JP2001118771A - 荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法 - Google Patents
荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 部分一括露光で描画する際のショット回数を
少なくする。描画パターン精度の向上。 【解決手段】 電子ビーム発生源１より出射された電子
ビーム２は、第１図形選択偏向部３により偏向されて第
１マスク上の所定の開口上に照射され、第１マスク４を
透過した電子ビームは第２図形選択偏向部６により偏向
された後、第２マスク７上に照射され、ウェハステージ
１０上に載置された半導体ウェハ９上に照射され、部分
一括ショットが行われる。第２マスク７には、セルアレ
イパターンの中心部パターンを描画する部分一括露光マ
スク７ａが形成されており、余剰パターン用の部分一括
露光マスクは形成されていない。第１マスク４には、主
開口４ａとこの主開口４ａの整数分の１の面積の余剰パ
ターン部を照射するための開口が設けられる。
少なくする。描画パターン精度の向上。 【解決手段】 電子ビーム発生源１より出射された電子
ビーム２は、第１図形選択偏向部３により偏向されて第
１マスク上の所定の開口上に照射され、第１マスク４を
透過した電子ビームは第２図形選択偏向部６により偏向
された後、第２マスク７上に照射され、ウェハステージ
１０上に載置された半導体ウェハ９上に照射され、部分
一括ショットが行われる。第２マスク７には、セルアレ
イパターンの中心部パターンを描画する部分一括露光マ
スク７ａが形成されており、余剰パターン用の部分一括
露光マスクは形成されていない。第１マスク４には、主
開口４ａとこの主開口４ａの整数分の１の面積の余剰パ
ターン部を照射するための開口が設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線などの荷電
粒子線を用いて試料上に直接パターンを描画する荷電粒
子線描画装置と荷電粒子線描画方法とに関し、特に、セ
ルアレイパターン等の繰り返しパターンを部分一括描画
方式にて描画する荷電粒子描画装置と荷電粒子描画方法
とに関するものである。
粒子線を用いて試料上に直接パターンを描画する荷電粒
子線描画装置と荷電粒子線描画方法とに関し、特に、セ
ルアレイパターン等の繰り返しパターンを部分一括描画
方式にて描画する荷電粒子描画装置と荷電粒子描画方法
とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭ製造工程における容量コンタク
ト等のリソグラフィに用いられる電子線描画方法とし
て、一括描画方法がある。これは、同一パターンが連続
して存在する場合に、繰り返しパターンの一部を第２マ
スク（第２アパーチャとも呼ばれる）に部分一括露光マ
スクとして設けておき、矩形孔の設けられた第１マスク
（第１アパーチャとも呼ばれる）を透過した電子ビーム
を介して複数のパターンを同時に試料に描画する手法で
ある。すなわち、電子ビームを、第１マスクの矩形孔を
透過したビームの照射面積と同等の面積の、第２マスク
上の部分一括露光マスクを通過させることにより、第２
マスクに形成された部分一括露光マスクパターンをウェ
ハ上に順次描画する方法であり、周期性を有するパター
ンの描画時間を大幅に短縮することが可能である。
ト等のリソグラフィに用いられる電子線描画方法とし
て、一括描画方法がある。これは、同一パターンが連続
して存在する場合に、繰り返しパターンの一部を第２マ
スク（第２アパーチャとも呼ばれる）に部分一括露光マ
スクとして設けておき、矩形孔の設けられた第１マスク
（第１アパーチャとも呼ばれる）を透過した電子ビーム
を介して複数のパターンを同時に試料に描画する手法で
ある。すなわち、電子ビームを、第１マスクの矩形孔を
透過したビームの照射面積と同等の面積の、第２マスク
上の部分一括露光マスクを通過させることにより、第２
マスクに形成された部分一括露光マスクパターンをウェ
ハ上に順次描画する方法であり、周期性を有するパター
ンの描画時間を大幅に短縮することが可能である。
【０００３】部分一括描画法によって繰り返しパターン
を描画する場合、そのデータ作成段階において、設計デ
ータから繰り返しパターンを部分一括用基本セルとして
抽出し、部分一括直描データとして出力する。この時、
周期性のある繰り返しパターンの数が抽出された部分一
括用基本セルのパターン数の整数倍となっていないこと
が起こりうる。これに対しては、従来以下のように対応
してきた。 （１）余剰パターンが発生しないように部分一括基本セ
ルの大きさを調節して抽出する。 （２）スループットを向上するため、部分一括で描画可
能な範囲に入る最大の大きさのパターン群を部分一括基
本セルとして抽出し、セルアレイパターン端部に発生す
るこの最大領域に入りきらない端数の余剰パターンは、
第２マスク上に設けられた単一パターンの開口を用い
て、または、第１、第２マスクのパターンを組み合わせ
た可変矩形描画法によって描画する。 （３）スループットを向上するため、部分一括で描画可
能な範囲に入る最大の大きさのパターン群を部分一括基
本セルとして抽出するが、セルアレイパターン端部に発
生するこの最大領域に入りきらない端数の余剰パターン
は、別の部分一括基本セルとして抽出し、第２マスク上
に主部分一括用開口の外に余剰パターン用の部分一括用
開口を設け、複数種類の部分一括用開口を用いてセルア
レイパターンの描画を行う。
を描画する場合、そのデータ作成段階において、設計デ
ータから繰り返しパターンを部分一括用基本セルとして
抽出し、部分一括直描データとして出力する。この時、
周期性のある繰り返しパターンの数が抽出された部分一
括用基本セルのパターン数の整数倍となっていないこと
が起こりうる。これに対しては、従来以下のように対応
してきた。 （１）余剰パターンが発生しないように部分一括基本セ
ルの大きさを調節して抽出する。 （２）スループットを向上するため、部分一括で描画可
能な範囲に入る最大の大きさのパターン群を部分一括基
本セルとして抽出し、セルアレイパターン端部に発生す
るこの最大領域に入りきらない端数の余剰パターンは、
第２マスク上に設けられた単一パターンの開口を用い
て、または、第１、第２マスクのパターンを組み合わせ
た可変矩形描画法によって描画する。 （３）スループットを向上するため、部分一括で描画可
能な範囲に入る最大の大きさのパターン群を部分一括基
本セルとして抽出するが、セルアレイパターン端部に発
生するこの最大領域に入りきらない端数の余剰パターン
は、別の部分一括基本セルとして抽出し、第２マスク上
に主部分一括用開口の外に余剰パターン用の部分一括用
開口を設け、複数種類の部分一括用開口を用いてセルア
レイパターンの描画を行う。
【０００４】図５は上記（２）、（３）の方法を説明す
るための図であって、図５（ａ）は第１マスクの、図５
（ｂ）、（ｂ′）は第２マスクの開口パターン図であ
る。また、図５（ｃ）は、半導体ウェハ上の部分一括露
光によって形成すべきセルアレイパターンを示す図であ
る。図５（ａ）に示されるように、第１マスク１２1 に
は中央部に矩形開口１２ａが開設されている。図５
（ｂ）に示されるように、（２）の方法において用いら
れる第２マスク１３1 には、矩形開口１３ａと部分一括
露光マスク１３ｂ、１３ｄ〜１３ｇが形成されている。
また、（３）の方法において用いられる第２マスク１３
2 では、第２マスク１３1 での単一のパターンが形成さ
れた部分一括露光マスク１３ｇに代えて余剰パターンに
対応した複数のパターンが開口された部分一括露光マス
ク１３ｈが形成されている。そして、図５（ｃ）に示さ
れるように、セルアレイパターン１１は、基準となる部
分一括露光マスク１３ｂによって描画される中心部パタ
ーン１１ａとそれ以外の余剰パターン１１ｂとから構成
されている。
るための図であって、図５（ａ）は第１マスクの、図５
（ｂ）、（ｂ′）は第２マスクの開口パターン図であ
る。また、図５（ｃ）は、半導体ウェハ上の部分一括露
光によって形成すべきセルアレイパターンを示す図であ
る。図５（ａ）に示されるように、第１マスク１２1 に
は中央部に矩形開口１２ａが開設されている。図５
（ｂ）に示されるように、（２）の方法において用いら
れる第２マスク１３1 には、矩形開口１３ａと部分一括
露光マスク１３ｂ、１３ｄ〜１３ｇが形成されている。
また、（３）の方法において用いられる第２マスク１３
2 では、第２マスク１３1 での単一のパターンが形成さ
れた部分一括露光マスク１３ｇに代えて余剰パターンに
対応した複数のパターンが開口された部分一括露光マス
ク１３ｈが形成されている。そして、図５（ｃ）に示さ
れるように、セルアレイパターン１１は、基準となる部
分一括露光マスク１３ｂによって描画される中心部パタ
ーン１１ａとそれ以外の余剰パターン１１ｂとから構成
されている。
【０００５】上記（２）の方法においては、図６（ａ）
に示すように、第２マスク１３1 の部分一括露光マスク
１３ｂを用いて中心部パターン１１ａを描画し（このと
きの一括ショット領域を１ａａにて示す）、余剰パター
ン１１ｂを、単一パターンの部分一括露光マスク１３ｇ
を用いて図６（ｂ）に示すように１個ずつ描画していく
（このときの一括ショット領域を１ｂｂにて示す）。あ
るいは、第１マスク１２1 の矩形開口１２ａと第２マス
ク１３1 の矩形開口１３ａとの組み合わせにより、矩形
パターンを形成して余剰パターン１１ｂのパターンを１
個ずつ露光していく。上記（３）の方法においては、図
６（ａ）に示すように、第２マスク１３2 の部分一括露
光マスク１３ｂを用いて中心部パターン１１ａを描画
し、余剰パターン１１ｂを、余剰パターン用の部分一括
露光マスク１３ｈを用いて、図６（ｂ′）に示すよう
に、一括ショット領域１１ｂｃ毎に露光していく。
に示すように、第２マスク１３1 の部分一括露光マスク
１３ｂを用いて中心部パターン１１ａを描画し（このと
きの一括ショット領域を１ａａにて示す）、余剰パター
ン１１ｂを、単一パターンの部分一括露光マスク１３ｇ
を用いて図６（ｂ）に示すように１個ずつ描画していく
（このときの一括ショット領域を１ｂｂにて示す）。あ
るいは、第１マスク１２1 の矩形開口１２ａと第２マス
ク１３1 の矩形開口１３ａとの組み合わせにより、矩形
パターンを形成して余剰パターン１１ｂのパターンを１
個ずつ露光していく。上記（３）の方法においては、図
６（ａ）に示すように、第２マスク１３2 の部分一括露
光マスク１３ｂを用いて中心部パターン１１ａを描画
し、余剰パターン１１ｂを、余剰パターン用の部分一括
露光マスク１３ｈを用いて、図６（ｂ′）に示すよう
に、一括ショット領域１１ｂｃ毎に露光していく。
【０００６】しかしながら、上記（１）の方法を用いる
場合、部分一括基本セルとして抽出するセルの大きさが
小さくなるため、部分一括ショット数が増加し、結果的
にスループットが低下するという欠点がある。また、上
記（２）の方法を用いる場合にも、余剰パターンを１個
ずつ露光していくため、やはりショット数が増加してス
ループットが低下する。また、上記（３）の方法の場
合、スループットは向上するものの第２マスク上に、中
心部用の部分一括露光マスク１３ｂと余剰パターン用の
部分一括露光マスク１３ｈの両方を用意する必要があり
（必要な余剰パターン用の部分一括露光マスクは一種類
とは限らない）、第２マスクに搭載できる部分一括パタ
ーン数を制限してしまう結果となる。通常、第２マスク
上に搭載可能な部分一括露光マスクパターン種は数個〜
数10個である。
場合、部分一括基本セルとして抽出するセルの大きさが
小さくなるため、部分一括ショット数が増加し、結果的
にスループットが低下するという欠点がある。また、上
記（２）の方法を用いる場合にも、余剰パターンを１個
ずつ露光していくため、やはりショット数が増加してス
ループットが低下する。また、上記（３）の方法の場
合、スループットは向上するものの第２マスク上に、中
心部用の部分一括露光マスク１３ｂと余剰パターン用の
部分一括露光マスク１３ｈの両方を用意する必要があり
（必要な余剰パターン用の部分一括露光マスクは一種類
とは限らない）、第２マスクに搭載できる部分一括パタ
ーン数を制限してしまう結果となる。通常、第２マスク
上に搭載可能な部分一括露光マスクパターン種は数個〜
数10個である。
【０００７】この点に対処するものとして、電子ビーム
の偏向を操作することによって余剰パターンを描画する
手法が特開平７−２１１６０９号公報にて開示されてい
る。図７は、同公報にて開示された描画装置の概略を示
す構成図であって、２１は電子ビーム発生源、２２は電
子ビーム、２３は第１マスク、２４は成形レンズ、２５
は成形偏向器、２６は第２マスク、２７は縮小レンズ、
２８は位置決め偏向器、２９対物レンズ、３０は半導体
ウェハである。半導体ウェハ３０上には、中心部パター
ン３１ａと余剰パターン３１ｂとによりセルアレイパタ
ーン３１が描画されている。中心部パターン３１ａを描
画するときには、第１マスク２３を透過したビームを第
２マスク上の全開口上に照射されるようにして露光を行
う。そして、余剰パターン３１ｂを描画するときには、
第１マスク２３を透過した電子ビームを成形偏向器２５
により偏向して第２マスク上に照射し、第２マスク２６
上の開口の一部のみにビームが照射されるようにして露
光を行う。同様の描画方法は、特開平６−１３３０１号
公報にも開示されている。
の偏向を操作することによって余剰パターンを描画する
手法が特開平７−２１１６０９号公報にて開示されてい
る。図７は、同公報にて開示された描画装置の概略を示
す構成図であって、２１は電子ビーム発生源、２２は電
子ビーム、２３は第１マスク、２４は成形レンズ、２５
は成形偏向器、２６は第２マスク、２７は縮小レンズ、
２８は位置決め偏向器、２９対物レンズ、３０は半導体
ウェハである。半導体ウェハ３０上には、中心部パター
ン３１ａと余剰パターン３１ｂとによりセルアレイパタ
ーン３１が描画されている。中心部パターン３１ａを描
画するときには、第１マスク２３を透過したビームを第
２マスク上の全開口上に照射されるようにして露光を行
う。そして、余剰パターン３１ｂを描画するときには、
第１マスク２３を透過した電子ビームを成形偏向器２５
により偏向して第２マスク上に照射し、第２マスク２６
上の開口の一部のみにビームが照射されるようにして露
光を行う。同様の描画方法は、特開平６−１３３０１号
公報にも開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平７−２２６
０９号公報にて開示された描画方法によれば、第２マス
ク上に開設する部分一括露光マスクのマスク数を削減す
ることができるが、反面以下の問題点が生じる。第１の
問題点は、偏向器の偏向精度は必ずしも高くないため微
細な第２マスク上の開口間にビームの端部を位置させる
ことが困難なことである。ビーム端部が第２マスクの開
口間に位置しない場合には露出オーバーやパターン欠け
が発生することになる。偏向器の精度不足は偏向器の偏
向方向がビーム方向と直交していないことやビームのロ
ーテーションなどに起因して起こる。
０９号公報にて開示された描画方法によれば、第２マス
ク上に開設する部分一括露光マスクのマスク数を削減す
ることができるが、反面以下の問題点が生じる。第１の
問題点は、偏向器の偏向精度は必ずしも高くないため微
細な第２マスク上の開口間にビームの端部を位置させる
ことが困難なことである。ビーム端部が第２マスクの開
口間に位置しない場合には露出オーバーやパターン欠け
が発生することになる。偏向器の精度不足は偏向器の偏
向方向がビーム方向と直交していないことやビームのロ
ーテーションなどに起因して起こる。
【０００９】第２に、余剰パターンの露光をビームを第
２マスク上で横ずれさせることによって行っているの
で、横ずれさせたビームが隣接する他のマスク開口に掛
からないようにするには、第２マスク上に開設される部
分一括露光マスク間の距離を十分に広げる必要があり、
結果的に第２マスク上に搭載できるマスク数が制限され
ることになる。第３に、電子ビームのエネルギー分布プ
ロファイルは、ビームの端部に行くほど低下することで
ある。従って、描画を行う場合にはエネルギー強度の高
い真ん中のビームを使うことが好ましいのであるが、図
７に示した方法では、ビームの端の部分を優先的に用い
ているため、パターン形状劣化が引き起こされる可能性
が高くなってしまう。本発明の課題は、上述した従来技
術の問題点を解決することであって、その目的は、第２
マスクに搭載される部分一括露光マスクの数を増加させ
ることなく、また合計ショット回数の増加を招くことな
く、精度の高い描画を行い得るようにすることである。
２マスク上で横ずれさせることによって行っているの
で、横ずれさせたビームが隣接する他のマスク開口に掛
からないようにするには、第２マスク上に開設される部
分一括露光マスク間の距離を十分に広げる必要があり、
結果的に第２マスク上に搭載できるマスク数が制限され
ることになる。第３に、電子ビームのエネルギー分布プ
ロファイルは、ビームの端部に行くほど低下することで
ある。従って、描画を行う場合にはエネルギー強度の高
い真ん中のビームを使うことが好ましいのであるが、図
７に示した方法では、ビームの端の部分を優先的に用い
ているため、パターン形状劣化が引き起こされる可能性
が高くなってしまう。本発明の課題は、上述した従来技
術の問題点を解決することであって、その目的は、第２
マスクに搭載される部分一括露光マスクの数を増加させ
ることなく、また合計ショット回数の増加を招くことな
く、精度の高い描画を行い得るようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、荷電粒子源より放出された荷電粒
子を第１のマスクを介して複数の部分一括露光用マスク
が形成された第２のマスクの一部分一括露光用マスク上
に照射し、該一部分一括露光用マスクのパターンを試料
上に描画する一括部分露光方式の荷電粒子線描画装置で
あって、第１のマスクには前記部分一括露光用マスクの
全領域を照射することができる主開口と、前記主開口の
整数分の１の開口面積の補助開口とが形成されており、
前記荷電粒子源より放出された荷電粒子が前記第１のマ
スクの何れかの開口上に照射されるように構成されたこ
とを特徴とする荷電粒子線描画装置、が提供される。
め、本発明によれば、荷電粒子源より放出された荷電粒
子を第１のマスクを介して複数の部分一括露光用マスク
が形成された第２のマスクの一部分一括露光用マスク上
に照射し、該一部分一括露光用マスクのパターンを試料
上に描画する一括部分露光方式の荷電粒子線描画装置で
あって、第１のマスクには前記部分一括露光用マスクの
全領域を照射することができる主開口と、前記主開口の
整数分の１の開口面積の補助開口とが形成されており、
前記荷電粒子源より放出された荷電粒子が前記第１のマ
スクの何れかの開口上に照射されるように構成されたこ
とを特徴とする荷電粒子線描画装置、が提供される。
【００１１】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、荷電粒子源より放出された荷電粒子を第１の
マスクを介して複数の部分一括露光用マスクが形成され
た第２のマスクの一部分一括露光用マスク上に照射し、
該一部分一括露光用マスクのパターンを試料上に描画す
る一括部分露光方式の荷電粒子線描画方法において、第
１のマスクには前記部分一括露光用マスクの全領域を照
射することができる主開口と、前記主開口の整数分の１
の開口面積の補助開口とが形成されており、試料上のセ
ルアレイパターン領域の大部分の領域を前記第１のマス
クの主開口と前記第２のマスクの一部分一括露光用マス
クとを用いて露光すると共に、前記セルアレイパターン
領域の前記第１のマスクの主開口と前記第２のマスクの
前記一部分一括露光用マスクとの組み合わせの露光によ
り余剰となる余剰セルアレイパターン領域を前記第１の
マスクの前記補助開口と前記第２のマスクの前記一部分
一括露光用マスクとを用いて露光することを特徴とする
荷電粒子線描画方法、が提供される。
によれば、荷電粒子源より放出された荷電粒子を第１の
マスクを介して複数の部分一括露光用マスクが形成され
た第２のマスクの一部分一括露光用マスク上に照射し、
該一部分一括露光用マスクのパターンを試料上に描画す
る一括部分露光方式の荷電粒子線描画方法において、第
１のマスクには前記部分一括露光用マスクの全領域を照
射することができる主開口と、前記主開口の整数分の１
の開口面積の補助開口とが形成されており、試料上のセ
ルアレイパターン領域の大部分の領域を前記第１のマス
クの主開口と前記第２のマスクの一部分一括露光用マス
クとを用いて露光すると共に、前記セルアレイパターン
領域の前記第１のマスクの主開口と前記第２のマスクの
前記一部分一括露光用マスクとの組み合わせの露光によ
り余剰となる余剰セルアレイパターン領域を前記第１の
マスクの前記補助開口と前記第２のマスクの前記一部分
一括露光用マスクとを用いて露光することを特徴とする
荷電粒子線描画方法、が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本発明の実施の形態を示す電子線
描画装置の概略構成図である。図１に示される描画装置
において、第２マスク保持部８に搭載される第２マスク
７には、左に示されるように、セルアレイパターンの中
心部パターンを描画する部分一括露光マスク７ａのみが
形成されており、余剰パターン用の部分一括露光マスク
は形成されていない。そして、第１マスク保持部５に搭
載される第１マスク４には、左に示されるように、その
透過ビームが第２マスク７の部分一括露光マスク７ａの
全領域上を照射することのできる主開口４ａとこの主開
口４ａの整数分の１の面積の余剰パターン部を照射する
ための開口が設けられる。図示した例では、１／２の面
積の１／２開口４ｂ、４ｃと１／４の面積の１／４開口
４ｄとが形成されている。
て説明する。図１は、本発明の実施の形態を示す電子線
描画装置の概略構成図である。図１に示される描画装置
において、第２マスク保持部８に搭載される第２マスク
７には、左に示されるように、セルアレイパターンの中
心部パターンを描画する部分一括露光マスク７ａのみが
形成されており、余剰パターン用の部分一括露光マスク
は形成されていない。そして、第１マスク保持部５に搭
載される第１マスク４には、左に示されるように、その
透過ビームが第２マスク７の部分一括露光マスク７ａの
全領域上を照射することのできる主開口４ａとこの主開
口４ａの整数分の１の面積の余剰パターン部を照射する
ための開口が設けられる。図示した例では、１／２の面
積の１／２開口４ｂ、４ｃと１／４の面積の１／４開口
４ｄとが形成されている。
【００１３】図１に示す描画装置において、電子ビーム
発生源１より出射された電子ビーム２は、第１図形選択
偏向部３により偏向されて第１マスク上の所定の開口上
に照射される。そして、第１マスク４を透過した電子ビ
ームは第２図形選択偏向部６により偏向された後、第２
マスク７上に照射され、ウェハステージ１０上に載置さ
れた半導体ウェハ９上に照射され、部分一括ショットが
行われる。中央部のセルアレイパターンを描画する場合
には、第１図形選択部３により第１マスクの主開口４ａ
を選択し、第２マスクの部分一括露光マスクの全領域を
照射するようにする。これにより、部分一括露光マスク
７ａのパターン通りの描画が行われる。セルアレイパタ
ーンの端部に存在する余剰パターンを描画する場合に
は、第１図形選択部３により第１マスクの開口４ｂ〜４
ｄの何れかを選択して第２マスク７の部分一括露光マス
ク７ａの部分領域を照射するようにする。これにより、
部分一括露光マスクの整数分の１の領域の描画が行われ
る。１ショットの描画が行われる毎に、ウェハステージ
１０を移動させて電子ビームの半導体ウェハ上の照射位
置を移動させてセルアレイパターンの全領域を描画す
る。
発生源１より出射された電子ビーム２は、第１図形選択
偏向部３により偏向されて第１マスク上の所定の開口上
に照射される。そして、第１マスク４を透過した電子ビ
ームは第２図形選択偏向部６により偏向された後、第２
マスク７上に照射され、ウェハステージ１０上に載置さ
れた半導体ウェハ９上に照射され、部分一括ショットが
行われる。中央部のセルアレイパターンを描画する場合
には、第１図形選択部３により第１マスクの主開口４ａ
を選択し、第２マスクの部分一括露光マスクの全領域を
照射するようにする。これにより、部分一括露光マスク
７ａのパターン通りの描画が行われる。セルアレイパタ
ーンの端部に存在する余剰パターンを描画する場合に
は、第１図形選択部３により第１マスクの開口４ｂ〜４
ｄの何れかを選択して第２マスク７の部分一括露光マス
ク７ａの部分領域を照射するようにする。これにより、
部分一括露光マスクの整数分の１の領域の描画が行われ
る。１ショットの描画が行われる毎に、ウェハステージ
１０を移動させて電子ビームの半導体ウェハ上の照射位
置を移動させてセルアレイパターンの全領域を描画す
る。
【００１４】第１のマスクに開設される主開口の整数分
の１の開口面積の補助開口は、横方向の幅が主開口の
横方向の幅と同一で縦方向の幅が主開口の縦方向の幅の
整数分の１の第１種の補助開口と、縦方向の幅が主開
口の縦方向の幅と同一で横方向の幅が主開口の横方向の
幅の整数分の１の第２種の補助開口と、横方向の幅が
主開口の横方向の幅の整数分の１で縦方向の幅が主開口
の縦方向の幅の整数分の１の第３種の補助開口と、の中
の一種または複数種である。ここで、第２のマスクに形
成された部分一括露光マスク７ａの大きさは、ショット
回数をできるだけ少なくするためにこの電子線描画装置
が部分一括で描画可能な最大範囲に（あるいはそれに最
も近くなるように）選定されている。なお、図１には、
本発明の実施の形態として電子線描画装置を示したが、
本発明は、これに限定されるものではなく、イオンビー
ムを用いた描画装置に対しても適用が可能なものであ
る。
の１の開口面積の補助開口は、横方向の幅が主開口の
横方向の幅と同一で縦方向の幅が主開口の縦方向の幅の
整数分の１の第１種の補助開口と、縦方向の幅が主開
口の縦方向の幅と同一で横方向の幅が主開口の横方向の
幅の整数分の１の第２種の補助開口と、横方向の幅が
主開口の横方向の幅の整数分の１で縦方向の幅が主開口
の縦方向の幅の整数分の１の第３種の補助開口と、の中
の一種または複数種である。ここで、第２のマスクに形
成された部分一括露光マスク７ａの大きさは、ショット
回数をできるだけ少なくするためにこの電子線描画装置
が部分一括で描画可能な最大範囲に（あるいはそれに最
も近くなるように）選定されている。なお、図１には、
本発明の実施の形態として電子線描画装置を示したが、
本発明は、これに限定されるものではなく、イオンビー
ムを用いた描画装置に対しても適用が可能なものであ
る。
【００１５】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。図２、図３を参照して、ＤＲＡＭの
製造工程の一工程である、容量コンタクトのリソグラフ
ィを例に本発明の第１の実施例について説明する。図２
（ｃ）に示すように、セルのアレイ展開によりコンタク
トパターンはセルアレイパターン１１として規則正しく
配列されている。部分一括直描法により、このパターン
を描画する場合、設計データから特定の繰り返しの単位
を部分一括の１ショットとして抽出し、この繰り返し単
位を基に部分一括露光マスクを作製すると共に設計デー
タを部分一括ＥＢ直描用データにフォーマット変換す
る。図２（ｃ）に示すＤＲＡＭの容量コンタクトの例で
は、部分一括用の繰り返し単位として、16個のコンタク
トホールが抽出される。この時の抽出の基準は、スルー
プットを向上させるため、ワンショットで描画可能な最
大のエリアを基準とする。こうして抽出される部分一括
用パターンは、第１マスク中央の主開口と第２マスクの
部分一括露光マスクの開口を用いて描画されるので、Ｅ
Ｂ直描用フォーマットデータ変換時にこのマスク識別情
報を付加しておく。しかしながら、部分一括のワンショ
ットで描画可能な最大領域（あるいはそれに最も近くな
るように選定された領域）で部分一括パターンを抽出し
た場合、メモリアレイの端部には、部分一括パターンと
して抽出されない余剰パターンが発生する可能性があ
る。図２（ｃ）の場合には、メモリアレイの端部に部分
一括パターンに載りきらなかった８個のコンタクトホー
ルが発生する。これらの余剰パターンは、８個を単位と
した部分一括パターンとして抽出される。つまりメモリ
アレイ中心部の部分一括パターンの１／２のパターン群
となる。こうして抽出された余剰パターン用の部分一括
パターンは第１マスクの、主開口の１／２の面積の補助
開口と第２マスクの部分一括露光マスクを用いて描画さ
れるので、ＥＢ直描用フォーマットデータ変換時にこの
マスク識別情報を付加しておく。
て詳細に説明する。図２、図３を参照して、ＤＲＡＭの
製造工程の一工程である、容量コンタクトのリソグラフ
ィを例に本発明の第１の実施例について説明する。図２
（ｃ）に示すように、セルのアレイ展開によりコンタク
トパターンはセルアレイパターン１１として規則正しく
配列されている。部分一括直描法により、このパターン
を描画する場合、設計データから特定の繰り返しの単位
を部分一括の１ショットとして抽出し、この繰り返し単
位を基に部分一括露光マスクを作製すると共に設計デー
タを部分一括ＥＢ直描用データにフォーマット変換す
る。図２（ｃ）に示すＤＲＡＭの容量コンタクトの例で
は、部分一括用の繰り返し単位として、16個のコンタク
トホールが抽出される。この時の抽出の基準は、スルー
プットを向上させるため、ワンショットで描画可能な最
大のエリアを基準とする。こうして抽出される部分一括
用パターンは、第１マスク中央の主開口と第２マスクの
部分一括露光マスクの開口を用いて描画されるので、Ｅ
Ｂ直描用フォーマットデータ変換時にこのマスク識別情
報を付加しておく。しかしながら、部分一括のワンショ
ットで描画可能な最大領域（あるいはそれに最も近くな
るように選定された領域）で部分一括パターンを抽出し
た場合、メモリアレイの端部には、部分一括パターンと
して抽出されない余剰パターンが発生する可能性があ
る。図２（ｃ）の場合には、メモリアレイの端部に部分
一括パターンに載りきらなかった８個のコンタクトホー
ルが発生する。これらの余剰パターンは、８個を単位と
した部分一括パターンとして抽出される。つまりメモリ
アレイ中心部の部分一括パターンの１／２のパターン群
となる。こうして抽出された余剰パターン用の部分一括
パターンは第１マスクの、主開口の１／２の面積の補助
開口と第２マスクの部分一括露光マスクを用いて描画さ
れるので、ＥＢ直描用フォーマットデータ変換時にこの
マスク識別情報を付加しておく。
【００１６】こうして得られた部分一括データを用いて
第１、第２マスクが作製される。図２（ｃ）に示される
ように、セルアレイパターン１１は、第１マスクの主開
口を用いて描画される中心部パターン１１ａと第１マス
クの補助開口を用いて描画される余剰パターン１１ｂと
を有する。第１マスク１２は、図２（ａ）に示されるよ
うに、中央部に主開口１２ａが形成されると共に、周辺
部に１／２補助開口１２ｂが開設される。第２マスク１
３には、セルアレイパターン１１を部分一括露光により
描画するための部分一括露光マスク１３ｂが形成され
る。第２マスク１３には、他の部分一括露光マスク１３
ｃ〜１３ｆが形成されると共に中央部に矩形開口１３ａ
が開設されている。そして、上記データの開口識別情報
に基づいて、第１マスク・第２マスクの開口を選択しつ
つ描画を行う。
第１、第２マスクが作製される。図２（ｃ）に示される
ように、セルアレイパターン１１は、第１マスクの主開
口を用いて描画される中心部パターン１１ａと第１マス
クの補助開口を用いて描画される余剰パターン１１ｂと
を有する。第１マスク１２は、図２（ａ）に示されるよ
うに、中央部に主開口１２ａが形成されると共に、周辺
部に１／２補助開口１２ｂが開設される。第２マスク１
３には、セルアレイパターン１１を部分一括露光により
描画するための部分一括露光マスク１３ｂが形成され
る。第２マスク１３には、他の部分一括露光マスク１３
ｃ〜１３ｆが形成されると共に中央部に矩形開口１３ａ
が開設されている。そして、上記データの開口識別情報
に基づいて、第１マスク・第２マスクの開口を選択しつ
つ描画を行う。
【００１７】すなわち、セルアレイパターン１１の中心
部パターン１１ａを描画する場合には、図３（ａ）に示
すように、第１マスク１２の主開口１２ａと第２マスク
１３の部分一括露光マスク１３ｂを用いて半導体ウェハ
１４上に描画を行う。このときのウェハ上の一括ショッ
ト領域を１１ａａにて示す。また、セルアレイパターン
１１の余剰パターン１１ｂを描画する場合には、図３
（ｂ）に示すように、第１マスク１２の１／２補助開口
１２ｂと第２マスク１３の部分一括露光マスク１３ｂを
用いて半導体ウェハ１４上に描画を行う。このときのウ
ェハ上の一括ショット領域を１１ｂａにて示す。
部パターン１１ａを描画する場合には、図３（ａ）に示
すように、第１マスク１２の主開口１２ａと第２マスク
１３の部分一括露光マスク１３ｂを用いて半導体ウェハ
１４上に描画を行う。このときのウェハ上の一括ショッ
ト領域を１１ａａにて示す。また、セルアレイパターン
１１の余剰パターン１１ｂを描画する場合には、図３
（ｂ）に示すように、第１マスク１２の１／２補助開口
１２ｂと第２マスク１３の部分一括露光マスク１３ｂを
用いて半導体ウェハ１４上に描画を行う。このときのウ
ェハ上の一括ショット領域を１１ｂａにて示す。
【００１８】図４は、本発明の第２の実施例を示すマス
クパターンとセルアレイパターン図である。本実施例も
ＤＲＡＭの容量コンタクトのリソグラフィに係る。図４
（ｃ）に示すように、セルのアレイ展開によりコンタク
トパターンはセルアレイパターン１１として規則正しく
配列されている。部分一括直描法により、このパターン
を描画するために、特定の繰り返しの単位を部分一括の
１ショットとして抽出し、この繰り返し単位を基に部分
一括露光マスクを作製すると共に設計データを部分一括
ＥＢ直描用データにフォーマット変換する。そして、セ
ルアレイパターン１１の端部には部分一括パターンに載
りきらなかった２種の８個のコンタクトホールと４個の
コンタクトホールとを含む余剰パターン１１ｂが発生し
ている。これらの余剰パターンは、８個および４個を単
位とした部分一括パターンとして抽出される。こうして
抽出された余剰パターン用の部分一括パターンは第１マ
スクの１／２開口（２種）および１／４開口と第２マス
クの部分一括露光マスクを用いて描画されるので、ＥＢ
直描用フォーマットデータ変換時にこのマスク識別情報
を付加しておく。
クパターンとセルアレイパターン図である。本実施例も
ＤＲＡＭの容量コンタクトのリソグラフィに係る。図４
（ｃ）に示すように、セルのアレイ展開によりコンタク
トパターンはセルアレイパターン１１として規則正しく
配列されている。部分一括直描法により、このパターン
を描画するために、特定の繰り返しの単位を部分一括の
１ショットとして抽出し、この繰り返し単位を基に部分
一括露光マスクを作製すると共に設計データを部分一括
ＥＢ直描用データにフォーマット変換する。そして、セ
ルアレイパターン１１の端部には部分一括パターンに載
りきらなかった２種の８個のコンタクトホールと４個の
コンタクトホールとを含む余剰パターン１１ｂが発生し
ている。これらの余剰パターンは、８個および４個を単
位とした部分一括パターンとして抽出される。こうして
抽出された余剰パターン用の部分一括パターンは第１マ
スクの１／２開口（２種）および１／４開口と第２マス
クの部分一括露光マスクを用いて描画されるので、ＥＢ
直描用フォーマットデータ変換時にこのマスク識別情報
を付加しておく。
【００１９】こうして得られた部分一括データを用いて
第１、第２マスクが作製される。第１マスク１２は、図
４（ａ）に示されるように、中央部に主開口１２ａが形
成されると共に、周辺部に１／２補助開口１２ｂ、１２
ｃ、１／４補助開口１２ｄが開設される。第２マスク１
３には、セルアレイパターン１１を部分一括露光により
描画するための部分一括露光マスク１３ｂが形成され
る。第１の実施例の場合と同様に、第２マスク１３に
は、他の部分一括露光マスク１３ｃ〜１３ｆが形成され
ると共に中央部に矩形開口１３ａが開設されている。そ
して、上記データの開口識別情報に基づいて、第１マス
ク・第２マスクの開口を選択しつつ描画を行う。
第１、第２マスクが作製される。第１マスク１２は、図
４（ａ）に示されるように、中央部に主開口１２ａが形
成されると共に、周辺部に１／２補助開口１２ｂ、１２
ｃ、１／４補助開口１２ｄが開設される。第２マスク１
３には、セルアレイパターン１１を部分一括露光により
描画するための部分一括露光マスク１３ｂが形成され
る。第１の実施例の場合と同様に、第２マスク１３に
は、他の部分一括露光マスク１３ｃ〜１３ｆが形成され
ると共に中央部に矩形開口１３ａが開設されている。そ
して、上記データの開口識別情報に基づいて、第１マス
ク・第２マスクの開口を選択しつつ描画を行う。
【００２０】すなわち、セルアレイパターン１１の中心
部パターン１１ａを描画する場合には、第１マスク１２
の主開口１２ａと第２マスク１３の部分一括露光マスク
１３ｂを用いて半導体ウェハ上に描画を行う。このとき
のウェハ上の一括ショット領域を１１ａａにて示す。ま
た、セルアレイパターン１１の余剰パターン１１ｂを描
画する場合には、まず、第１マスク１２の１／２補助開
口１２ｂと第２マスク１３の部分一括露光マスク１３ｂ
を用いて半導体ウェハ上に描画を行う。このときのウェ
ハ上の一括ショット領域を１１ｂａにて示す。次に、第
１マスク１２の１／２補助開口１２ｃと第２マスク１３
の部分一括露光マスク１３ｂを用いて半導体ウェハ上に
描画を行う。このときのウェハ上の一括ショット領域を
１１ｂａ′にて示す。続いて、第１マスク１２の１／４
補助開口１２ｄと第２マスク１３の部分一括露光マスク
１３ｂを用いて半導体ウェハ上に描画を行う。このとき
のウェハ上の一括ショット領域を１１ｂａ″にて示す。
以上の実施例では余剰パターンは、第１マスクの補助開
口と第２マスクの部分一括露光マスクを用いて描画する
ものであったが、余剰パターンのうちの一部のパターン
を、第１マスクの主開口と第２マスクの中央部の矩形開
口との組み合わせにより矩形パターンを形成して可変成
形矩形描画法にて描画するようにしてもよい。
部パターン１１ａを描画する場合には、第１マスク１２
の主開口１２ａと第２マスク１３の部分一括露光マスク
１３ｂを用いて半導体ウェハ上に描画を行う。このとき
のウェハ上の一括ショット領域を１１ａａにて示す。ま
た、セルアレイパターン１１の余剰パターン１１ｂを描
画する場合には、まず、第１マスク１２の１／２補助開
口１２ｂと第２マスク１３の部分一括露光マスク１３ｂ
を用いて半導体ウェハ上に描画を行う。このときのウェ
ハ上の一括ショット領域を１１ｂａにて示す。次に、第
１マスク１２の１／２補助開口１２ｃと第２マスク１３
の部分一括露光マスク１３ｂを用いて半導体ウェハ上に
描画を行う。このときのウェハ上の一括ショット領域を
１１ｂａ′にて示す。続いて、第１マスク１２の１／４
補助開口１２ｄと第２マスク１３の部分一括露光マスク
１３ｂを用いて半導体ウェハ上に描画を行う。このとき
のウェハ上の一括ショット領域を１１ｂａ″にて示す。
以上の実施例では余剰パターンは、第１マスクの補助開
口と第２マスクの部分一括露光マスクを用いて描画する
ものであったが、余剰パターンのうちの一部のパターン
を、第１マスクの主開口と第２マスクの中央部の矩形開
口との組み合わせにより矩形パターンを形成して可変成
形矩形描画法にて描画するようにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第２マ
スクに部分一括露光マスクを設けると共に第１マスクに
部分一括露光マスクの全体を照射することのできる主開
口とその整数分の１の面積の補助開口とを設け、セルア
レイパターンの中心部のパターンを部分一括露光マスク
と主開口との組み合わせにより、またセルアレイパター
ンの余剰パターンを部分一括露光マスクと補助開口との
組み合わせにより描画するようにしたものであるので、
以下の効果を享受することができる。 部分一括露光マスクの大きさを描画装置が可能な範囲
でできるでけ大きく設計することができるので、ショッ
ト回数を少なくすることができる。 部分一括露光マスクの一部分を、偏向器に拠らず第１
マスクの補助開口によって選択するようにしたので、余
剰パターンを描画装置の偏向精度に左右されずに高い精
度で描画することが可能になる。 ビームを第２マスク上で横ずれさせるものではないの
で、第２マスク上での隣接マスク間の距離を短くするこ
とができ、第２マスクに搭載できる部分一括露光マスク
の数を増やすことができる。 ビームの端の部分を優先的に用いるのものではなく、
均等で高いエネルギーを持つ中心部のビームを利用する
ことができるので、パターン形状劣化を引き起こすこと
なく、良好なパターンの形成が可能になる。
スクに部分一括露光マスクを設けると共に第１マスクに
部分一括露光マスクの全体を照射することのできる主開
口とその整数分の１の面積の補助開口とを設け、セルア
レイパターンの中心部のパターンを部分一括露光マスク
と主開口との組み合わせにより、またセルアレイパター
ンの余剰パターンを部分一括露光マスクと補助開口との
組み合わせにより描画するようにしたものであるので、
以下の効果を享受することができる。 部分一括露光マスクの大きさを描画装置が可能な範囲
でできるでけ大きく設計することができるので、ショッ
ト回数を少なくすることができる。 部分一括露光マスクの一部分を、偏向器に拠らず第１
マスクの補助開口によって選択するようにしたので、余
剰パターンを描画装置の偏向精度に左右されずに高い精
度で描画することが可能になる。 ビームを第２マスク上で横ずれさせるものではないの
で、第２マスク上での隣接マスク間の距離を短くするこ
とができ、第２マスクに搭載できる部分一括露光マスク
の数を増やすことができる。 ビームの端の部分を優先的に用いるのものではなく、
均等で高いエネルギーを持つ中心部のビームを利用する
ことができるので、パターン形状劣化を引き起こすこと
なく、良好なパターンの形成が可能になる。
【図１】 本発明の実施の形態を説明するための電子線
描画装置の概略構成図。
描画装置の概略構成図。
【図２】 本発明の第１の実施例を説明するための第
１、第２マスクのパターン図と描画すべきセルアレイパ
ターン図。
１、第２マスクのパターン図と描画すべきセルアレイパ
ターン図。
【図３】 本発明の第１の実施の形態を説明するための
描画状態説明図。
描画状態説明図。
【図４】 本発明の第２の実施例を説明するための第
１、第２マスクのパターン図と描画すべきセルアレイパ
ターン図。
１、第２マスクのパターン図と描画すべきセルアレイパ
ターン図。
【図５】 従来例を説明するための第１、第２マスクの
パターン図と描画すべきセルアレイパターン図。
パターン図と描画すべきセルアレイパターン図。
【図６】 従来例を説明するための描画状態説明図。
【図７】 他の従来例である電子線描画装置の概略図。
１ 電子ビーム発生源 ２ 電子ビーム ３ 第１図形選択偏向部 ４ 第１マスク ４ａ 主開口 ４ｂ、４ｃ １／２補助開口 ４ｄ １／４補助開口 ５ 第１マスク保持部 ６ 第２図形選択偏向部 ７ 第２マスク ７ａ 部分一括露光マスク ８ 第２マスク保持部 ９ 半導体ウェハ １０ ウェハステージ １１ セルアレイパターン １１ａ 中心部パターン １１ｂ 余剰パターン １１ａａ、１１ｂａ、１１ｂａ′、１１ｂａ″、１１ｂ
ｂ、１１ｂｃ 一括ショット領域 １２、１２1 第１マスク １２ａ 主開口 １２ｂ、１２ｃ １／２補助開口 １２ｄ １／４補助開口 １３、１３1 、１３2 第２マスク １３ａ 矩形開口 １３ｂ〜１３ｈ 部分一括露光マスク １４ 半導体ウェハ ２１ 電子ビーム発生源 ２２ 電子ビーム ２３ 第１マスク ２４ 成形レンズ ２５ 成形偏向器 ２７ 縮小レンズ ２８ 位置決め偏向器 ２９ 対物レンズ ３０ 半導体ウェハ ３１ セルアレイパターン ３１ａ 中心部パターン ３１ｂ 余剰パターン
ｂ、１１ｂｃ 一括ショット領域 １２、１２1 第１マスク １２ａ 主開口 １２ｂ、１２ｃ １／２補助開口 １２ｄ １／４補助開口 １３、１３1 、１３2 第２マスク １３ａ 矩形開口 １３ｂ〜１３ｈ 部分一括露光マスク １４ 半導体ウェハ ２１ 電子ビーム発生源 ２２ 電子ビーム ２３ 第１マスク ２４ 成形レンズ ２５ 成形偏向器 ２７ 縮小レンズ ２８ 位置決め偏向器 ２９ 対物レンズ ３０ 半導体ウェハ ３１ セルアレイパターン ３１ａ 中心部パターン ３１ｂ 余剰パターン
Claims (8)
- 【請求項１】 荷電粒子源より放出された荷電粒子を第
１のマスクを介して１または複数の部分一括露光用マス
クが形成された第２のマスクの一部分一括露光用マスク
上に照射し、該一部分一括露光用マスクのパターンを試
料上に描画する一括部分露光方式の荷電粒子線描画装置
において、前記第１のマスクには前記部分一括露光用マ
スクの全領域を照射することができる主開口と、前記主
開口の整数分の１の開口面積の補助開口とが形成されて
おり、前記荷電粒子源より放出された荷電粒子が前記第
１のマスクの何れかの開口上に照射されるように構成さ
れたことを特徴とする荷電粒子線描画装置。 - 【請求項２】 前記第１のマスクには、横方向の幅が
前記主開口の横方向の幅と同一で縦方向の幅が前記主開
口の縦方向の幅の整数分の１の第１種の補助開口と、
縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅と同一で横方向の
幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１の第２種の補
助開口と、横方向の幅が前記主開口の横方向の幅の整
数分の１で縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅の整数
分の１の第３種の補助開口と、が開設されていることを
特徴とする請求項１記載の荷電粒子線描画装置。 - 【請求項３】 前記第１のマスクには、横方向の幅が
前記主開口の横方向の幅と同一で縦方向の幅が前記主開
口の縦方向の幅の整数分の１の第１種の補助開口と、
縦方向の幅が前記主開口の縦方向の幅と同一で横方向の
幅が前記主開口の横方向の幅の整数分の１の第２種の補
助開口と、のうちの何れかが開設されていることを特徴
とする請求項１記載の荷電粒子線描画装置。 - 【請求項４】 前記第１のマスクに形成された主開口と
複数の補助開口の中の何れかの開口の選択は、該第１の
マスク上に設けられたビーム偏向器によって行われるこ
とを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の荷電粒子
線描画装置。 - 【請求項５】 前記第２のマスクに形成された部分一括
露光用マスクの大きさは、当該描画装置が部分一括で描
画可能な最大範囲に可能なかぎり近づくように選定され
ていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の
荷電粒子線描画装置。 - 【請求項６】 前記第２のマスクには、第１のマスクの
何れかの開口と組み合わせて矩形開口を形成し可変成形
矩形描画法にて描画が可能であるように矩形開口が形成
されていることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記
載の荷電粒子線描画装置。 - 【請求項７】 荷電粒子源より放出された荷電粒子を第
１のマスクを介して１または複数の部分一括露光用マス
クが形成された第２のマスクの一部分一括露光用マスク
上に照射し、該一部分一括露光用マスクのパターンを試
料上に描画する一括部分露光方式の荷電粒子線描画方法
において、前記第１のマスクには前記部分一括露光用マ
スクの全領域を照射することができる主開口と、前記主
開口の整数分の１の開口面積の補助開口とが形成されて
おり、試料上のセルアレイパターン領域の大部分の領域
を前記第１のマスクの主開口と前記第２のマスクの一部
分一括露光用マスクとを用いて露光すると共に、前記セ
ルアレイパターン領域の前記第１のマスクの主開口と前
記第２のマスクの前記一部分一括露光用マスクとの組み
合わせの露光により余剰となる余剰セルアレイパターン
領域を前記第１のマスクの前記補助開口と前記第２のマ
スクの前記一部分一括露光用マスクとを用いて露光する
ことを特徴とする荷電粒子線描画方法。 - 【請求項８】 前記第２のマスクには、部分一括露光用
マスクの外に矩形開口が形成されており、余剰セルアレ
イパターン領域の一部のパターンを前記第２のマスクの
前記矩形開口を用いて可変成形矩形描画法にて描画する
ことを特徴とする請求項７記載の荷電粒子線描画方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29471899A JP2001118771A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法 |
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