JPH1046301A - Ｆｅ基磁性合金薄帯ならびに磁心 - Google Patents
Ｆｅ基磁性合金薄帯ならびに磁心Info
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- JPH1046301A JPH1046301A JP8199118A JP19911896A JPH1046301A JP H1046301 A JPH1046301 A JP H1046301A JP 8199118 A JP8199118 A JP 8199118A JP 19911896 A JP19911896 A JP 19911896A JP H1046301 A JPH1046301 A JP H1046301A
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- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15333—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing nanocrystallites, e.g. obtained by annealing
Abstract
(57)【要約】
【課題】 量産を行っても薄帯表面に結晶が生成しにく
い合金薄帯を実現し、かつ熱処理後の採取場所による特
性のばらつきが小さい磁心を実現する。 【解決手段】 Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれ
た少なくとも1種の元素を1から10原子%、 SiおよびBか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を2から30原子%、Crお
よびGaから選ばれた少なくとも1種の元素を0.5原子%以
下含み、残部Feおよび不可避不純物を含むことを特徴と
するＦｅ基磁性合金薄帯である。
い合金薄帯を実現し、かつ熱処理後の採取場所による特
性のばらつきが小さい磁心を実現する。 【解決手段】 Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれ
た少なくとも1種の元素を1から10原子%、 SiおよびBか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を2から30原子%、Crお
よびGaから選ばれた少なくとも1種の元素を0.5原子%以
下含み、残部Feおよび不可避不純物を含むことを特徴と
するＦｅ基磁性合金薄帯である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランス、チョ−
クコイル等の各種磁性部品に用いられるナノ結晶合金磁
心とこの材料として用いられる量産性に優れた磁性合金
薄帯に関する。
クコイル等の各種磁性部品に用いられるナノ結晶合金磁
心とこの材料として用いられる量産性に優れた磁性合金
薄帯に関する。
【０００２】
【従来の技術】ナノ結晶合金は優れた軟磁気特性を示す
ため、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、
漏電警報器、パルストランス等の磁心に使用されてい
る。代表的組成系は特公平4-4393号に記載のFe-Cu-(Nb,
Ta,Zr,Hf,Mo,Ti,W)-Si-B系や特開平1ー242755号に記載の
Fe-Cu-(Nb,Ta,Zr,Hf,Mo,Ti,W)-B系等の合金が知られて
いる。これらのナノ結晶合金は、一般に液相や気相から
急冷し、一度非晶質合金とした後に、これを熱処理によ
り微結晶化することにより作製されている。液相から急
冷する方法としては単ロ−ル法、双ロ−ル法、遠心急冷
法、回転液中紡糸法、アトマイズ法やキャビテーション
法等が知られている。また、気相から急冷する方法とし
ては、スパッタ法、蒸着法、イオンプレ−ティング法等
が知られている。ナノ結晶合金はこれらの方法により作
製した非晶質合金を微結晶化したもので、非晶質合金に
みられるような熱的不安定性がほとんどなく、経時変化
が小さく、温度特性にも優れており、高飽和磁束密度、
低磁歪で優れた軟磁気特性を示すことが知られている。
ところで、合金薄帯を用いた磁心を安価に製造するため
には合金薄帯の価格を下げる必要がある。そのためには
広幅の合金薄帯を多量に製造しても、薄帯長手方向で磁
気特性が安定し、歩留り良く製造できることが重要であ
る。
ため、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、
漏電警報器、パルストランス等の磁心に使用されてい
る。代表的組成系は特公平4-4393号に記載のFe-Cu-(Nb,
Ta,Zr,Hf,Mo,Ti,W)-Si-B系や特開平1ー242755号に記載の
Fe-Cu-(Nb,Ta,Zr,Hf,Mo,Ti,W)-B系等の合金が知られて
いる。これらのナノ結晶合金は、一般に液相や気相から
急冷し、一度非晶質合金とした後に、これを熱処理によ
り微結晶化することにより作製されている。液相から急
冷する方法としては単ロ−ル法、双ロ−ル法、遠心急冷
法、回転液中紡糸法、アトマイズ法やキャビテーション
法等が知られている。また、気相から急冷する方法とし
ては、スパッタ法、蒸着法、イオンプレ−ティング法等
が知られている。ナノ結晶合金はこれらの方法により作
製した非晶質合金を微結晶化したもので、非晶質合金に
みられるような熱的不安定性がほとんどなく、経時変化
が小さく、温度特性にも優れており、高飽和磁束密度、
低磁歪で優れた軟磁気特性を示すことが知られている。
ところで、合金薄帯を用いた磁心を安価に製造するため
には合金薄帯の価格を下げる必要がある。そのためには
広幅の合金薄帯を多量に製造しても、薄帯長手方向で磁
気特性が安定し、歩留り良く製造できることが重要であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単ロー
ル法で多量の広幅薄帯を製造した場合にFe-Cu-Nb-Si-B
系やFe-Cu-Nb-Zr-B系等のナノ結晶軟磁性合金用の熱処
理前の(薄帯製造直後)のアモルファス合金薄帯は、ロー
ルと接触し冷却された面にデンドライト状の結晶が形成
しやすいことが判明した。従来のアモルファス合金で
は、一般にロ−ルと接触しない自由面側に結晶が生成し
やすいが、ナノ結晶合金薄帯を製造するためのアモルフ
ァス合金薄帯では、ロ−ル接触面側に結晶が生成しやす
い点が特徴である。
ル法で多量の広幅薄帯を製造した場合にFe-Cu-Nb-Si-B
系やFe-Cu-Nb-Zr-B系等のナノ結晶軟磁性合金用の熱処
理前の(薄帯製造直後)のアモルファス合金薄帯は、ロー
ルと接触し冷却された面にデンドライト状の結晶が形成
しやすいことが判明した。従来のアモルファス合金で
は、一般にロ−ルと接触しない自由面側に結晶が生成し
やすいが、ナノ結晶合金薄帯を製造するためのアモルフ
ァス合金薄帯では、ロ−ル接触面側に結晶が生成しやす
い点が特徴である。
【０００４】この現象は、原料として価格の安いフェロ
アロイ等を使用すると有害不純物の影響で更に助長され
易い。このような結晶が形成すると、熱処理によりナノ
結晶化した後には合金薄帯内部は10nm前後の極微細で均
一な組織が実現されるが、ロール接触面側には熱処理前
に形成した粗大な結晶が存在するため、軟磁気特性が劣
下する問題が生ずることが分った。この現象は単ロ−ル
装置の冷却ロ−ルの温度が上昇すると著しくなることか
ら、大量の薄帯を製造する場合には製造中にロ−ル温度
が上昇しこの現象が発生し、熱処理後長手方向で磁気特
性が変動するなどの悪影響があることが分かった。
アロイ等を使用すると有害不純物の影響で更に助長され
易い。このような結晶が形成すると、熱処理によりナノ
結晶化した後には合金薄帯内部は10nm前後の極微細で均
一な組織が実現されるが、ロール接触面側には熱処理前
に形成した粗大な結晶が存在するため、軟磁気特性が劣
下する問題が生ずることが分った。この現象は単ロ−ル
装置の冷却ロ−ルの温度が上昇すると著しくなることか
ら、大量の薄帯を製造する場合には製造中にロ−ル温度
が上昇しこの現象が発生し、熱処理後長手方向で磁気特
性が変動するなどの悪影響があることが分かった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明者らは鋭意検討を行った結果、Ti,V,Zr,Nb,M
o,Hf,TaおよびWから選ばれた少なくとも1種の元素を1か
ら10原子%、SiおよびBから選ばれた少なくとも1種の元
素を2から30原子%、CrおよびGaから選ばれた少なくとも
1種の元素を0.5原子%以下含み残部Feおよび不可避不純
物からなるＦｅ基磁性合金薄帯が、熱処理前の段階のア
モルファス合金薄帯の表面に結晶が形成するのを抑制
し、結晶化熱処理後の合金薄帯の長手方向の磁気特性変
動が小さく、優れた軟磁気特性を示し量産材として著し
く優れていることを見出し本発明に想到した。
めに本発明者らは鋭意検討を行った結果、Ti,V,Zr,Nb,M
o,Hf,TaおよびWから選ばれた少なくとも1種の元素を1か
ら10原子%、SiおよびBから選ばれた少なくとも1種の元
素を2から30原子%、CrおよびGaから選ばれた少なくとも
1種の元素を0.5原子%以下含み残部Feおよび不可避不純
物からなるＦｅ基磁性合金薄帯が、熱処理前の段階のア
モルファス合金薄帯の表面に結晶が形成するのを抑制
し、結晶化熱処理後の合金薄帯の長手方向の磁気特性変
動が小さく、優れた軟磁気特性を示し量産材として著し
く優れていることを見出し本発明に想到した。
【０００６】本発明において、Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Taお
よびWから選ばれた少なくとも1種の元素はアモルファス
形成を容易にする効果と熱処理後の結晶粒を微細化する
効果を有し、その含有量は1から10原子％の範囲である
必要がある。これらの元素の含有量が1原子％未満では
アモルファス形成が困難になり、結晶粒微細化の効果が
小さくなり好ましくなく、10原子％を越えると飽和磁束
密度の低下や軟磁気特性が劣下するため好ましくない。
SiおよびBから選ばれた少なくとも1種の元素はアモルフ
ァス形成を容易にし、かつ熱処理後の軟磁気特性を改善
する効果を有する。これらの元素の含有量は2から30原
子%の範囲である必要がある。含有量が2原子％未満では
アモルファス形成が困難となりかつ軟磁気特性が劣下す
るため好ましくなく、30原子％を越えると飽和磁束密度
の著しい低下や脆化を招くため好ましくない。
よびWから選ばれた少なくとも1種の元素はアモルファス
形成を容易にする効果と熱処理後の結晶粒を微細化する
効果を有し、その含有量は1から10原子％の範囲である
必要がある。これらの元素の含有量が1原子％未満では
アモルファス形成が困難になり、結晶粒微細化の効果が
小さくなり好ましくなく、10原子％を越えると飽和磁束
密度の低下や軟磁気特性が劣下するため好ましくない。
SiおよびBから選ばれた少なくとも1種の元素はアモルフ
ァス形成を容易にし、かつ熱処理後の軟磁気特性を改善
する効果を有する。これらの元素の含有量は2から30原
子%の範囲である必要がある。含有量が2原子％未満では
アモルファス形成が困難となりかつ軟磁気特性が劣下す
るため好ましくなく、30原子％を越えると飽和磁束密度
の著しい低下や脆化を招くため好ましくない。
【０００７】本発明においては、CrおよびGaを0.5at%以
下添加することにより、ナノ結晶合金磁心を作製するた
めのアモルファス合金薄帯を作製した場合に、特にロ−
ル接触面側の表面結晶化を抑制できるため、広幅薄帯を
大量に製造する場合に薄帯長手方向の熱処理後の磁気特
性、特に透磁率のばらつきを極めて小さくすることがで
きる。更にアモルファス合金薄帯製造の際に表面結晶化
の抑制効果が大きいため、アモルファス形成能の低い高
飽和磁束密度組成の合金でも表面結晶化しにくくなりCr
やGaを添加しない場合に比べて高飽和磁束密度で軟磁気
特性に優れた磁心材料を実現できる。
下添加することにより、ナノ結晶合金磁心を作製するた
めのアモルファス合金薄帯を作製した場合に、特にロ−
ル接触面側の表面結晶化を抑制できるため、広幅薄帯を
大量に製造する場合に薄帯長手方向の熱処理後の磁気特
性、特に透磁率のばらつきを極めて小さくすることがで
きる。更にアモルファス合金薄帯製造の際に表面結晶化
の抑制効果が大きいため、アモルファス形成能の低い高
飽和磁束密度組成の合金でも表面結晶化しにくくなりCr
やGaを添加しない場合に比べて高飽和磁束密度で軟磁気
特性に優れた磁心材料を実現できる。
【０００８】一般式：Ｍ100-x-y-c-dＡxＭ’yＸcＹd(原
子％)で表され、式中ＡはCu,Auから選ばれた少なくとも
1種の元素、Ｍ’はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選
ばれた少なくとも1種の元素、ＸはSiおよびBから選ばれ
た少なくとも1種の元素を示し、ＹはCrおよびGaから選
ばれた少なくとも１種の元素、ＭはFeおよび不可避不純
物を示し、x,y,cおよびdはそれぞれ0.1≦x≦3、1≦y≦1
0、2≦c≦30、d≦0.5を満足する数で表される範囲の組
成である場合に結晶化熱処理後の合金において特に優れ
た軟磁気特性を実現できるため特に好ましい結果が得ら
れる。ＡはCu,Auから選ばれた少なくとも1種の元素であ
り、熱処理後形成する結晶粒の均一微細化を促進する効
果および透磁率を更に向上する効果がある。Ａ量xが0.1
原子%未満では透磁率の減少が起こり好ましくなく、3原
子%を越えると薄帯が熱処理前に脆化するため好ましく
ない。特に好ましいxの範囲は0.5≦x≦2であり、この範
囲で特に高い透磁率が得られる。Ｍ’およびＸはアモル
ファス形成を促進する元素であり、Ｍ’量yは1≦y≦1
0、Ｘ量cは2≦c≦30の範囲である。yが1原子%未満では
アモルファス形成が困難となり熱処理後に微細な結晶粒
組織が得られず高い透磁率が得られないため好ましくな
く、10原子％を越えると飽和磁束密度の低下や軟磁気特
性が劣下するため好ましくない。Ｘ量cが2原子%未満で
はアモルファス形成が困難となり熱処理後の結晶粒が微
細化されにくく軟磁気特性が劣下し好ましくなく、cが3
0at%を越えると飽和磁束密度の著しい低下や脆化を招く
ため好ましくない。特に好ましいxの範囲は0.5≦x≦2で
あり、この範囲で特に高い透磁率が得られる。
子％)で表され、式中ＡはCu,Auから選ばれた少なくとも
1種の元素、Ｍ’はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選
ばれた少なくとも1種の元素、ＸはSiおよびBから選ばれ
た少なくとも1種の元素を示し、ＹはCrおよびGaから選
ばれた少なくとも１種の元素、ＭはFeおよび不可避不純
物を示し、x,y,cおよびdはそれぞれ0.1≦x≦3、1≦y≦1
0、2≦c≦30、d≦0.5を満足する数で表される範囲の組
成である場合に結晶化熱処理後の合金において特に優れ
た軟磁気特性を実現できるため特に好ましい結果が得ら
れる。ＡはCu,Auから選ばれた少なくとも1種の元素であ
り、熱処理後形成する結晶粒の均一微細化を促進する効
果および透磁率を更に向上する効果がある。Ａ量xが0.1
原子%未満では透磁率の減少が起こり好ましくなく、3原
子%を越えると薄帯が熱処理前に脆化するため好ましく
ない。特に好ましいxの範囲は0.5≦x≦2であり、この範
囲で特に高い透磁率が得られる。Ｍ’およびＸはアモル
ファス形成を促進する元素であり、Ｍ’量yは1≦y≦1
0、Ｘ量cは2≦c≦30の範囲である。yが1原子%未満では
アモルファス形成が困難となり熱処理後に微細な結晶粒
組織が得られず高い透磁率が得られないため好ましくな
く、10原子％を越えると飽和磁束密度の低下や軟磁気特
性が劣下するため好ましくない。Ｘ量cが2原子%未満で
はアモルファス形成が困難となり熱処理後の結晶粒が微
細化されにくく軟磁気特性が劣下し好ましくなく、cが3
0at%を越えると飽和磁束密度の著しい低下や脆化を招く
ため好ましくない。特に好ましいxの範囲は0.5≦x≦2で
あり、この範囲で特に高い透磁率が得られる。
【０００９】本発明においては、CrおよびGaから選ばれ
た少なくとも１種の元素であるＹを0.5原子%以下添加す
ることにより、ナノ結晶合金磁心を作製するためのアモ
ルファス合金薄帯を作製した場合に、特にロ−ル接触面
側の表面結晶化を抑制できるため、広幅薄帯を大量に製
造する場合に薄帯長手方向の熱処理後の磁気特性、特に
透磁率のばらつきを極めて小さくすることができる。更
にアモルファス合金薄帯製造の際に表面結晶化の抑制効
果が大きいため、アモルファス形成能の低い高飽和磁束
密度組成の合金でも表面結晶化しにくくなりCrやGaを添
加しない場合に比べて高飽和磁束密度で軟磁気特性に優
れた磁心材料を実現できる。また、Ｍ’の50%未満をMn,
Ti,V,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,
N,OおよびSから選ばれた少なくとも1種の元素で置換し
ても良い。これらの元素は耐食性改善や磁歪等の調整に
効果があるが、Ｍ’の50%以上とすると結晶粒微細化等
の効果が小さくなり透磁率が低下するため、これらの元
素の置換はＭ’の50%未満とする必要がある。特に好ま
しいこれらの元素の置換量はＭ’の30%以下であり、こ
の範囲で特に高い透磁率が得られる。
た少なくとも１種の元素であるＹを0.5原子%以下添加す
ることにより、ナノ結晶合金磁心を作製するためのアモ
ルファス合金薄帯を作製した場合に、特にロ−ル接触面
側の表面結晶化を抑制できるため、広幅薄帯を大量に製
造する場合に薄帯長手方向の熱処理後の磁気特性、特に
透磁率のばらつきを極めて小さくすることができる。更
にアモルファス合金薄帯製造の際に表面結晶化の抑制効
果が大きいため、アモルファス形成能の低い高飽和磁束
密度組成の合金でも表面結晶化しにくくなりCrやGaを添
加しない場合に比べて高飽和磁束密度で軟磁気特性に優
れた磁心材料を実現できる。また、Ｍ’の50%未満をMn,
Ti,V,Sn,Zn,Ag,In,白金属元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,
N,OおよびSから選ばれた少なくとも1種の元素で置換し
ても良い。これらの元素は耐食性改善や磁歪等の調整に
効果があるが、Ｍ’の50%以上とすると結晶粒微細化等
の効果が小さくなり透磁率が低下するため、これらの元
素の置換はＭ’の50%未満とする必要がある。特に好ま
しいこれらの元素の置換量はＭ’の30%以下であり、こ
の範囲で特に高い透磁率が得られる。
【００１０】また、Ｘの50%未満をC,Ge,AlおよびPから
選ばれた少なくとも1種の元素で置換しても良い。これ
らの元素は磁歪調整や結晶粒微細化に効果があるが、Ｘ
の50%以上とすると透磁率の著しい低下や脆化が起こる
ためこれらの元素の置換はＸの50%未満とする必要があ
る。特に好ましいこれらの元素の置換量はＸの30%以下
であり、この範囲で特に高い透磁率が得られる。また、
Ｍの50%未満をCo,Niから選ばれた少なくとも1種の元素
で置換しても良い。Coは飽和磁束密度上昇に効果があ
り、Niは耐食性向上に効果があるが、Ｍの50%以上置換
すると透磁率の著しい低下を招くため、置換量はＭの50
%未満とする必要がある。特に好ましいこれらの元素の
置換量はＭの10%以下であり、この範囲で特に高い透磁
率が得られる。
選ばれた少なくとも1種の元素で置換しても良い。これ
らの元素は磁歪調整や結晶粒微細化に効果があるが、Ｘ
の50%以上とすると透磁率の著しい低下や脆化が起こる
ためこれらの元素の置換はＸの50%未満とする必要があ
る。特に好ましいこれらの元素の置換量はＸの30%以下
であり、この範囲で特に高い透磁率が得られる。また、
Ｍの50%未満をCo,Niから選ばれた少なくとも1種の元素
で置換しても良い。Coは飽和磁束密度上昇に効果があ
り、Niは耐食性向上に効果があるが、Ｍの50%以上置換
すると透磁率の著しい低下を招くため、置換量はＭの50
%未満とする必要がある。特に好ましいこれらの元素の
置換量はＭの10%以下であり、この範囲で特に高い透磁
率が得られる。
【００１１】特にＡがCuであり、M'がNb,Mo,Ta,Vおよび
Wから選ばれた少なくとも1種の元素である場合は大気中
で合金薄帯の製造が容易で、大量に安価に製造ができ量
産性に優れるため特に好ましい。磁心損失についても類
似の傾向を示しており、透磁率が高い組成で磁心損失が
低くなる傾向が認められ、低損失材料として各種トラン
ス、チョ−クコイル等の材料としても使用可能である。
Wから選ばれた少なくとも1種の元素である場合は大気中
で合金薄帯の製造が容易で、大量に安価に製造ができ量
産性に優れるため特に好ましい。磁心損失についても類
似の傾向を示しており、透磁率が高い組成で磁心損失が
低くなる傾向が認められ、低損失材料として各種トラン
ス、チョ−クコイル等の材料としても使用可能である。
【００１２】もう一つの本発明は、前記磁性合金薄帯か
ら構成されており、かつ前記磁性合金薄帯が平均粒径50
nm以下の微細な結晶粒が50%以上を占めるミクロ組織か
らなることを特徴とする磁心である。高飽和磁束密度で
ありながら高い透磁率、低い磁心損失を示すためトラン
ス、チョ−クコイルやセンサ−等に好適である。磁性合
金薄帯の特に好ましい平均結晶粒径は5nmから20nmであ
る。この結晶粒径の範囲で特に高い透磁率が得られる。
ら構成されており、かつ前記磁性合金薄帯が平均粒径50
nm以下の微細な結晶粒が50%以上を占めるミクロ組織か
らなることを特徴とする磁心である。高飽和磁束密度で
ありながら高い透磁率、低い磁心損失を示すためトラン
ス、チョ−クコイルやセンサ−等に好適である。磁性合
金薄帯の特に好ましい平均結晶粒径は5nmから20nmであ
る。この結晶粒径の範囲で特に高い透磁率が得られる。
【００１３】本発明磁心の合金薄帯において、結晶粒は
組織の少なくとも50%以上であることが望ましく、高い
透磁率を実現することができる。特に好ましい範囲は70
%以上であり、この場合に応力等による透磁率の劣下を
小さく抑えることができる。前述の本発明合金薄帯中に
結晶化熱処理後に形成する結晶は主にbccFe相であり、S
i,B,Al,GeやZr等を固溶している場合もある。また、規
則格子を含む場合もある。前記結晶相以外の残部は主に
アモルファス相であるが、実質的に結晶相だけからなる
合金も本発明に含まれる。また、bcc相以外に一部にCu
やAuを含むfcc相結晶粒が存在する場合もある。また、
強磁性化合物相は含まない方が高透磁率を得るためには
望ましいが、時に高い透磁率が必要でない場合は一部に
化合物相を含んでも良い。
組織の少なくとも50%以上であることが望ましく、高い
透磁率を実現することができる。特に好ましい範囲は70
%以上であり、この場合に応力等による透磁率の劣下を
小さく抑えることができる。前述の本発明合金薄帯中に
結晶化熱処理後に形成する結晶は主にbccFe相であり、S
i,B,Al,GeやZr等を固溶している場合もある。また、規
則格子を含む場合もある。前記結晶相以外の残部は主に
アモルファス相であるが、実質的に結晶相だけからなる
合金も本発明に含まれる。また、bcc相以外に一部にCu
やAuを含むfcc相結晶粒が存在する場合もある。また、
強磁性化合物相は含まない方が高透磁率を得るためには
望ましいが、時に高い透磁率が必要でない場合は一部に
化合物相を含んでも良い。
【００１４】本発明ナノ結晶合金磁心は、前記組成の溶
湯を単ロ−ル法等の超急冷法により急冷し、一旦アモル
ファス合金を作製後これを磁心の形状に加工し、結晶化
温度以上に昇温して熱処理を行い平均粒径50nm以下の微
結晶を形成することにより作製する。熱処理前のアモル
ファス合金は結晶相を含まないのが望ましいが一部に結
晶相を含んでも良い。熱処理は通常はアルゴンガス、窒
素ガス等の不活性ガス中で行なう。また、必要に応じて
熱処理期間の少なくとも一部の期間合金が飽和する強さ
の磁界を印加して磁界中熱処理を行い誘導磁気異方性を
付与しても良い。合金磁心の形状にも依存するが一般に
は薄帯の長手方向(巻磁心の場合は磁心の磁路方向)に磁
界を印加する場合は8A/m以上、薄帯の幅方向(巻磁心の
場合は磁心の高さ方向)に印加する場合は80kA/m以上の
磁界を印加する場合が多い。熱処理は露点がー30゜C以下
の不活性ガス雰囲気中で行なうことが望ましく、露点が
-60゜C以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行なうと特
に高い透磁率が得られ、より好ましい結果が得られる。
熱処理の際の最高到達温度は結晶化温度以上であり、通
常450゜Cから650゜Cの範囲である。熱処理で一定温度に保
持する場合は、一定温度での保持時間は通常は量産性の
観点から24時間以下であり、好ましくは4時間以下であ
る。熱処理の際の平均昇温速度は好ましくは0.1゜C/min
から200゜C/min、より好ましくは1゜C/minから40゜C/min、
平均冷却速度は好ましくは1゜C/minから3000゜C/min、よ
り好ましくは10゜C/minから1000゜C/minであり、この範囲
で特に高い透磁率が得られる。
湯を単ロ−ル法等の超急冷法により急冷し、一旦アモル
ファス合金を作製後これを磁心の形状に加工し、結晶化
温度以上に昇温して熱処理を行い平均粒径50nm以下の微
結晶を形成することにより作製する。熱処理前のアモル
ファス合金は結晶相を含まないのが望ましいが一部に結
晶相を含んでも良い。熱処理は通常はアルゴンガス、窒
素ガス等の不活性ガス中で行なう。また、必要に応じて
熱処理期間の少なくとも一部の期間合金が飽和する強さ
の磁界を印加して磁界中熱処理を行い誘導磁気異方性を
付与しても良い。合金磁心の形状にも依存するが一般に
は薄帯の長手方向(巻磁心の場合は磁心の磁路方向)に磁
界を印加する場合は8A/m以上、薄帯の幅方向(巻磁心の
場合は磁心の高さ方向)に印加する場合は80kA/m以上の
磁界を印加する場合が多い。熱処理は露点がー30゜C以下
の不活性ガス雰囲気中で行なうことが望ましく、露点が
-60゜C以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行なうと特
に高い透磁率が得られ、より好ましい結果が得られる。
熱処理の際の最高到達温度は結晶化温度以上であり、通
常450゜Cから650゜Cの範囲である。熱処理で一定温度に保
持する場合は、一定温度での保持時間は通常は量産性の
観点から24時間以下であり、好ましくは4時間以下であ
る。熱処理の際の平均昇温速度は好ましくは0.1゜C/min
から200゜C/min、より好ましくは1゜C/minから40゜C/min、
平均冷却速度は好ましくは1゜C/minから3000゜C/min、よ
り好ましくは10゜C/minから1000゜C/minであり、この範囲
で特に高い透磁率が得られる。
【００１５】また、熱処理は1段ではなく多段の熱処理
や複数回の熱処理を行なうこともできる。更には合金に
直流、交流あるいはパルス電流を流して合金を発熱させ
熱処理することもできる。高周波磁界で励磁し磁心損失
により発熱させて熱処理する方法も可能である。また、
合金に張力や圧力を印加しながら熱処理し合金に異方性
を付与することにより磁気特性を改良することも可能で
ある。本発明合金薄帯は必要に応じてSiO2、MgO、Al2O3
等の粉末あるいは膜で合金薄帯表面を覆ったり、化成処
理により表面を処理したり、アノード酸化処理により表
面に酸化物層を形成し層間絶縁を行う場合がある。これ
は特に高周波における渦電流の影響を低減し、透磁率や
磁心損失を改善する効果がある。この効果は表面状態の
良好でかつ広幅の薄帯から構成されたナノ結晶合金磁心
の場合に著しい。更に、本発明磁心は必要に応じて含浸
やコーティング等を行なったり、樹脂含浸後切断して、
ギャップ付きのチョークコイル用磁心、インバータトラ
ンスやチョークコイルに用いられるカットコアを作製す
ることもできる。
や複数回の熱処理を行なうこともできる。更には合金に
直流、交流あるいはパルス電流を流して合金を発熱させ
熱処理することもできる。高周波磁界で励磁し磁心損失
により発熱させて熱処理する方法も可能である。また、
合金に張力や圧力を印加しながら熱処理し合金に異方性
を付与することにより磁気特性を改良することも可能で
ある。本発明合金薄帯は必要に応じてSiO2、MgO、Al2O3
等の粉末あるいは膜で合金薄帯表面を覆ったり、化成処
理により表面を処理したり、アノード酸化処理により表
面に酸化物層を形成し層間絶縁を行う場合がある。これ
は特に高周波における渦電流の影響を低減し、透磁率や
磁心損失を改善する効果がある。この効果は表面状態の
良好でかつ広幅の薄帯から構成されたナノ結晶合金磁心
の場合に著しい。更に、本発明磁心は必要に応じて含浸
やコーティング等を行なったり、樹脂含浸後切断して、
ギャップ付きのチョークコイル用磁心、インバータトラ
ンスやチョークコイルに用いられるカットコアを作製す
ることもできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施例にしたがって
説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）原子%で表１に示す各量のCrおよびCu 1%,
Nb 2%, Si 10.9%, B 9.1%残部実質的にFeからなる合金
溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅25mm厚さ19μm長さ3
200mのアモルファス合金薄帯を得た。この合金薄帯の先
端から表１に示す位置の合金薄帯を切り出しX線回折を
行いbccFe相(200)ピ−クのＸ線強度（ｃｐｓ）を測定し
た。得られた結果を表１に示す。更にこのアモルファス
合金薄帯を外径25mm、内径20mmに巻回し、トロイダル磁
心を作製した。作製した磁心を窒素ガス雰囲気、450゜C
に保った熱処理炉に挿入し、図１に示す熱処理パタ−ン
で熱処理を行った。熱処理後の合金は結晶化しており、
電子顕微鏡観察の結果組織のほとんどが粒径10nm程度の
微細な結晶粒からなっていることが確認された。残部は
アモルファス相であり15%〜35%程度と見積もられた。
次にこの合金磁心の1kHzの比初透磁率μiを測定した。
得られた結果を表１に示す。Crを添加しかつCr量が0.5a
t%以下の組成において熱処理前のアモルファス合金の後
端部でも結晶が生成せずかつ後端部においても高いμi
が得られることが分かる。このように本発明によれば、
量産を行っても薄帯表面に結晶が生成しにくい合金薄帯
を実現でき、かつ熱処理後の採取場所による特性のばら
つきが小さい磁心を実現できる。
説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）原子%で表１に示す各量のCrおよびCu 1%,
Nb 2%, Si 10.9%, B 9.1%残部実質的にFeからなる合金
溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅25mm厚さ19μm長さ3
200mのアモルファス合金薄帯を得た。この合金薄帯の先
端から表１に示す位置の合金薄帯を切り出しX線回折を
行いbccFe相(200)ピ−クのＸ線強度（ｃｐｓ）を測定し
た。得られた結果を表１に示す。更にこのアモルファス
合金薄帯を外径25mm、内径20mmに巻回し、トロイダル磁
心を作製した。作製した磁心を窒素ガス雰囲気、450゜C
に保った熱処理炉に挿入し、図１に示す熱処理パタ−ン
で熱処理を行った。熱処理後の合金は結晶化しており、
電子顕微鏡観察の結果組織のほとんどが粒径10nm程度の
微細な結晶粒からなっていることが確認された。残部は
アモルファス相であり15%〜35%程度と見積もられた。
次にこの合金磁心の1kHzの比初透磁率μiを測定した。
得られた結果を表１に示す。Crを添加しかつCr量が0.5a
t%以下の組成において熱処理前のアモルファス合金の後
端部でも結晶が生成せずかつ後端部においても高いμi
が得られることが分かる。このように本発明によれば、
量産を行っても薄帯表面に結晶が生成しにくい合金薄帯
を実現でき、かつ熱処理後の採取場所による特性のばら
つきが小さい磁心を実現できる。
【００１７】
【表１】
【００１８】（実施例２）原子%で表２に示す各量のGa
およびCu 1%, Nb 2%, Si 10.9%, B 9.1%残部実質的にFe
からなる合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅30mm厚
さ17μm長さ2100mのアモルファス合金薄帯を得た。次に
実施例1と同様な処理および測定を行い得られた結果を
表２に示す。Gaを添加しかつGa量が0.5at%以下の組成に
おいて熱処理前のアモルファス合金の後端部でも結晶が
生成せずかつ後端部においても高いμiが得られること
が分かる。このように本発明によれば、量産を行っても
薄帯表面に結晶が生成しにくい合金薄帯を実現できかつ
熱処理後の採取場所による特性のばらつきが小さい磁心
を実現できる。
およびCu 1%, Nb 2%, Si 10.9%, B 9.1%残部実質的にFe
からなる合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅30mm厚
さ17μm長さ2100mのアモルファス合金薄帯を得た。次に
実施例1と同様な処理および測定を行い得られた結果を
表２に示す。Gaを添加しかつGa量が0.5at%以下の組成に
おいて熱処理前のアモルファス合金の後端部でも結晶が
生成せずかつ後端部においても高いμiが得られること
が分かる。このように本発明によれば、量産を行っても
薄帯表面に結晶が生成しにくい合金薄帯を実現できかつ
熱処理後の採取場所による特性のばらつきが小さい磁心
を実現できる。
【００１９】
【表２】
【００２０】（実施例３）原子％で、表３に示す組成の
合金溶湯を単ロール法により急冷し、幅30mm厚さ17μm
長さ2100mのアモルファス合金薄帯を得た。次に、この
合金薄帯の先端から5mおよび2000mの位置の合金薄帯を
切り出しX線回折を行いbccFe相(200)ピ−クのＸ線強度
（ｃｐｓ）を測定した。得られた結果を表３に示す。更
にこのアモルファス合金薄帯を外径25mm、内径20mmに巻
回し、トロイダル磁心を作製した。作製した磁心を窒素
ガス雰囲気の熱処理炉に挿入し、図２に示す熱処理パタ
−ンで熱処理を行った。熱処理後の合金は結晶化してお
り、電子顕微鏡観察の結果組織のほとんどが粒径10nm程
度の微細な結晶粒からなっていることが確認された。残
部はアモルファス相であり5%〜49%程度と見積もられ
た。次にこの合金磁心の1kHzの比初透磁率μiおよび100
kHz,0.2Tにおける磁心損失Pc（ｋＷｍ-3）を測定した。
得られた結果を表３に示す。本発明合金薄帯は後端部に
おいても結晶が生成しにくく熱処理した場合に磁心の長
手方向の磁気特性のばらつきを小さくできる。
合金溶湯を単ロール法により急冷し、幅30mm厚さ17μm
長さ2100mのアモルファス合金薄帯を得た。次に、この
合金薄帯の先端から5mおよび2000mの位置の合金薄帯を
切り出しX線回折を行いbccFe相(200)ピ−クのＸ線強度
（ｃｐｓ）を測定した。得られた結果を表３に示す。更
にこのアモルファス合金薄帯を外径25mm、内径20mmに巻
回し、トロイダル磁心を作製した。作製した磁心を窒素
ガス雰囲気の熱処理炉に挿入し、図２に示す熱処理パタ
−ンで熱処理を行った。熱処理後の合金は結晶化してお
り、電子顕微鏡観察の結果組織のほとんどが粒径10nm程
度の微細な結晶粒からなっていることが確認された。残
部はアモルファス相であり5%〜49%程度と見積もられ
た。次にこの合金磁心の1kHzの比初透磁率μiおよび100
kHz,0.2Tにおける磁心損失Pc（ｋＷｍ-3）を測定した。
得られた結果を表３に示す。本発明合金薄帯は後端部に
おいても結晶が生成しにくく熱処理した場合に磁心の長
手方向の磁気特性のばらつきを小さくできる。
【００２１】
【表３】
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、トランス、チョ−クコ
イル等の各種磁性部品に用いられるナノ結晶合金磁心と
この材料として用いられる量産性に優れた磁性合金薄帯
を提供できるためその効果は著しいものがある。
イル等の各種磁性部品に用いられるナノ結晶合金磁心と
この材料として用いられる量産性に優れた磁性合金薄帯
を提供できるためその効果は著しいものがある。
【図１】本発明に係わる熱処理パタ−ンの一例を示した
図
図
【図２】本発明に係わる熱処理パタ−ンの一例を示した
図
図
Claims (7)
- 【請求項１】 Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれ
た少なくとも1種の元素を1から10原子%、 SiおよびBか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を2から30原子%、Crお
よびGaから選ばれた少なくとも1種の元素を0.5原子%以
下含み、残部Feおよび不可避不純物を含むことを特徴と
するＦｅ基磁性合金薄帯。 - 【請求項２】 一般式：Ｍ100-x-y-c-dＡxＭ’yＸcＹ
d(原子％) 式中ＡはCu,Auから選ばれた少なくとも1種の元素、Ｍ’
はTi,V,Zr,Nb,Mo,Hf,TaおよびWから選ばれた少なくとも
1種の元素、ＸはSiおよびBから選ばれた少なくとも1種
の元素を示し、ＹはCrおよびGaから選ばれた少なくとも
１種の元素、ＭはFeおよび不可避不純物を示し、x,y,c
およびdはそれぞれ0.1≦x≦3、1≦y≦10、2≦c≦30、d
≦0.5を満足する数で表される範囲の組成であることを
特徴とする請求項１に記載のＦｅ基磁性合金薄帯。 - 【請求項３】 Ｍ’の50%未満をMn,Sn,Zn,Ag,In,白金属
元素,Mg,Ca,Sr,Y,希土類元素,N,OおよびSから選ばれた
少なくとも1種の元素で置換したことを特徴とする請求
項２に記載のＦｅ基磁性合金薄帯。 - 【請求項４】 Ｘの50%未満をC,Ge,AlおよびPから選ば
れた少なくとも1種の元素で置換したことを特徴とする
請求項２乃至請求項３に記載のＦｅ基磁性合金薄帯。 - 【請求項５】 Ｍの50%未満をCo,Niから選ばれた少なく
とも1種の元素で置換したことを特徴とする請求項２乃
至請求項４のいずれかに記載のＦｅ基磁性合金薄帯。 - 【請求項６】 ＡがCuであり、Ｍ’がNb,Mo,TaおよびW
から選ばれた少なくとも1種の元素であることを特徴と
する請求項２乃至請求項５のいずれかに記載のＦｅ基磁
性合金薄帯。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
のＦｅ基磁性合金薄帯から構成されており、前記Ｆｅ基
磁性合金薄帯が平均粒径50nm以下の微細な結晶粒が50%
以上を占めている組織からなっていることを特徴とする
磁心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8199118A JPH1046301A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Ｆｅ基磁性合金薄帯ならびに磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8199118A JPH1046301A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Ｆｅ基磁性合金薄帯ならびに磁心 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1046301A true JPH1046301A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=16402445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8199118A Pending JPH1046301A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Ｆｅ基磁性合金薄帯ならびに磁心 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1046301A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057230A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Amotech Co Ltd | Ｆｅ系非晶質金属粉末の製造方法およびこれを用いた軟磁性コアの製造方法 |
| JP2005064444A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Amotech Co Ltd | 高周波特性に優れたナノ結晶粒金属粉末の製造方法及びこれを用いた高周波用軟磁性コアの製造方法 |
| JP5455040B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2014-03-26 | 日立金属株式会社 | 軟磁性合金、その製造方法、および磁性部品 |
| WO2019208766A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 日立金属株式会社 | 合金粉末、Ｆｅ基ナノ結晶合金粉末及び磁心 |
| WO2019235574A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 日立金属株式会社 | 磁心用の粉末、それを用いた磁心及びコイル部品 |
| JP2021086941A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 日立金属株式会社 | Ｆｅ基軟磁性合金、薄帯、粉末、磁心、及びコイル部品 |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP8199118A patent/JPH1046301A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057230A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Amotech Co Ltd | Ｆｅ系非晶質金属粉末の製造方法およびこれを用いた軟磁性コアの製造方法 |
| JP2005064444A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Amotech Co Ltd | 高周波特性に優れたナノ結晶粒金属粉末の製造方法及びこれを用いた高周波用軟磁性コアの製造方法 |
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| WO2019208766A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 日立金属株式会社 | 合金粉末、Ｆｅ基ナノ結晶合金粉末及び磁心 |
| JPWO2019208766A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2021-02-12 | 日立金属株式会社 | 合金粉末、Ｆｅ基ナノ結晶合金粉末及び磁心 |
| US11484942B2 (en) | 2018-04-27 | 2022-11-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Alloy powder, fe-based nanocrystalline alloy powder and magnetic core |
| WO2019235574A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 日立金属株式会社 | 磁心用の粉末、それを用いた磁心及びコイル部品 |
| JP6693603B1 (ja) * | 2018-06-08 | 2020-05-13 | 日立金属株式会社 | 磁心用の粉末、それを用いた磁心及びコイル部品 |
| JP2021086941A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 日立金属株式会社 | Ｆｅ基軟磁性合金、薄帯、粉末、磁心、及びコイル部品 |
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