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
電子ビーム一括描画用アパーチャにおける孤立パターン
の部分を窓部に置き換えた反転型の電子ビーム一括描画
用アパーチャ、の２つのうちのいずれか一方を、パター
ンを描画しようとするレジストに合わせて選択的に使用
することを特徴とした電子ビーム一括描画用アパーチャ
使用方法である。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明にあっては、吊り線により
支持された孤立パターンを複数備えているため、例えば
中抜き等の複数のパターンを同時にレジスト等に描画す
ることができる。また、電子ビーム一括描画用アパーチ
ャにそれぞれ形状の異なる孤立パターンを設けることに
より、種々の形状のパターンを一括して描画することも
可能である。これにより、リソグラフィ工程のスループ
ットを大幅に向上させることができる。
支持された孤立パターンを複数備えているため、例えば
中抜き等の複数のパターンを同時にレジスト等に描画す
ることができる。また、電子ビーム一括描画用アパーチ
ャにそれぞれ形状の異なる孤立パターンを設けることに
より、種々の形状のパターンを一括して描画することも
可能である。これにより、リソグラフィ工程のスループ
ットを大幅に向上させることができる。
【００１５】請求項２記載の発明にあっては、吊り線の
線幅は電子ビームの限界解像度以下である。このため、
実際に描画されたパターンに、吊り線があらわれること
はない。
線幅は電子ビームの限界解像度以下である。このため、
実際に描画されたパターンに、吊り線があらわれること
はない。
【００１６】請求項３記載の発明にあっては、隣接し合
う吊り線の間隔は、電子ビームの限界解像度以上であ
る。このため、電子ビームは、吊り線間を妨げられるこ
となく透過し、レジスト等に描画されたパターンに吊り
線の影響があらわれることを防止できる。
う吊り線の間隔は、電子ビームの限界解像度以上であ
る。このため、電子ビームは、吊り線間を妨げられるこ
となく透過し、レジスト等に描画されたパターンに吊り
線の影響があらわれることを防止できる。
【００１７】請求項４記載の発明にあっては、請求項１
〜請求項３のいずれかに記載の電子ビーム一括描画用ア
パーチャを用いて、複数のパターンを同時に描画する。
このため、パターンの描画のスループットを向上させる
ことができる。
〜請求項３のいずれかに記載の電子ビーム一括描画用ア
パーチャを用いて、複数のパターンを同時に描画する。
このため、パターンの描画のスループットを向上させる
ことができる。
【００１８】請求項５記載の発明にあっては、使用する
レジストに合わせて、通常の電子ビーム一括描画用アパ
ーチャ、または、反転型の電子ビーム一括描画用アパー
チャのいずれかを使用することができる。例えば、ポジ
型のレジストを使用する場合には、通常の電子ビーム一
括描画用アパーチャを用い、ネガ型のレジストを使用す
る場合には、反転型の電子ビーム一括描画用アパーチャ
を用いる。これにより、使用するレジストに合わせてパ
ターンの描画を効率良く行うことができ、リソグラフィ
工程のスループットを大幅に向上させることができる。
レジストに合わせて、通常の電子ビーム一括描画用アパ
ーチャ、または、反転型の電子ビーム一括描画用アパー
チャのいずれかを使用することができる。例えば、ポジ
型のレジストを使用する場合には、通常の電子ビーム一
括描画用アパーチャを用い、ネガ型のレジストを使用す
る場合には、反転型の電子ビーム一括描画用アパーチャ
を用いる。これにより、使用するレジストに合わせてパ
ターンの描画を効率良く行うことができ、リソグラフィ
工程のスループットを大幅に向上させることができる。
【００１９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１〜図５は本発明の実施例を説明するための図で
ある。図１（ａ）および（ｂ）は、本実施例に係る電子
ビーム一括描画用アパーチャ１１を示す図である。図１
（ａ）は、残しパターン用のものであり、図１（ｂ）
は、抜きパターン用のもの（反転型の電子ビーム一括描
画用アパーチャ）である。この電子ビーム一括描画用ア
パーチャ１１は、図７に示す電子ビーム一括描画装置の
第２（部分一括）アパーチャとして使用されるものであ
る。
る。図１〜図５は本発明の実施例を説明するための図で
ある。図１（ａ）および（ｂ）は、本実施例に係る電子
ビーム一括描画用アパーチャ１１を示す図である。図１
（ａ）は、残しパターン用のものであり、図１（ｂ）
は、抜きパターン用のもの（反転型の電子ビーム一括描
画用アパーチャ）である。この電子ビーム一括描画用ア
パーチャ１１は、図７に示す電子ビーム一括描画装置の
第２（部分一括）アパーチャとして使用されるものであ
る。
【００２０】この電子ビーム一括描画用アパーチャ１１
は板状体をなし、中央には複数の窓部が穿設されてい
る。また、それぞれの窓部には、吊り線１２により孤立
パターンが支持されている。吊り線１２の線幅は、電子
ビームで一括描画を行っても、解像されない程度に細い
ものである。隣接した吊り線１２の間隔１３は吊り線１
２の線幅以上である。これにより、描画されたパターン
に吊り線１２の像があらわれることを防止することがで
きる。なお、かかる条件を満たす限り、吊り線１２を任
意の位置に、任意の数だけ形成することができる。ま
た、アパーチャとウェーハ上のパターンとの縮小比が２
５／１である場合、吊り線１２の太さを約２．０μｍ、
吊り線１２間の間隔を約２．０μｍ以上とすることが好
ましい。これにより、ウェーハ上にパターンを描画した
場合に、吊り線１２の線幅は解像度以下となり、ウェー
ハ上に吊り線１２が描画されることはない。
は板状体をなし、中央には複数の窓部が穿設されてい
る。また、それぞれの窓部には、吊り線１２により孤立
パターンが支持されている。吊り線１２の線幅は、電子
ビームで一括描画を行っても、解像されない程度に細い
ものである。隣接した吊り線１２の間隔１３は吊り線１
２の線幅以上である。これにより、描画されたパターン
に吊り線１２の像があらわれることを防止することがで
きる。なお、かかる条件を満たす限り、吊り線１２を任
意の位置に、任意の数だけ形成することができる。ま
た、アパーチャとウェーハ上のパターンとの縮小比が２
５／１である場合、吊り線１２の太さを約２．０μｍ、
吊り線１２間の間隔を約２．０μｍ以上とすることが好
ましい。これにより、ウェーハ上にパターンを描画した
場合に、吊り線１２の線幅は解像度以下となり、ウェー
ハ上に吊り線１２が描画されることはない。
【００２１】図２は、コンタクトホールのみを加工する
工程において使用される電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ２１を表している。ポジ型レジストを用いる場合のア
パーチャ形状を図２（ａ）に、ネガ型レジストを用いる
場合のアパチャ形状を図２（ｂ）に示す。ポジ型のレジ
ストにパターンを描画する場合には、図２（ａ）に示す
電子ビーム一括描画用アパーチャ２１を使用する。ま
た、ネガ型のレジストにパターンを描画する場合には、
図２（ｂ）に示す電子ビーム一括描画用アパーチャ２１
を使用する。従来は、図６（ｂ）のように残しホールパ
ターン６６の構造のアパーチャを作製することは困難で
あったが、本発明によれば図２（ｂ）のような孤立パタ
ーンを有するアーパチャを作製することができるため、
ネガ型レジストを使用することが可能になる。
工程において使用される電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ２１を表している。ポジ型レジストを用いる場合のア
パーチャ形状を図２（ａ）に、ネガ型レジストを用いる
場合のアパチャ形状を図２（ｂ）に示す。ポジ型のレジ
ストにパターンを描画する場合には、図２（ａ）に示す
電子ビーム一括描画用アパーチャ２１を使用する。ま
た、ネガ型のレジストにパターンを描画する場合には、
図２（ｂ）に示す電子ビーム一括描画用アパーチャ２１
を使用する。従来は、図６（ｂ）のように残しホールパ
ターン６６の構造のアパーチャを作製することは困難で
あったが、本発明によれば図２（ｂ）のような孤立パタ
ーンを有するアーパチャを作製することができるため、
ネガ型レジストを使用することが可能になる。
【００２２】続いて、図３，図４，図５を参照しなが
ら、本実施例に係る電子ビーム一括描画用アパーチャの
使用方法を説明する。図４のように、ポジ型のレジスト
に、中心長方形のレジストパターン部分を残す中残しパ
ターン４２を形成する場合には、図５（ａ）のような繰
り返しのパターンが形成された電子ビーム一括描画用ア
パーチャ５１を用いる。また、ネガ型のレジストを使用
する場合には、図５（ｂ）の電子ビーム一括描画用アパ
ーチャ５１を用いる。さらに、図３のように、中心が長
方形のレジストパターン（中抜きパターン）３２を形成
する場合には、図５（ａ）のアパーチャを用いてネガ型
レジストに描画し、あるいは、図５（ｂ）のアパーチャ
を用いてポジ型レジストに描画を使う。このように所望
のレジストパターンとそれに合ったレジストのタイプ
（ネガまたはポジ）を選択することにより、効率良く所
望のパターンを描画することが可能となる。
ら、本実施例に係る電子ビーム一括描画用アパーチャの
使用方法を説明する。図４のように、ポジ型のレジスト
に、中心長方形のレジストパターン部分を残す中残しパ
ターン４２を形成する場合には、図５（ａ）のような繰
り返しのパターンが形成された電子ビーム一括描画用ア
パーチャ５１を用いる。また、ネガ型のレジストを使用
する場合には、図５（ｂ）の電子ビーム一括描画用アパ
ーチャ５１を用いる。さらに、図３のように、中心が長
方形のレジストパターン（中抜きパターン）３２を形成
する場合には、図５（ａ）のアパーチャを用いてネガ型
レジストに描画し、あるいは、図５（ｂ）のアパーチャ
を用いてポジ型レジストに描画を使う。このように所望
のレジストパターンとそれに合ったレジストのタイプ
（ネガまたはポジ）を選択することにより、効率良く所
望のパターンを描画することが可能となる。
【００２３】以上説明したように、ＬＳＩパターンの一
部を形成する電子ビーム一括描画用アパーチャ（第２ア
パーチャ）に、電子ビームで一括描画を行っても解像さ
れない寸法の吊り線を形成することにより、抜きパター
ン等を効率良く描画することができる。また、多種多様
な孤立パターンを用意することにより、さらに効率の良
い描画を行うことができる。従来は、コンタクトホール
のみを加工する工程において可変矩形法による電子ビー
ム描画技術ではポジ型レジストを用いる場合の描画回数
はコンタクトホールの数に等しいため、描画に長時間を
要していた。これに対して本発明によれば、複数のコン
タクトホールを同時に描画するため、描画時間を短縮す
ることが可能である。
部を形成する電子ビーム一括描画用アパーチャ（第２ア
パーチャ）に、電子ビームで一括描画を行っても解像さ
れない寸法の吊り線を形成することにより、抜きパター
ン等を効率良く描画することができる。また、多種多様
な孤立パターンを用意することにより、さらに効率の良
い描画を行うことができる。従来は、コンタクトホール
のみを加工する工程において可変矩形法による電子ビー
ム描画技術ではポジ型レジストを用いる場合の描画回数
はコンタクトホールの数に等しいため、描画に長時間を
要していた。これに対して本発明によれば、複数のコン
タクトホールを同時に描画するため、描画時間を短縮す
ることが可能である。
【００２４】また、ネガ型レジストを用いる場合、描画
しなければならない面積はコンタクトホールを除いた部
分の面積である。この場合には、従来技術によれば、描
画に長時間を要していたが、本実施例によればネガ型レ
ジストに適合した電子ビーム一括描画用アパーチャを使
用することにより、短時間でパターンを描画することが
できる。すなわち、本実施例によれば、吊り線を用いて
複数の孤立パターンを形成することにより、レジストに
合わせた電子ビーム一括用アパーチャを作成することが
でき、これを用いて効率のよい描画を行うことが可能と
なる。
しなければならない面積はコンタクトホールを除いた部
分の面積である。この場合には、従来技術によれば、描
画に長時間を要していたが、本実施例によればネガ型レ
ジストに適合した電子ビーム一括描画用アパーチャを使
用することにより、短時間でパターンを描画することが
できる。すなわち、本実施例によれば、吊り線を用いて
複数の孤立パターンを形成することにより、レジストに
合わせた電子ビーム一括用アパーチャを作成することが
でき、これを用いて効率のよい描画を行うことが可能と
なる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子ビーム一括描画用アパーチャにおいて、解像されるこ
とのない吊り線を用いて複数の孤立パターンを同時に形
成することができるため、中抜きのパターン等を効率よ
く描画することが可能となる。また、ポジ型レジストあ
るいはネガ型レジストのそれぞれに適した電子ビーム一
括描画用アパーチャを使用することができ、リソグラフ
ィ工程のスループットを大幅に向上させることが可能と
なる。
子ビーム一括描画用アパーチャにおいて、解像されるこ
とのない吊り線を用いて複数の孤立パターンを同時に形
成することができるため、中抜きのパターン等を効率よ
く描画することが可能となる。また、ポジ型レジストあ
るいはネガ型レジストのそれぞれに適した電子ビーム一
括描画用アパーチャを使用することができ、リソグラフ
ィ工程のスループットを大幅に向上させることが可能と
なる。
【図１】本発明の一実施例に係る電子ビーム一括描画用
アパーチャを表す図である。
アパーチャを表す図である。
【図２】本発明の一実施例に係る電子ビーム一括描画用
アパーチャを表す図である。
アパーチャを表す図である。
【図３】本発明の一実施例に係るウェーハ上のレジスト
パターンの部分拡大図である。
パターンの部分拡大図である。
【図４】本発明の一実施例に係るウェーハ上のレジスト
パターンの部分拡大図である。
パターンの部分拡大図である。
【図５】本発明の一実施例に係る電子ビーム一括描画用
アパーチャを表す図である。
アパーチャを表す図である。
【図６】従来の電子ビーム一括描画用アパーチャを表す
図である。
図である。
【図７】従来の電子ビーム一括描画装置の概略図であ
る。
る。
【図８】従来の電子ビーム一括描画用アパーチャの部分
拡大図である。
拡大図である。
【図９】従来の電子ビーム一括描画用アパーチャを示す
図である。
図である。
１１，２１，５１ 電子ビーム一括描画用アパーチャ １２，２２，５２ 吊り線 １３ 吊り線間隔 ２６ 残しホールパターン（孤立パターン） ５３ 枠残しパターン（孤立パターン） ５４ 枠抜きパターン（孤立パターン）
Claims (5)
- 【請求項１】 板状体に穿設された窓部に、孤立パター
ンが吊り線により支持され、この板状体に電子ビームを
照射することにより電子ビームを成形する電子ビーム一
括描画用アパーチャにおいて、 上記孤立パターンが複数配設されたことを特徴とする電
子ビーム一括描画用アパーチャ。 - 【請求項２】 上記吊り線の線幅は、電子ビームの限界
解像度以下であることを特徴とした請求項１記載の電子
ビーム一括描画用アパーチャ。 - 【請求項３】 隣接し合う上記吊り線の間隔は、電子ビ
ームの限界解像度以上であることを特徴とした請求項１
または請求項２記載の電子ビーム一括描画用アパーチ
ャ。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
電子ビーム一括描画用アパーチャを用いて、複数のパタ
ーンを同時に描画することを特徴とした電子ビーム一括
描画用アパーチャ使用方法。 - 【請求項５】 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
電子ビーム一括描画用アパーチャ、 あるいは、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電子
ビーム一括描画用アパーチャにおける孤立パターンの部
分を窓部に置き換えた反転型の電子ビーム一括描画用ア
パーチャ、 の２つのうちのいずれか一方を、パターンを描画しよう
とするレジストに合わせて選択的に使用することを特徴
とした電子ビーム一括描画用アパーチャ使用方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6018995A JP2746098B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法 |
| KR1019950000784A KR0178566B1 (ko) | 1994-01-19 | 1995-01-18 | 전자빔 시스템의 묘화용 애퍼처 |
| US08/375,487 US5557110A (en) | 1994-01-19 | 1995-01-19 | Aperture for use in electron beam system for pattern writing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6018995A JP2746098B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211626A true JPH07211626A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2746098B2 JP2746098B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=11987153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6018995A Expired - Fee Related JP2746098B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5557110A (ja) |
| JP (1) | JP2746098B2 (ja) |
| KR (1) | KR0178566B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288407B1 (en) | 1996-08-30 | 2001-09-11 | Nec Corporation | Electron beam-writing apparatus and electron beam-writing method |
| JP2002280290A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Nec Corp | 電子ビーム露光用及び該マスクを用いた電子ビーム露光方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US5824437A (en) * | 1996-01-09 | 1998-10-20 | Fujitsu Limited | Mask and method of creating mask as well as electron-beam exposure method and electron-beam exposure device |
| JP3335845B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 |
| JPH10135111A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | 露光用マスク、露光方法、露光データ作成方法、マスク作成データ作成方法、及び、記憶媒体 |
| JP2000030647A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US6265302B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-07-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Partially recessed shallow trench isolation method for fabricating borderless contacts |
| US6459090B1 (en) * | 1999-07-23 | 2002-10-01 | Nikon Corporation | Reticles for charged-particle-beam microlithography that exhibit reduced warp at pattern-defining regions, and semiconductor-device-fabrication methods using same |
| US6576914B2 (en) * | 1999-07-30 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Redundant printing in e-beam lithography |
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| EP2477768B1 (en) | 2009-09-17 | 2019-04-17 | Sciaky Inc. | Electron beam layer manufacturing |
| US8598523B2 (en) * | 2009-11-13 | 2013-12-03 | Sciaky, Inc. | Electron beam layer manufacturing using scanning electron monitored closed loop control |
| WO2011123195A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Sciaky, Inc. | Raster methodology, apparatus and system for electron beam layer manufacturing using closed loop control |
| EP2638559B1 (en) * | 2010-11-13 | 2016-07-20 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle beam modulator |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1598219A (en) * | 1977-08-10 | 1981-09-16 | Ibm | Electron beam system |
| DE3703582C1 (de) * | 1987-02-06 | 1988-04-07 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Bestrahlungsmaske zur lithographischen Erzeugung von Mustern |
| JP2663063B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1997-10-15 | 富士通株式会社 | 荷電ビーム露光方法 |
-
1994
- 1994-01-19 JP JP6018995A patent/JP2746098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-18 KR KR1019950000784A patent/KR0178566B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-01-19 US US08/375,487 patent/US5557110A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2746098B2 (ja) | 1998-04-28 |
| KR950024380A (ko) | 1995-08-21 |
| KR0178566B1 (ko) | 1999-04-15 |
| US5557110A (en) | 1996-09-17 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |