JPS63299127A - 可変成形型電子線描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は可変成形型電子線描画装置に係り、特に生産性
が高く、また汎用性も高い方式を提供するに好適な電子
線描画装置に関する。

〔従来の技術〕

電子線描画装置のスループットを向上させるため従来ジ
ャーナルオブバキュームサイエンスアンドテクノロジー
誌１２巻（１９・７５年）１１７０頁から１１７３頁（
Ｊ　、　Ｖａｃ、　Ｓｃｌ　Ｔａｃｈｎｏｌ、　１２（
１９７５）ｐＨ７Ｏ−ｐＨ７３）において論じられてい
るように点であったビームを一定の大きさの面にするこ
とが試みられている。また更にジャーナルオブバキュー
ムサイエンスアンドテクノロジー誌１５巻（１９７８年
）８８７頁から８９０頁（Ｊ　、　Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、
　Ｔａｃｈｎｏｌ、　１５　（１９７ｇ）ｐ８８７−８
９０）において論じられれでいるように２つの成形アパ
ーチャの組合せにより大きさの変えられる面ビームで描
画することによりスループットの向上と汎用性を兼ね備
える試みがなされている。しかしこれ等の方式でも未だ
スループット向上が十分でなく、最近は成形アパーチャ
上にメモリ素子等の繰返しパターンを作りこんでおくと
いうアイデアが提案されている。この種の装置として関
連するものに特開昭６１−１８３９２６等が挙げられる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術において、１つの矩形を固定形状又は可変
な大きさで描画するものでは、超ＬＳＩの製造に・は時
間がかかりすぎ、又メモリパターン等の繰返しパターン
を成形絞り板上に作りつけたものでは異なるパターン毎
に成形絞り板を取り換えたり、パターンの変更毎に成形
絞り板を作り直す等、実際の利用面での配慮がなされて
おらず汎用性が低いという問題があった。

本発明の目的は上記した低スループットや汎用性が低く
なるという問題を解決し、高いスループットで汎用性の
高い装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的はメモリパターンのように繰返して形成される
パターンを要素矩形パターンに分解しそのパターンに応
じた可変成形ビームを複数形成することにより、達成さ
れる。

〔作用〕

第２図に超ＬＳＩＸメモリセルパターンの一例を示す、
このパターンを従来の可変成形型描画装置で描画すると
、第３図（ａ）にあるように、パターンを矩形に分解し
、第３図（ｂ）に示すように２枚の成形絞り板でビーム
を成形して描画することになる。第３図（ｂ）では■に
示される矩形形状にビームが成形されているが、順次■
、■。

■、■と形状を変え描画し、隣のパターンに移って行く
、この結果全ての分解した矩形パターンを順次描画する
ため描画時間が多くかかるわけである。これに対し本発
明では第１図に示すようにメモリセルパターンの繰返し
ピッチに対応した複数の開口部を第１．第２の成形絞り
板上に設け、各メモリセルパターンにおいて分解された
矩形の同一の場所に対応する矩形パターンを同時に複数
個描画できるようにする。同一のメモリパターンでは層
によらずメモリセルパターンの繰返しピッチは一定であ
る。従ってパターン形状に依存することなく、繰返しピ
ッチが一定のパターンであれば全てこの方式により描画
できることになる。ここで成形絞り板上に繰返して配置
する開口部の太きさほたて方向、横方向それぞれ成形絞
り板上の繰返しピッチの半分又はそれ以下の大きさとす
る必要がある。

〔実施例〕

以下、本発明の第一の実施例を第４〜６図を用いて説明
する。第１の成形絞り板上に複数の開口部１を設ける。

ここで開口部はＩＩ９μｍ、ピッチ　・１８μｍ、長さ
２４μｍ、ピッチ４８μｍで２行４列、計８ヶ配列する
。第２の成形絞り板上にも同じ寸法形状の開口部を設け
、これを１７２０に縮小してウェハ上に投影する。第５
図は矩形に分割されたメモリセルパターンの一分割分が
同時に８つ描画されている状態を示す、ＬＳＩパターン
ではたとえメモリパターンでも、繰返しパターン以外に
単独のパターンも多くある。１このようなパターンは第
６図に示すように２つの成形絞り板の重なりを大きくず
らすことにより描画することになる０本方式を用いるこ
とにより１つのメモリＬＳＩが同一の成形絞りで全ての
層描画することが可能となった。又従来の単一可変成形
ビーム方式に比ベスルーブットが約６倍に向上した。

本実施例では開口部の大きさを幅、長さ共にそれぞれ成
形絞り板上の繰返しピッチの半分としたが、これより小
さい開口部としても良いことはいうまでもない。

本発明の第２の実施例を次に説明する。前記の実施例で
は−１の成形絞り板と第２の成形絞り板の開口部の寸法
形状が同一としたが、第１の成形絞り板を第２の成形絞
り板上に投影する場合の比率を１７２とした。この場合
筒１の成形絞り板上の開口部の大きさは幅１８μｍ、ピ
ッチ３６μｍ。

長さ４８μｍ、ピッチ９６μｍで２行４列、計８ヶ配列
した。これを第２の成形絞り板上に１／２縮小しで投影
した。第２の絞り板上には幅９μｍ、ピッチ１８μｍ長
さ２４μｍ、ピッチ４８μｍで２行４列、計８ヶの開口
部を配置し、これを１７２０に縮小してウェハ上に投影
した０本実施例によりスループット、汎用性は前記した
実施例と同様の効果が得られる。ここで成形絞り板の開
口部の大きさは実施例１に述べたと同様に小さくしても
良いことはいうまでもない。

次に第３の実施例について説明する。

第１．第２成形絞り板上のメモリセル部分の開ロバター
ンは第１の実施例と同じだが、この繰返し部分の横に２
４μｍ　Ｘ　７２μｍの開口部を設けた。この成形絞り
板を用いて同一のメモリＬＳＩを描画した所、スループ
ットが従来法の７倍に向上した。ここで繰返し部分の横
に設けた開口部の大きさが第１．第２の形成板で必ずし
も同一でなくてもよいことはいうまでもない。

〔発明の効果〕

本発明によれば繰返しの多いＬＳＩパターンを一括して
描画できるのでスループットが著しく向上できるという
効果がある上、同一のビットを持つパターンであれば成
形絞り板の変更なしにパターンを描画できるという汎用
性を持つ。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の概念を示す図、第２図はメモリセルパ
ターンの平面図の一例を示す図、第３図は従来の可変矩
形ビーム方式による描画の説明図。 第４図は本発明の一実施例の複数パターン形成図、第５
図は第４図の複数パターンで、メモリセルパターンの部
分を描画した状態を示す図、第６図は任意独立パターン
の描画のためのビーム形成図。 第７図は高スループツト化のための大矩形パターンを複
数配列パターンに組合わせて使用した場合の図である。 １・・・一定ピツチで繰返した第１成形絞り板上の開ロ
バターン、２・・・第１成形絞り板、３・・・成形偏向
板、４・・・一定ピツチで繰返した第２成形絞り板上の
開ロバターン、５・・・第２成形絞り板、６・・・第１
成形絞り板上に形成した任意矩形用大関ロバターン、７
・・・第２成形絞り板上に形成した任意矩形用−４７ロ ー１゜ 第　２　旧 第　３　コ ′Ｙ５４　因 犠　ダ　囚 第　６　凹 ￥　７　（！］

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、２枚の成形絞り板を用いて電子ビームの形状を成形
   する可変成形型電子線描画装置において、第１の成形絞
   り板に一定の繰返しピツチを持つ複数の開口部を設け第
   ２の成形絞り板上に第１の成形絞り板の開口部に対応す
   る一定の繰返しピツチを持つ複数の開口部を設けたこと
   を特徴とする可能成形型電子線描画装置。 ２、前記成形絞り板上に一定の繰返しピツチを持つ開口
   部と共に、独立の１ケ以上の開口部を有することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の可変成形型電子線描
   画装置。