JPS638284A - 高熱伝導性基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ この発明は、電気絶縁材料の製造技術の分野に属する。

特に、高い熱伝導性を必要とする電気回路用の基板を製
造する技術の分野に属する。さらに、セラミックスに関
する技術分野にも属する。

［背景技術Ｉ ＩＣ等に代表される半導体素子の高集積化や大電力化が
進み、これに従って放熱性の良い電気絶縁材料が要求さ
れるようになった。これに応えて各種の高熱伝導性基板
が提案されている。これらのうちの代表的な例として多
層構造を有する基板が提案されている。たとえば、鉄ま
たはアルミニュウム素地板の面に樹脂層を形成して、放
熱性と絶縁性を具備させた基板、あるいはアルミニュウ
ム素地板の面にアルマイト層を形成し、その上に樹脂層
を形成して構成した、電気絶縁性と高熱伝導性を具備さ
せた基板がそれに相当する。

一方、セラミックスを素材として製造された基板として
窒化アルミニウムセラミック、酸化へリリウムセラミッ
ク、炭化ケイ素−酸化ヘリＩＪウムセラミック等が知ら
れている。

しかし、上記の各基板は熱伝導性が充分でな（、あるい
は価格が高い等の欠点があり、この両面において満足さ
れるような基板は未だ提供されていない。そこで熱伝導
性、価格の両面で優れた高熱伝導性基板が業界において
要望されていた。

［発明の目的］ この発明は、電気絶縁性を有すると共に、熱伝導性に優
れた基板を提供することを目的とする。

［発明の開示］ この発明は、黒鉛素地板の表面にダイヤモンド層を形成
してなる点に特徴を有する。

ダイヤモンド層は、ＣＶＤ法を採用して形成する。ただ
し、特にダイヤモンド層の製法を限定する趣旨ではない
。目的の層が得られる限りどのような方法でダイヤモン
ド層を形成しても良い。

具体的なダイヤモンド層の製造条件を例示すると、たと
えば、反応ガスとしてＣＨ４、Ｈ２を使用し、反応管圧
力を数１０トールとし、プラズマ放電を発生させ、素地
温度は７００〜１１００℃にしてダイヤモンド層を生成
させる。ただし、この条件は一例を示すのみであり、限
定的趣旨ではない。

ダイヤモンド層の厚みは、特に限定する趣旨ではないが
、４μｍ以上が望ましい。４μｍを下回ると電気絶縁性
等の電気特性が充分でなくなる。

（実施例） ダイヤモンド層は、ＣＶＤ法を採用して形成した。すな
わち、反応ガスとしては、ＣＨ４とＨ２を使用し、反応
管内圧力を５０トールとし、マイクロ波（２４５０ＭＨ
ｚ）によりプラズマ放電を発生させ、素地板温度を１０
００°Ｃとし、ダイヤモンド層を形成することにより、
各種の層厚を有する高熱伝導性基板を作成した。

第１表に、これらの基板の熱伝導性を、熱抵抗値で示し
た。

なお、比較例としては、９６％アルミナ基板、窒化アル
ミニュウム基板および樹脂／アルミニュウム複合板を作
成し、その熱抵抗値を示した。

なお、熱抵抗値は、３　Ｘ　３　ｍｍのシリコンチップ
を実装した場合の値である。

第１表 ［発明の効果］ この発明は、黒鉛素地板面にダイヤモンド層を形成した
ことを特徴とするので、電気絶縁性と熱伝導性に優れて
いるという特徴がある。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）黒鉛素地板面にダイヤモンド層を形成したことを
   特徴とする高熱伝導性基板。
2. （２）ダイヤモンド層の厚みが、４μｍ以上であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高熱伝導性基
   板。