JPH013097A - 高熱伝導性基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［背景技術］ この発明は、電気絶縁材料の製造技術の分野に属する。

特に、高い熱伝導を必要とする電気回路用の基板を製造
する技術の分野に属する。さらには、セラミックスに関
する技術分野にも属する。

［背景技術］ ｒｃ等に代表される半導体素子の高集積化や大電力化が
進み、これに従って放熱性のよい電気絶縁材料が要求さ
れるようになった。これに応えて各種高熱伝導性基板が
提案されている。これらのうちの代表的な例として、多
層構造を有する基板が提案されている。たとえば、鉄ま
たはアルミニウム素地板の面に樹脂層を形成して、放熱
性と絶縁性を具備させた基板、あるいはアルミニウム素
地板の面にアルマイト層を形成し、その上に樹脂層を形
成した構成とすることにより電気絶縁性と高熱伝導性を
具備させた基板が知られている。

一方、セラミックスを素材として製造された基板として
窒化アルミニウムセラミックス、酸化ベリリウムセラミ
ックス、酸化ケイ素−酸化ベリリウムセラミックス等が
知られている。

しかし、上記の各基板は熱伝導性が充分でなく、あるい
は価格が高い等の欠点があり、この両面において満足さ
れるような基板は未だ提案されていない。そこで、熱伝
導、価格の両方の点で優れた高熱伝導性基板の提供が業
界において要望されていた。

〔発明の目的〕

この発明は、電気絶縁性を有すると共に熱伝導性に優れ
た基板を提供することを目的とする。

［発明の開示］ この発明に係る高熱伝導性基板は、ポリシリコン素地板
の表面にダイヤモンド状層を形成してなる点に特徴を有
する。　ダイヤモンド状層は、ダイヤモンド構造を有す
るもの、あるいはｉ−カーボン構造を有するものなど種
々の構造のものが使用できる。また、前記例示の２種の
構造を複合した構成にしてもよい。製法としては、たと
えばＣＶＤ法を採用して形成する。ただし、特にダイヤ
モンド状層の製法を限定する趣旨ではない。目的の層が
得られればどのような方法によっても、高電気絶縁性、
高熱伝導性の層が得られる限り自由である。

たとえば、ダイヤモンド状層を形成する場合、反応ガス
として、ＣＨａ、Ｈｔを使用し、反応管圧力を数１０ト
ールとし、プラズマ放電を発生させ、素地温度は７００
〜１１００℃にしてダイヤモンド状層を生成させる。た
だし、この条件は一例である。

ダイヤモンド状層の厚みは、特に限定する趣旨ではない
が、４μｍ以上が望ましい。４μｍ未満であると電気絶
縁性等の電気的特性に難点が生じる。

実施例 ダイヤモンド状層は、ＣＶＤ法を採用して形成した。反
応ガスとしては、ＣＨ４、Ｈ２を使用した。反応管内圧
力を５０トールとし、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ　）
により、プラズマ放電を発生させ、温度を１０００℃と
した素地板表面にダイヤモンド状層を形成させた。各種
のダイヤモンド状層厚を有する高熱伝導性基板を作成し
た。

第１表に、これらの基板の熱伝導性を、熱抵抗値で示し
た。なお、比較例としては、９６％アルミナ基板および
樹脂／アルミニウム複合基板の熱抵抗値を示した。

なお、熱抵抗値は、３×３１１シリコンチツプを　　　
□実装した場合の値である。

［以下、余白］ 第１表 ［発明の効果］ この発明に係る高熱伝導性基板は、ポリシリコン素地板
面にダイヤモンド状層を形成したことを特徴とするので
、電気絶縁性と熱伝導性に優れているという効果がある
。

特許出願人　　松下電工株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ポリシリコン素地板面にダイヤモンド状層を形成
   したことを特徴とする高熱伝導性基板。
2. （２）ダイヤモンド状層が、ダイヤモンド構造または／
   およびｉ−カーボン構造を有することを特徴とする高熱
   伝導基板。