JPH07146562A - レジスト洗浄除去用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法 - Google Patents
レジスト洗浄除去用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法Info
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- JPH07146562A JPH07146562A JP15724793A JP15724793A JPH07146562A JP H07146562 A JPH07146562 A JP H07146562A JP 15724793 A JP15724793 A JP 15724793A JP 15724793 A JP15724793 A JP 15724793A JP H07146562 A JPH07146562 A JP H07146562A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 （Ａ）プロピレングリコールモノアルキルエ
ーテル及び（Ｂ）一般式 Ｒ１Ｏ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ２ （Ｒ１及びＲ２は低級アルキル基、ｎは２〜４）で表わ
される化合物を含有するレジスト洗浄除去用溶剤、及び
スピンナーによりレジスト形成用塗布物を基材に塗布
し、次いで基材の周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した
不要のレジスト形成用塗布物を、前記溶剤であらかじめ
除去する電子部品製造用基材の製造方法。 【効果】 レジストの溶解性に優れ、毒性が少なく、し
かも溶解性が経時的に安定して残さや析出物が生じるこ
とのないレジスト洗浄除去用溶剤であり、これを用いる
ことにより高品質の電子部品製造用基材が効率よく得ら
れる。
ーテル及び（Ｂ）一般式 Ｒ１Ｏ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ２ （Ｒ１及びＲ２は低級アルキル基、ｎは２〜４）で表わ
される化合物を含有するレジスト洗浄除去用溶剤、及び
スピンナーによりレジスト形成用塗布物を基材に塗布
し、次いで基材の周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した
不要のレジスト形成用塗布物を、前記溶剤であらかじめ
除去する電子部品製造用基材の製造方法。 【効果】 レジストの溶解性に優れ、毒性が少なく、し
かも溶解性が経時的に安定して残さや析出物が生じるこ
とのないレジスト洗浄除去用溶剤であり、これを用いる
ことにより高品質の電子部品製造用基材が効率よく得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なレジスト洗浄除去
用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造
方法に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明
は、特に半導体素子などの微細加工に使用されるウエハ
ーなどの基材上のレジストにおける、基材の周辺部、縁
辺部及び裏面部の不要のレジスト分を洗浄除去するため
の洗浄除去用溶剤及びこのものを用いてウエハーなどの
基材に施されたレジストの前記周辺部などにおける不要
分を洗浄除去して、高品質の電子部品製造用基材を簡単
かつ効率的に製造する方法に関するものである。
用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造
方法に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明
は、特に半導体素子などの微細加工に使用されるウエハ
ーなどの基材上のレジストにおける、基材の周辺部、縁
辺部及び裏面部の不要のレジスト分を洗浄除去するため
の洗浄除去用溶剤及びこのものを用いてウエハーなどの
基材に施されたレジストの前記周辺部などにおける不要
分を洗浄除去して、高品質の電子部品製造用基材を簡単
かつ効率的に製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハーなどの基材にスピンナー
などによりレジストを塗布する方法においては、遠心力
によりレジストが拡散し、基材中心部は均一な膜厚が得
られるが、基材の周辺部においては中心部に比して、厚
膜となったり、また基材の縁辺部や裏面部にもレジスト
が付着する。このようなレジストは次工程の熱処理によ
ってもろくなり、基材の搬送中に小りん片状に剥離し、
これが装置内のゴミ発生の原因になったり、基材上のレ
ジスト表面に付着し、高品質の半導体素子を製造する上
で大きな問題となっている。
などによりレジストを塗布する方法においては、遠心力
によりレジストが拡散し、基材中心部は均一な膜厚が得
られるが、基材の周辺部においては中心部に比して、厚
膜となったり、また基材の縁辺部や裏面部にもレジスト
が付着する。このようなレジストは次工程の熱処理によ
ってもろくなり、基材の搬送中に小りん片状に剥離し、
これが装置内のゴミ発生の原因になったり、基材上のレ
ジスト表面に付着し、高品質の半導体素子を製造する上
で大きな問題となっている。
【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、基材の周辺部、縁辺部及び裏面部の不要のレジスト
分を除去する方法が提案され（例えば特開昭６３−６９
５６３号公報）、この方法においては、洗浄除去用溶剤
として、例えばセロソルブ、セロソルブアセテート、プ
ロピレングリコールエーテル、プロピレングリコールア
セテートなどのエーテルやエーテルアセテート類、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノンなどのケトン類、乳酸メチル、乳酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル類、あるいはこれらの混合物などが用いられてい
る。
に、基材の周辺部、縁辺部及び裏面部の不要のレジスト
分を除去する方法が提案され（例えば特開昭６３−６９
５６３号公報）、この方法においては、洗浄除去用溶剤
として、例えばセロソルブ、セロソルブアセテート、プ
ロピレングリコールエーテル、プロピレングリコールア
セテートなどのエーテルやエーテルアセテート類、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノンなどのケトン類、乳酸メチル、乳酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル類、あるいはこれらの混合物などが用いられてい
る。
【０００４】しかしながら、これらはいずれもエステル
化度の高い感光性物質を含むレジストに対する溶解性が
不十分であり、スピンナーカップ洗浄時に残さや析出物
が生じる。そして、乾燥性が高い溶剤を裏面洗浄に使用
した場合には基板が冷却されるために膜厚のバラツキが
生じるし、また乾燥性が低い溶剤を使用した場合にはウ
エハー端面の洗浄性が良好でなく、カップ洗浄後の乾燥
性が良好でないために使用しにくいなどの不利がある。
その上、セロソルブ系溶剤は毒性があり、衛生上問題で
ある。またアセトンやメチルエチルケトンなどは引火点
が低く、作業性が悪いという欠点がある。
化度の高い感光性物質を含むレジストに対する溶解性が
不十分であり、スピンナーカップ洗浄時に残さや析出物
が生じる。そして、乾燥性が高い溶剤を裏面洗浄に使用
した場合には基板が冷却されるために膜厚のバラツキが
生じるし、また乾燥性が低い溶剤を使用した場合にはウ
エハー端面の洗浄性が良好でなく、カップ洗浄後の乾燥
性が良好でないために使用しにくいなどの不利がある。
その上、セロソルブ系溶剤は毒性があり、衛生上問題で
ある。またアセトンやメチルエチルケトンなどは引火点
が低く、作業性が悪いという欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来のレジスト洗浄除去用溶剤のもつ欠点を克服し、レ
ジストの溶解性に優れ、毒性がなく、しかも溶解性が経
時的に安定して残さや析出物を生じることのないレジス
ト洗浄除去用溶剤、及びこのものを用いて高品質の電子
部品製造用基材を簡単かつ効率的に製造する方法を提供
することを目的としてなされたものである。
従来のレジスト洗浄除去用溶剤のもつ欠点を克服し、レ
ジストの溶解性に優れ、毒性がなく、しかも溶解性が経
時的に安定して残さや析出物を生じることのないレジス
ト洗浄除去用溶剤、及びこのものを用いて高品質の電子
部品製造用基材を簡単かつ効率的に製造する方法を提供
することを目的としてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはレジスト洗
浄用の溶剤について鋭意研究を重ねた結果、プロピレン
グリコールモノアルキルエーテルと特定のアルコキシ置
換脂肪族カルボン酸エステルとの混合物が、レジストの
溶解性に優れ、毒性がなく、かつ溶解性が経時的に安定
していて残さや析出物を生じることがないこと、及びこ
の溶剤を用いることにより、高品質の電子部品製造用基
材を簡単にかつ効率よく製造しうることを見出し、この
知見に基づいて本発明を完成するに至った。
浄用の溶剤について鋭意研究を重ねた結果、プロピレン
グリコールモノアルキルエーテルと特定のアルコキシ置
換脂肪族カルボン酸エステルとの混合物が、レジストの
溶解性に優れ、毒性がなく、かつ溶解性が経時的に安定
していて残さや析出物を生じることがないこと、及びこ
の溶剤を用いることにより、高品質の電子部品製造用基
材を簡単にかつ効率よく製造しうることを見出し、この
知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、（Ａ）プロピレング
リコールモノアルキルエーテル及び（Ｂ）一般式 Ｒ１Ｏ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ２ （Ｉ） （式中のＲ１及びＲ２はそれぞれ低級アルキル基であ
り、それらはたがいに同一であっても異なっていてもよ
く、ｎは２〜４の整数である）で表わされる化合物を含
有することを特徴とするレジスト洗浄除去用溶剤、及び
スピンナーによりレジスト形成用塗布物を基材に塗布
し、次いで基材の周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した
不要のレジスト形成塗布物を、前記レジスト洗浄除去用
溶剤であらかじめ除去したのち、乾燥処理することを特
徴とする電子部品製造用基材の製造方法を提供するもの
である。
リコールモノアルキルエーテル及び（Ｂ）一般式 Ｒ１Ｏ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ２ （Ｉ） （式中のＲ１及びＲ２はそれぞれ低級アルキル基であ
り、それらはたがいに同一であっても異なっていてもよ
く、ｎは２〜４の整数である）で表わされる化合物を含
有することを特徴とするレジスト洗浄除去用溶剤、及び
スピンナーによりレジスト形成用塗布物を基材に塗布
し、次いで基材の周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した
不要のレジスト形成塗布物を、前記レジスト洗浄除去用
溶剤であらかじめ除去したのち、乾燥処理することを特
徴とする電子部品製造用基材の製造方法を提供するもの
である。
【０００８】本発明溶剤においては、（Ａ）成分として
プロピレングリコールモノアルキルエーテルが用いられ
る。このプロピレングリコールモノアルキルエーテル
は、アルキル基の炭素数が１〜５のものが好ましく、こ
のようなものとしては、例えばプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げら
れる。これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以
上を組み合わせて用いてもよいが、特にプロピレングリ
コールモノメチルエーテルが好適である。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルが用いられ
る。このプロピレングリコールモノアルキルエーテル
は、アルキル基の炭素数が１〜５のものが好ましく、こ
のようなものとしては、例えばプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げら
れる。これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以
上を組み合わせて用いてもよいが、特にプロピレングリ
コールモノメチルエーテルが好適である。
【０００９】本発明溶剤においては、（Ｂ）成分として
用いられる前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物として
は、例えば３‐メトキシプロピオン酸メチル、３‐エト
キシプロピオン酸メチル、３‐エトキシプロピオン酸エ
チル、４‐メトキシ酪酸メチル、４‐エトキシ酪酸メチ
ル、４‐エトキシ酪酸エチルなどが挙げられるが、これ
らの中で３‐メトキシプロピオン酸メチル、３‐エトキ
シプロピオン酸メチル及び３‐エトキシプロピオン酸エ
チルが好ましく、特に３‐エトキシプロピオン酸エチル
が好適である。この（Ｂ）成分の一般式（Ｉ）で表わさ
れる化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
用いられる前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物として
は、例えば３‐メトキシプロピオン酸メチル、３‐エト
キシプロピオン酸メチル、３‐エトキシプロピオン酸エ
チル、４‐メトキシ酪酸メチル、４‐エトキシ酪酸メチ
ル、４‐エトキシ酪酸エチルなどが挙げられるが、これ
らの中で３‐メトキシプロピオン酸メチル、３‐エトキ
シプロピオン酸メチル及び３‐エトキシプロピオン酸エ
チルが好ましく、特に３‐エトキシプロピオン酸エチル
が好適である。この（Ｂ）成分の一般式（Ｉ）で表わさ
れる化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
【００１０】本発明溶剤においては、前記（Ａ）成分の
プロピレングリコールモノアルキルエーテルと（Ｂ）成
分の一般式（Ｉ）で表わされる化合物とを、重量比１：
９ないし９：１、好ましくは３：７ないし７：３の割合
で用いるのがよい。また、本発明溶剤においては、前記
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて他の溶剤を併用する
こともでき、それによりレジストに対する溶解能を制御
することができる。この併用溶剤としては、例えばメチ
ルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルインブ
チルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどの酢酸エステル類、
ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロ
ピルなどのピルビン酸エステル類などを挙げることがで
きる。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルと（Ｂ）成
分の一般式（Ｉ）で表わされる化合物とを、重量比１：
９ないし９：１、好ましくは３：７ないし７：３の割合
で用いるのがよい。また、本発明溶剤においては、前記
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて他の溶剤を併用する
こともでき、それによりレジストに対する溶解能を制御
することができる。この併用溶剤としては、例えばメチ
ルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルインブ
チルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどの酢酸エステル類、
ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロ
ピルなどのピルビン酸エステル類などを挙げることがで
きる。
【００１１】本発明溶剤により洗浄しうるレジストにつ
いては特に制限はないが、アルカリ水溶液により現像可
能な感光性樹脂に対して用いると特に効果的である。
いては特に制限はないが、アルカリ水溶液により現像可
能な感光性樹脂に対して用いると特に効果的である。
【００１２】特に有利なレジストは、最近の超微細加工
に十分適応しうる諸要求特性を備えたポジ型ホトレジス
トである。その中でも特にキノンジアジド系感光性物質
と被膜形成物質とを含む組成物から成るものが好適であ
る。
に十分適応しうる諸要求特性を備えたポジ型ホトレジス
トである。その中でも特にキノンジアジド系感光性物質
と被膜形成物質とを含む組成物から成るものが好適であ
る。
【００１３】この感光性物質としては、キノンジアジド
基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オ
ルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジア
ジドなどのキノンジアジド類のスルホン酸とフェノール
性水酸基又はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは
完全エステル化、又は部分若しくは完全アミド化したも
のが挙げられ、前記のフェノール性水酸基又はアミノ基
を有する化合物としては、例えば２，３，４‐トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフ
ェノン、あるいは没食子酸アルキル、没食子酸アリー
ル、フェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール‐１，３‐ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化又はエー
テル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェニ
ルアミンなどが挙げられる。そして、特に好ましいキノ
ジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキシベン
ゾフェノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐ス
ルホニルクロリド又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド
‐４‐スルホニルクロリドとの完全エステル化物や部分
エステル化物であり、特に平均エステル化度が７０％以
上のものが好ましい。
基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オ
ルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジア
ジドなどのキノンジアジド類のスルホン酸とフェノール
性水酸基又はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは
完全エステル化、又は部分若しくは完全アミド化したも
のが挙げられ、前記のフェノール性水酸基又はアミノ基
を有する化合物としては、例えば２，３，４‐トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフ
ェノン、あるいは没食子酸アルキル、没食子酸アリー
ル、フェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール‐１，３‐ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化又はエー
テル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェニ
ルアミンなどが挙げられる。そして、特に好ましいキノ
ジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキシベン
ゾフェノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐ス
ルホニルクロリド又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド
‐４‐スルホニルクロリドとの完全エステル化物や部分
エステル化物であり、特に平均エステル化度が７０％以
上のものが好ましい。
【００１４】また、被膜形成物質としては、例えばフェ
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
【００１５】特に好ましいポジ型ホトレジストは、被膜
形成物質としてクレゾールノボラック樹脂を用いたもの
であり、このクレゾールノボラック樹脂としては、低分
子量域をカットした重量平均分子量が２０００〜２００
００、好ましくは５０００〜１５０００の範囲のものが
好適である。
形成物質としてクレゾールノボラック樹脂を用いたもの
であり、このクレゾールノボラック樹脂としては、低分
子量域をカットした重量平均分子量が２０００〜２００
００、好ましくは５０００〜１５０００の範囲のものが
好適である。
【００１６】前記ポジ型ホトレジストにおいては、前記
した感光性物質が、被膜形成物質１００重量部に対し
て、通常１０〜４０重量部、好ましくは１５〜３０重量
部の範囲で配合される。この量が４０重量部を超えると
感度が著しく劣り、また１０重量部未満では好ましいパ
ターン断面形状が得にくくなる。
した感光性物質が、被膜形成物質１００重量部に対し
て、通常１０〜４０重量部、好ましくは１５〜３０重量
部の範囲で配合される。この量が４０重量部を超えると
感度が著しく劣り、また１０重量部未満では好ましいパ
ターン断面形状が得にくくなる。
【００１７】また、レジストには、必要に応じて、相容
性のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料な
どを添加してもよいし、さらに他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
性のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料な
どを添加してもよいし、さらに他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
【００１８】次に、前記レジスト洗浄除去用溶剤を用い
た本発明の電子部品製造用基材の製造方法について説明
する。
た本発明の電子部品製造用基材の製造方法について説明
する。
【００１９】まず、スピンナーによりレジスト形成用塗
布物をシリコンウエハーなどの基材に塗布する。すなわ
ち、スピンナーはスピンヘッド上で回転される回転板を
有し、該回転板上にウエハー等の基材を保持してその中
心部にレジスト形成用塗布物がフィードされる。フィー
ドされた塗布物は回転板の遠心力によって放射方向に拡
散塗布される。このようにして、基材上に塗布された該
塗布物は、周辺部の膜厚が中央部の膜厚よりも大きく、
また基材の縁辺部や裏面部にも該塗布物が回り込んでい
るのが普通である。次に、このような塗布物の周辺部、
縁辺部及び裏面部に付着した不要なレジストを、基材を
回転させながら前記した溶剤を供給することにより除去
する。この場合、溶剤の供給手段としては、溶剤供給ノ
ズルにより、基材の周辺部分に溶剤を滴下又は吹き付け
る方法が用いられる。また、溶剤の供給量は使用するレ
ジストの種類や膜厚などにより適宜変わるが、通常は３
０〜５０ミリリットル／分の範囲で選ばれる。
布物をシリコンウエハーなどの基材に塗布する。すなわ
ち、スピンナーはスピンヘッド上で回転される回転板を
有し、該回転板上にウエハー等の基材を保持してその中
心部にレジスト形成用塗布物がフィードされる。フィー
ドされた塗布物は回転板の遠心力によって放射方向に拡
散塗布される。このようにして、基材上に塗布された該
塗布物は、周辺部の膜厚が中央部の膜厚よりも大きく、
また基材の縁辺部や裏面部にも該塗布物が回り込んでい
るのが普通である。次に、このような塗布物の周辺部、
縁辺部及び裏面部に付着した不要なレジストを、基材を
回転させながら前記した溶剤を供給することにより除去
する。この場合、溶剤の供給手段としては、溶剤供給ノ
ズルにより、基材の周辺部分に溶剤を滴下又は吹き付け
る方法が用いられる。また、溶剤の供給量は使用するレ
ジストの種類や膜厚などにより適宜変わるが、通常は３
０〜５０ミリリットル／分の範囲で選ばれる。
【００２０】本発明溶剤は極めて溶解性に優れるため、
前記したような利用態様以外に、例えばスピンナーカッ
プなどに付着して固着したレジストの洗浄除去にも有効
に利用できる。
前記したような利用態様以外に、例えばスピンナーカッ
プなどに付着して固着したレジストの洗浄除去にも有効
に利用できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明のレジスト洗浄除去用溶剤は、レ
ジストの溶解性、特に高エステル化度のキノンジアジド
系感光性物質を含有するポジ型ホトレジストの溶解性に
優れ、毒性が少なく、しかも溶解性が経時的に安定して
いて残さや析出物を生じることがないという顕著な効果
を奏する。また、本発明方法によれば、高品質の電子部
品製造用基材を簡単に効率よく製造することができる。
ジストの溶解性、特に高エステル化度のキノンジアジド
系感光性物質を含有するポジ型ホトレジストの溶解性に
優れ、毒性が少なく、しかも溶解性が経時的に安定して
いて残さや析出物を生じることがないという顕著な効果
を奏する。また、本発明方法によれば、高品質の電子部
品製造用基材を簡単に効率よく製造することができる。
【００２２】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。
【００２３】製造例１ ３インチシリコンウエハー上に、２，３，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド４モルとの
エステル化反応生成物（平均エステル化度９０％）８．
５ｇ及びクレゾールノボラック樹脂３０ｇをエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート７０ｇに溶解し
て得られたポジ型ホトレジスト溶液を得た。
トラヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド４モルとの
エステル化反応生成物（平均エステル化度９０％）８．
５ｇ及びクレゾールノボラック樹脂３０ｇをエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート７０ｇに溶解し
て得られたポジ型ホトレジスト溶液を得た。
【００２４】製造例２ ３インチシリコンウエハー上に、２，３，４，４′‐ト
リヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド１．２モル
とのエステル化反応生成物（平均エステル化度４０％）
３．７５ｇ、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチル
フェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン１モルとナ
フトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリ
ド２モルとのエステル化反応生成物（平均エステル化度
５０％）３．７５ｇ及びクレゾールノボラック樹脂３０
ｇをエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
７０ｇに溶解して得られたポジ型ホトレジスト溶液を得
た。
リヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド１．２モル
とのエステル化反応生成物（平均エステル化度４０％）
３．７５ｇ、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチル
フェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン１モルとナ
フトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリ
ド２モルとのエステル化反応生成物（平均エステル化度
５０％）３．７５ｇ及びクレゾールノボラック樹脂３０
ｇをエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
７０ｇに溶解して得られたポジ型ホトレジスト溶液を得
た。
【００２５】製造例３ ３インチシリコンウエハー上に、１‐［１‐（４‐ヒド
ロキシフェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス
（４‐ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン１モルと
ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロ
リド２．５モルとのエステル化反応生成物（平均エステ
ル化度８０％）６．２５ｇ及びクレゾールノボラック樹
脂３０ｇをエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート７０ｇに溶解して得られたポジ型ホトレジスト溶
液を得た。
ロキシフェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス
（４‐ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン１モルと
ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロ
リド２．５モルとのエステル化反応生成物（平均エステ
ル化度８０％）６．２５ｇ及びクレゾールノボラック樹
脂３０ｇをエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート７０ｇに溶解して得られたポジ型ホトレジスト溶
液を得た。
【００２６】実施例１〜５及び比較例１〜４ 製造例１で得たポジ型ホトレジスト溶液をスピンナーに
より、乾燥膜厚が１０μｍになるように塗布したのち、
ホットプレート上で、１２０℃で９０秒間加熱すること
によって、表面にレジスト膜が形成されたシリコンウエ
ハーを９枚調製した。
より、乾燥膜厚が１０μｍになるように塗布したのち、
ホットプレート上で、１２０℃で９０秒間加熱すること
によって、表面にレジスト膜が形成されたシリコンウエ
ハーを９枚調製した。
【００２７】次いで、表１に示す各溶剤をビーカーに入
れ、上記９枚のシリコンウエハーそれぞれを表１に示す
各溶剤を浸せきし、レジスト膜がシリコンウエハー表面
から完全に溶解除去される時間（溶解時間）を測定した
結果を表１に示した。また、製造例１で得たポジ型ホト
レジスト溶液を６インチシリコンウエハー上に、回転塗
布装置（東京応化工業社製ＴＲ‐６１３２）を用いて、
３０００ｒｐｍ、２０秒間で塗布し、膜厚１．３μｍの
塗布膜を得た。次いで、回転数を１０００ｒｐｍに下
げ、同装置のウエハー裏面噴射用洗浄ノズルから、表１
に示す各溶剤を０．６ｋｇ／ｃｍ２の加圧下、４０ミリ
リットル／分で、２秒間、５秒間及び１０秒間噴射し、
それぞれの噴射時間に対するシリコンウエハーのエッジ
部レジストの溶解状態について調べた結果を表１に示し
た。なお、エッジ部レジストとは、シリコンウエハーの
周辺部、縁辺部及び裏面部に付着したレジストを意味
し、エッジ部レジストが完全に溶解されたものを○で表
わし、実用的な範囲で良好に溶解されたものを△で表わ
し、エッジ部レジストの溶解性が不十分なものを×で表
わした。
れ、上記９枚のシリコンウエハーそれぞれを表１に示す
各溶剤を浸せきし、レジスト膜がシリコンウエハー表面
から完全に溶解除去される時間（溶解時間）を測定した
結果を表１に示した。また、製造例１で得たポジ型ホト
レジスト溶液を６インチシリコンウエハー上に、回転塗
布装置（東京応化工業社製ＴＲ‐６１３２）を用いて、
３０００ｒｐｍ、２０秒間で塗布し、膜厚１．３μｍの
塗布膜を得た。次いで、回転数を１０００ｒｐｍに下
げ、同装置のウエハー裏面噴射用洗浄ノズルから、表１
に示す各溶剤を０．６ｋｇ／ｃｍ２の加圧下、４０ミリ
リットル／分で、２秒間、５秒間及び１０秒間噴射し、
それぞれの噴射時間に対するシリコンウエハーのエッジ
部レジストの溶解状態について調べた結果を表１に示し
た。なお、エッジ部レジストとは、シリコンウエハーの
周辺部、縁辺部及び裏面部に付着したレジストを意味
し、エッジ部レジストが完全に溶解されたものを○で表
わし、実用的な範囲で良好に溶解されたものを△で表わ
し、エッジ部レジストの溶解性が不十分なものを×で表
わした。
【００２８】
【表１】
【００２９】（注）表中の略号は次を意味する（以下、
同様）。 ＥＥＰ：３‐エトキシプロピオン酸エチル ＥＭＰ：３‐エトキシプロピオン酸メチル ＭＭＰ：メトキシプロピオン酸メチル ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート ＥＣＡ：エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート ＢｕＡｃ：ブチルアセテート
同様）。 ＥＥＰ：３‐エトキシプロピオン酸エチル ＥＭＰ：３‐エトキシプロピオン酸メチル ＭＭＰ：メトキシプロピオン酸メチル ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート ＥＣＡ：エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート ＢｕＡｃ：ブチルアセテート
【００３０】実施例６〜１０及び比較例５〜８ 実施例１におけるホトレジスト溶液を製造例２で得られ
たものに変えた以外は、実施例１と同様にして、溶解時
間の測定結果及びエッジ部レジストの溶解状態を調べた
結果を表２に示した。
たものに変えた以外は、実施例１と同様にして、溶解時
間の測定結果及びエッジ部レジストの溶解状態を調べた
結果を表２に示した。
【００３１】
【表２】
【００３２】実施例１１〜１５及び比較例９〜１２ 実施例１におけるホトレジスト溶液を製造例３で得られ
たものに変えた以外は、実施例１と同様にして、溶解時
間の測定結果及びエッジ部レジストの溶解状態を調べた
結果を表３に示した。
たものに変えた以外は、実施例１と同様にして、溶解時
間の測定結果及びエッジ部レジストの溶解状態を調べた
結果を表３に示した。
【００３３】
【表３】
【図１】スピンナーによりレジストをウエハーに塗布し
た際のウエハー周辺付近の状態を示す断面図。
た際のウエハー周辺付近の状態を示す断面図。
１ ウエハー ２ レジスト ３ ウエハー周辺部のレジスト ４ ウエハー縁辺部のレジスト ５ ウエハー裏面部のレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳竹 信生 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 小原 秀克 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 （Ａ）プロピレングリコールモノアルキ
ルエーテル及び（Ｂ）一般式 Ｒ１Ｏ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ２ （式中のＲ１及びＲ２はそれぞれ低級アルキル基であ
り、それらはたがいに同一であってもよいし異なってい
てもよく、ｎは２〜４の整数である）で表わされる化合
物を含有することを特徴とするレジスト洗浄除去用溶
剤。 - 【請求項２】 プロピレングリコールモノアルキルエー
テルがプロピレングリコールモノメチルエーテルである
請求項１記載のレジスト洗浄除去用溶剤。 - 【請求項３】 （Ｂ）成分の化合物が、３‐メトキシプ
ロピオン酸メチル、３‐エトキシプロピオン酸メチル及
び３‐エトキシプロピオン酸エチルの中から選ばれた少
なくとも１種である請求項１又は２記載のレジスト洗浄
除去用溶剤。 - 【請求項４】 （Ｂ）成分の化合物が、３‐エトキシプ
ロピオン酸エチルである請求項３記載のレジスト洗浄除
去用溶剤。 - 【請求項５】 （Ａ）成分と（Ｂ）成分との含有割合が
重量比で１：９ないし９：１である請求項１ないし４の
いずれかに記載のレジスト洗浄除去用溶剤。 - 【請求項６】 （Ａ）成分と（Ｂ）成分との含有割合
が、重量比で３：７ないし７：３である請求項５記載の
レジスト洗浄除去用溶剤。 - 【請求項７】 スピンナーによりレジスト形成用塗布物
を基材に塗布し、次いで基材の周辺部、縁辺部及び裏面
部に付着した不要のレジスト形成用塗布物を請求項１記
載のレジスト洗浄除去用溶剤で処理して除去したのち、
乾燥処理することを特徴とする電子部品製造用基材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15724793A JP3248780B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | レジスト洗浄除去用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15724793A JP3248780B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | レジスト洗浄除去用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146562A true JPH07146562A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3248780B2 JP3248780B2 (ja) | 2002-01-21 |
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ID=15645466
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15724793A Expired - Fee Related JP3248780B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | レジスト洗浄除去用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3248780B2 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
| US6183942B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-02-06 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Thinner composition for removing spin-on-glass and photoresist |
| SG84619A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-11-20 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Edge bead remover |
| KR20020037665A (ko) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 제거용 씬너 조성물 |
| KR100474098B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2005-03-07 | 주식회사 덕성 | 감광성수지 세정용 시너 조성물 |
| KR100503268B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-07-22 | 동우 화인켐 주식회사 | 에테르와 케톤을 함유하는 에지 비드 제거용 세정 용액 및이를 이용한 세정 방법 |
| KR100742120B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2007-07-24 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 제거용 씬너 조성물 |
| WO2010098327A1 (ja) | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 富士フイルム株式会社 | 分散組成物、重合性組成物、遮光性カラーフィルタ、遮光性カラーフィルタを備えた液晶表示素子、固体撮像素子、ウエハレベルレンズ及び、ウエハレベルレンズを備えた撮像ユニット |
| EP2230269A2 (en) | 2009-03-17 | 2010-09-22 | FUJIFILM Corporation | Colored curable composition, color filter, and method for producing color filter |
| EP2362266A2 (en) | 2010-02-26 | 2011-08-31 | Fujifilm Corporation | Colored curable composition, color filter and method of producing color filter, solid-state image sensor and liquid crystal display device |
| WO2011122707A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Fujifilm Corporation | Colored composition, inkjet ink, color filter and method of producing the same, solid-state image sensor and display device |
| EP2390272A1 (en) | 2010-05-31 | 2011-11-30 | FUJIFILM Corporation | Polymerizable composition, cured film, color filter, method of producing color filter and solid-state image sensor |
| EP2392621A2 (en) | 2010-06-01 | 2011-12-07 | FUJIFILM Corporation | Pigment dispersion composition, red colored composition, colored curable composition, color filter for a solid state imaging device and method for producing the same, and solid state imaging device |
| EP2402818A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-04 | FUJIFILM Corporation | Photosensitive composition, pattern forming material, and photosensitive film, pattern forming method, pattern film, low refractive index film, optical device and solid-state imaging device each using the same |
| WO2012015076A1 (en) | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Fujifilm Corporation | Polymerizable composition |
| EP2498130A2 (en) | 2011-03-08 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Curable composition for solid-state imaging device, and photosensitive layer, permanent pattern, wafer-level lens, solid-state imaging device and pattern forming method each using the composition |
| WO2013038974A1 (en) | 2011-09-14 | 2013-03-21 | Fujifilm Corporation | Colored radiation-sensitive composition for color filter, pattern forming method, color filter and method of producing the same, and solid-state image sensor |
| WO2013140979A1 (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 富士フイルム株式会社 | 着色感放射線性組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び画像表示装置 |
| WO2013141156A1 (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 富士フイルム株式会社 | 着色感放射線性組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、着色パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び画像表示装置 |
| WO2014103628A1 (ja) | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルタ用組成物、赤外線透過フィルタ及びその製造方法、並びに赤外線センサー |
| WO2015033814A1 (ja) | 2013-09-06 | 2015-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 着色組成物、硬化膜、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、画像表示装置、ポリマー、キサンテン色素 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15724793A patent/JP3248780B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2013140979A1 (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 富士フイルム株式会社 | 着色感放射線性組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び画像表示装置 |
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