JPH0710663A - ダイヤモンド／炭素／炭素複合体 - Google Patents

ダイヤモンド／炭素／炭素複合体

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Abstract

(57)【要約】 【構成】 その上部に多結晶ダイヤモンドフィルム１４
を有する炭素／炭素複合体１２を含むダイヤモンド／炭
素／炭素複合体２０を提供する。複合体は気相成長炭素
繊維１６を含む、織り合わされた炭素繊維のプレフォー
ムを含む。複合体の好ましい製造方法は該プレフォーム
の間隙中への熱分解炭素の化学気相侵入と、その後の、
炭素／炭素複合体上へのダイヤモンドフィルムのマイク
ロ波プラズマ強化化学蒸着とを含む。 【効果】 熱管理性質のために、宇宙船、航空機、スー
パーコンピュータの電子工学システムのインテグラル誘
電性ヒートシンクとして有用であり、ヒートシンクはダ
イヤモンド／炭素／炭素複合体のダイヤモンド層上に金
属回路を付着させて製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインテグラル誘電性ヒー
トシンク(integral dielectric heat sink)として有用
な、独特なダイヤモンド／炭素／炭素複合体と、このよ
うな複合体の製造方法とに関する。さらに詳しくは、本
発明は炭素／炭素複合体上に多結晶ダイヤモンドを付着
させることによって形成されるダイヤモンド／炭素／炭
素複合体と、得られるダイヤモンド／炭素／炭素複合体
のダイヤモンド層上に金属フィルムを付着させることに
よって形成されるインテグラル誘電性ヒートシンクとに
関する。
【０００２】
【従来の技術】最近数年間に、例えば航空機、宇宙船及
びスーパーコンピュータのような最新のシステムに用い
られる高出力高密度電子デバイスの需要が増加してい
る。この問題に対する公知の１つの解決策は、より大き
な回路密度とより高効率の電気性能とを有したマルチチ
ップモジュール（ＭＣＭ）回路部品を製造することを含
む。しかし、このプロセスは優れた電気性能を与える
が、回路密度の増大はＭＣＭ内の出力密度を高め、放熱
の必要性を高める。このような電子デバイスの熱誘導故
障を避けるためにヒートシンク材料が絶えず改良されな
ければならない。
【０００３】黒鉛、ホウ素、タングステン及びガラスの
繊維、繊維束及び織られた繊維束を含む複合体を用い
て、半導体ベースが製造されている。しかし、このよう
な複合体はあまり高い熱伝導率を有さない。
【０００４】炭素繊維の強化は種々なポリマー、金属及
びセラミックのマトリックスの複合体の性能を有意に改
良している。しかし、このような繊維の使用における限
定要素はそれらの高い異方性熱伝導率とそれらが、典型
的にケイ素又はヒ化ガリウムである回路材料の熱膨張率
に適合できないことである。
【０００５】電子工学分野にヒートシンクとして用いる
ための合成ダイヤモンドを製造するために、最近数年間
に種々なプロセスが開発されている。ダイヤモンドは電
気的に絶縁性であるが、ダイヤモンドは実際に見い出さ
れる最高の熱伝導率を有する。従って、ダイヤモンドは
半導体デバイスの理想的なヒートシンク材料である。ダ
イヤモンドは高強度、高い絶縁力とブレークダウンのフ
ィールド(field)、化学的安定性、及び複合体を接合さ
せる広範囲な熱膨張率（ＣＴＥ）の材料に適合するため
に適したＣＴＥを含めた、他の好ましい性質を有する。
【０００６】ダイヤモンドを合成するための１つのプロ
セスは、ケイ素基体上にダイヤモンドを付着させるため
のマイクロ波補助化学蒸着を用いることである。このよ
うなプロセスはバジアン(Badzian)等の“ダイヤモンド
フィルムの蒸着合成(Vapor Deposition Synthessis of
Diamond Film)”Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＳＰＩ
Ｅ，６８３巻，１９８６に述べられている。もう１つの
プロセスはチャング(Chang)等の“プラズマ化学蒸着に
よるダイヤモンド結晶成長(Diamond Crystal Growth by
Plasma Chemical Vapor Deposition)"，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．６３（５），１９８８に述べられている
ような プラズマ化学蒸着によるダイヤモンド結晶成長
を含む。
【０００７】さらに他のプロセスが複合体に用いるため
のフレークの回収を伴う、基体上の多結晶ダイヤモンド
層の製造のために開発されている。このようなプロセス
の１つはバンクス(Banks)の米国特許第４，４３７，９
６２号に述べられている。面上に炭素を付着させ、炭素
中にダイヤモンド結合を生じさせ、炭素フレークを回収
し、フレークをマトリックス材料と混合して複合物質を
形成することによって、複合体が製造される。しかし、
このようなフレークの製造は比較的複雑なプロセスを必
要とする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、優れた電気的
及び熱的性能、低密度及び高い機械的強度を有する改良
された複合体が技術上なお必要とされている。さらに、
高い熱伝導率の誘電性ヒートシンクとして使用可能な改
良複合体が必要とされている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、優れた電気的
及び熱的性能、低密度及び高い機械的強度を有する、炭
素／炭素複合体上に付着した多結晶ダイヤモンドフィル
ムを有する、独特なダイヤモンド／炭素／炭素複合体を
形成することによって上記必要性を満たす。本発明はさ
らに、半導体ベースとして有用な、革新的なインテグラ
ル誘電性基体又はヒートシンク材料を提供する。
【００１０】本発明の１実施態様によると、炭素／炭素
複合体と、この炭素／炭素複合体上に付着した多結晶ダ
イヤモンドフィルムとを含むダイヤモンド／炭素／炭素
複合体を提供する。本発明の好ましい実施態様では、こ
の炭素／炭素複合体は、プレフォームの間隙中に付着し
た熱分解炭素を有する織り合わされた炭素繊維プレフォ
ームを含む。
【００１１】本発明に用いるために好ましい炭素繊維は
黒鉛繊維である。好ましくは、黒鉛繊維は非常に高い熱
伝導率を有する気相成長(vapor grown)炭素繊維であ
る。このような繊維はベンゼン誘導繊維及び触媒化学蒸
着繊維とも呼ばれている。しかし、本発明のために、こ
のような繊維を気相成長炭素繊維と呼ぶことにする。気
相成長炭素繊維は７ＧＰａ程度の高い引張り強さと、６
００ＧＰａの引張り弾性率を有する。さらに、気相成長
炭素繊維の室温熱伝導率は２０００Ｗ／ｍ−Ｋの範囲内
である。
【００１２】一般に、プレフォームの間隙中に熱分解炭
素を付着させて、織り合わされた炭素繊維のプレフォー
ムを緻密化して、炭素／炭素複合体を製造する工程を含
むダイヤモンド／炭素／炭素複合体の製造方法も提供す
る。次に、前記炭素／炭素複合体上に多結晶ダイヤモン
ドフィルムを付着させる。
【００１３】好ましくは、該プレフォームを、水素ガス
と炭化水素ガスとの混合物を用いる化学気相侵入プロセ
スによって緻密化する。この炭化水素ガスは好ましく
は、混合物の少なくとも５０容量％から７５容量％以下
を占める。該化学気相侵入プロセスは好ましくは、約１
０００℃〜約１１００℃の温度かつ約５トル〜約４０ト
ルの圧力において実施される。
【００１４】本発明の代替え実施態様では、コールター
ル又は石油ソース(source)からの溶融ピッチを加熱及び
加圧下で繊維プレフォーム中に含浸させるピッチ侵入プ
ロセスによって、プレフォームを緻密化する。このプロ
セス後に、全て先行技術から公知であるように、繊維間
の孔がシーリング点まで充填されるまで、熱分解とその
後の再含浸とを実施する。例えば、米国特許第４，４９
０，２０１号と第４，３９６，６６３号（これらの開示
はここに参考文献として関係する）を参照のこと。
【００１５】得られた炭素／炭素複合体上に、好ましく
は、水素ガスと炭化水素ガスとの混合物を用いるマイク
ロ波プラズマ強化化学気相侵入プロセスによって多結晶
ダイヤモンドフィルムを付着させる。好ましい炭化水素
ガスはメタンであり、メタンは混合物の少なくとも０．
１容量％から２容量％までを占める。このプロセスは約
８５０℃〜約１１００℃の温度かつ約１５トル〜約５０
トルの圧力において実施される。ダイヤモンドは、炭素
／炭素複合体の表面への付着時に、炭素／炭素複合体中
に部分的に侵入する。侵入とは、炭素／炭素複合体の表
面近くの熱分解炭素が部分的に多結晶ダイヤモンドによ
って置換されることを意味する。
【００１６】代替え実施態様では、熱フィラメント方法
によってダイヤモンドフィルムを付着させることができ
る。このプロセスは好ましくは、約８５０℃〜約１１０
０℃の温度範囲かつ約１５トル〜約５０トルの圧力にお
いて実施される。
【００１７】生ずるダイヤモンド／炭素／炭素複合体
は、高い熱伝導率と低い導電率とを有する高性能インテ
グラル誘電性ヒートシンク又は基体材料として用いるこ
とができる。さらに、このダイヤモンド／炭素／炭素複
合体は、宇宙空間飛行体又は宇宙船のための電子部品(e
lectronic)を含む電子デバイスの信頼度と高度な熱エネ
ルギー管理とを改良するように調整することができる熱
膨張率を有する。例えば、本発明の１実施態様では、ダ
イヤモンド／炭素／炭素複合体のダイヤモンド層上に金
属フィルムを付着させることによって、ダイヤモンド／
炭素／炭素複合体をさらにインテグラル誘電性ヒートシ
ンクに形成することができる。
【００１８】従って、高い熱伝導率、電気絶縁性及び低
い密度を有するダイヤモンド／炭素／炭素複合体を提供
することが、本発明の目的である。インテグラル誘電性
ヒートシンクとして有用であるダイヤモンド／炭素／炭
素複合体を提供することも、本発明の目的である。本発
明の上記その他の目的と利益は下記の詳細な説明、添付
図面及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【００１９】本発明のダイヤモンド／炭素／炭素複合体
はパワーエレクトロニクス(power electronics)の動作
能力(performance capacity)を高めることができる。炭
素／炭素複合体は、電子パッケージングに通常用いられ
る金属及びセラミック物質のような他の物質に比べて、
高い熱伝導率と低い密度を有する。この炭素／炭素複合
体は、このような電子パッケージ用途のために典型的に
電気絶縁性表面層を必要とする導電体でもある。しか
し、本発明の高熱伝導率炭素／炭素複合体上にダイヤモ
ンドフィルムを付着させることによって、通常の電気絶
縁性被膜を必要とせずに、電気絶縁性が得られること
を、我々は発見した。炭素／炭素複合体上へのダイヤモ
ンドフィルムの付着は、ダイヤモンド／炭素／炭素複合
体上への直接の電気回路印刷をも促進する。さらに、ダ
イヤモンド被膜は炭素／炭素複合体の表面に部分的に侵
入するので、得られるダイヤモンド／炭素／炭素複合体
の熱膨張率は特定の用途のために調整することができ
る。
【００２０】本発明のダイヤモンド／炭素／炭素複合体
１０を図１に説明する。ダイヤモンド／炭素／炭素複合
体は織り合わされた炭素繊維１６のプレフォームから成
る炭素／炭素複合体１２を含む。多結晶ダイヤモンドフ
ィルム１４を炭素／炭素複合体上に付着させる。図面に
示すように、ダイヤモンド被膜は炭素／炭素複合体の表
面にある程度の深さまで部分的に侵入する、この深さは
表示のために炭素繊維１列の深さよりもやや深いものと
して示す。
【００２１】炭素繊維１６は好ましくは、気相成長炭素
繊維である黒鉛繊維を含む。気相成長炭素繊維は７ＧＰ
ａ程度の高い引張り強さと、４８０ＧＰａより大きい、
高い引張り弾性率とを有する。気相成長炭素繊維は、銅
及びアルミニウムの室温熱伝導率の数倍であり、単結晶
黒鉛の室温熱伝導率に本質的に等しい約２０００Ｗ／ｍ
−Ｋの範囲内の室温熱伝導率を有する。このような繊維
は繊維内の黒鉛面の“オニオン環”構造に類似する黒鉛
性(graphite nature)を有する。
【００２２】ダイヤモンド付着前の気相成長炭素繊維プ
レフォームの熱分解炭素による緻密化は、化学気相侵入
及びピッチ侵入を含む、通常の方法によって達成され
る。炭化水素ガスの熱分解と、熱分解炭素のプレフォー
ム中への付着とを含む化学気相侵入プロセスが好まし
い。熱分解炭素の成形は炭素繊維と同じ方法で配向した
基底黒鉛面の発生を特徴とする。炭化水素ガスと水素と
のガス混合物をこの目的のために用いる。好ましい炭化
水素ガスはメタンであり、メタンは好ましくは混合物の
少なくとも５０容量％から７５容量％以下を占める。
【００２３】化学気相侵入プロセスは約１０００℃〜約
１１００℃の温度において実施すべきであり、圧力は約
５トル〜約４０トルの範囲において維持するべきであ
る。しかし、炭化水素ガスの濃度を圧力、温度、時間パ
ラメータと共に変化させることによって緻密化度が制御
可能であることを注目すべきである。得られる炭素／炭
素複合体中の熱分解炭素は高度に配向し、単結晶黒鉛に
密接に類似する。
【００２４】代替え緻密化方法はピッチ侵入である。こ
のプロセスでは、コールタール又は石油プロセスからの
溶融ピッチを繊維構造中に含浸させた後に、米国特許第
４，４９０，２０１号と第４，３９６，６６３号から公
知であるように、繊維間の孔がシーリング点まで充填さ
れるまで、熱分解とその後の再含浸とを実施する。この
プロセスは配向した黒鉛微小構造を生ずる。
【００２５】炭素／炭素複合体１２上への多結晶ダイヤ
モンドの付着は、水素ガスと炭化水素ガスとの混合物を
用いたマイクロ波プラズマ強化化学蒸着によってしばし
ば達成される。好ましい炭化水素ガスはメタンであり、
メタンは好ましくは混合物の少なくとも０．１容量％か
ら２容量％以下を占める。ダイヤモンド被膜の均一性を
得るために、プロセスは好ましくは約８５０℃〜約１１
００℃の温度範囲及び約１５トル〜約５０トルの圧力に
おいて実施される。
【００２６】或いは、熱フィラメント方法によって多結
晶ダイヤモンドを付着させることができ、この方法は好
ましくは約８５０℃〜約１１００℃の温度範囲及び約１
５トル〜約５０トルの圧力において実施される。
【００２７】得られるダイヤモンド／炭素／炭素複合体
はインテグラル誘電性ヒートシンクに用いるために特に
適する。図２に示すように、ダイヤモンド／炭素／炭素
複合体のダイヤモンド層１４上に所望の回路パターンの
金属層１８を付着させる。ダイヤモンド／炭素／炭素複
合体上に約２００Å〜約５００Åの範囲でチタン又はモ
リブデンの層をスパッター付着させることによって、ダ
イヤモンド／炭素／炭素複合体を金属化することができ
る。この工程後に、高温アニーリングを実施して、ダイ
ヤモンドと金属層との間に充分な化学結合を形成する。
次に、銅、金、白金又は金／ニッケルの層をダイヤモン
ド／炭素／炭素複合体上の金属層上に、電気めっきによ
って付着させて、適当な電流容量のために必要なフィル
ム厚さを得る。得られる製品はダイヤモンド／炭素／炭
素複合体２０であり、この上に半導体を通常の表面−取
り付け方法(surface-mount technology)を用いて取り付
けることができる。
【００２８】或いは、金属化は生成された複合体全体に
均一にフォトレジスト、感光性エマルジョンを分散させ
ることを含む。次に、所望のトレースパターンによるマ
スクをフォトレジスト上に置き、露光させる。次に、露
光したフォトレジストを洗い流す現像液によってすすぎ
洗いする。その後、金属層を複合体上に付着させる。最
後に、フォトレジストの非露光層を溶剤溶液によって溶
解して、洗い流す。
【００２９】誘電性ヒートシンク材料の他の製造方法は
ダイヤモンド／炭素／炭素複合体上に金属層を置いた後
に、この金属層の上部にフォトレジストを塗布すること
である。次に、トレースのためのマスクをこのフォトレ
ジストの上部に貼付する。次に、露光したフォトレジス
トを洗い流し、金属層の好ましくない部分を酸溶液によ
ってエッチングする。
【００３０】ダイヤモンド／炭素／炭素複合体は今後の
電子デバイスにかなりの可能性を有する。ダイヤモンド
フィルムは電子回路プリントを複合体物質上に直接上首
尾に貼付することを可能にする。さらに、ダイヤモンド
フィルムは複合体物質から電気的に絶縁し、複合体物質
中に高い熱伝導率媒質を与え、電子デバイスの熱誘導故
障を阻止した。ヒートシンクのＺ面に垂直な熱伝導率は
ダイヤモンドフィルムの使用によって最大になり、ヒー
トシンクの面内の高い熱伝導率が炭素／炭素複合体の性
質によって得られる。
【００３１】下記実施例は本発明を説明するためのもの
である。この実施例は特許請求の範囲を限定するものと
見なすべきではない。
【００３２】
【実施例】実施例１ 本発明によるダイヤモンド／炭素／炭素複合体を製造し
た。最初に、２段階プロセスにおける触媒の存在下での
炭化水素ガスの熱分解によって、気相成長炭素繊維を製
造した。１０ｎｍ未満の直径を有する鉄小粒子を繊維成
長のための触媒として基体上に分散させた。この基体を
次に炉に入れ、続いて炉において温度を室温から９００
℃に上昇させた。この温度において、メタンと水素との
混合物を導入して、繊維の核形成と成長とを開始させ
た。次に、大きいメタン濃度を用いる炭素の化学蒸着に
よって第２段階中にフィラメント直径は増大する。型の
寸法に合わせて切断した気相成長炭素繊維のレイアップ
によって、気相成長炭素繊維プレフォームを製造し、プ
レプレグに形成し、ホットプレス中で硬化させた。プレ
フォームを３日間にわたって９００℃において徐々に炭
化させた。炭化後に、プレフォームを緻密化の前に２８
００℃において黒鉛化させた。
【００３３】気相成長炭素繊維プレフォームの緻密化は
１０２０℃〜１０８０℃の温度及び１５トルの圧力にお
ける化学気相侵入方法を用いて実施した。使用ガス混合
物はメタン７５％と水素２５％とを含有した。次に、複
合体をアルゴン中で２８００℃において１５分間熱処理
して、炭素を黒鉛化した。
【００３４】生ずる炭素／炭素複合体に次に、マイクロ
波強化プラズマ化学蒸着方法を用いてダイヤモンドを付
着させた。複合体のラマン(Raman)分析を実施し、付着
ダイヤモンドのラマンスペクトルは炭素／炭素複合体の
表面における高品質ダイヤモンド形成を示した。ダイヤ
モンドが付着した試験片に対して導電率測定も実施し
た。導電率は天然ダイヤモンドよりも実質的に高いが、
誘電層として適切であるほど、まだ充分に低いことが判
明した。
【００３５】実施例２ 本発明によって、炭素／炭素複合体の２サンプルを製造
した。サンプルの仕様を以下の表Ｉに示す。
【００３６】 表Ｉ 密度 導電率 比導電率 ＣＴＥサンプル ＦＶ（％） (g/cc) （mK） (W/mK/g/cc) (ppm/K) １ ２８ １．２７ Ｘ：３６４ ２８７ ０．１２ ２ ２８ １．５２ Ｘ：３７２ ２４５ ０．４１ Ｚ： １５ ９９．９％Ｈ2／０．０１％ＣＨ4と９９．５％Ｈ2／
０．５％ＣＨ4とのガス混合物にマイクロ波システムを
用いて、炭素／炭素複合体サンプル上にダイヤモンドを
付着させた。付着後に、炭素／炭素複合体の表面上の熱
分解炭素がエッチングされ、部分的に多結晶ダイヤモン
ドによって置換されることが観察された。０．５％ＣＨ
4を含むサンプルに対してラマン分析を実施した、得ら
れたスペクトルは１３３３．１ｃｍ-1におけるダイヤモ
ンドピークと１４３９．２ｃｍ-1における黒鉛ピークと
を示した。
【００３７】サンプル１と２の上のダイヤモンドの付着
も熱フィラメント方法を用いて実施した。サンプルにダ
イヤモンドをそれぞれ、９時間と３３時間付着させた。
次に、この２種サンプルのラマン分析を実施した。９時
間サンプルのラマンスペクトルは１３３１．９ｃｍ-1に
おけるダイヤモンドピークを示し、幅広いバックグラン
ドスペクトル特徴はサンプルのラマンスペクトルにおけ
る黒鉛からの寄与が小さいことを実証した。３３時間露
光させたサンプルはサンプルの中央部分がより厚く付着
されたことを示した。このサンプルのラマンスペクトル
は１３３２．２ｃｍ-1に存在したダイヤモンドの単一ピ
ークを実証した。黒鉛からのラマンスペクトルへの寄与
は全く観察されなかった。
【００３８】
【発明の効果】本発明の複合体は、優れた電気的及び熱
的性能、低密度及び高い機械的強度を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイヤモンド／炭素／炭素複合体の断
面図。
【図２】そのベースとして本発明のダイヤモンド／炭素
／炭素複合体を有するインテグラル誘電性ヒートシンク
の断面図。
【符号の説明】
１２． 炭素／炭素複合体 １４． 多結晶ダイヤモンドフィルム １６． 炭素繊維 １８． 金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 37/00 Ｚ (72)発明者 マックス・ラバーン・レイク アメリカ合衆国オハイオ州45387，イエロ ー・スプリングス，イースト・デイトン− イエロー・スプリングス・ロード 175

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次の要素：プレフォームの間隙中に付着
    した熱分解炭素を有する織り合わされた炭素繊維プレフ
    ォームを含む炭素／炭素複合体と、 前記炭素／炭素複合体上に付着した多結晶ダイヤモンド
    フィルムとを含むダイヤモンド／炭素／炭素複合体。
  2. 【請求項２】 前記繊維が黒鉛繊維である請求項１記載
    の複合体。
  3. 【請求項３】 前記黒鉛繊維が気相成長炭素繊維である
    請求項２記載の複合体。
  4. 【請求項４】 前記ダイヤモンド／炭素／炭素複合体の
    ダイヤモンド層上に付着した金属層をさらに含む請求項
    １記載の複合体。
  5. 【請求項５】 ダイヤモンド／炭素／炭素複合体の製造
    方法であって、 プレフォームの間隙中に熱分解炭素を付着させることに
    よって、織り合わされた炭素繊維の前記プレフォームを
    緻密化して、炭素／炭素複合体を製造する工程と；前記
    炭素／炭素複合体上に多結晶ダイヤモンドフィルムを付
    着させる工程とを含む前記方法。
  6. 【請求項６】 前記繊維が黒鉛繊維である請求項５記載
    の方法。
  7. 【請求項７】 前記黒鉛繊維が気相成長炭素繊維である
    請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記緻密化工程が化学気相侵入プロセス
    を含む請求項６記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記化学気相侵入プロセスが約１０００
    ℃〜約１１００℃の温度範囲において実施される請求項
    ８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記化学気相侵入プロセスが約５トル
    〜約４０トルの圧力範囲において実施される請求項８記
    載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記化学気相侵入プロセスが水素ガス
    と炭化水素ガスとのガス混合物を用い、前記炭化水素ガ
    スが前記混合物の少なくとも５０容量％から７５容量％
    以下を占める請求項８記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記炭化水素ガスがメタンである請求
    項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記緻密化工程がピッチ侵入プロセス
    を含む請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記多結晶ダイヤモンドフィルムをマ
    イクロ波プラズマ強化化学蒸着プロセスによって前記炭
    素／炭素複合体上に付着させる請求項５記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記マイクロ波プラズマ強化化学蒸着
    方法が約８５０℃〜約１１００℃の温度範囲において実
    施される請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記多結晶ダイヤモンドを前記炭素／
    炭素複合体上に熱フィラメントプロセスによって付着さ
    せる請求項５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記熱フィラメントプロセスが約８５
    ０℃〜約１１００℃の温度範囲において実施される請求
    項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記熱フィラメントプロセスが約１５
    〜約５０トルの圧力において実施される請求項１６記載
    の方法。
  19. 【請求項１９】 前記ダイヤモンド／炭素／炭素複合体
    のダイヤモンド層上に金属フィルムを付着させる工程を
    さらに含む請求項５記載の方法。
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