JPH0718388A - Ｂ−ｈループの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方法 - Google Patents
Ｂ−ｈループの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｂ−Ｈル−プの非対称性を改善したナノ結晶
合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方
法を提供する。 【構成】 平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である結晶粒が
組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶合金薄帯であ
って、Ｓｎを０.０１から１ｗｔ％含有し、少なくとも
片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳｎ濃度の高
い領域が形成しているナノ結晶合金薄帯。
合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方
法を提供する。 【構成】 平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である結晶粒が
組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶合金薄帯であ
って、Ｓｎを０.０１から１ｗｔ％含有し、少なくとも
片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳｎ濃度の高
い領域が形成しているナノ結晶合金薄帯。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランス、チョークコ
イル、可飽和リアクトル等に用いられるＢ−Ｈル−プの
非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およ
びナノ結晶合金薄帯の製造方法に関する。
イル、可飽和リアクトル等に用いられるＢ−Ｈル−プの
非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およ
びナノ結晶合金薄帯の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ナノ結晶合金は優れた軟磁気特性を示す
ため、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、
漏電警報器や磁気スイッチコア等に使用されている。代
表的組成系は特公平４-４３９３号公報に記載されてい
るＦｅ−Ｃｕ−Ｍ−Ｓｉ−Ｂ系合金がある。これらのナ
ノ結晶合金は、前記組成の合金を液相や気相から急冷し
非晶質合金とした後、これを熱処理により微結晶化する
ことにより通常は作製されている。液相から急冷する方
法としては単ロ−ル法、双ロ−ル法、遠心急冷法、回転
液中紡糸法、アトマイズ法やキャビテーション法等が知
られている。また、気相から急冷する方法としては、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレ−ティング法等が知られ
ている。ナノ結晶合金はこれらの方法により作製した非
晶質合金を微結晶化したもので、非晶質合金にみられる
ような熱的不安定性がほとんどなく、高飽和磁束密度、
低磁歪で優れた軟磁気特性を示す。
ため、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、
漏電警報器や磁気スイッチコア等に使用されている。代
表的組成系は特公平４-４３９３号公報に記載されてい
るＦｅ−Ｃｕ−Ｍ−Ｓｉ−Ｂ系合金がある。これらのナ
ノ結晶合金は、前記組成の合金を液相や気相から急冷し
非晶質合金とした後、これを熱処理により微結晶化する
ことにより通常は作製されている。液相から急冷する方
法としては単ロ−ル法、双ロ−ル法、遠心急冷法、回転
液中紡糸法、アトマイズ法やキャビテーション法等が知
られている。また、気相から急冷する方法としては、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレ−ティング法等が知られ
ている。ナノ結晶合金はこれらの方法により作製した非
晶質合金を微結晶化したもので、非晶質合金にみられる
ような熱的不安定性がほとんどなく、高飽和磁束密度、
低磁歪で優れた軟磁気特性を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、鋭意検討の結
果ナノ結晶合金において、液体急冷法により作製した狭
幅材ではそれほど問題にならないが、量産ベ−スで広幅
材や板厚の厚い材料等を製造した場合にＢ−Ｈ曲線が非
対称になる問題が生ずることがあることが分かった。こ
の傾向は、Ａｌ等の不純物の多い材料や高飽和磁束密度
の組成において顕著である。このような非対称Ｂ−Ｈル
−プを示す材料を磁心に用い回路に組込んだ場合には磁
心が対称なＢ−Ｈル−プを示す場合と同じ動作をしない
ため、通常の回路では回路がうまく動作しなかったり回
路が不安定となり好ましくない。本発明は、Ｂ−Ｈル−
プの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心
およびナノ結晶合金薄帯の製造方法を提供することを目
的とする。
果ナノ結晶合金において、液体急冷法により作製した狭
幅材ではそれほど問題にならないが、量産ベ−スで広幅
材や板厚の厚い材料等を製造した場合にＢ−Ｈ曲線が非
対称になる問題が生ずることがあることが分かった。こ
の傾向は、Ａｌ等の不純物の多い材料や高飽和磁束密度
の組成において顕著である。このような非対称Ｂ−Ｈル
−プを示す材料を磁心に用い回路に組込んだ場合には磁
心が対称なＢ−Ｈル−プを示す場合と同じ動作をしない
ため、通常の回路では回路がうまく動作しなかったり回
路が不安定となり好ましくない。本発明は、Ｂ−Ｈル−
プの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心
およびナノ結晶合金薄帯の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明者らは、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である
結晶粒が組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶合金
薄帯であって、Ｓｎを０.０１から１ｗｔ％含有し、少
なくとも片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳｎ
濃度の高い領域が形成しているナノ結晶合金薄帯ならび
にこれを用いた磁心や平均結晶粒径が５０ｎｍ以下であ
る結晶粒が組織の少なくとも５０％を占める超急冷法に
より作製されるナノ結晶合金薄帯であって、Ｓを０.０
０１から０.０５ｗｔ％含有し、少なくとも片面の表面
から０.１μｍ以下の領域内にＳ濃度の高い領域が形成
しているナノ結晶合金薄帯ならびにこれを用いた磁心で
はＢ−Ｈル−プの非対称性が改善されることを見い出し
本発明に想到した。本発明においてＢ−Ｈル−プの非対
称性は、直流Ｂ−Ｈル−プのシフトＨsにより表すこと
にする。Ｈsは図１中に示したＨc1、Ｈc2を用い次の様
に定義した。 Ｈs＝（Ｈc1+Ｈc2）／２ ただし、Ｈc1,Ｈc2の位置がＢ軸に対して右側の場合は
Ｈc1,Ｈc2の値を正、左側の場合は負とする。測定の際
の最大印加磁界は８Ａ／ｍ（０.１Ｏｅ）とした。ま
た、Ｂ−Ｈル−プが非対称の場合の保磁力Ｈcは Ｈｃ＝（Ｈc1-Ｈc2）／２ と定義する。Ｈsが大きい程Ｂ−Ｈル−プの非対称性が
大きいことを意味する。
めに本発明者らは、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である
結晶粒が組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶合金
薄帯であって、Ｓｎを０.０１から１ｗｔ％含有し、少
なくとも片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳｎ
濃度の高い領域が形成しているナノ結晶合金薄帯ならび
にこれを用いた磁心や平均結晶粒径が５０ｎｍ以下であ
る結晶粒が組織の少なくとも５０％を占める超急冷法に
より作製されるナノ結晶合金薄帯であって、Ｓを０.０
０１から０.０５ｗｔ％含有し、少なくとも片面の表面
から０.１μｍ以下の領域内にＳ濃度の高い領域が形成
しているナノ結晶合金薄帯ならびにこれを用いた磁心で
はＢ−Ｈル−プの非対称性が改善されることを見い出し
本発明に想到した。本発明においてＢ−Ｈル−プの非対
称性は、直流Ｂ−Ｈル−プのシフトＨsにより表すこと
にする。Ｈsは図１中に示したＨc1、Ｈc2を用い次の様
に定義した。 Ｈs＝（Ｈc1+Ｈc2）／２ ただし、Ｈc1,Ｈc2の位置がＢ軸に対して右側の場合は
Ｈc1,Ｈc2の値を正、左側の場合は負とする。測定の際
の最大印加磁界は８Ａ／ｍ（０.１Ｏｅ）とした。ま
た、Ｂ−Ｈル−プが非対称の場合の保磁力Ｈcは Ｈｃ＝（Ｈc1-Ｈc2）／２ と定義する。Ｈsが大きい程Ｂ−Ｈル−プの非対称性が
大きいことを意味する。
【０００５】本発明においてＳｎやＳ濃度の高い領域が
形成していることがＢ−Ｈル−プの非対称性を改善する
上で重要なポイントとなっている。ナノ結晶合金の優れ
た軟磁性は均一微細な結晶粒が形成しているために得ら
れると考えられているが、表面に内部より粗大な結晶粒
が形成することは軟磁性の劣化につながり好ましくない
だけでなく、Ｂ−Ｈル−プが非対称になり好ましくな
い。このような粗大結晶粒は表面付近の非晶質化元素の
濃度変動が関係しているものと考えられるが、ＳｎやＳ
を添加し表面近傍にＳｎやＳ濃度の高い領域が形成する
ことにより非晶質形成元素であるＳｉ等の表面近傍の濃
度変化が小さくなり粗大な結晶粒を形成するのを防いで
いるものと思われる。この粗大な結晶粒は薄帯製造ある
いは熱処理の際に形成し、この結晶粒はｂｃｃＦｅ相で
ある場合が多く、結晶粒が配向している場合もある。こ
のような結晶粒の生成は薄帯表面の酸化物形成と何らか
の関連があるものと考えられる。
形成していることがＢ−Ｈル−プの非対称性を改善する
上で重要なポイントとなっている。ナノ結晶合金の優れ
た軟磁性は均一微細な結晶粒が形成しているために得ら
れると考えられているが、表面に内部より粗大な結晶粒
が形成することは軟磁性の劣化につながり好ましくない
だけでなく、Ｂ−Ｈル−プが非対称になり好ましくな
い。このような粗大結晶粒は表面付近の非晶質化元素の
濃度変動が関係しているものと考えられるが、ＳｎやＳ
を添加し表面近傍にＳｎやＳ濃度の高い領域が形成する
ことにより非晶質形成元素であるＳｉ等の表面近傍の濃
度変化が小さくなり粗大な結晶粒を形成するのを防いで
いるものと思われる。この粗大な結晶粒は薄帯製造ある
いは熱処理の際に形成し、この結晶粒はｂｃｃＦｅ相で
ある場合が多く、結晶粒が配向している場合もある。こ
のような結晶粒の生成は薄帯表面の酸化物形成と何らか
の関連があるものと考えられる。
【０００６】本発明において特にＳｎまたはＳの濃度の
高い領域の強度ピ−ク値がＳｎまたはＳ濃度安定部の値
の３倍以上である場合に非対称性改善の効果が大きい。
ここでＳｎまたはＳ濃度安定部とは、ＳｎまたはＳ濃度
がほぼ一定の値を示す部分をいい、後述の実施例１に示
すようにＡＥＳ法（オージェ電子分光法）による薄帯表
面からの濃度分布測定により観察することができる。さ
らに、Ｂ−Ｈル−プの非対称性改善効果はＡｌを０.０
００１ｗｔ％以上０.３ｗｔ％以下含む合金系において
著しい。Ａｌは安価な原料を用いた場合に不純物として
入りやすく、本発明は安価な原料を使用する場合に特に
著しい効果を発揮する。本発明に係わる代表的合金系と
しては、Ｆｅを主体としＣｕ，Ａｕから選ばれる少なく
とも１種の元素及びＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素を必須
成分として含む合金が挙げられる。より具体的には、 組成式(Ｆｅ1-aＭa)100-x-y-z-αーβーγＡxＳｉyＢzＭ'
αＭ''βＸγ(at％) (但し、ＭはＣｏ及び／またはＮｉであり、ＡはＣｕ、
Ａｕから選ばれる少なくとも一種の元素、Ｍ’はＮｂ，
Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＷからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’’はＣｒ，Ｍ
ｎ，Ａｌ，白金族元素，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｅ、Ａｇからな
る群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＸはＣ，Ｇ
ｅ，Ｐ，Ｇａ，Ｎ，Ｏからなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素であり、a,x,y,z,α,β及びγはそれぞれ
0≦a≦0.5,0.１≦x≦3,0≦y≦17,0≦z≦10,0.1≦α≦2
0,0≦β≦20,0≦γ≦20を満たす。)により表される組成
からなり、組織の少なくとも５０％が粒径５０ｎｍ以下
の結晶粒からなる合金が挙げられる。たとえばＦｅ−Ｃ
ｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ系合金やＦｅ−Ｃｕ−Ｚｒ−Ｂ系合
金等が知られている。
高い領域の強度ピ−ク値がＳｎまたはＳ濃度安定部の値
の３倍以上である場合に非対称性改善の効果が大きい。
ここでＳｎまたはＳ濃度安定部とは、ＳｎまたはＳ濃度
がほぼ一定の値を示す部分をいい、後述の実施例１に示
すようにＡＥＳ法（オージェ電子分光法）による薄帯表
面からの濃度分布測定により観察することができる。さ
らに、Ｂ−Ｈル−プの非対称性改善効果はＡｌを０.０
００１ｗｔ％以上０.３ｗｔ％以下含む合金系において
著しい。Ａｌは安価な原料を用いた場合に不純物として
入りやすく、本発明は安価な原料を使用する場合に特に
著しい効果を発揮する。本発明に係わる代表的合金系と
しては、Ｆｅを主体としＣｕ，Ａｕから選ばれる少なく
とも１種の元素及びＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素を必須
成分として含む合金が挙げられる。より具体的には、 組成式(Ｆｅ1-aＭa)100-x-y-z-αーβーγＡxＳｉyＢzＭ'
αＭ''βＸγ(at％) (但し、ＭはＣｏ及び／またはＮｉであり、ＡはＣｕ、
Ａｕから選ばれる少なくとも一種の元素、Ｍ’はＮｂ，
Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＷからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ’’はＣｒ，Ｍ
ｎ，Ａｌ，白金族元素，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｒｅ、Ａｇからな
る群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＸはＣ，Ｇ
ｅ，Ｐ，Ｇａ，Ｎ，Ｏからなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素であり、a,x,y,z,α,β及びγはそれぞれ
0≦a≦0.5,0.１≦x≦3,0≦y≦17,0≦z≦10,0.1≦α≦2
0,0≦β≦20,0≦γ≦20を満たす。)により表される組成
からなり、組織の少なくとも５０％が粒径５０ｎｍ以下
の結晶粒からなる合金が挙げられる。たとえばＦｅ−Ｃ
ｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ系合金やＦｅ−Ｃｕ−Ｚｒ−Ｂ系合
金等が知られている。
【０００７】本発明合金の熱処理は磁場中において行う
ことも可能である。磁心の磁路方向に磁場中熱処理を行
った場合は本発明の効果が特に著しい。また、この場合
本発明合金ならびに磁心はＢ−Ｈ曲線の角形比も向上し
やすいという効果も得られる。もうひとつの本発明は超
急冷法により非晶質合金薄帯を得る工程と、これを熱処
理し、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である結晶粒が組織
の少なくとも５０％を占め、少なくとも片面の表面から
０.１μｍ以下の領域内にＳｎあるいは／およびＳの多
い領域を形成する工程からなる上記ナノ結晶合金薄帯の
製造方法である。結晶粒を形成する熱処理の前に１００
℃から３５０℃の温度に１０分から１０００時間保持す
る工程を含む場合は、本発明の合金を得ることが容易で
薄帯の製造条件の変動に起因する特性ばらつきを低減で
きかつ非対称性改善の効果を大きくできる。
ことも可能である。磁心の磁路方向に磁場中熱処理を行
った場合は本発明の効果が特に著しい。また、この場合
本発明合金ならびに磁心はＢ−Ｈ曲線の角形比も向上し
やすいという効果も得られる。もうひとつの本発明は超
急冷法により非晶質合金薄帯を得る工程と、これを熱処
理し、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である結晶粒が組織
の少なくとも５０％を占め、少なくとも片面の表面から
０.１μｍ以下の領域内にＳｎあるいは／およびＳの多
い領域を形成する工程からなる上記ナノ結晶合金薄帯の
製造方法である。結晶粒を形成する熱処理の前に１００
℃から３５０℃の温度に１０分から１０００時間保持す
る工程を含む場合は、本発明の合金を得ることが容易で
薄帯の製造条件の変動に起因する特性ばらつきを低減で
きかつ非対称性改善の効果を大きくできる。
【０００８】熱処理は通常はＡｒ、Ｈｅ、窒素等の不活
性ガス雰囲気で行われる。しかし、通常はガス中には酸
素が含まれているのが普通であり、酸素の存在下で熱処
理が行われる。また、大気中や酸素の多い雰囲気におい
ても本発明の効果は得られる。
性ガス雰囲気で行われる。しかし、通常はガス中には酸
素が含まれているのが普通であり、酸素の存在下で熱処
理が行われる。また、大気中や酸素の多い雰囲気におい
ても本発明の効果は得られる。
【０００９】
【実施例】以下本発明を実施例にしたがって説明するが
本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）組成式Ｆｅbal.Ｃｕ1Ｎｂ2Ｓｉ12.2Ｂ9.1
(at％)の母合金および前記組成の合金にＳｎを０.１、
０.５ｗｔ％加えた母合金およびＳｎを加えない母合金
を高周波溶解により作製した。次にＣｕ−Ｂｅロ−ルを
使用した単ロ−ル法で急冷し３０ｍｍ幅の非晶質合金を
作製した。次にこの合金薄帯を外径３５ｍｍ、内径３５
ｍｍのトロイダル状に巻き回し巻磁心を作製した。次に
この合金磁心を窒素ガス雰囲気中５３０℃で１時間熱処
理を行った。それぞれの磁心の直流Ｂ−Ｈ曲線を測定
し、さらに各磁心に用いられている薄帯の表面をＡＥＳ
により分析した。Ｂ−Ｈ曲線のシフト量ＨsはＳｎ無添
加の場合０.７Ａ/ｍ、Ｓｎ０.１ｗｔ％添加の場合０.１
Ａ/ｍ、Ｓｎ０.５ｗｔ％添加の場合０Ａ/ｍでありＳｎ
添加し表面から０.１μｍ以下の領域にＳｎ濃度の高い
領域が形成している合金はＢ−Ｈ曲線のシフト量が小さ
くなり非対称性が改善された。図２にＡＥＳ法による分
析結果を示す。表面から０.１μｍ以下の領域にＳｎ濃
度の高い領域が形成している。また、ピ−ク値は薄帯厚
さＳｎ濃度安定部、すなわちＳｎ濃度がほぼ一定の部分
の３倍以上である。Ｓｎの濃度の高い領域が表面から
０.１μｍ以下の領域に形成している試料では非対称性
が小さく好ましい結果が得られた。一方、Ｓｎを含まな
い場合はＢ−Ｈル−プの非対称性が大きい。
本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）組成式Ｆｅbal.Ｃｕ1Ｎｂ2Ｓｉ12.2Ｂ9.1
(at％)の母合金および前記組成の合金にＳｎを０.１、
０.５ｗｔ％加えた母合金およびＳｎを加えない母合金
を高周波溶解により作製した。次にＣｕ−Ｂｅロ−ルを
使用した単ロ−ル法で急冷し３０ｍｍ幅の非晶質合金を
作製した。次にこの合金薄帯を外径３５ｍｍ、内径３５
ｍｍのトロイダル状に巻き回し巻磁心を作製した。次に
この合金磁心を窒素ガス雰囲気中５３０℃で１時間熱処
理を行った。それぞれの磁心の直流Ｂ−Ｈ曲線を測定
し、さらに各磁心に用いられている薄帯の表面をＡＥＳ
により分析した。Ｂ−Ｈ曲線のシフト量ＨsはＳｎ無添
加の場合０.７Ａ/ｍ、Ｓｎ０.１ｗｔ％添加の場合０.１
Ａ/ｍ、Ｓｎ０.５ｗｔ％添加の場合０Ａ/ｍでありＳｎ
添加し表面から０.１μｍ以下の領域にＳｎ濃度の高い
領域が形成している合金はＢ−Ｈ曲線のシフト量が小さ
くなり非対称性が改善された。図２にＡＥＳ法による分
析結果を示す。表面から０.１μｍ以下の領域にＳｎ濃
度の高い領域が形成している。また、ピ−ク値は薄帯厚
さＳｎ濃度安定部、すなわちＳｎ濃度がほぼ一定の部分
の３倍以上である。Ｓｎの濃度の高い領域が表面から
０.１μｍ以下の領域に形成している試料では非対称性
が小さく好ましい結果が得られた。一方、Ｓｎを含まな
い場合はＢ−Ｈル−プの非対称性が大きい。
【００１０】（実施例２）組成式Ｆｅbal.Ｃｕ1Ｎｂ2Ｓ
ｉ10.8Ｂ9.1 (at％)の合金にＳｎを０.００５、０.０
１、０.０５、０.１、０.３、０.５、１、１.５ｗｔ％
加えた母合金を高周波溶解により作製した。次にＣｕ−
Ｂｅロ−ルを使用した単ロ−ル法で急冷し３０ｍｍ幅の
非晶質合金を作製した。次にこの合金薄帯を外径３５ｍ
ｍ、内径３５ｍｍのトロイダル状に巻き回し巻磁心を作
製した。次にこの合金磁心を窒素ガス雰囲気中５３０℃
で１時間熱処理を行った。それぞれの磁心の直流Ｂ−Ｈ
曲線を測定し、さらに各磁心に用いられている薄帯の表
面をＡＥＳ法により分析した。Ｓｎの自由面における偏
析状態およびＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈsを表１に示
す。表面から０.１μｍ以下の領域にＳｎ濃度の高い領
域が形成している。また、ピ−ク値はＳｎ濃度安定部の
３倍以上である。Ｓｎ含有量が０.０１ｗｔ％未満では
Ｂ−Ｈル−プの非対称性が大きい。一方、Ｓｎ含有量が
１ｗｔ％を超える場合は単ロ−ル法で作製した際に薄帯
が脆化し、連続的な薄帯製造ができなかった。これに対
してＳｎが０.０１から１ｗｔ％の範囲の場合は非対称
性が小さく好ましい結果が得られた。
ｉ10.8Ｂ9.1 (at％)の合金にＳｎを０.００５、０.０
１、０.０５、０.１、０.３、０.５、１、１.５ｗｔ％
加えた母合金を高周波溶解により作製した。次にＣｕ−
Ｂｅロ−ルを使用した単ロ−ル法で急冷し３０ｍｍ幅の
非晶質合金を作製した。次にこの合金薄帯を外径３５ｍ
ｍ、内径３５ｍｍのトロイダル状に巻き回し巻磁心を作
製した。次にこの合金磁心を窒素ガス雰囲気中５３０℃
で１時間熱処理を行った。それぞれの磁心の直流Ｂ−Ｈ
曲線を測定し、さらに各磁心に用いられている薄帯の表
面をＡＥＳ法により分析した。Ｓｎの自由面における偏
析状態およびＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈsを表１に示
す。表面から０.１μｍ以下の領域にＳｎ濃度の高い領
域が形成している。また、ピ−ク値はＳｎ濃度安定部の
３倍以上である。Ｓｎ含有量が０.０１ｗｔ％未満では
Ｂ−Ｈル−プの非対称性が大きい。一方、Ｓｎ含有量が
１ｗｔ％を超える場合は単ロ−ル法で作製した際に薄帯
が脆化し、連続的な薄帯製造ができなかった。これに対
してＳｎが０.０１から１ｗｔ％の範囲の場合は非対称
性が小さく好ましい結果が得られた。
【００１１】
【表１】
【００１２】（実施例３）組成式Ｆｅbal.Ｃｕ1Ｎｂ2Ｓ
ｉ10Ｂ9.5 (at％)の合金にＳを０.０００５、０.００
１、０.００５、０.０１、０.０３、０.０５、０.１ｗ
ｔ％加えた母合金を高周波溶解により作製した。次にＣ
ｕ−Ｂｅロ−ルを使用した単ロ−ル法で急冷し５０ｍｍ
幅の非晶質合金を作製した。次にこの合金薄帯を外径３
５ｍｍ、内径３５ｍｍのトロイダル状に巻き回し巻磁心
を作製した。次にこの合金磁心を窒素ガス雰囲気中５３
０℃で１時間熱処理を行った。それぞれの磁心の直流Ｂ
−Ｈ曲線を測定し、さらに各磁心に用いられている薄帯
の表面をＡＥＳ法により分析した。Ｓの自由面における
偏析状態およびＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈsを表２に示
す。表面から０.１μｍ以下の領域にＳ濃度の高い領域
が形成されている。また、ピ−ク値はＳ濃度安定部の３
倍以上である。Ｓ含有量が０.００１ｗｔ％未満の合金
薄帯ではＢ−Ｈル−プの非対称性が大きい。一方、Ｓ含
有量が０.０５ｗｔ％を超える場合は単ロ−ル法で作製
した際に薄帯が脆化し、連続的な薄帯製造が困難であ
る。これに対してＳが０.００１から０.０５ｗｔ％の範
囲でかつ薄帯表面から０.１μｍ以下の領域にＳ濃度の
高い領域が形成している場合はＨsが小さく（非対称性
が小さく）好ましい結果が得られた。
ｉ10Ｂ9.5 (at％)の合金にＳを０.０００５、０.００
１、０.００５、０.０１、０.０３、０.０５、０.１ｗ
ｔ％加えた母合金を高周波溶解により作製した。次にＣ
ｕ−Ｂｅロ−ルを使用した単ロ−ル法で急冷し５０ｍｍ
幅の非晶質合金を作製した。次にこの合金薄帯を外径３
５ｍｍ、内径３５ｍｍのトロイダル状に巻き回し巻磁心
を作製した。次にこの合金磁心を窒素ガス雰囲気中５３
０℃で１時間熱処理を行った。それぞれの磁心の直流Ｂ
−Ｈ曲線を測定し、さらに各磁心に用いられている薄帯
の表面をＡＥＳ法により分析した。Ｓの自由面における
偏析状態およびＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈsを表２に示
す。表面から０.１μｍ以下の領域にＳ濃度の高い領域
が形成されている。また、ピ−ク値はＳ濃度安定部の３
倍以上である。Ｓ含有量が０.００１ｗｔ％未満の合金
薄帯ではＢ−Ｈル−プの非対称性が大きい。一方、Ｓ含
有量が０.０５ｗｔ％を超える場合は単ロ−ル法で作製
した際に薄帯が脆化し、連続的な薄帯製造が困難であ
る。これに対してＳが０.００１から０.０５ｗｔ％の範
囲でかつ薄帯表面から０.１μｍ以下の領域にＳ濃度の
高い領域が形成している場合はＨsが小さく（非対称性
が小さく）好ましい結果が得られた。
【００１３】
【表２】
【００１４】（実施例４）表３に示す組成の母合金にＳ
ｎあるいはＳを添加し、単ロ−ル法により幅５０ｍｍの
非晶質合金薄帯を作製した。次にこの薄帯を外径６０ｍ
ｍ、内径４０ｍｍに巻き回し、磁路方向に５Ｏｅの磁場
を印加しながら熱処理し本発明ナノ結晶薄帯からなる磁
心を作製した。表３に示す組成の母合金にＳｎあるいは
Ｓを添加し片面の表面から０.５μｍ以下の領域内にＳ
ｎあるいはＳの濃度の高い領域が形成している場合とＳ
ｎやＳを添加しない場合のＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈs
を示す。ＳｎあるいはＳの濃度の高い領域が形成してい
る場合にＢ−Ｈル−プのシフト量が小さい。またＡｌ,
Ｚｒ,Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の元素が０.００
０１ｗｔ％以上０.３ｗｔ％以下含まれている場合に特
にＳｎあるいはＳ添加のシフト量減少効果が大きいこと
が分かる。
ｎあるいはＳを添加し、単ロ−ル法により幅５０ｍｍの
非晶質合金薄帯を作製した。次にこの薄帯を外径６０ｍ
ｍ、内径４０ｍｍに巻き回し、磁路方向に５Ｏｅの磁場
を印加しながら熱処理し本発明ナノ結晶薄帯からなる磁
心を作製した。表３に示す組成の母合金にＳｎあるいは
Ｓを添加し片面の表面から０.５μｍ以下の領域内にＳ
ｎあるいはＳの濃度の高い領域が形成している場合とＳ
ｎやＳを添加しない場合のＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈs
を示す。ＳｎあるいはＳの濃度の高い領域が形成してい
る場合にＢ−Ｈル−プのシフト量が小さい。またＡｌ,
Ｚｒ,Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の元素が０.００
０１ｗｔ％以上０.３ｗｔ％以下含まれている場合に特
にＳｎあるいはＳ添加のシフト量減少効果が大きいこと
が分かる。
【００１５】
【表３】
【００１６】（実施例５）表４に示す組成の母合金にＳ
ｎあるいはＳを添加し、単ロ−ル法により幅５０ｍｍの
非晶質合金薄帯を作製した。次にこの薄帯を外径６０ｍ
ｍ、内径４０ｍｍに巻き回し、表４に示す温度、時間で
大気中熱処理を行った。次に磁路方向に５Ｏｅの磁場を
印加しながら結晶化温度以上で熱処理し本発明ナノ結晶
薄帯からなる磁心を作製した。表４に示す組成の母合金
にＳｎあるいはＳを添加し片面の表面から０.１μｍ以
下の領域内にＳｎあるいはＳの濃度の高い領域が形成し
ている場合とＳｎやＳを添加しない場合のＢ−Ｈル−プ
のシフト量Ｈsを示す。ＳｎあるいはＳの濃度の高い領
域が形成している場合にＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈsが
小さく、Ｂ−Ｈ曲線の対称性が良好である。
ｎあるいはＳを添加し、単ロ−ル法により幅５０ｍｍの
非晶質合金薄帯を作製した。次にこの薄帯を外径６０ｍ
ｍ、内径４０ｍｍに巻き回し、表４に示す温度、時間で
大気中熱処理を行った。次に磁路方向に５Ｏｅの磁場を
印加しながら結晶化温度以上で熱処理し本発明ナノ結晶
薄帯からなる磁心を作製した。表４に示す組成の母合金
にＳｎあるいはＳを添加し片面の表面から０.１μｍ以
下の領域内にＳｎあるいはＳの濃度の高い領域が形成し
ている場合とＳｎやＳを添加しない場合のＢ−Ｈル−プ
のシフト量Ｈsを示す。ＳｎあるいはＳの濃度の高い領
域が形成している場合にＢ−Ｈル−プのシフト量Ｈsが
小さく、Ｂ−Ｈ曲線の対称性が良好である。
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】本発明によればＢ−Ｈル−プの非対称性
を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結
晶合金薄帯の製造方法を提供することができるためその
効果は著しいものがある。
を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結
晶合金薄帯の製造方法を提供することができるためその
効果は著しいものがある。
【図１】Ｂ−Ｈル−プのシフト量Ｈsの説明図。
【図２】本発明のナノ結晶合金薄帯および比較例の自由
面表面から厚さ方向の主な元素の濃度分布を示す図。
面表面から厚さ方向の主な元素の濃度分布を示す図。
Claims (9)
- 【請求項１】 平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である結晶
粒が組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶合金薄帯
であって、Ｓｎを０.０１から１ｗｔ％含有し、少なく
とも片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳｎの濃
度の高い領域が形成していることを特徴とするＢ−Ｈル
−プの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯。 - 【請求項２】 Ｓｎの濃度の高い領域のＳｎに対応する
強度のピ−ク値がＳｎ濃度安定部の３倍以上である請求
項１に記載のナノ結晶合金薄帯。 - 【請求項３】 平均結晶粒径が５０ｎｍ以下である結晶
粒が組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶合金薄帯
であって、Ｓを０.００１から０.０５ｗｔ％含有し、少
なくとも片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳの
濃度の高い領域が形成していることを特徴とするＢ−Ｈ
ル−プの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯。 - 【請求項４】 Ｓ濃度の高い領域のＳに対応する強度の
ピ−ク値がＳ濃度安定部の３倍以上である請求項３に記
載のナノ結晶合金薄帯。 - 【請求項５】 Ａｌを０.０００１ｗｔ％以上０.３ｗｔ
％以下含む請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のナ
ノ結晶合金薄帯。 - 【請求項６】 Ｆｅを主体としＣｕ，Ａｕから選ばれる
少なくとも１種の元素及びＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素
を必須成分として含むことを特徴とする請求項１乃至請
求項５のいずれかに記載のナノ結晶合金薄帯。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
のナノ結晶合金薄帯から構成されたことを特徴とする磁
心。 - 【請求項８】 超急冷法により非晶質合金薄帯を得る工
程と、これを熱処理し平均結晶粒径が５０ｎｍ以下であ
る結晶粒が組織の少なくとも５０％を占め、少なくとも
片面の表面から０.１μｍ以下の領域内にＳｎまたは／
およびＳ濃度の高い領域を形成する工程からなる請求項
１乃至請求項６に記載のナノ結晶合金薄帯の製造方法。 - 【請求項９】 結晶粒を形成する熱処理の前に１００℃
から４００℃の温度に１０分から１０００時間保持する
熱処理を行う請求項８に記載のナノ結晶合金薄帯の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14753893A JP3389972B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | Ｂ−ｈループの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14753893A JP3389972B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | Ｂ−ｈループの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0718388A true JPH0718388A (ja) | 1995-01-20 |
| JP3389972B2 JP3389972B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=15432583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14753893A Expired - Lifetime JP3389972B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | Ｂ−ｈループの非対称性を改善したナノ結晶合金薄帯ならびに磁心およびナノ結晶合金薄帯の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3389972B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106636981A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-05-10 | 上海理工大学 | 一种软磁铁基非晶合金制品 |
| CN107424709A (zh) * | 2015-12-16 | 2017-12-01 | 精工爱普生株式会社 | 软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件以及电子设备 |
| US20180090251A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Seiko Epson Corporation | Soft magnetic powder, powder magnetic core, magnetic element, and electronic device |
| CN107887097A (zh) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 精工爱普生株式会社 | 软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备 |
| US11017925B2 (en) | 2017-04-17 | 2021-05-25 | Seiko Epson Corporation | Soft magnetic powder, powder magnetic core, magnetic element, and electronic device |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287250A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-17 | Hitachi Metals Ltd | 耐熱性に優れた超微結晶軟磁性合金 |
| JPH0353048A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Hitachi Metals Ltd | Ｆｅ基磁性合金 |
| JPH03197651A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-29 | Daido Steel Co Ltd | Ｆｅ基高透磁率磁性合金 |
| JPH04329846A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-18 | Nippon Steel Corp | Ｆｅ基非晶質合金の製造方法 |
| JPH0578796A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-03-30 | Nippon Steel Corp | 表面層の結晶化耐性を高めた非晶質合金薄帯およびその製造方法 |
| JPH05117818A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-14 | Hitachi Metals Ltd | 超微結晶軟磁性合金 |
| JPH05222494A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-31 | Nippon Steel Corp | 磁束密度の大きなトランス鉄心用非晶質合金薄帯 |
| JPH06220592A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Nippon Steel Corp | 低鉄損・高磁束密度非晶質合金 |
| JPH06287721A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-11 | Nippon Steel Corp | 表面の結晶化耐性を高めた非晶質合金薄帯 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP14753893A patent/JP3389972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287250A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-17 | Hitachi Metals Ltd | 耐熱性に優れた超微結晶軟磁性合金 |
| JPH0353048A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Hitachi Metals Ltd | Ｆｅ基磁性合金 |
| JPH03197651A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-29 | Daido Steel Co Ltd | Ｆｅ基高透磁率磁性合金 |
| JPH04329846A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-18 | Nippon Steel Corp | Ｆｅ基非晶質合金の製造方法 |
| JPH0578796A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-03-30 | Nippon Steel Corp | 表面層の結晶化耐性を高めた非晶質合金薄帯およびその製造方法 |
| JPH05117818A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-14 | Hitachi Metals Ltd | 超微結晶軟磁性合金 |
| JPH05222494A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-31 | Nippon Steel Corp | 磁束密度の大きなトランス鉄心用非晶質合金薄帯 |
| JPH06220592A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Nippon Steel Corp | 低鉄損・高磁束密度非晶質合金 |
| JPH06287721A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-11 | Nippon Steel Corp | 表面の結晶化耐性を高めた非晶質合金薄帯 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107424709A (zh) * | 2015-12-16 | 2017-12-01 | 精工爱普生株式会社 | 软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件以及电子设备 |
| CN107424709B (zh) * | 2015-12-16 | 2020-12-18 | 精工爱普生株式会社 | 软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件以及电子设备 |
| US11545285B2 (en) | 2015-12-16 | 2023-01-03 | Seiko Epson Corporation | Soft magnetic powder, powder magnetic core, magnetic element, and electronic device |
| US20180090251A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Seiko Epson Corporation | Soft magnetic powder, powder magnetic core, magnetic element, and electronic device |
| JP2018053319A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | セイコーエプソン株式会社 | 軟磁性粉末、圧粉磁心、磁性素子および電子機器 |
| CN107887097A (zh) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 精工爱普生株式会社 | 软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备 |
| US11894168B2 (en) | 2016-09-29 | 2024-02-06 | Seiko Epson Corporation | Soft magnetic powder, powder magnetic core, magnetic element, and electronic device |
| CN106636981A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-05-10 | 上海理工大学 | 一种软磁铁基非晶合金制品 |
| US11017925B2 (en) | 2017-04-17 | 2021-05-25 | Seiko Epson Corporation | Soft magnetic powder, powder magnetic core, magnetic element, and electronic device |
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